【課題】半導体装置の製造方法において、異なる膜特性を有する絶縁膜に形成されるコンタクト形状の制御性を向上させる。
【解決手段】半導体基板に素子領域を形成し、半導体基板の第１の領域上に、第１の絶縁膜を形成し、半導体基板の第２の領域上に、膜応力及びコンタクトの形成の際のエッチング加工時のエッチングレートが、第１の絶縁膜と異なる第２の絶縁膜を形成し、少なくとも第２の絶縁膜において、コンタクトが形成されるコンタクト領域に選択的にＵＶ光を照射し、ＵＶ光を照射した後、第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングして前記コンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置を用いてシリコン窒化膜を形成する際に、低温環境下で膜特性に優れたシリコン窒化膜を形成することが可能なシリコン窒化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置を用いて、シリコン源となる原料ガスと窒素源となる原料ガスとの混合ガスを真空環境下でプラズマ化することにより、シリコン窒化膜を形成する方法であって、シリコン源として、テトラメチルジシラザンを用いることを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成する。
【解決手段】処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に、炭窒化層と酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の一形態の半導体装置は、第１および第２の領域を有する機能膜と、前記基板の前記第１の領域に設けられ、第１の幅を有する第１の溝と、前記基板の前記第２の領域に設けられ、第１の幅よりも広い第２の幅を有する第２の溝と、前記第１の溝を埋めるように高分子材料を前駆体として形成された第１の絶縁膜と、前記第１の幅を上回る直径を有し、前記第２の溝を埋める微粒子と、前記第２の溝内で前記微粒子間および前記微粒子と前記第２の溝との間隙を埋める前記高分子材料とを前駆体として形成された第２の絶縁膜とを持つ。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上に膜厚及び膜質が均一な薄膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】平行平板電極を構成するサセプタ２６にウエハＷを載置し、シャワーヘッド９に高周波を供給してサセプタ２６との間にプラズマを生成し、ウエハＷに薄膜を形成する際に、シャワーヘッド９を内側電極部９１と外側電極部９２に分割するとともに、シャワーヘッド９全体に一応に同じレベルの電圧を供給して薄膜を形成したときに、ウエハＷの周縁部の膜厚が、周縁部よりも内側部分の膜厚よりも薄くなる場合には、内側電極部９１に供給される高周波電力よりも大きな高周波電力を外側電極部９２に供給してウエハＷ上に薄膜を形成し、ウエハＷの周縁部の膜厚が、周縁部よりも内側部分の膜厚よりも厚くなる場合には、内側電極部９１に供給される高周波電力よりも小さな高周波電力を外側電極部９２に供給してウエハＷ上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との積層構造体を単一のプラズマＣＶＤ装置にて一貫して成膜する際に、両膜間に異質な薄膜が形成されないという機能を有しつつ、短時間で効率のよい成膜が可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、反応室２ａに処理すべき基板Ｗを設置し、真空雰囲気中にてシリコンを含む原料ガスと窒素を含む一の反応ガスとを反応室内に導入し、放電用の高周波電力を投入してプラズマＣＶＤ法にて窒化シリコン膜を成膜する第１工程と、前記原料ガスを供給しながらプラズマ放電を維持した状態で、反応室内の窒素分圧を高める第２工程と、一の反応ガスの供給のみを停止し、酸素を含む他の反応ガスを反応室内に供給してプラズマＣＶＤ法にて酸化シリコン膜を成膜する第３工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスター表示板およびその製造方法の提供。
【解決手段】本発明の実施形態による薄膜トランジスター表示板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に位置するゲート線と、前記ゲート線と交差するデータ線と、前記ゲート線およびデータ線と連結されている薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスターのゲート電極と前記薄膜トランジスターの半導体との間に位置するゲート絶縁膜と、前記薄膜トランジスターと連結されている画素電極と、前記画素電極と前記薄膜トランジスターとの間に位置する保護膜と、を備え、前記ゲート絶縁膜および前記保護膜のうちの少なくとも一方は、窒化シリコン膜を含み、前記窒化シリコン膜は、２×１０^２２ｃｍ^３以下または４ａｔｏｍｉｃ％以下にて水素を含む。 （もっと読む）

【課題】
高い水蒸気バリア性、耐湿熱性を示すシリコン含有膜の製造方法を提供すること
【解決手段】
乾式法により少なくともケイ素原子、窒素原子を含む乾式堆積膜を基材上に堆積させた後に、膜表面に波長が１５０ｎｍ以下の光照射を行い、膜の少なくとも一部を変性するシリコン含有膜の製造方法。本発明の方法は、蒸着法、反応性蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、化学気相堆積法から選ばれた手法により形成され、少なくともＳｉ−Ｈ結合、もしくはＮ−Ｈ結合に由来する水素を含む乾式堆積膜に好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】 極薄膜状態であっても、物理的な特性及び電気的な特性に優れている窒化シリコン膜を成膜することが可能な窒化シリコン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 被処理体の表面上に窒化シリコン膜を成膜する窒化シリコン膜の成膜方法であって、窒化シリコン膜を被処理体の表面上に成膜する前に、少なくともアミノシラン系ガスを用いて、被処理体の表面上に窒化シリコン膜のシードとなるシード層を形成する（ステップ２〜４）。 （もっと読む）

【課題】爆発の危険性が高いＳｉＨ_４を用いずとも、安全、比較的低温度で、しかも低廉なコストでＳｉ系膜を提供できる技術を提供することである。
【解決手段】Ｓｉ系膜を形成する為の膜形成材料であって、前記膜形成材料が、ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３（Ｘは任意の基）と、前記ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３と反応する反応性化合物とを有する。 （もっと読む）

【課題】バッチ式の縦型炉を用いてプラズマアシストＡＬＤ法により窒化膜を形成する際、炉底部付近でのローディング効果を抑制する。
【解決手段】反応容器１０２内に複数段にウエハを載置可能なボート１０１と、前記反応容器の側面に沿ってＲＦ電極１０６で挟まれたプラズマ空間１０５と、該プラズマ空間から前記反応容器内の前記各段のウエハに略均等にガスを供給可能な供給口Ｆ１，Ｆ２と、を備えたバッチ式の縦型炉１００を用いて、窒化すべきガスの導入、吸着、パージ、プラズマ励起された窒化ガスの導入による前記窒化すべき吸着ガスの窒化およびパージ、を１サイクルとして所定の膜厚までサイクルを繰り返すプラズマアシストＡＬＤ法において、前記窒化すべきガス導入時のキャリアガス量よりも前記窒化ガス導入時のキャリアガス流量を少なくし、特に窒化ガスとしてのＮＨ３とキャリアガスとしてのＮ２の流量比をＮＨ３の５０に対してＮ２を３以下とする。 （もっと読む）

【課題】 ＨＦ系溶液に対するエッチングレートが小さいシリコン窒化膜を、成膜温度を上げることなく形成する。
【解決手段】 処理室内に収容された基板上に薄膜を形成する基板処理方法であって、Ｃｌ元素を含有する第１の処理ガスを処理室内に供給する第１の工程と、不活性ガスを処理室内に供給して処理室内から第１の処理ガスを排出させる第２の工程と、第２の処理ガスを処理室内に供給して基板上に薄膜を生成する第３の工程と、不活性ガスを処理室内に供給して処理室内から第２の処理ガスを排出させる第４の工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返し、第２の工程では、処理室内から第１の処理ガスを排出させた後も不活性ガスを処理室内に引き続き供給する。 （もっと読む）

【課題】 トレンチの微細化がさらに進展しても、トレンチの内部に、膨張可能な膜及び酸化障壁となる膜を形成することが可能なトレンチの埋め込み方法を提供すること。
【解決手段】 トレンチ内部に酸化障壁膜の形成工程（ステップ３）、酸化障壁膜上に膨張可能な膜の形成工程（ステップ４）、焼成することで収縮する埋め込み材でトレンチを埋め込む工程（ステップ５）、埋め込み材の焼成工程（ステップ６）と、を含み、ステップ３の工程が、アミノシラン系ガスを供給して、トレンチの内部に第１のシード層を形成する工程（ステップ３１）、第１のシード層上に窒化シリコン膜を形成する工程（ステップ３２）と、を含み、ステップ４の工程が、アミノシラン系ガスを供給して、窒化シリコン膜上に第２のシード層を形成する工程（ステップ４１）と、第２のシード層上にシリコン膜を形成する工程（ステップ４２）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 高温領域において、膜中の水素濃度が低く、膜厚均一性が良好であり、リーク電流の少ない窒化膜を形成する。
【解決手段】 加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内に酸化膜が形成された基板を収容し原料ガスを供給して酸化膜上に所定元素含有層を形成する工程と、加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理容器内に窒素含有ガスを供給して所定元素含有層を窒化層に変化させる工程とを、その間に処理容器内に不活性ガスを供給してパージする工程を挟んで交互に繰り返して酸化膜上に窒化膜を形成する工程を有し、所定元素含有層を形成する工程では、原料ガスを基板の側方に設けられたノズルを介して供給する際、ノズルを介して不活性ガスまたは水素含有ガスを供給し、基板と平行に流れる原料ガスの流速を、処理容器内をパージする工程において基板と平行に流れる不活性ガスの流速より大きくする。 （もっと読む）

【課題】５００℃以下の低温でプラズマ等を用いなくても、ケイ素含有薄膜を効率良く作製できる材料を提供する。
【解決手段】クロロシラン誘導体（３）と化合物Ｍ^２Ｚ（４）を反応させ、一般式（１’）


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立にアルキル基を表す。Ｚがイソシアナト基又はイソチオシアナト基の場合、Ｍ^２はナトリウム原子等を表す。Ｚがアミノ基、の場合、Ｍ^２は水素原子等を表す。Ｚがアルケニル基の場合、Ｍ^２はハロゲン化マグネシウム基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体（１’）を製造し、これを材料としてケイ素含有薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】１台の表面波プラズマＣＤＶ装置を用いて、組成および厚さの異なる薄膜を基板に連続成膜し、高スループットで超構造膜を形成する。
【解決手段】本発明は、共通の真空室内において基板に複数の薄膜を成膜する表面波プラズマＣＶＤ装置であって、この基板に成膜を行う複数のプラズマ生成ユニットと、各々のプラズマ生成ユニットに設けられた、プラズマ生成ガスを放出するプラズマ生成ガス放出口と成膜ガスを放出する成膜ガス放出口と、これら複数のプラズマ生成ユニットで成膜を行う成膜領域を真空室内で互いに隔てる隔壁と、各々のプラズマ生成ユニットの成膜領域の間で基板を移動可能に戴置可能とする移動手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフのトランジスタ、或いは当該トランジスタを含んで構成される回路を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域として機能する第１の酸化物半導体層と、当該第１の酸化物半導体層と重なるソース電極層及びドレイン電極層と、当該第１の酸化物半導体層、当該ソース電極層、及び当該ドレイン電極層と接するゲート絶縁層と、当該ゲート絶縁層に接して当該第１の酸化物半導体層と重なる第２の酸化物半導体層と、当該第２の酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層とを有する半導体装置及びその作製に関する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜における電荷トラップを大幅に低減し、信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体層２と、化合物半導体層２上でゲート絶縁膜６を介して形成されたゲート電極７とを備えており、ゲート絶縁膜６は、Ｓｉ_xＮ_yを絶縁材料として含有しており、Ｓｉ_xＮ_yは、０．６３８≦ｘ／ｙ≦０．８６３であり、水素終端基濃度が２×１０²²／ｃｍ³以上５×１０²²／ｃｍ³以下の範囲内の値とされたものである。 （もっと読む）

【課題】高性能の窒化ガリウム系トランジスタを製造するための、誘電体膜付の半導体エ
ピタキシャル結晶基板を提供すること。
【解決手段】下地基板１上にエピタキシャル法によって、バッファ層２、チャネル層３、
及び電子供給層４から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長
炉内で連続してＡｌＮを電子供給層４上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積
層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池基板のダングリングボンドの終端処理を、太陽電池の製造工程の中で高いスループットで行うことができる方法を提供する。
【解決手段】平行平板型プラズマＣＶＤ装置１を用いて、処理用ガス供給装置３から第１処理用ガスを供給するとともに高周波電力源２から高周波電極６に第１周波数の高周波電力を印加し、前記高周波電極と基板電極５との間に水素イオンを含むプラズマを発生させ、この水素イオンによって太陽電池基板８のダングリングボンドを終端させる終端工程と、次いで、前記処理用ガス供給装置から第２処理用ガスを供給するとともに前記高周波電力源から前記高周波電極に前記第１周波数よりも高い第２周波数の高周波電力を印加し、前記高周波電極と前記基板電極との間に前記太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜するプラズマを発生させる成膜工程と、を連続して行う。 （もっと読む）