次世代の誘電体膜に適切な誘電率およびヤング率を有するＳｉＣＯＨ膜を成膜するために適合した前駆体が開示される。 （もっと読む）

高温オゾン処理を含むナノ細孔の超低誘電薄膜の製造方法及びこれによって製造されたナノ細孔の超低誘電薄膜が提供され、前記製造方法は、有機シリケートマトリックス−含有溶液と反応性ポロゲン−含有溶液とを混合して混合溶液を準備し、前記混合溶液を基材上に塗布して薄膜を形成し、前記薄膜を熱処理し、前記熱処理の過程中にオゾン処理を行うことを含み、このような製造方法によって製造されたナノ細孔の超低誘電薄膜は、高温のオゾン処理及び処理温度の最適化による薄膜内の細孔のサイズと分布度の改善を通じて、２.３以下の誘電率と１０ＧＰａ以上の機械的強度とを有することができる。
（もっと読む）

【課題】加圧した状態でランプアニール処理ができる加圧式ランプアニール装置を提供する。
【解決手段】被処理基板としてのウエハ２を導入する処理室５５と、前記処理室内を加圧する加圧ライン（加圧機構）１２と、前記ウエハ２にランプ光を照射するランプヒータ５とを具備する。加圧ライン１２は、アルゴンガスによる加圧ライン、酸素ガスによる加圧ライン及び窒素ガスによる加圧ラインを有している。 （もっと読む）

【課題】配線間のリーク電流が発生することを抑制し、配線間容量の増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、絶縁膜２にダマシン配線を形成する工程（Ａ）を含む半導体装置１００の製造方法であって、基板１上に形成された絶縁膜２の表面にプラズマ処理を行い、絶縁膜２中の水分を脱離する工程（Ｂ）と、シリル化ガスを含む雰囲気中でアニール処理を行い、絶縁膜２をシリル化する工程（Ｃ）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低下を軽減しつつリーク電流値を低減し、スパッタ率の低下による堆積速度の減少を抑制し、かつ、面内均一性に優れた誘電体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る誘電体膜の製造方法は、基板上に、ＡｌとＳｉとＯを主成分とする金属酸化物である誘電体膜を形成する誘電体膜の製造方法であって、Ａｌ元素とＳｉ元素のモル比率Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ）が０＜（Ｂ／（Ａ＋Ｂ））≦０．１であり、非晶質構造を有する金属酸化物を形成する工程と、該非晶質構造を有する金属酸化物に１０００℃以上のアニール処理を施し、結晶相を含む金属酸化物を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ容量の低下を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、上部電極膜（上部電極膜１１４、上部電極膜１１６）と下部電極膜１１０との間に容量絶縁膜１１２が設けられた容量素子を備え、下部電極膜１１０は、少なくとも容量絶縁膜１１２と接する部分に、多結晶窒化チタンを有する。 （もっと読む）

【課題】 酸化物層を有する半導体部品を提供する。
【解決手段】 酸化物層を有する半導体部品。一実施形態は、第１の半導体領域と第２の半導体領域とを含む。酸化物層は、第１および第２の半導体領域間に配置される。第１の半導体領域および酸化物層が第１の半導体−酸化物界面を形成する。第２の半導体領域および酸化物層が第２の半導体−酸化物界面を形成する。酸化物層は塩素濃度を有し、塩素濃度は、第１の半導体−酸化物界面の領域における第１の極大点と、第２の半導体−酸化物界面の領域における第２の極大点とを有する。 （もっと読む）

本発明の諸実施形態は、多層堆積する間中の欠陥を低減する方法を提示する。一実施形態では、この方法は、基板をプラズマの存在下で第１のガス混合物および不活性ガスに曝して、基板上に第１の材料の層を堆積するステップと、第１の材料の所望の厚さが得られたときに、プラズマを引き続き維持しつつ不活性ガスを流しながら、第１のガス混合物を終了させるステップと、基板をプラズマの存在下で、第１のガス混合物と共存できる不活性ガスおよび第２のガス混合物に曝して、第１の材料の層の上に第２の材料の層を同じ処理チャンバ内で堆積するステップとを含み、第１の材料の層と第２の材料の層は互いに異なる。
（もっと読む）

【課題】埋設性と塗布性とに優れ、すぐれた膜物性を有するシリカ質膜を形成することができるコーティング組成物とそれを用いたシリカ質膜の形成方法の提供。
【解決手段】ペルヒドロポリシラザンと溶媒とを含んでなるコーティング組成物であって、前記ペルヒドロポリシラザンの分子量分布曲線が、分子量８００〜２，５００の範囲と、分子量３，０００〜８，０００の範囲とにそれぞれ極大を有し、重量平均分子量Ｍｗと数平均分子量Ｍｎの比Ｍｗ／Ｍｎが６〜１２である、コーティング組成物。このコーティング組成物ギャップを有する基板上に塗布し、１０００℃以下で加熱することにより、ギャップ深部まで埋設されたシリカ質膜を形成させることができる。 （もっと読む）

光照射を通して回折格子を用いて人間の眼に見える技術用途向けの色パターンを作成する方法において、ナノ秒範囲又はピコ秒若しくはフェムト秒範囲の少なくとも１つのレーザー装置によるレーザー微細構造化プロセスによって、固体表面上に回折格子アレイが直接生成される。各回折格子アレイは、長手方向寸法が眼の分解能力を下回る値を有する、スペクトル色を生成する限定された回折格子構造である少なくとも１つの画素８１、８２、８３を含む副領域８１で構成される。この色生成回折格子構造を固体表面に直接適用することによって、エンボス加工用具から宝石まで及ぶ多種多様な装飾及び認証の発展性が可能になる。
（もっと読む）

【課題】ＴｉＯ_２膜やＳｒＴｉＯ膜の結晶性を制御し、誘電率を増大させる。
【解決手段】基板上に立方晶もしくは斜方晶の結晶性を持つ第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成し、第１の高誘電率絶縁膜の結晶性を第２の高誘電率絶縁膜に反映させて、第２の高誘電率絶縁膜の結晶性をルチル構造とする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜の形成を湿式法だけで行い得る金属酸化物半導体薄膜の製造方法、３端子型電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体薄膜の製造方法においては、金属酸化物半導体薄膜を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる。また、（Ａ）少なくとも、第１電極及び第２電極、並びに、（Ｂ）第１電極と第２電極１６の間に設けられ、金属酸化物半導体から成る能動層２０を備えた電子デバイスの製造方法は、能動層２０を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】処理室内からの酸化剤の排出時間を短縮し、生産性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内に原料ガスを供給しつつ処理室内を排気する工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内にパージガスを供給しつつ処理室内を排気することで処理室内の原料ガスを排出する工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内に酸化剤を供給しつつ処理室内を排気する工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスよりも大きな第２の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内にパージガスを供給しつつ処理室内を排気することで処理室内の酸化剤を排出する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を備えた半導体装置において、膜剥がれの発生及びリークパスの形成を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、複数の空孔を含む層間絶縁膜１６を備えている。層間絶縁膜１６は、単層構造の膜である。層間絶縁膜１６における、下面領域に含まれる空孔の空孔径及び上面領域に含まれる空孔の空孔径は、上面領域と下面領域との間に介在する中央領域に含まれる空孔の空孔径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】素子特性の劣化を可及的に防止することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板５１と、半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜５３と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１ゲート電極５４ａと、第１ゲート電極上に設けられ金属および酸素を含む電極間絶縁膜５５と、電極間絶縁膜上に設けられた第２ゲート電極５４ｂと、第１および第２ゲート電極の両側の半導体基板に設けられたソース／ドレイン領域５８ａ、５８ｂと、を備え、電極間絶縁膜５５は、リン、砒素、アンチモン、ビスマスのうちから選択された少なくとも１つの添加元素を含み、その含有量が０．１ａｔ％以上３ａｔ％以下である。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半導体層より排除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層及び／又は絶縁層に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層に付着させてもよい。 （もっと読む）

【課題】高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い炭素含有酸化シリコン膜を得ることのできる基板処理装置、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い炭素含有酸化シリコン膜を形成することのできる半導体装置の製造方法、又は膜の形成方法を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内にエチル基結合を有するシリコン含有ガスを供給し、前記基板上に炭化珪素膜を形成する第１の処理工程と、前記処理室内に酸素含有ガスを供給し前記炭化珪素膜を酸化する第２の処理工程とを有し、前記第１の処理工程と前記第２の処理工程から構成される一連の処理工程を、１回以上繰り返すことにより、所定膜厚の炭素含有酸化シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】膜の少なくとも一部を酸化シリコンに変換し、および／または、蒸気内ＵＶ硬化を利用して膜の品質を改善し、および、アンモニア内ＵＶ硬化を利用して膜を高密度化するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１４内に蒸気を供給する段階と、チャンバ１４内に、シリコンを含む堆積層が設けられている基板２２を配置する段階と、所定の変換期間にわたって、蒸気の存在下で、堆積層にＵＶ光を当てて、堆積層を少なくとも部分的に変換する段階とを備えるシステム１０および方法を提供する。また、チャンバ１４内にアンモニアを供給する段階と、チャンバ１４内に、堆積層を有する基板２２を配置する段階と、アンモニアの存在下で所定の変換期間にわたって堆積層にＵＶ光を当てて、少なくとも部分的に堆積層を高密度化する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】シラン酸化物前駆体の化学気相成長によって基材上に比較的低温で酸化ケイ素膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】以下の式によって表されるアミノシラン前駆体を使用することを含む、酸化剤との反応によるシラン酸化物前駆体の化学気相成長によって基材上に酸化ケイ素膜を形成するための方法：ＲＲ１ＮＳｉＨ３（式Ａ）ＲＮ（ＳｉＨ３）２（式Ｂ）ＳｉＨ３ＲＮ（Ｒ２）ＮＲ１ＳｉＨ３（式Ｃ）式中、Ｒ及びＲ１は、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ２〜Ｃ１０のアルキル基、芳香族、アルキルアミノ基からなる群より選択され；式Ａ及び式Ｃ中において、ＲとＲ１は、環状基（ＣＨ２）ｎになっていてもよく（ｎは１〜６、好ましくは４及び５）、且つＲ２は、一重結合、（ＣＨ２）ｎ鎖、環、ＳｉＲ２又はＳｉＨ２を表す。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）