【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適する高誘電率絶縁膜を良好な制御性をもって生産性良く形成する。
【解決手段】シリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０２とする第１工程と、非酸化性雰囲気中においてシリコン酸化膜１０２の上に金属膜１０３を形成する第２工程と、非酸化性雰囲気中で金属膜１０３を希ガスプラズマに暴露することで、金属膜１０３を構成する金属原子をシリコン酸化膜１０２中に拡散させる第３工程と、金属原子が拡散したシリコン酸化膜１０２をラジカル酸化により酸化し、金属シリケート膜１０４を形成する第４の工程と、を備える。希ガスプラズマは金属膜１０３を構成する金属原子の原子量に最も近い原子量を有する希ガスを含む。 （もっと読む）

【課題】熱の費用に悪い影響を与えることなく、機械的特性を向上できる、低ｋ誘電体の形成方法の提供。
【解決手段】基板の表面上に低ｋ誘電体を形成する方法であって、表面上に低ｋ誘電体を成膜し、低ｋ誘電体の機械的特性を効果的に向上させる時間と強さで紫外線に低ｋ誘電体を露光して、これによって、この機械的特性を、紫外線に露光されない低ｋ誘電体の対応する機械的特性や、炉で硬化される低ｋ誘電体の対応する機械的特性や、紫外線の露光の前に過度の活性化エネルギーにさらされる低ｋ誘電体の対応する機械的特性と比べて相当向上させ、この際、過度の活性化エネルギーには、過度のホットプレートベークシーケンス、炉の硬化、焼鈍硬化、複数の温度の硬化プロセス又はプラズマ処理であって、紫外線照射に先立つものが含まれる。 （もっと読む）

【課題】プラズマの不均一を改善することにより、プラズマダメージを抑え、得られる半導体素子の性能や製品歩留りの劣化を抑えることが可能な半導体製造方法と半導体製造装置を提供する。
【解決手段】反応室１１内に設けられた下部電極１３にウェハｗを載置し、反応室１１内にプロセスガスを導入し、ウェハｗの被処理面と離間するように磁場を印加し、下部電極１３と、下部電極１３と対向配置された上部電極１２間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、プラズマが安定化した後、磁場を除去し、ウェハｗをプラズマ処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、第１の原料液と、第２の原料液とを含むセラミックスの原料液を結晶化することにより、セラミックス膜を形成する工程を含む。前記第１の原料液と前記第２の原料液とは、種類が異なる関係にあり、前記第１の原料液は、強誘電体を生成するための原料液であり、前記第２の原料液は、ＡＢＯ系などの酸化物を生成するための原料液であり、前記第１の原料液が含む溶媒と第２の原料液が含む溶媒とは、極性の異なる関係にあり、前記第１の原料液と前記第２の原料液が相分離した状態で成膜することにより、前記セラミックス膜の平面方向において、前記第１の原料液からなる第１の結晶が断続して形成され、前記第２の原料液からなる第２の結晶が前記第１の結晶相互間に介在するように形成される。 （もっと読む）

【課題】成膜の停止時の機械的なシャッタ８動作のための遅延時間を抑制でき、再現性良く成膜を行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマを発生させるプラズマ源４と、プラズマ源４と被処理体１２との間に配置されたシャッタ８と、被処理体１２の表面方向に誘導するようにプラズマに含まれる荷電粒子の進行方向を屈曲させる磁場フィルタ１５と、シャッタ８が開いた状態において磁場フィルタ１５を通過した荷電粒子により被処理体１２上に成膜された膜の膜厚を検知する検知部１４と、検知結果から成膜を停止するか否か判断する判断部１０１と、成膜を停止すると判断したときに、磁場フィルタ１５をオフするように制御するフィルタ制御部１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層配線の形成方法は、シロキサン構造を含むビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４を金属配線４１ａ上に形成する第一の工程（図１［１］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の一部に金属配線４１ａに達する凹部としてのデュアルダマシン溝４８を形成する第二の工程（図１［２］〜図２［２］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４とデュアルダマシン溝４８内で露出した金属配線４１ａとに水素プラズマ処理を施すことにより、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の表面に改質層４９を形成するとともに金属配線金属配線４１ａの表面を還元する第三の工程（図３［１］）と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線層に空隙部を設けた半導体装置における配線間容量を確実に低減できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１の上に形成された第１絶縁膜１０２と、該第１絶縁膜１０２に選択的に形成された複数の配線１０８とを有している。第１絶縁膜１０２における複数の配線１０８のうちの一部の配線同士の間の領域にはエアギャップ１０２ｃが形成されており、第１絶縁膜１０２におけるエアギャップ１０２ｃの底部及び該エアギャップ１０２ｃと隣接する配線１０８の下側部分の誘電率は、第１絶縁膜１０２におけるエアギャップ１０２ｃと隣接しない配線１０８の下側部分の誘電率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、且つ、良好な品質を有する絶縁膜を備え、配線間の寄生容量が抑制された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成され、第１の溝（第２の配線溝２８）を有し、高さ方向において組成比が異なる第１の絶縁膜（第３の絶縁膜２４）と、第１の溝（第２の配線溝２８）を埋める第１の金属配線（第２の金属配線２５）とを備えている。第１の絶縁膜（第３の絶縁膜２４）では、上部における機械的強度がその他の部分における機械的強度に比べて大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】 メタルゲート電極及び高誘電率ゲート絶縁膜を用いたｎ型ＭＩＳトランジスタとｐ型ＭＩＳトランジスタの双方において適正なしきい値電圧を得る。
【解決手段】 半導体基板３０の表面部に形成された第１及び第２の半導体領域１０，２０と、第１の半導体領域１０上に形成された、Ｌａ及びＡｌを含む第１のゲート絶縁膜１１及び第１のゲート電極１２を有するｎ型ＭＩＳトランジスタと、第２の半導体領域２０上に形成された、Ｌａ及びＡｌを含む第２のゲート絶縁膜２１及び第２のゲート電極２２を有するｐ型ＭＩＳトランジスタと、を備えた相補型半導体装置であって、第２のゲート絶縁膜２２における原子濃度比Ａｌ／Ｌａが、第１のゲート絶縁膜１１における原子濃度比Ａｌ／Ｌａよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、第１の原料液と、第２の原料液とを含むセラミックスの原料液を結晶化することにより、セラミックス膜を形成する工程を含む。前記第１の原料液と前記第２の原料液とは、種類が異なる関係にあり、前記第１の原料液は、強誘電体を生成するための原料液であり、前記第２の原料液は、ＡＢＯ系などの酸化物を生成するための原料液であり、前記第１の原料液が含む溶媒と第２の原料液が含む溶媒とは、極性の異なる関係にあり、前記第１の原料液と前記第２の原料液が相分離した状態で成膜することにより、前記セラミックス膜の平面方向において、前記第１の原料液からなる第１の結晶が断続して形成され、前記第２の原料液からなる第２の結晶が前記第１の結晶相互間に介在するように形成される。 （もっと読む）

【課題】３．７以下の誘電率を有するシリカ系の材料及び膜、並びにそれを作製及び使用するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】シリカ系材料を調製するための組成物であって、少なくとも１つのシリカ源と、溶剤と、少なくとも１つのポロゲンと、任意選択で触媒と、任意選択で流動添加剤とを含み、該溶剤が、９０℃〜１７０℃の温度で沸騰し、化学式、ＨＯ−ＣＨＲ⁸−ＣＨＲ⁹−ＣＨ₂−ＣＨＲ¹⁰Ｒ¹¹（式中、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は、独立して１〜４個の炭素原子のアルキル基又は水素原子であることができる）；Ｒ¹²−ＣＯ−Ｒ¹³（式中、Ｒ¹²は３〜６個の炭素原子を有する炭化水素基であり；Ｒ¹³は１〜３個の炭素原子を有する炭化水素基である）；及びそれらの混合物によって表される化合物から成る群より選択された組成物によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

片側裏面コンタクト太陽電池で使用される誘電体コーティング材系が開示される。前記材系は、シリコンベースの太陽電池の同一面上において、相反する極性の電極同士を電気的に絶縁する役目をし、且つ、チタン及びリンを含んでいる。
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【課題】経時変化と共に圧電体特性の劣化、即ち疲労を抑制することが可能な鉛、ジルコニウム、及びチタンを含む酸化物圧電体材料と、それを用いた圧電体素子及び半導体装置を提供する。
【解決手段】圧電体材料PZTにおいて、鉛の一部がランタンにより置換され、且つジルコニウムまたはチタンの一部がリチウム、ベリリウム、マグネシウム及びホウ素のうち少なくとも一種類以上の元素により置換されている元素組成を有する。この圧電体材料は、酸素欠損が発生しても、疲労特性を大幅に改善することが可能である。圧電体素子は、２つの電極１３，１５間に圧電体１４を配置した圧電体素子において、圧電体１４が、上記の圧電体材料を含む。キャパシタを有する半導体装置においては、キャパシタの有する誘電体膜及びゲート絶縁膜のうち少なくとも一方が、上記の圧電体材料を含む。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどの層間絶縁膜に用いられる低い誘電率と優れた機械強度を有する層間絶縁膜を形成できる絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１）で表される化合物と下記一般式（２）で表される化合物とを酸触媒により脱水縮合して得られるポリマーを含有することを特徴とする。
【化１】


（Ｒ_１〜Ｒ_４のうち、少なくとも２つはヒドロキシル基、メトキシ基等から選ばれ、残りはメチル基、エチル基等から選ばれる。Ａはカゴ型構造を有する構造を表し、Ｙ_１〜Ｙ_４のうち少なくとも２つはヒドロキシル基であり、残りは水素、メチル基、エチル基等から選ばれる。） （もっと読む）

【課題】半導体素デバイスなどにおける低誘電率層間絶縁膜として使用するのに適した絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物を含有する塗膜を基板上に形成した後、酸素雰囲気中で２５０〜３５０℃で焼成し、さらに水酸基と結合可能な架橋性化合物を含む媒体で処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低吸湿性かつ低誘電率のＦ添加ＳｉＯ₂ 膜を形成すること。
【解決手段】導電領域間を電気的に分離し、Ｓｉ、Ｏ、Ｆを含み、ＳｉＯ₂ の網目構造を有する絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により形成する際に、原料ガスとして、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＦ₃ ）₃ 、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＯＲ）₃ ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＦ₂ Ｒ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＯＲ）₂ Ｒ′）₃ （Ｒ，Ｒ′は官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＮＲ₂ ）₃ ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＮＲ₂ ）₂ Ｒ′）₃ （Ｒ，Ｒ′は官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＲＯ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＮ）₃ 、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＮＯ₂ ）₃ 、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＯＯＲ）₃ （Ｒは官能基）またはＳｉＦ_n （ＯＣＨ₂ ＣＦ₂ Ｒ）_4-n （ｎ＝１〜３、Ｒは官能基）のガスを用いたときに、前記Ｓｉに結合した元素がＦと置換する反応確率が、前記ＳｉにＦが結合している場合のほうが、前記ＳｉにＦが結合していない場合よりも小さくなる成膜温度で、前記絶縁膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】下から順に、制御ゲート電極、ゲート間絶縁膜、浮遊ゲート電極、トンネル絶縁膜の各層を形成した構造において、トンネル絶縁膜の膜質を向上できるようにした不揮発性半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上にシリコン酸化膜２を介して、制御ゲート電極ＣＧとして機能する導電膜３、高誘電体膜を含有した導電膜間絶縁膜４、リン、砒素またはボロンによる不純物を添加した多結晶シリコンから構成され、浮遊ゲート電極ＦＧとして機能する導電膜５を順に形成する。その後、４００℃以上６００℃以下の温度範囲内の低温条件下でプラズマ酸化処理によって導電膜５上にシリコン酸化膜７を形成する。シリコン酸化膜７および８上には、シリコン層９が形成されている。ソース／ドレイン領域が積層ゲート電極６のＹ方向両脇で且つシリコン酸化膜８の上側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線間におけるリーク電流の発生を防止することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１は、ＳｉＯ₂からなる。層間絶縁膜１には、その上面から掘り下がった溝２ａ，２ｂが形成されている。この溝２ａ，２ｂには、ＣｕＭｎからなる配線４ａ，４ｂが埋設されている。層間絶縁膜１および配線４ａ、４ｂ上には、ＳｉＯ₂からなるバリア形成用膜５が積層されている。バリア形成用膜５上には、パッシベーション膜６が積層されている。また、配線４ａ，４ｂと層間絶縁膜１およびバリア形成用膜５との間には、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜３ａ，３ｂが介在されている。このバリア膜３ａ，３ｂによって、配線４ａ，４ｂの全面が被覆されている。 （もっと読む）

【課題】基板上にシリコンを含む低誘電率膜を塗布法により形成するにあたり、簡便な方法により低誘電率膜中に気孔を形成すること。
【解決手段】低誘電率膜の前駆体であるシリコンを含む化合物の塗布液中に、負電荷を持ち、かつ浮力がほぼゼロの極めて小さな気泡であるナノバブルを導入し、この塗布液を基板上に塗布した後に、基板を加熱して低誘電率膜を形成する。このナノバブルが負電荷を持っているので、凝集しにくく、溶液中に均一に分散し、また基板の加熱後にも気泡として低誘電率膜中に取り込まれるため、均一で小さな気孔を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、配線用トレンチ或いはビアホールの側壁に無孔質保護絶縁膜を均一に成膜する。
【解決手段】 半導体基板と、半導体基板上に形成された空孔を含有する第１絶縁膜３と、第１絶縁膜３に形成された凹部４と、凹部４の側壁に形成された第２絶縁膜５と、第２絶縁膜５を介して凹部４に埋め込まれた導体７とを有するとともに、第１絶縁膜３と第２絶縁膜５との界面において、第１絶縁膜３の表面のボンドが官能基で終端している比率より第２絶縁膜５を構成する材料の主鎖と化学的に結合している比率を高くする。 （もっと読む）