【課題】ゲート絶縁膜に高誘電率膜を用いたＭＩＳトランジスタのトランジスタ特性を向上する。
【解決手段】基板の主面上に形成した酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜上に、ハフニウムおよび酸素を含むベース絶縁膜を形成する。次いで、ベース絶縁膜上に、ベース絶縁膜より薄く、かつ、金属元素のみからなる金属薄膜を形成し、その金属薄膜上に、耐湿性および耐酸化性を有する保護膜を形成する。その後、保護膜を有する状態で、ベース絶縁膜に金属薄膜の金属元素をすべて拡散することによって、酸化シリコン膜上に、酸化シリコン膜より厚く、かつ、酸化シリコンより誘電率が高く、ベース絶縁膜のハフニウムおよび酸素と、金属薄膜の金属元素とを含む混合膜（高誘電率膜）を形成する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体の表面上に酸化物を備えた半導体装置であって、上記III族窒化物系化合物半導体と上記酸化物との間の界面の界面準位密度を小さくでき、移動度を高くできるものを提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置では、III族窒化物系化合物半導体３の表面上に、Ａｌを組成に含みスピネル構造をもつ酸化物４が形成されている。III族窒化物系化合物半導体３は、例えばＧａＮからなる。酸化物４は、例えばＭｇＡｌ_２Ｏ_４、ＭｎＡｌ_２Ｏ_４、ＣｏＡｌ_２Ｏ_４、ＮｉＡｌ_２Ｏ_４からなる。 （もっと読む）

【課題】レジストポイゾニングの発生を抑制する半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁層を介して形成された第１配線と第２配線を電気的に接続するビアを備える半導体装置において、半導体基板上に形成された低誘電率の第１絶縁層であって、表面の誘電率が内部より高く、かつ当該第１絶縁層上に形成される絶縁性バリア膜の誘電率より低い表面改質領域が形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層に形成された第１配線と、前記第１配線上に形成された絶縁性バリア膜と、前記絶縁性バリア膜上に形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層に形成された第２配線と、前記第２絶縁層に形成された、前記第１配線と前記第２配線を電気的に接続するビアを有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、絶縁膜の誘電率を低く維持すると共に、半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】シリコン基板１の上方に層間絶縁膜２９を形成する工程と、層間絶縁膜２９に配線溝２９ａを形成する工程と、層間絶縁膜２９の上面と配線溝２９ａの中とに導電膜２７を形成する工程と、導電膜２７を研磨することにより、層間絶縁膜２９の上面から導電膜２７を除去すると共に、配線溝２９ａの中に導電膜２７を残す工程と、導電膜２７の表面を還元性プラズマに曝す工程と、導電膜２７の表面にシリサイド層３４を形成する工程と、シリサイド層３４の表面に窒化層３６を形成する工程と、炭素を含むガス又は液に層間絶縁膜２９の上面を曝す工程と、層間絶縁膜２９の上面に紫外線を照射する工程と、導電膜２７の上にバリア絶縁膜４０を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着により水素化オキシ炭化珪素の低誘電率薄膜を製造する方法を与える。
【解決手段】メチル含有シラン及び酸素付与ガスを含む反応性ガス混合物を、基体の入った化学蒸着室へ導入し、前記メチル含有シランと前記酸素付与ガスとの間の反応を２５℃〜５００℃の温度で引き起こし、反応中存在する酸素の量を調節して、３．６以下の誘電率を有する水素、珪素、炭素及び酸素を含むフィルムを基体上に形成する、ことからなる水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属製のゲート電極（メタル電極）のダメージを熱酸化により修復する際の高誘電率ゲート絶縁膜の結晶化を抑制する。
【解決手段】エッチングにより側壁が露出した高誘電率ゲート絶縁膜とメタル電極とを有する基板を処理室内に搬入する工程と、処理室内で、基板を高誘電率ゲート絶縁膜が結晶化しない温度に加熱した状態で、基板に対してプラズマで励起した水素含有ガスと酸素含有ガスとを供給して酸化処理を施す工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜を含む半導体装置に関し、配線間容量が低く絶縁性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板上に形成された多孔質絶縁材料を含む絶縁膜４４，４８と、絶縁膜４４，４８の少なくとも表面側に形成された溝６０に埋め込まれ、銅を含む配線６４ｂと、絶縁膜４８上及び配線６４ｂ上に形成され、含窒素複素環化合物を含む絶縁材料のバリア絶縁膜６６とを有する。 （もっと読む）

基板を処理するための方法が提供され、ここで第１の有機シリコン前駆体、第２の有機シリコン前駆体、ポロゲン、および酸素源が、処理チャンバーに提供される。第１の有機シリコン前駆体は、一般に低い炭素含有量を有する化合物を含む。第２の有機シリコン前駆体は、より高い炭素含有量を有する化合物を含む。ポロゲンは、炭化水素化合物を含む。ＲＦ電力は、基板上に膜を堆積させるために印加され、さまざまな反応物の流れの流量は、膜の部分が堆積されるにつれて炭素含有量を変化させるために調節される。一実施形態では、堆積膜の最初の部分は、低い炭素含有量を有し、従って酸化物のようであり、一方次に続く部分は、より高い炭素含有量を有し、オキシ炭化物のようになる。他の実施形態は、酸化物のような最初の部分を特徴としない。膜を後処理するステップは、より高い炭素含有量を有する膜の部分に細孔を発生させる。
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キャッピング層は、汚染からアクティブチャネルを保護するために、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアクティブチャネルの上に堆積してもよい。キャッピング層は、ＴＦＴの性能に影響するかもしれない。キャッピング層があまりに多量の水素、窒素、又は酸素を含んでいるならば、ＴＦＴの閾値電圧、サブスレショルドスロープ、及び移動度に否定的に影響を与えるかもしれない。窒素、酸素、及び水素含有ガスの流速の比率を制御することによって、ＴＦＴの性能が最適化されるかもしれない。更に、電力密度、キャッピング層堆積圧、及び温度も、ＴＦＴ性能を最適化するために制御してもよい。
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【課題】高エネルギーの電子やＵＶ光によるガスの解離を抑制でき、予定通りの分子構造を有する良質な膜を形成することが可能な中性粒子を用いた半導体装置の成膜方法を提供する。
【解決手段】希ガスを励起してプラズマを発生させ、このプラズマ中の荷電粒子に電界を与えて所定のエネルギーを付与するとともに、荷電粒子を中性化して中性粒子ビームＮＢを生成し、エネルギーが制御された中性粒子ビームを原料ガスに照射し、所定の分子を解離して重合させ、基板１４上に膜３０を形成させる。 （もっと読む）

【課題】Ｌｏｗ−ｋ膜の機械的強度を向上させることができる半導体装置の製造方法、およびそれにより得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板ＳＢ上に、ＳｉＯＣを含有する骨格構造部と、炭化水素化合物を含有する空孔形成材料部とを有するＳｉＯＣ膜である層間絶縁膜３が形成される。層間絶縁膜３に２００ｎｍ以上２６０ｎｍ以下の波長を有する光が照射される。 （もっと読む）

本発明は、ケイ素半導体デバイスおよび光起電力電池用導電性ペーストに有用なガラス組成物に関する。厚膜導体組成物は、１つ以上の電気機能性粉末と、有機媒体に分散された１つ以上のガラスフリットとを含む。厚膜組成物はまた１つ以上の添加剤を有していてもよい。例示の添加剤としては、金属、金属酸化物または焼成中、これらの金属酸化物を生成することのできる任意の化合物を挙げることができる。 （もっと読む）

金属源前駆体と式Ｉ：
Ｔｉ（Ｌ）_ｘ （式１）
（式中、Ｌはβ−ジケトナートであり、ｘは３または４である）
によるチタン系β−ジケトナート前駆体を使用して気相成長過程によって高κ誘電性膜を形成し安定化させる方法が提供される。さらに、式Ｉによるチタン前駆体を使用して半導体装置の高κゲート特性を改善する方法が提供される。式Ｉによるチタン前駆体を含んでなる高κ誘電性膜形成格子もまた提供される。 （もっと読む）

金属源前駆体および式Ｉ：
Ｃｅ（Ｌ）_ｘ （式Ｉ）
［式中、Ｌはβ−ジケトナートであり、ｘは３または４である］に従うセリウムのβ−ジケトナート前駆体を用いる化学相成長法により、高κ誘電性膜の形成と安定化の方法を提供する。さらに、式Ｉに従うセリウム前駆体を用い、半導体装置の高κゲート特性を改善する方法を提供する。また、酸化ハフニウム、酸化チタン、またはそれらの混合物を含み、さらに、誘電率を維持または増加させる量のセリウム原子を含有する高κ誘電性膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】特性の向上した多孔性シリカガラスフィルムを提供する化学気相蒸着方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーに、オルガノシランおよびオルガノシロキサンからなる群から選択される少なくとも１つの前駆体、および前駆体とは区別されるポロゲンを含めたガス状試薬を導入すること（ここに、ポロゲンは非−分岐構造、および２と等しい、またはそれ未満の不飽和の度合いを有するＣ₄〜Ｃ₁₄環状炭化水素化合物である）；エネルギーを真空チャンバー中のガス状試薬に適用してガス状試薬の反応を誘導し、基材上に予備的フィルムを蒸着させること（ここに、予備的フィルムはポロゲンを含有する）；および不安定有機物質の実質的に全てを予備的フィルムから除去して細孔および２．６未満の誘電定数を有する多孔性フィルムを供することを含む、多孔性有機シリカガラスフィルムを製造するための化学気相蒸着方法。 （もっと読む）

本発明は、ａ）金属又は半金属を有する第一のモノマー単位、及びｂ）化学結合によって第一のモノマー単位に結合されている第二のモノマー単位を有する少なくとも１つのツインモノマーを重合することによって得られる誘電体を有する、３．５以下の誘電率を有する誘電体層に関し、その際、前記重合は、前記化学結合の切断及び第一のモノマー単位を有する第一のポリマーの形成及び第二のモノマー単位を有する第二のポリマーの形成を伴った前記ツインモノマーの重合を含み、且つ、その際、第一及び第二のモノマー単位は共通の機構によって重合する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率及び高絶縁性を有する絶縁材料を提供する。
【解決手段】本発明の絶縁材料は、組成式が（ＹｂＦｅＯ₃）_1-a（Ｙｂ₂Ｔｉ₂Ｏ₇）_a（但し、０．５６≦ａ≦０．６０）であり，空間群Ｒ３ｍで表される菱面体晶構造を有する。 （もっと読む）

【課題】金属ドープ層を形成するに際して、金属を低濃度の領域において制御性良くドープさせることができると共に、膜厚方向における金属の濃度分布を制御することが可能な金属ドープ層の形成方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器４内で被処理体Ｗの表面に金属が含まれた金属ドープ層１００を形成する金属ドープ層の形成方法において、絶縁層原料ガスを用いて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、金属を含む金属層原料ガスを用いて金属層１０４を形成する金属層形成工程とを、金属層形成工程が少なくとも１回含まれるように交互に繰り返し行うようにする。これにより、金属を低濃度の領域において制御性良くドープさせる。 （もっと読む）

エキシマ放射を発生させるための装置を提供する。装置は、ハウジング壁を有するハウジングを含む。電極がハウジング内に設けられる。管状ボディが電極の周囲にある。管状ボディは外壁および内壁を含む。少なくとも１種の不活性ガスが、外壁と内壁との間にあり、ハウジング壁および電極は、硬化処理用のエキシマ光で照明するために、不活性ガスを励起させるように構成される。
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【課題】アルミニウム酸化物膜をブロック絶縁膜とする高性能なＭＯＮＯＳ型のＮＡＮＤ型不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に、直列接続された複数のメモリセルトランジスタと、選択トランジスタを備えるＮＡＮＤ型不揮発性半導体メモリ装置である。メモリセルトランジスタは、半導体基板上の第１の絶縁膜１０２ａと、電荷蓄積層１０４と、アルミニウム酸化物である第２の絶縁膜１０６ａと、第１の制御ゲート電極１０８ａと、第１のソース／ドレイン領域を有する。選択トランジスタは、半導体基板上の第３の絶縁膜１０２ｂと、アルミニウム酸化物であり、４価カチオン元素、５価カチオン元素、Ｎ（窒素）のうち少なくとも１種の元素を含有する第４の絶縁膜１０６ｂと、第２の制御電極１０８ｂと、第２のソース／ドレイン領域を有する。 （もっと読む）