【課題】ポリシラザン化合物を用いて、低温で表面が親水性のシリカ質膜を得る方法の提供。
【解決手段】基板の表面上に、ポリシラザン化合物およびシリカ転化反応促進化合物を含んでなる組成物を塗布し、得られた塗膜に、ポリシラザン塗膜処理液を塗布し、３００℃以下でポリシラザン化合物をシリカ質膜に転化させるシリカ質膜製造方法。このポリシラザン塗膜処理液は、過酸化水素とアルコールと溶媒とを含むものである。 （もっと読む）

【課題】配線表面の酸化膜を除去する際の低誘電率絶縁膜の変質を抑える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上のＳｉＯＣ膜１１表面に配線１２を形成する工程と、配線１２が表面に形成されたＳｉＯＣ膜１１を希ガス、又は希ガスとＮ_２ガスの混合ガスを含むプラズマに曝してＳｉＯＣ膜１１表面に緻密層１４を形成する工程と、緻密層１４が形成された後に、配線１２の表面に形成された酸化膜１３を除去する工程と、酸化膜１３が除去された配線１２、及び緻密層１４上に絶縁膜としての拡散防止膜１５を形成する工程と、を含み、酸化膜１３を除去する工程から拡散防止膜１５を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を実現する構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板（半導体基板１）上に、シラン化合物およびポロジェンを含む膜（有機シリコンポリマー膜２）を設ける工程と、選択的エッチングにより有機シリコンポリマー膜２に孔（配線溝３）を設けるとともに、配線溝３の内部に金属膜（バリア膜４および銅配線５）を設ける工程と、還元ガス雰囲気中で、上記ポロジェンの沸点または分解温度以上の温度で加熱しつつ、有機シリコンポリマー膜２に紫外線６を照射して、多孔質膜７を得る工程と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】高い蒸気圧を持ち、ケイ素含有薄膜を製造する際の優れた材料となる新しいケイ素化合物を提供し、またそれを危険性の無い安価な原材料を使用して収率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるジアザシラシクロペンテン誘導体を、ジイミン、すなわち１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン誘導体にアルカリ金属及びオルトケイ酸テトラアルキルを反応させることにより製造し、それを用いてケイ素含有薄膜を製造する。
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【課題】シランとアンモニアの混合ガスソークによる銅拡散防止絶縁膜形成前の銅配線表面処理を改善できる気相成長装置、および表面状態がよく、抵抗が低い銅配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シランを供給できるガス供給系１ａと反応室を接続する、２つ以上のバルブを含む連続バルブの１つをノーマリオープンとし、ガス供給系と排気系を接続する捨てガスライン３のノーマリクローズのバルブＶ１４と連動させることにより、反応室内の残留ガスの影響を抑制する。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを抑制しながら、高いドレイン電流を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２と、化合物半導体積層構造２上方に形成されたソース電極５ｓ、ドレイン電極５ｄ及びゲート電極５ｇと、が設けられている。更に、ソース電極５ｓとゲート電極５ｇとの間の化合物半導体積層構造２上に形成され、シリコンを含む第１の保護膜６と、ドレイン電極５ｄとゲート電極５ｇと間の化合物半導体積層構造２上に形成され、第１の保護膜６より多くシリコンを含む第２の保護膜７と、が設けられている。 （もっと読む）

本発明は、混合金属酸化物、ＳｒＭ_１−ｘＴｉ_ｘＯ_３に関し、ｘは０<ｘ<１でありＭはＨｆ又はＺｒであり、例えばストロンチウム−ハフニウム−チタニウム酸化物、ストロンチウムジルコニウム−チタニウム酸化物である。また本発明は、前記混合金属酸化物を含む機能装置に関する。 （もっと読む）

【課題】圧電層に作用する圧縮応力を緩和し、圧電層の見かけ上の圧電特性の低下を抑制する。
【解決手段】まず、振動板４０の一表面に、エアロゾルデポジション法により圧電層４１を形成する（圧電層形成工程）。そして、圧電層４１が形成された振動板４０を所定の温度（例えば、９００℃）で加熱する（加熱工程）。その後、加熱された圧電層４１が形成された振動板４０を環境温度まで冷却し（冷却工程）、圧電層４１の表面に複数の個別電極４２をそれぞれ形成する（電極形成工程）。続いて、個別電極４２を覆うように圧電層４１の上面に、ＡＤ法により圧電層形成工程で用いた粒子とキャリアガスとを含んだエアロゾルと同様のエアロゾルを噴きつけて絶縁層６０を形成する（噴きつけ工程）。 （もっと読む）

【課題】
強誘電特性が良好で、絶縁性の良い強誘電体材料及びそれを用いた強誘電体素子を提供す
る。
【解決手段】本発明ではペロブスカイト結晶構造を有する金属酸化物よりなる強誘電体材料であって、前記金属酸化物は、鉄がマンガンで置換された鉄酸ビスマスと、銅酸化物および／またはニッケル酸化物を含有し、前記鉄酸ビスマスのマンガンの置換量は、鉄およびマンガンの合計量に対して０．５ａｔ．％以上２０ａｔ．％以下であり、かつ銅酸化物および／またはニッケル酸化物の添加量が、鉄がマンガンで置換された鉄酸ビスマスに対して０．５モル％以上２０モル％以下である強誘電体材料及びそれを用いた強誘電体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｂｉを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一回の塗布で形成するゾル−ゲル前駆体液膜が厚く、可能な限り少ない繰り返し塗布回数で、所望の酸化物誘電体膜厚さとできるゾル−ゲル前駆体液を提供する。
【解決手段】この目的のため、ペロブスカイト構造を備える酸化物セラミックからなる膜を形成するためのゾル−ゲル前駆体液であって、第１成分系調成剤（ペロブスカイト構造のＡサイトを構成するバリウム及び／又はストロンチウムとを含有した溶液。）と第２成分系調成剤（ペロブスカイト構造のＢサイトを構成するチタンの供給源として、チタンアルコキシドを部分加水分解し重合度調成したものを含有する溶液。）とを含むことを特徴とするゾル−ゲル前駆体液を採用する。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｓｎを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、かつ、ＢとＡとのモル比Ｂ／Ａが０．００３≦Ｂ／Ａ≦０．０５の範囲内となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

Ｐｂ_{１．００＋ｘ}（Ｚｒ_０．５２Ｔｉ_０．４８）_{１．００−ｙ}Ｏ_３Ｎｂ_ｙ（式中、ｘ＞−０．０２且つｙ＞０）の組成を有する圧電アクチュエータが記載される。この圧電材料は、アクチュエータにバイアスを印加した際に良好な屈曲作用を呈することができるペロブスカイトを有しうる。
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【課題】基体上に形成したアルミニウム成膜の表面を、濃度７０％の硝酸に浸して、前記アルミニウム表面に酸化アルミニウムの被膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム表面を濃度７０％の硝酸に４０℃未満の室温、１０分以上浸漬する条件下で、厚さ４ｎｍ以上の酸化アルミニウムの被膜を形成した。この酸化アルミニウム被膜は、高絶縁性誘電体層ないしは不働体化層として、電気的諸特性に優れており、電子デバイスの高性能な機能要素に利用可能である。 （もっと読む）

【課題】配線材料の拡散を抑えながら、金属配線の微細化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に層間絶縁膜を形成する工程（ａ）と、層間絶縁膜に配線を形成する工程（ｂ）と、配線の上面及び層間絶縁膜の上面に有機溶液を塗布する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、配線の上面及び層間絶縁膜の上面にシリル化溶液を塗布する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後に、基板を加熱する工程（ｅ）と、少なくとも配線の上面上に第１のライナー絶縁膜を形成する工程（ｆ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高い結晶性をもった物を製造することが可能なドライプロセス装置を提供する。
【解決手段】基板保持部１０ａに保持された基板１４の温度を所望の温度に保つ温度調整器と、前記基板保持部１０ａとターゲット保持部１０ｂとにそれぞれ配置された高周波電極１１ａ、１１ｂと、両電極の陰陽を切り替える陰陽切替器と、前記チャンバー内の気体を外部の排出するあたりその排気速度を調整する排気調整器と、前記チャンバー内へ供給する気体の供給速度を調整する給気調整器と、この給気調整器を介して前記チャンバーに供給する気体の種類を変更する気体切替器とからなり、前記基板保持部１０ａに保持された基板１４に対しスパッタリング法、イオン注入法、ＣＶＤ法等の異なった複数のドライプロセスを選択して連続実行する。 （もっと読む）

【課題】高い誘電率を示すキャパシタ用絶縁膜は、キャパシタに用いられた際にリーク電流が増大する。
【解決手段】２つの電極の間に挟まれて用いられるキャパシタ用絶縁膜を、チタン酸ストロンチウム又はチタン酸バリウムストロンチウムのチタンサイトの一部がハフニウム元素で置換された結晶から形成する。 （もっと読む）

【課題】エアロゾルデポジション法により形成された薄膜を有しながら、膜剥離が発生しにくく、電気評価が良好であるため歩留りが改善されるとともに、優れた圧電特性を達成できる積層型圧電素子を提供する。
【解決手段】基板１４の上に、第一層１１、第二層１２、及び第三層１３がこの順序で積層された四層構造の圧電素子において、第一層１１、第二層１２、及び第三層１３は、各々がエアロゾルデポジション法によって成膜されたセラミックス膜であり、第一層１１の弾性率は第二層１２の弾性率よりも大きく、第二層１２の弾性率は第三層１３の弾性率よりも大きい。第一層１１／第二層１２／第三層１３の具体的態様としては、ＺｒＯ_２／ＰＺＴ／ＰＺＴ、Ａｌ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２／ＰＺＴ、Ａｌ_２Ｏ_３／ＰＺＴ／ＰＺＴがある。 （もっと読む）

半導体薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造体の誘電体層内のプラズマ水素化領域は、ＴＦＴの安定性を向上させる。ＴＦＴは、電極と、電極上に配置された誘電体層と、誘電体上の金属酸化物半導体とを含む多層構造体である。半導体の蒸着前に誘電体層を水素含有プラズマに曝露すると、半導体と誘電体との境界面でプラズマ水素化領域が生成される。プラズマ水素化領域は、半導体と誘電体との境界面から誘電体層及び半導体層の一方又は両方のバルクにかけて濃度が低下するように水素を組み込んでいる。
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【課題】２０％を超える光量子効率を有する、ナノ結晶性ケイ素含有ＳｉＯ_Ｘ薄膜フィルムを提供する。
【解決手段】本発明に係る製造方法は、発光用途に関する、高量子効率のシリコン（Ｓｉ）ナノ粒子含有ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムを備える発光素子の製造方法において：底部電極を供給する工程と；底部電極上に、シリコンナノ粒子を含有する不定比のＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルム（Ｘ＋Ｙ＜２であり、Ｙ＞０である）を堆積する工程と；シリコンナノ粒子を含有するＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムをアニール処理する工程と；６３２ｎｍにて測定された０．００１未満の消衰係数（ｋ）および２０％を超えるＰＬ量子効率（ＰＬＱＥ）を有する、アニール処理されたシリコンナノ粒子含有ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムを形成する工程とを含む。 （もっと読む）