【課題】プラズマチャンバ内の第１の電極および第２の電極がそれぞれ低周波数ＲＦ電源および高周波数ＲＦ電源に接続されても、プラズマ処理能力が低下しない装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバと、プラズマチャンバ内に取り付けられるサセプタ１２であって、４隅と周辺を有するサセプタ１２と、サセプタ１２とプロセスチャンバ壁との間に接続される複数の導電性ストラップ６０〜６４と、を備え、複数の導電性ストラップ６０〜６４は、サセプタの４隅にそれぞれ接続される４本の導電性ストラップ６１，６２，６３，６４とサセプタ１２の中心１６に接続される導電性ストラップ６０を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性および再現性が優れるとともに、歩留まりが高く生産性が優れた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極を覆って基板上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第２の絶縁膜を形成して、第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜からなる積層体を得る工程と、積層体の第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜をパターニングして、それぞれゲート絶縁層、活性層およびチャネル保護層を形成する工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを有する。第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜は、大気に曝されることなく連続して形成される。 （もっと読む）

【課題】バイアスパワーを印加して、窒化珪素膜を成膜する際、基板周辺部におけるブリスタの発生を抑制する窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体素子に用いる窒化珪素膜を、プラズマ処理により基板上に形成する窒化珪素膜の製造方法及び装置において、時間ｂ１において基板にバイアスを印加すると共に、バイアスを印加した後、時間ｂ３において、窒化珪素膜の原料ガスＳｉＨ₄の供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】膜質の良い絶縁膜を成膜する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は電離装置２５を有している。電離装置２５は反応ガスの経路の途中に設けられており、反応ガスは経路を流れる途中で電離装置２５で電離され、成膜室２内部に電離された反応ガスが導入される。電離された反応ガスを成膜室２内部に導入しながら、ターゲット６をスパッタリングすれば、スパッタ粒子と反応ガスとが反応して、基板１１表面に反応物の膜が形成される。反応ガスを電離してからスパッタを行うと、反応ガスを電離させない場合に比べて、成膜速度が速く、かつ、膜質の良い膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】バイアスパワーを印加して成膜した窒化珪素膜から離脱する水素を適正に制御する半導体素子の窒化珪素膜、窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理により基板１９上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、当該窒化珪素膜が、水素の供給を遮断したい膜４１と接する場合、当該窒化珪素膜を、基板１９にバイアスを印加して形成したバイアス窒化珪素膜３１と基板１９にバイアスを印加しないで形成したアンバイアス窒化珪素膜３２とを積層して構成すると共に、アンバイアス窒化珪素膜３２を膜４１に接する側に配置する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上に寄与し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０にトランジスタ３６を形成する工程と、半導体基板上に、トランジスタを覆う第１のシリコン窒化膜３８を形成する工程と、第１のシリコン窒化膜にＮＨ_４Ｆラジカルを供給する工程と、ＮＨ_４Ｆラジカルを供給する工程の後、第１のシリコン窒化膜に対して熱処理を行う工程と、熱処理を行う工程の後、第１のシリコン窒化膜上に第２のシリコン窒化膜を形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】太陽電池基板の自然酸化膜除去処理を、太陽電池の製造工程の中で高いスループットで行うことができる方法を提供する。
【解決手段】平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて太陽電池基板の表面に反射防止膜を成膜する方法であって、処理用ガス供給装置から第１処理用ガスを供給するとともに高周波電力源から高周波電極に第１周波数の高周波電力を印加し、高周波電極と基板電極との間に窒素イオンを含むプラズマを発生させ、この窒素イオンによって太陽電池基板の酸化膜を除去する除去工程と、処理用ガス供給装置から第２処理用ガスを供給するとともに高周波電力源から高周波電極に第２周波数（＞第１周波数）の高周波電力を印加し、高周波電極と基板電極との間に太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜するプラズマを発生させ、このプラズマによって太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜する成膜工程とを連続して行う。 （もっと読む）

【課題】均一性の高いＳｉ又はＳｉＧｅを基板表面上に堆積する方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長プロセスにおいて、輸送量制限領域又はその近傍で、薄膜の堆積を行うことを可能にする化学前駆体を利用する。このプロセスによれば、堆積速度が大きく、さらに組成的にも厚み的にも、通常の化学前駆体を用いて調整した膜より均一な膜を生成することができる。好ましい実施の形態では、トリシランを使用して、トランジスタゲート電極などの様々な用途で半導体産業において有用なＳｉ含有薄膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】銅ダマシン配線上への誘電体層の形成において、導電材料と誘電体層間の密着性を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】オルガノシロキサンからなる第２誘電体層１１８に、ＴａＮからなる金属バリア層１２４とＣｕからなる導電性金属特徴部１２６を形成する。平坦化後アンモニアプラズマ処理還元により表面の酸化物を除去する。連続して真空を破壊せずに、トリメチルシランからなる有機ケイ素化合物を導入し、プラズマプロセスによりＳｉＣＮ膜１３０を形成し、さらに連続してＳｉＣ膜１３２を堆積する。酸化物の除去から誘電体層の形成までインサイチュで行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】緻密な基板処理をしつつ、スループットを向上させることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理室内に設けられ、基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部を移動する基板支持部移動機構と、前記処理室にガスを供給するガス供給部と、前記処理室のガスを排気する排気部と、前記基板支持部と対向するように設けられたプラズマ生成部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の膜種を改質することで、従来の膜質よりも優れた膜質を実現する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内にＣＶＤ反応が生じる条件下で所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素を含む第１の層を形成する工程と、処理容器内に炭素含有ガスを供給することで、第１の層の上に炭素を含む層を形成して、所定元素および炭素を含む第２の層を形成する工程と、処理容器内にＣＶＤ反応が生じる条件下で原料ガスを供給することで、第２の層の上に所定元素を含む層を更に形成して、所定元素および炭素を含む第３の層を形成する工程と、処理容器内に窒素含有ガスを供給することで、第３の層を窒化して、所定元素、炭素および窒素を含む第４の層として炭窒化層を形成する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、基板上に所定膜厚の炭窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 同一の処理容器内でプラズマ窒化処理の処理条件を変化させた場合でもパーティクルの発生を防止できるプラズマ窒化処理方法を提供する。
【解決手段】 第１のプラズマ窒化処理が終了し、処理容器１から１枚のウエハＷを搬出した後に、処理容器１内から酸素を排出させるプラズマシーズニングを行う。プラズマシーズニングでは、ウエハＷを配置せず又はダミー基板を配置し、処理容器１内に窒素ガス／希ガスの流量比０．２以上１以下で希ガスと窒素ガスの処理ガスを導入し、第２の条件で第２の窒素プラズマを生成させ、処理容器１内の酸素を除去する。 （もっと読む）

【課題】 結晶シリコンとアモルファスシリコンとを含むシリコンを活性層に有する薄膜半導体装置は、活性層がゲート絶縁層から剥がれやすく、良好な特性が得られない。
【解決手段】 基板（１０１）に、ゲート電極（１０２）、窒化シリコンを含むゲート絶縁層（１０３）、結晶シリコンとアモルファスシリコンとを含むシリコン層（１０５）、コンタクト層（１０７）、ならびにソース電極及びドレイン電極（１０８）が、順に積層された半導体装置であって、前記シリコン層（１０５）の内部で、前記基板に近い側から前記ソース電極及びドレイン電極に近い側に向かって、前記結晶シリコンの体積比率が大きくなっており、かつ、前記ゲート絶縁層（１０３）と前記シリコン層（１０５）との間に酸化シリコンを含む層（１０４）が挟まれていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】基板の表面粗度によらず膜表面が平坦であり、信頼性が高く、製造コストを低減させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体活性層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を順次形成するボトムゲート型薄膜トランジスタ１の製造方法である。ゲート絶縁層１２は、絶縁基板１０上に下部層１２ａと該下部層１２ａ上に積層された少なくとも一層以上の上部層１２ｂとがこの順で形成されてなり、下部層１２ａは真空紫外光ＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

【課題】加水分解や酸化に対する耐性が高く、かつ、低誘電率な炭窒化珪素（ＳｉＣＮ）膜を提供する。
【解決手段】珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子からなる第１のガスと、窒素を含有する第２のガスとからなる原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって成膜された炭窒化珪素膜であって、前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、前記炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上であることを特徴とする炭窒化珪素膜。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置のチャネル移動度の向上を図る。
【解決手段】ゲート酸化膜形成工程の降温時に、ウェット雰囲気を維持したまま、終端・脱離温度（６５０〜８５０℃）以下まで降温させる。これにより、ゲート酸化膜とチャネル領域を構成するｐ型ベース層の界面のダングリングボンドをＨもしくはＯＨの元素で終端させることが可能となる。このため、高いチャネル移動度の反転型ラテラルＭＯＳＦＥＴとすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を低減することができるＧａＮ−ＭＩＳトランジスタ、ＧａＮ−ＩＧＢＴ、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極（Ｍ）１６とＳｉＮゲート絶縁膜（Ｉ）１３と半導体層（ＧａＮ）１２とのＭＩＳ構造を有するＧａＮ−ＭＩＳトランジスタ１５０であって、半導体層は、オーミックコンタクト用ｎ^＋ＧａＮ領域１４が離間した２箇所に形成され、ＳｉＮゲート絶縁膜は、２箇所のオーミックコンタクト用ｎ^＋ＧａＮ領域の基板反対側表面に熱ＣＶＤ法により成膜されたＳｉＮ膜である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の広幅の配線におけるディッシングの抑制と、抵抗の抑制と、を両立させる。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された配線層絶縁膜９と、を有している。配線層絶縁膜９には、第１配線用配線溝１１と、第１配線用配線溝１１よりも広幅の第２配線用配線溝１２と、が形成されている。第１配線用配線溝１１内には第１配線２１が、第２配線用配線溝１２内には第２配線２２が、それぞれ形成されている。第２配線用配線溝１２の底面の少なくとも一部分は、絶縁膜（例えば、絶縁膜４及びエッチングストッパー膜５）によって、第２配線用配線溝１２の上端に達しない高さで第１配線用配線溝１１の底面よりもかさ上げされた、かさ上げ部１５となっている。 （もっと読む）