【解決手段】Ｃ_p−Ｏ−Ｃ_q（但し、ｐ、ｑは炭素数を表わし、２≦ｐ≦６、２≦ｑ≦６であり、各炭素鎖には酸素原子と共役する不飽和結合を含まない）結合を含有する炭素数４〜８の直鎖状又は分岐状の酸素含有炭化水素鎖で結合された２個以上のケイ素原子を含有し、かつ該２個以上のケイ素原子はいずれも１個以上の水素原子又は炭素数１〜４のアルコキシ基を有するプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜形成用有機シラン化合物。
【効果】従来、疎水性を向上させようとした場合には成膜速度に犠牲を払ってきたが、本発明のプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜形成用有機シラン化合物によれば、膜の疎水性と誘電率特性を確保した上で、成膜速度の低下を抑制することができる。
また、本発明のプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法を多層配線絶縁膜の成長方法として利用することにより、配線信号遅延の少ない半導体集積回路を安定して製造することができる。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜における空孔の径を小さくすることができ、かつ多孔質絶縁膜の強度を高くすることができる多孔質絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】環状シロキサンを骨格とし側鎖に少なくとも一つの揮発性炭化水素基が結合した環状シロキサン化合物と、シリコン含有化合物とを、プラズマ中に導入し、基板上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜にエネルギーを加えることにより、絶縁膜を多孔質絶縁膜にする工程とを備える。シリコン含有化合物は、環状シロキサン化合物の骨格、揮発性炭化水素基、及び環状シロキサン化合物と揮発性炭化水素基の結合より低エネルギーで分解する。 （もっと読む）

【課題】人手を介さずにバルブ制御装置にバルブ開閉パターンを書き込むことができ、バルブの高速な切り替え動作をロギングできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、複数のバルブの開閉動作を制御するバルブ制御装置３００と、前記複数のバルブの開閉状態の設定を行うバルブ切り替えパターンを作成するパターン作成装置３０２と、を有する。前記パターン作成装置は、作成したバルブ切り替えパターンを前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。前記バルブ制御装置は、内部エリアに書き込まれたバルブ切り替えパターン３０６に基づいて複数のバルブの切り替えを行い、その時の前記複数のバルブの開閉状態を前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。 （もっと読む）

【課題】石英炉のパーツ交換の頻度を低減する方法を提供する。
【解決手段】基板を石英炉内に投入するＳ２０。基板が投入された石英炉の炉内温度を、水素を含む雰囲気下で上昇させるＳ４０。炉内温度の上昇速度は、毎分１０℃以下とする。 （もっと読む）

低誘電率及び優れた電気特性等の改良されたバリア誘電体特性を有する、ケイ素、炭素、酸素及び水素を有する前駆体を含む誘電体バリアフィルムを堆積させるための方法を与える。この方法は、相互接続構造のためのダマシン又は二重ダマシン集積で、又は他の誘電体バリア用途で用いられるバリア層に関して重要となるであろう。この例では、バリア性能を改良する特定の構造特性が注目される。
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【課題】絶縁信頼性の劣化を低減し、銅配線の信頼性を改善する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１０と、シリコン（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）と酸素（Ｏ）とを含み、半導体基板１０に形成された第一の多孔質絶縁膜１１ａ及び第二の多孔質絶縁膜１１ｂと、第一の多孔質絶縁膜１１ａ中に埋め込まれた第一の銅配線１２ａと、第二の多孔質絶縁膜１１ｂ中に、それぞれ、埋め込まれた第二の銅配線１２ｂ及び銅ビア２２と、第二の銅配線１２ａ上に形成された第一のメタルキャップ膜１３ａと、第二の銅配線１２ｂ上に形成された第二のメタルキャップ膜１３ｂと、を有する。第一、第二の多孔質絶縁膜１１ａ、１１ｂは、少なくとも上層のＣ／Ｓｉ比が１．５以上であり、かつ、第一、第二の多孔質絶縁膜１１ａ、１１ｂの少なくとも上層に含有される空孔の最大径が１．３ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】配線が形成された層間絶縁膜を有する半導体装置において、層間絶縁膜と、層間絶縁膜下に形成された下層との界面に、剥離が発生することを防止する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第１の層間絶縁膜１０と、第１の層間絶縁膜１０上に形成された第２の層間絶縁膜１４と、第２の層間絶縁膜１４の上部領域に形成された第１の配線２１とを備え、第２の層間絶縁膜１４は、空孔１４ｂを含有する多孔質領域１４Ｂと、非多孔質領域１４Ａとで構成され、多孔質領域１４Ｂは、第２の層間絶縁膜１４のうち、第１の配線２１の周囲に位置する領域に形成され、非多孔質領域１４Ａは、少なくとも第１の層間絶縁膜１０と多孔質領域１４Ｂとの間に介在して形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＨ、ＳｉＣＯＨ、又は有機ポリマーを絶縁膜として使用した場合に、導電パターンの表層に酸化層が残ることを抑制でき、絶縁膜の表層の比誘電率が上昇することを抑制でき、かつ絶縁膜と拡散防止膜の密着性が低下することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、ＳｉＯＨ、ＳｉＣＯＨ、又は有機ポリマーからなる絶縁膜１００に、導電パターン２００を埋め込む工程と、絶縁膜１００及び導電パターン２００の表面を、炭化水素ガスを処理ガスに含むプラズマで処理する工程と、上記した処理ガスに、Ｓｉ含有ガスを徐々に又は段階的に添加量を増大しながら添加してプラズマＣＶＤを行うことにより、絶縁膜１００上及び導電パターン２００上に、ＳｉＣＨ膜、ＳｉＣＨＮ膜、ＳｉＣＨＯ膜、またはＳｉＣＨＯＮ膜からなる拡散防止膜３０２を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 従来のエアギャップ構造より、さらに容量及び容量ばらつきを低減することができる。
【解決手段】 基板上の絶縁膜１７上に、銅を主成分として含む配線２６を形成する。それから、リザーバーパターン用絶縁膜２１、２２及びバリア絶縁膜２９を形成し、配線２６の上面および側面上と絶縁膜１７及び絶縁膜２９上に銅の拡散を抑制または防止する機能を有する絶縁膜３１を形成する。このとき、狭い配線間スペース底部の絶縁膜１７の膜厚保は、配線２６上の絶縁膜３１の膜厚より、薄く成膜することで細線ピッチの配線容量を効率良く低減する。その後、低誘電率からなる絶縁膜３６及び絶縁膜３７を成膜する。その際、配線２６の隣接配線間において、対向する配線側面の上方での堆積速度が下方での堆積速度より大きくなるように絶縁膜３６を形成し、エアギャップを形成する。最後に、層間ＣＭＰによって、絶縁膜３７を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）において、本発明の目的は、ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面特性を向上させることにより、電気的特性およびデバイス性能を向上させることである。
【解決手段】ｈｉｇｈ−Ｋ誘電体上に金属ゲートを蒸着することによりＭＯＳＦＥＴの製造においてｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面を向上させる方法は、熱アニーリングモジュール内で、その上にｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜が蒸着された基板をアニールするアニーリングステップと、金属ゲート蒸着モジュール内で、前記アニールされた基板上に金属ゲート材料を蒸着させる蒸着ステップとを含み、真空を破ることなく、前記アニーリングステップおよび前記蒸着ステップが連続的に行なわれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子部品の誘電材料として機能し得るセラミック酸化物材料を形成するプロセスにおいて、周囲の部品を劣化させるような温度を用いることなく、高い誘電率および低い誘電正接を有する材料を得ることができるプロセスを提供すること。
【解決手段】本発明のプロセスは、少なくとも１つのパイロクロール結晶相を含む鉛ベースのセラミック酸化物誘電材料を形成するプロセスであって、ａ）該鉛ベースのセラミック酸化物材料の少なくとも１つの非晶層を基板上に堆積させる工程と；ｂ）５５０℃を超えない温度で該非晶層に施され、それにより、少なくとも１つのパイロクロール結晶相を含む鉛ベースのセラミック酸化物誘電材料が得られる、結晶化アニール工程と；を含む。 （もっと読む）

【課題】低い等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および低い漏洩電流を有する金属−絶縁体−金属キャパシタを提供する。
【解決手段】低温原子層堆積（ＡＬＤ）法を用いて、Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３ベースの金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタを製造する方法が開示される。好ましくは、下部電極を形成するためにＴｉＮが用いられる。キャパシタのＳｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層でのＳｒ／Ｔｉ比率は、キャパシタの電気的特性を調整するために変化できる。Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層の誘電率および漏洩電流は、このＳｒ_ｘＴｉ_１−ｘＯ_３誘電体層のＳｒ含有量とともに単調に減少する。Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層とＴｉＮ下部電極との間の界面でのＳｒ含有量を増加させることによって、界面の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）をさらに低減できる。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法において、成膜原料として用いるシラン化合物として、反応性基として水素原子又はアルコキシ基を有すると共に、分子中には２個以上のケイ素原子を含有し、かつ２個以上のケイ素原子は飽和炭化水素基を介して結合され、かつ、アルコキシ基に含まれる炭素原子を除いた炭素原子数［Ｃ］とＳｉ原子数［Ｓｉ］の比［Ｃ］／［Ｓｉ］が３以上であり、全てのケイ素原子は２以上の炭素原子と直接の結合を有するシラン化合物を用いるプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法。
【効果】有効な成膜速度が得られると共に、膜の疎水性の確保と、ケイ素原子の求核反応に対する反応性の抑制を同時に達成することができ、膜の化学的安定性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】フッ素添加カーボン膜（ＣＦ膜）上にハードマスク用の薄膜であるＳｉＣＯ膜あるいはＳｉＣＮ膜を成膜するにあたり、その薄膜とフッ素添加カーボン膜との間で大きな密着性を得ること。
【解決手段】 ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。ＳｉＣＯ膜の成膜時に、酸素の活性種がＣＦ膜中の炭素と反応することが抑えられ、従ってＣＦ膜の脱ガス量が低減する。またＳｉＣＮ膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタガ型の薄膜トランジスタにＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、電気特性のバラツキを低減する。
【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。また、酸化物半導体層においてチャネル保護膜と重なる領域の膜厚が導電膜と接する領域の膜厚よりも厚くなる特徴的な構造とする。 （もっと読む）

【課題】良好な膜厚分布、組成分布、成膜レートを再現しつつ、パーティクル数が少なく、長期にわたって連続成膜を安定して行えることが可能な生産性、量産性に優れた薄膜製造装置及び製造方法の提供。
【解決手段】反応空間である反応室上部からシャワーヘッドを介して反応室内に成膜ガスを導入し、加熱基板上で成膜するＣＶＤ装置である薄膜製造装置において、上部の反応空間が回転又は昇降しない基板ステージとシャワーヘッドと防着板とで構成され、防着板と基板ステージとで構成される同心円の隙間をガス排気経路として設け、このガス排気経路の上方から防着板に沿って不活性ガスが流れるように構成し、そしてガス排気経路の２次側に下部空間を設ける。 （もっと読む）

【課題】ゲート酸化膜やゲート酸化膜と半導体基板の界面にダメージを与えることなく、界面準位の低減を図る。
【解決手段】シリコン酸化膜６で覆われたゲート電極４にポリシリコン膜８ａとタングステンシリサイド膜８ｂの積層膜からなり、弗素を含んだ弗素含有膜８を形成する。この場合、先ず、シリコン酸化膜６で覆われたゲート電極４上にポリシリコン膜８ａを形成し、ポリシリコン膜８ａ上にＷＦ_６とＳｉＨ_４を原料ガスとしてＬＰＣＶＤ法によりタングステンシリサイド膜８ｂを形成する。この場合、ＷＦ_６中の弗素はＳｉＨ_４中の水素と反応し、大半は弗化水素（ＨＦ）ガスとして排気され、タングステンシリサイド膜８ｂを形成する反応が継続するが、弗素の一部はタングステンシリサイド膜８ｂの中に取り込まれる。その後、タングステンシリサイド膜８ｂの弗素をゲート酸化膜３中に熱拡散させるための熱処理が施される。 （もっと読む）

【課題】反射型表示装置の製造工程を大幅に簡略化する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの上方に配置された絶縁層及び画素電極を有し、画素電極は、薄膜トランジスタに電気的に接続され、表面に凹凸を有し、かつ、反射機能を有し、絶縁層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素及び有機性樹脂から選ばれた材料を積層した構造を有し、絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料及び顔料の少なくともいずれか一を含む遮光膜である表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】バリア膜を良好に形成することができながら、Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を低減することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む第２絶縁層６に、第２溝１１およびビアホール１２が形成された後、Ｍｎからなる金属膜１８が第２溝１１およびビアホール１２の側面および底面に被着される。次いで、金属膜１８中のＭｎと第２絶縁層６中のＳｉおよびＯとを結合させるための熱処理が行われる。この熱処理の結果、第２溝１１およびビアホール１２の内面上に、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】溝を埋め尽くすように形成されるＣｕ層中のＭｎの残留量の増加を生じることなく、溝の側面上における合金膜の膜剥がれの発生を防止することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる第２絶縁層６に、第２溝１１が形成される。次に、スパッタ法により、第２溝１１の内面に、ＣｕＭｎ合金からなる合金膜１８が被着される。この合金膜１８は、第２溝１１の内面に接する部分のＭｎ濃度が相対的に高く、その表層部分のＭｎ濃度が相対的に低くなるように形成される。次いで、合金膜１８上に、Ｃｕからなる第２配線１４が形成される。第２配線１４の形成後、熱処理により、第２配線と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。 （もっと読む）