【課題】ウィンドウ特性の向上とリテンション特性の向上とを同時に図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に、トンネル酸化膜、チャージトラップ膜、ブロッキング酸化膜、ゲート電極が、下側からこの順で形成された積層構造を有する半導体装置を製造する方法であって、前記ブロッキング酸化膜を形成する工程が、前記チャージトラップ膜上に結晶質膜を形成する結晶質膜形成工程と、前記結晶質膜の上層にアモルファス膜を形成するアモルファス膜形成工程とを具備し、前記結晶質膜形成工程と、前記アモルファス膜形成工程とを同一の処理容器内で連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間
絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な生産性を確保しつつ、優れた特性と信頼性の高いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板９上にソース領域１７、チャンネル領域１８、ドレイン領域１９を有する活性層１１と、ゲート電極層１６と、活性層１１とゲート電極層１６との間に形成されるゲート絶縁層１５とを有する薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁層１５を、活性層１１側に形成される第１の酸化珪素膜１２と、ゲート電極層１６側に形成される第２の酸化珪素膜１４と、第１の酸化珪素膜１２と第２酸化珪素膜１４の間に形成される窒化珪素膜１３とで形成した。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を促進させる方向を制御する。
【解決手段】インピーダンス調整部のインピーダンスを制御することで、基板の処理面に加わる電界の少なくとも垂直成分の強度を調整しつつ、プラズマ生成部による電力を制御することで、基板の処理面に加わる電界の少なくとも水平成分の強度を調整して、プラズマ処理を促進させる方向の電界を強くする。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して金属膜上に低温で成膜した場合に、金属膜と成膜した膜の密着性を改善する。
【解決手段】処理室２０１と、ガス供給口４２５、４３５を有するバッファ室４２３、４３３と、第１の処理ガスを前記処理室に供給する処理ガス供給系３１０と、第２の処理ガスをバッファ室４２３、４３３に供給可能な処理ガス供給系３２０、３３０と、高周波電源２７０と、プラズマ発生用電極４７１、４７２、４８１、４８２と、からなる処理炉２０２を使用して、表面に金属膜が形成された基板を、前記プラズマ発生用電極に高周波電力が印加されない状態で、前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスに順次曝して前記金属膜の上に第１の膜を形成した後、該第１の膜が形成された前記基板を、前記第１の処理ガスおよび、前記電極に高周波電力が印加されることにより活性化された前記第２の処理ガスに交互に曝し、前記金属膜の上に第２の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のホール内に、良好なステップカバレッジを有する均一な膜厚の窒化シリコン層を形成する。
【解決手段】ホールを形成後、１回の第１サイクルと、１回以上の第２サイクルを行う。第１サイクルでは、ホールの上部内壁上に２原子層の第１のシリコン層、ホールの下部内壁上に１原子層の第１のシリコン層を形成後、ホール上部のシリコン層の表面を１分子層の第１の酸化シリコン層とする。ホールの下部内壁上の第１のシリコン層に更に、１原子層の第２のシリコン層を形成後、窒化処理によりホールの内壁全面に第１の窒化シリコン層を形成する。第２サイクルでは、ホール上部の窒化シリコン層上に１分子層の第２の酸化シリコン層を形成後、ホール下部の第１の窒化シリコン層上に１原子層の第４のシリコン層を形成する。この後、窒化処理により、ホールの内壁全面に第２の窒化シリコン層を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して行うＡＬＤ成膜処理につき、成膜プロセスの高速化と低温化とを両立させつつ、プロセス温度が低温の場合でも高温の場合と同等の膜質が得られるようにする。
【解決手段】基板を処理する処理室と、複数枚の基板を積層した状態で保持する基板保持具と、複数段の各電極体にそれぞれ電力が供給されることで基板間にプラズマを発生させる電極体群と、各電極体にそれぞれ電力を供給する電力導入部と、処理室内に第１の処理ガスを供給する第１の処理ガス供給系と、処理室内に第２の処理ガスを供給する第２の処理ガス供給系と、処理室内を排気する排気系と、ＡＬＤ成膜処理を行うように電力導入部、第１の処理ガス供給系、第２の処理ガス供給系及び排気系を制御する制御部と、を有して、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上にパターニングされたＳｉＯ₂膜および／もしくはＳｉN膜を生成する製膜方法において、拡散制御性能、またはパッシベーション性能を満たすＳｉＯ₂膜および／もしくはＳｉN膜を生成する。
【解決手段】ＳｉＯ₂および／もしくはＳｉＯ₂前駆体を含む溶液を半導体基板上にパターニングして塗布して第１パターンを生成するステップと、ＣＶＤ法によってＳｉＯ₂膜および／もしくはＳｉN膜を生成するステップと、フッ酸水溶液に浸漬させて前記第１パターンを除去することにより、前記ＣＶＤ法によるＳｉＯ₂膜および／もしくはＳｉN膜からなる第２パターンを生成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】界面準位密度のゲート酸化膜／半導体界面が形成された半導体装置、および作製方法の提供。
【解決手段】半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10¹⁹cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置とする。シリコンカーバイド領域を含む半導体基板上に形成された金属-絶縁膜（あるいは酸化膜）-半導体（MISあるいはMOS）構造を有する半導体装置（電界効果型トランジスタ(MISあるいはMOSFET)）に対して、高温に加熱された熱触媒体表面での重水素を含んだガスの熱触媒作用によって生成された活性化した重水素を用いることにより、６００°Ｃ以下の低温においてゲート絶縁膜／シリコンカーバイド半導体界面近傍に存在するダングリングボンドの重水素終端を図る。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して基板を処理する際に基板等へのダメージを小さくし、しかも基板処理温度を低くする。
【解決手段】基板２００を処理する処理室２０１と、ガス供給口４２５、４３５を有する複数のバッファ室４２３、４３３と、第１の処理ガスを複数のバッファ室に供給する第１の処理ガス供給系３２０、３３０と、高周波電源２７０と、電源により高周波電力が印加されると、バッファ室の内部で第１の処理ガスを活性化させるプラズマ発生用電極４７１、４７２、４８１、４８２と、第２の処理ガスを処理室に供給する第２の処理ガス供給系３１０と、処理室を排気する排気系２３１と、基板を、活性化された第１の処理ガスおよび、第２の処理ガスに曝し、基板を２００℃以下に加熱しつつ基板上に膜を形成するよう第１の処理ガス供給系、電源、第２の処理ガス供給系および排気系を制御する制御手段２８０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に保護膜を形成した構造において、絶縁耐圧の低下を防ぐ。
【解決手段】基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記第２の半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記絶縁膜を覆うように形成された保護膜と、を有し、前記保護膜は、熱ＣＶＤ、熱ＡＬＤ、真空蒸着のいずれかにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン上において高品質な絶縁膜を形成できる絶縁膜の形成方法を提供する
【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、基板上にポリシリコン膜を堆積する工程と、
前記ポリシリコン膜の表面を、酸素を含むガスとＫｒガスを主体とする不活性ガスとよりなる混合ガスにマイクロ波によりプラズマを励起することで形成される原子状酸素Ｏ*に曝すことにより、前記ポリシリコン膜の表面にシリコン酸化膜を形成する工程とよりなる。 （もっと読む）

【課題】耐蝕性の高い材料で作製され、真空容器内に配置されるインナーが真空容器内でずれたり破損したりするのを低減することが可能な原子層（分子層）成膜装置を提供する。
【解決手段】容器内に配置され基板が載置される回転テーブルと、回転テーブルに対して第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、回転テーブルに対して第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部とを含む成膜空間を画成する、容器を構成する材料よりも耐食性に優れる材料で作製される区画部材が容器内に設けられる成膜装置が開示される。この成膜装置は、成膜空間の圧力を測定する圧力測定部と、成膜空間の外側の空間の圧力を測定する圧力測定部と、を備え、これらの測定を通して、成膜空間の外側の空間の圧力が成膜空間の圧力よりも僅かに高い圧力に維持される。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法により成膜を行う半導体デバイスの製造方法であって、Ｎａによる基板の汚染を低減できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、基板を収容する処理室に、第１の処理ガス及び第２の処理ガスを互いに混合させないように、それぞれの処理ガスの供給と排出を交互行って、前記基板の表面に膜を生成する基板処理工程と、前記処理室に前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスを共に供給して、前記処理室の内壁表面にコーティング膜を形成するコーティング膜形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを発生させずに、微細な素子間への埋め込みを行う窒化珪素膜形成装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に窒化珪素膜を形成する際、窒化珪素膜を形成するための原料ガス（ＳｉＨ₄等）を供給し、当該原料ガスのプラズマを生成し、当該プラズマを用いて窒化珪素膜を成膜する成膜工程を実施し、成膜工程の後、希ガスのみを供給し、基板へバイアスを印加し、希ガスのプラズマを生成し、当該プラズマを用いて窒化珪素膜をバイアススパッタするスパッタ工程を実施すると共に、成膜工程及びスパッタ工程を交互に実施する。 （もっと読む）

【課題】被処理体を載置する載置台の電極にバイアス用の高周波電力を供給する方式のプラズマ処理装置において、プラズマ電位の振動を抑制し、安定なプラズマを生成させると共に、金属製の対向電極のスパッタリングによるコンタミネーションの発生を防止する。
【解決手段】蓋部材２７の内周側には、拡張突出部６０が形成されている。拡張突出部６０は、プラズマ生成空間Ｓに臨んで形成されており、載置台５の電極７に対してプラズマ生成空間Ｓを隔てて対をなす対向電極として機能する主要部分である。バイアス用電極面積に対する対向電極表面積の比（対向電極表面積／バイアス用電極面積）は、１以上５以下の範囲内が好ましい。 （もっと読む）

【課題】段差被覆性と共に絶縁性を向上させる絶縁膜形成装置及び形成方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された段差を被覆する絶縁膜を形成する際、絶縁膜の形成に用いる主原料ガスと副原料ガスとを供給し、プラズマ生成時の主な励起種より基板に対する付着確率が低い励起種を含むプラズマを生成し、当該プラズマを用いて段差へ前駆体膜を成膜する成膜工程と、成膜工程の後、副原料ガスを供給し、副原料ガスのプラズマを生成し、当該プラズマを用いて前駆体膜から主原料ガスの成分を減少させて絶縁膜とする組成比減少工程（窒化工程）とを実施すると共に、成膜工程及び組成比減少工程を交互に実施する。 （もっと読む）

【課題】 トンネル絶縁膜を有するトランジスタにおいて、トンネル絶縁膜の電子トラップが増加することによるトランジスタの電気特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する
【解決手段】 実施形態に係る半導体装置は、半導体基板１と、前記半導体基板１上に形成されたトンネル絶縁膜２を含むトランジスタと、前記トランジスタの上方に形成されたＢを含むシリコン窒化膜７と、を備える。前記シリコン窒化膜７は、Ｂ−Ｎ結合を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜装置において稼働率の低下とメンテナンス費用アップの原因となる処理室や排気経路への反応副生成物の堆積を防止する。
【解決手段】処理室２内に設けられ複数の基板４が載置されて回転する支持部より上方に設けられ、第一のガスを供給する第一ガス供給部１０と、前記支持部より上方に設けられ、第二のガスを供給する第二ガス供給部１１と、前記支持部と第一および第二ガス供給部１０，１１との間の空間に、前記第一および第二のガスを分離する不活性ガスを供給する不活性ガス供給部１６，１７，１８と、前記支持部の下方の処理室２の底壁との間に設けられ、仕切り板１９ａ，１９ｂによって気密に区画された少なくとも二つの排気空間２１と、該排気空間のそれぞれに設けられた排気孔２２，２３と、を有する基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素とその上に形成される絶縁膜との界面の品質及び当該絶縁膜の品質を改善して界面準位密度を低減することができる炭化珪素半導体素子の製造方法及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の主表面を、水素ガスを含むクリーニングガスで表面処理し、前記主表面を窒素含有ガスで表面処理し、前記主表面上に絶縁膜２を形成する。 （もっと読む）