ヒドロシラン誘導体、その製造方法、ケイ素含有薄膜の製造法
【課題】５００℃以下の低温でプラズマ等を用いなくても、ケイ素含有薄膜を効率良く作製できる材料を提供する。
【解決手段】クロロシラン誘導体（３）と化合物Ｍ２Ｚ（４）を反応させ、一般式（１’）
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立にアルキル基を表す。Ｚがイソシアナト基又はイソチオシアナト基の場合、Ｍ２はナトリウム原子等を表す。Ｚがアミノ基、の場合、Ｍ２は水素原子等を表す。Ｚがアルケニル基の場合、Ｍ２はハロゲン化マグネシウム基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体（１’）を製造し、これを材料としてケイ素含有薄膜を製造する。
【解決手段】クロロシラン誘導体（３）と化合物Ｍ２Ｚ（４）を反応させ、一般式（１’）
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立にアルキル基を表す。Ｚがイソシアナト基又はイソチオシアナト基の場合、Ｍ２はナトリウム原子等を表す。Ｚがアミノ基、の場合、Ｍ２は水素原子等を表す。Ｚがアルケニル基の場合、Ｍ２はハロゲン化マグネシウム基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体（１’）を製造し、これを材料としてケイ素含有薄膜を製造する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造用材料などとして有用なヒドロシラン誘導体、その製造方法、ケイ素含有薄膜の製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ケイ素単体及びケイ素含有化合物は、構成元素の種類及び／又は比率を変えることによって電気抵抗率、比誘電率などの電気的性質を調整することができるため、半導体デバイスを構成する多くの部位に薄膜として用いられ、今後もその産業上の用途は更に広がるものと期待されている。半導体素子用途として用いられるケイ素含有化合物としては、二酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素、金属シリケートなど多様な物質を挙げることができる。また、半導体デバイスの高集積化を進める上で、デバイス構造の立体化、すなわち三次元化された基板の表面上に薄膜を製造する技術の確立は極めて重要である。この観点から、化学気相蒸着法（ＣＶＤ法）や原子層蒸着法（ＡＬＤ法）は、次世代以降の半導体デバイス製造工程に適した薄膜作製プロセスとして特に注目されている。ＣＶＤ法やＡＬＤ法を用いてケイ素含有薄膜を作製するための材料として種々のケイ素化合物の使用が検討されている。しかし、シランガスは酸素ガスと爆発的に反応するため用途は限られ、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）は薄膜作製の際に高温やプラズマを必須とする点で用途が限られている。トリス（ジメチルアミノ）シラン（ＴＤＭＡＳ）も、ＣＶＤ法やＡＬＤ法によるケイ素含有薄膜を作製するための材料として研究されている。例えば、特許文献１にはＴＤＭＡＳを材料として用いたＰＥＣＶＤ法によって二酸化ケイ素薄膜を作製する方法が記載されている。また、特許文献２にはＴＤＭＡＳ及びオゾン若しくは酸素ガスを用いたＡＬＤ法によって二酸化ケイ素薄膜を作製する方法が記載されている。
【０００３】
本発明のヒドロシラン誘導体（１）に類似した物質として、非特許文献１には、該文献中の化合物８及び１０として１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ジエチルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＥｔ２）及び１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ジプロピルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＰｒ２）が記載されているが、これらをケイ素含有薄膜作製用の材料として用いることに関する記載は一切無い。ジエチルアミノ基やジプロピルアミノ基以外のジアルキルアミノ基を持つ誘導体や、アミノ基、モノアルキルアミノ基、イソシアナト基、チオイソシアナト基又はアルケニル基を有する誘導体に関する記述も一切ない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００９／０４５９６４号パンフレット
【特許文献２】特開２００８−１３５６３３号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ、第２８巻，２７４４ページ（２００９年）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体デバイスを製造する場合には、複数の異なる化合物の薄膜を積層する必要がある。しかしながら既存のケイ素化合物を実用的なケイ素含有薄膜作製用材料として用いるには問題がある。例えば、ＴＤＭＡＳと酸素ガスだけを用いて二酸化ケイ素薄膜を作製する場合には、ＴＤＭＡＳと酸素の反応を促進させるための高い基板温度が必須である。特許文献２には、ＴＤＭＡＳと酸素ガスだけを用いたＡＬＤ法によって二酸化ケイ素薄膜を作製する場合、５５０℃では薄膜を作製できるものの、基板温度が低いと膜が堆積しないとの記述がある。また、本発明者らがＴＤＭＡＳと酸素ガスを用いてＣＶＤ法による二酸化ケイ素薄膜作製を試みたところ、基板温度５００℃以下においては膜の堆積がほとんど進行しないことを確認した。（比較例１、２及び３参照。）薄膜作製時の基板温度が高い場合には各層の間の相互拡散や剥離などのトラブルが発生することがあるため、出来るだけ低い温度で薄膜を作製することが求められている。またＴＤＭＡＳと酸素の反応を促進させる手段としてプラズマを使うＰＥＣＶＤ法やオゾンを使った方法も検討されているが、ＰＥＣＶＤ法にはプラズマによって基板が損傷するという問題点があり、オゾンを用いる方法には基板がオゾンによって酸化される問題点があるため、いずれも実用的な薄膜作製方法としては適用範囲が狭い。すなわち、プラズマやオゾン等の助剤を用いず加熱のみで、かつ可能な限り低温で薄膜を形成しうるケイ素化合物が求められるが、このような化合物は未だ見出されていない。これらの問題点を解決するためには、５００℃以下の低い温度でもプラズマやオゾンを用いなくても二酸化ケイ素や窒化ケイ素などのケイ素含有薄膜を効率良く作製することが可能な、新しい薄膜作製用ケイ素材料の開発が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは上記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、一般式（１）及び（１’）で示される環状構造を有するヒドロシラン誘導体が、５００℃以下の低い温度でもプラズマやオゾンを用いなくても二酸化ケイ素や窒化ケイ素などのケイ素含有薄膜を効率良く作製することが可能な優れた化合物であることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち本発明は、一般式（１）
【０００９】
【化１】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｚａはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、Ｎ（ＣＨ３）Ｒ４で表わされるＮ−メチル−アルキルアミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４は炭素数１から４のアルキル基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体に関する。
【００１０】
また本発明は、一般式（３）
【００１１】
【化２】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。）で示されるクロロシラン誘導体と一般式（４）
【００１２】
【化３】
（式中、Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。Ｚがイソシアナト基又はイソチオシアナト基の場合、Ｍ２はナトリウム原子又はカリウム原子を表す。Ｚがアミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基又はＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基の場合、Ｍ２は水素原子又はリチウム原子を表す。Ｚが炭素数２から６のアルケニル基の場合、Ｍ２はハロゲン化マグネシウム基を表す。）で示される化合物を反応させることを特徴とする、一般式（１’）
【００１３】
【化４】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体の製造方法に関する。
【００１４】
さらに本発明は、一般式（２）
【００１５】
【化５】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｍ１はリチウム原子又はナトリウム原子を表す。）で示されるビニレンジアミニドアルカリ金属塩とトリクロロシランを反応させることにより、一般式（３）
【００１６】
【化６】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。）で示されるクロロシラン誘導体を製造し、さらにそのクロロシラン誘導体（３）と一般式（４）
【００１７】
【化７】
（式中、Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。Ｚがイソシアナト基又はイソチオシアナト基の場合、Ｍ２はナトリウム原子又はカリウム原子を表す。Ｚがアミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基又はＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基の場合、Ｍ２は水素原子又はリチウム原子を表す。Ｚが炭素数２から６のアルケニル基の場合、Ｍ２はハロゲン化マグネシウム基を表す。）で示される化合物を反応させることを特徴とする、一般式（１’）
【００１８】
【化８】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体の製造方法に関する。
【００１９】
さらに本発明は、一般式（１’）
【００２０】
【化９】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体を材料として用いることを特徴とする、ケイ素含有薄膜の製造法に関する。
【００２１】
以下に本発明をさらに詳細に説明する。まず、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５の定義について説明する。Ｒ１及びＲ２で表される炭素数３から１２のアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状のいずれのものでも良く、具体的にはプロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−エチルプロピル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチル基、シクロプロピルエチル基、シクロブチルメチル基、ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、１，１−ジエチルプロピル基、２−メチルシクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、オクチル基、１，１−ジエチル−２−メチルプロピル基、２，５−ジメチルシクロヘキシル基、３，５−ジメチルシクロヘキシル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基、１−メチル−１−プロピルブチル基、１，１，２，３，３−ペンタメチルブチル基、１，１−ジエチル−３，３−ジメチルブチル基、アダマンチル基、１，１−ジメチルオクチル基、１，１−ジプロピルブチル基、１，１−ジメチルデシル基、１，１−ジエチルオクチル基及び１−ブチル−１−プロピルペンチル基などを例示することができる。
【００２２】
ヒドロシラン誘導体（１’）が高い蒸気圧を持ち薄膜形成用材料として取り扱いやすい点及びヒドロシラン誘導体（１’）を材料として用いて成膜したときのケイ素含有薄膜の堆積速度が速い点で、Ｒ１及びＲ２が各々独立に炭素数３から８のアルキル基であることが好ましく、炭素数３から５の二級アルキル基又は三級アルキル基であることが更に好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ペンチル基が殊更好ましい。
【００２３】
Ｒ３で表される炭素数１から１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−エチルプロピル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチル基、シクロプロピルエチル基、シクロブチルメチル基、ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、１，１−ジエチルプロピル基、２−メチルシクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、１，１−ジエチル−２−メチルプロピル基、２，５−ジメチルシクロヘキシル基、３，５−ジメチルシクロヘキシル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基、１−メチル−１−プロピルブチル基、１，１，２，３，３−ペンタメチルブチル基、１，１−ジエチル−３，３−ジメチルブチル基、アダマンチル基、１，１−ジメチルオクチル基、１，１−ジプロピルブチル基、１，１−ジメチルデシル基、１，１−ジエチルオクチル基及び１−ブチル−１−プロピルペンチル基などを例示することができる。
【００２４】
これらはフッ素原子で置換されていても良く、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、１−フルオロエチル基、２−フルオロエチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、１−フルオロプロピル基、２−フルオロプロピル基、３−フルオロプロピル基、１，１−ジフルオロプロピル基、２，２−ジフルオロプロピル基、３，３−ジフルオロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、ペルフルオロプロピル基、１−トリフルオロメチル−２，２，２−トリフルオロエチル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロイソブチル基、ペルフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロイソペンチル基、ペルフルオロネオペンチル基、ペルフルオロ−ｔｅｒｔ−ペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロシクロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基、ペルフルオロオクチル基、ペルフルオロノニル基、ペルフルオロデシル基、ペルフルオロウンデシル基及びペルフルオロドデシル基などを例示することができる。
【００２５】
ヒドロシラン誘導体（１’）が高い蒸気圧を持ち、液体であり薄膜形成用材料として取り扱いやすい点及びヒドロシラン誘導体（１’）を材料として用いて成膜したときのケイ素含有薄膜の堆積速度が速い点で、Ｒ３がフッ素で置換されていても良い炭素数１から８のアルキル基であることが好ましく、とりわけ炭素数１から４のアルキル基であることが好ましく、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基などが殊更好ましい。
【００２６】
Ｒ４及びＲ５で表される炭素数１から４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基及びシクロブチル基などを例示することができる。
【００２７】
次に本明細書におけるＺ及びＺａで表わされる置換基の定義について説明する。Ｚａはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、Ｎ（ＣＨ３）Ｒ４で表わされるＮ−メチル−アルキルアミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す（Ｒ３及びＲ４は前記と同じ意味を示す。）。ＺはＺａの上位概念であり、イソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す（Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は前記と同じ意味を示す。）。
【００２８】
炭素数２から６のアルケニル基は直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、具体例としては、ビニル基、プロパ−１−エン−１−イル基、プロパ−１−エン−２−イル基、プロパ−２−エン−１−イル基、シクロプロパ−１−エニル基、シクロプロパ−２−エニル基、ブタ−１−エン−１−イル基、ブタ−１−エン−２−イル基、ブタ−３−エン−２−イル基、ブタ−３−エン−１−イル基、ブタ−２−エン−１−イル基、ブタ−２−エン−２−イル基、２−メチルプロパ−１−エン−１−イル基、シクロブタ−１−エニル基、シクロブタ−２−エニル基、ペンタ−１−エン−１−イル基、ペンタ−１−エン−２−イル基、ペンタ−１−エン−３−イル基、ペンタ−４−エン−２−イル基、ペンタ−４−エン−１−イル基、ペンタ−２−エン−１−イル基、ペンタ−２−エン−２−イル基、ペンタ−２−エン−３−イル基、ペンタ−３−エン−２−イル基、ペンタ−３−エン−１−イル基、２−メチルブタ−１−エン−１−イル基、２−メチルブタ−３−エン−２−イル基、３−メチルブタ−２−エン−１−イル基、３−メチルブタ−２−エン−２−イル基、２−メチレンブチル基、２−メチルブタ−２−エン−１−イル基、シクロペンタ−１−エニル基、シクロペンタ−２−エニル基、シクロペンタ−３−エニル基、ヘキサ−１−エン−１−イル基、ヘキサ−１−エン−２−イル基、ヘキサ−１−エン−３−イル基、ヘキサ−５−エン−１−イル基、ヘキサ−５−エン−２−イル基、ヘキサ−５−エン−３−イル基、２−メチルペンタ−４−エン−２−イル基、４−メチルペンタ−１−エン−３−イル基、３−メチルペンタ−１−エン−３−イル基、２−メチルペンタ−１−エン−３−イル基、４−メチルペンタ−４−エン−１−イル基、３−メチレンペンチル基、２−メチレンペンチル基、３−メチレン−２−メチレンブチル基、２，３−ジメチルブタ−３−エン−２−イル基、シクロヘキサ−１−エニル基、シクロヘキサ−２−エニル基、シクロヘキサ−３−エニル基などを挙げることが出来る。
【００２９】
ヒドロシラン誘導体（１’）が高い蒸気圧を持つ点で、炭素数２から４のアルケニル基が好ましく、具体的にはビニル基、プロパ−１−エン−１−イル基、プロパ−１−エン−２−イル基、プロパ−２−エン−１−イル基、シクロプロパ−１−エニル基、シクロプロパ−２−エニル基、ブタ−１−エン−１−イル基、ブタ−１−エン−２−イル基、ブタ−３−エン−２−イル基、ブタ−３−エン−１−イル基、ブタ−２−エン−１−イル基、ブタ−２−エン−２−イル基、２−メチルプロパ−１−エン−１−イル基、シクロブタ−１−エニル基、シクロブタ−２−エニル基が好ましい。とりわけビニル基、プロパ−１−エン−１−イル基、プロパ−１−エン−２−イル基、プロパ−２−エン−１−イル基が好ましい。
【００３０】
ヒドロシラン誘導体（１）を材料として酸素ガス共存下で酸化ケイ素薄膜を作製する場合のケイ素含有薄膜の堆積速度が速い点で、Ｚａはアミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、Ｎ（ＣＨ３）Ｒ４で表わされるＮ−メチル−アルキルアミノ基又は炭素数２から４のアルケニル基であることが好ましく、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基であることが更に好ましく、アミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、シクロプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基又はｔｅｒｔ−ブチルアミノ基であることがより一層好ましい。また熱分解温度が低く低温でのケイ素含有薄膜作製プロセスに適している点で、Ｚａはアミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、イソシアナト基又は炭素数２から４のアルケニル基が好ましい。さらに、低温でも含ケイ素薄膜の堆積速度が速い点で、Ｚａはアミノ基が殊更好ましい。
【００３１】
ヒドロシラン誘導体（１’）を材料として酸素ガス共存下で酸化ケイ素薄膜を作製する場合の含ケイ素薄膜の堆積速度が速い点で、Ｚはアミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、Ｎ（ＣＨ３）Ｒ４で表わされるＮ−メチル−アルキルアミノ基又は炭素数２から４のアルケニル基であることが好ましく、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基であることが更に好ましく、アミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、シクロプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基又はｔｅｒｔ−ブチルアミノ基であることが殊更好ましい。また熱分解温度が低い特徴を持ち低温でのケイ素含有薄膜作製プロセスに適している点で、Ｚはアミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、イソシアナト基又は炭素数２から４のアルケニル基が好ましい。さらに、低温でも含ケイ素薄膜の堆積速度が速い点で、Ｚはアミノ基が殊更好ましい。
【００３２】
次に本発明の製造方法について説明する。本発明のヒドロシラン誘導体（１’）は、下記反応式に示した工程Ａによって製造することができる。
【００３３】
【化１０】
工程Ａで用いる化合物Ｍ２Ｚ（４）は、所望のヒドロシラン誘導体（１’）の置換基Ｚの種類に応じて、前述の通りＭ２が決定され用いることができる。具体的には、化合物Ｍ２Ｚ（４）は、アンモニア、リチウムアミド、ＮＨ２Ｒ３で表わされる一級アミン、ＮＨＲ４Ｒ５で表わされる二級アミン、ＬｉＮＨＲ３で表わされるリチウム（アルキルアミド）、ＬｉＮＲ４Ｒ５で表わされるリチウム（ジアルキルアミド）、シアン酸ナトリウム、シアン酸カリウム、チオシアン酸ナトリウム、チオシアン酸カリウム及び炭素数２から６のアルケニルマグネシウムハロゲン化物からなる群から適宜選択して用いられる（Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は前記と同じ意味を示す。）。さらに具体的には、Ｚがイソシアナト基の場合には化合物（４）としてシアン酸ナトリウム又はシアン酸カリウムを、Ｚがイソチオシアナト基の場合には化合物（４）としてチオシアン酸ナトリウム又はチオシアン酸カリウムを、Ｚがアミノ基の場合には化合物（４）としてアンモニア又はリチウムアミドを、Ｚが一置換アミノ基ＮＨＲ３の場合には化合物（４）として一級アミンＮＨ２Ｒ３又はリチウム（アルキルアミド）ＬｉＮＨＲ３を、Ｚが二置換アミノ基ＮＲ４Ｒ５の場合には化合物（４）として二級アミンＮＨＲ４Ｒ５又はＬｉＮＲ４Ｒ５で表わされるリチウム（ジアルキルアミド）を、Ｚが炭素数２から６のアルケニル基の場合には化合物（４）としてアルケニルマグネシウムハロゲン化物をそれぞれ用いる（Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は前記と同じ意味を示す。）。アルケニルマグネシウムハロゲン化物のハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を例示することが出来るが、ヒドロシラン誘導体（１’）の収率が良い点で、塩素原子または臭素原子が好ましく、とりわけ臭素原子が好ましい。工程Ａでは、必要に応じてトリエチルアミン、ジエチル（イソプロピル）アミンなどの三級アミン類や、ピリジン類を反応助剤として添加して用いても良い。
【００３４】
工程Ａは、ヒドロシラン誘導体（１’）の収率が良い点で、有機溶媒中で実施することが好ましい。用いることができる有機溶媒としては、反応を阻害することがない溶媒であれば制限はない。例えば化合物（４）としてアンモニア、一級アミンＮＨ２Ｒ３又は二級アミンＮＨＲ４Ｒ５を用いる場合には、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの炭化水素溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタンなどのエーテル溶媒などを例示することができ、これらを単独で用いても任意の比率で混合して用いても良い。ヒドロシラン誘導体（１’）の収率が良い点で、ヘキサン、ヘプタン、テトラヒドロフラン又はテトラヒドロフランとヘキサン若しくはヘプタンの混合溶媒が好ましい。また化合物（４）としてリチウムアミド、リチウム（アルキルアミド）ＬｉＮＨＲ３、リチウム（ジアルキルアミド）ＬｉＮＲ４Ｒ５、シアン酸ナトリウム、シアン酸カリウム、チオシアン酸ナトリウム、チオシアン酸カリウム及びアルケニルマグネシウムハロゲン化物を用いる場合には、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタンなどのエーテル溶媒並びにこれらエーテル溶媒とペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン又はエチルベンゼンなどの炭化水素溶媒の混合溶媒を例示することができ、ヒドロシラン誘導体（１’）の収率が良い点で、テトラヒドロフラン又は１，２−ジメトキシエタンが殊更好ましい。
【００３５】
工程Ａでは溶媒の使用量に特に制限はなく、適宜選択された量の溶媒を用いることにより収率良くジアザシラシクロペンテン誘導体（１’）を製造することができる。
【００３６】
次にクロロシラン誘導体（３）と化合物（４）の混合比について説明する。工程Ａで用いる化合物（４）がアンモニア、一級アミンＮＨ２Ｒ３又は二級アミンＮＨＲ５Ｒ６の場合、三級アミン類やピリジン類を反応助剤として添加しないときには、クロロシラン誘導体に対して２当量以上の化合物（４）を用いることにより収率良くヒドロシラン誘導体（１’）を製造することができる。反応助剤を添加するときには、反応助剤の添加量に応じて化合物（４）の使用量を減らすことができ、例えば反応助剤をクロロシラン誘導体（３）に対して１当量以上用いるときには、クロロシラン誘導体（３）に対して１当量以上の化合物（４）を用いることにより収率良くヒドロシラン誘導体（１’）を製造することができる。また工程Ａで用いる化合物（４）がリチウムアミド、リチウム（アルキルアミド）ＬｉＮＨＲ３、リチウム（ジアルキルアミド）ＬｉＮＲ４Ｒ５、シアン酸ナトリウム、シアン酸カリウム、チオシアン酸ナトリウム、チオシアン酸カリウム又はアルケニルマグネシウムハロゲン化物の場合には、クロロシラン誘導体（３）に対して１当量以上の化合物（４）を用いることにより収率良くヒドロシラン誘導体（１’）を製造することができる。
【００３７】
工程Ａの反応温度及び反応時間には特に限定はなく、好ましくは０℃〜２００℃、１０分〜１２０時間の範囲から適宜選択することによって、収率よくヒドロシラン誘導体（１’）を製造することができる。また工程Ａの雰囲気として用いることができるガスとしては、乾燥空気、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴンなどを例示することができる。ヒドロシラン誘導体（１’）の収率が良い点で、窒素又はアルゴン雰囲気下で工程Ａを実施することが好ましい。
【００３８】
工程Ａによって製造したヒドロシラン誘導体（１’）は、必要に応じてろ過、抽出、蒸留、昇華、結晶化などの一般的な精製方法を適宜選んで用いることにより精製することができる。
【００３９】
また本発明のヒドロシラン誘導体（１’）は、下記反応式に示した二つの工程１及び２を実施する方法によって製造することもできる。
【００４０】
【化１１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｍ１、Ｚ、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＭ２は前記と同じ意味を示す。）すなわち、ビニレンジアミニドアルカリ金属塩（２）とトリクロロシランを反応させることによりクロロシラン誘導体（３）を製造する工程１、及びクロロシラン誘導体（３）と化合物（４）を反応させることによりヒドロシラン誘導体（１’）を製造する工程２を実施することによってヒドロシラン誘導体（１’）を製造することができる。
【００４１】
まず工程１について詳細に説明する。工程１で用いるビニレンジアミニドアルカリ金属塩（２）およびその合成原料であるＮ，Ｎ’−ジアルキル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（Ｒ１Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＮＲ２）は、例えばＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ、第１２０巻，１２７１４ページ（１９９８年）やＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、第３０１巻、１８３ページ（１９８６年）などに記載の方法に準じて製造することができる。
【００４２】
クロロシラン誘導体（３）の収率が良い点でＭ１はリチウム原子であることが好ましい。
【００４３】
工程１は、クロロシラン誘導体（３）の収率が良い点で、有機溶媒中で実施することが好ましい。用いることができる有機溶媒としては、反応を阻害することがない溶媒であれば制限はない。例えばジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタンなどのエーテル溶媒並びにこれらエーテル溶媒とペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン又はエチルベンゼンなどの炭化水素溶媒の混合溶媒を挙げることができ、クロロシラン誘導体（３）の収率が良い点で、テトラヒドロフラン又はテトラヒドロフランとヘキサンの混合溶媒が殊更好ましい。溶媒の使用量には特に制限はなく、適宜選択された量を用いることにより収率良くクロロシラン誘導体（３）を製造することができる。
【００４４】
工程１で用いるビニレンジアミニドアルカリ金属塩（２）の使用量に特に制限はないが、収率良くクロロシラン誘導体（３）を製造することができる点でビニレンジアミニドアルカリ金属塩（２）に対して０．９から１．１当量のトリクロロシランを用いることが好ましく、ビニレンジアミニドアルカリ金属塩（２）やトリクロロシランを過不足なく使用できる点でビニレンジアミニドアルカリ金属塩（２）に対して１．０当量のトリクロロシランを用いることが殊更好ましい。
【００４５】
工程１の反応温度及び反応時間には特に限定はなく、好ましくは０℃〜１００℃、１０分〜１２０時間の範囲から適宜選択することによって、収率よくクロロシラン誘導体（３）を製造することができる。また本反応の雰囲気として用いることができるガスとしては、クロロシラン誘導体（３）の収率が良い点で窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴンなど不活性ガスを例示することができる。クロロシラン誘導体（３）の収率が良い点で、窒素又はアルゴン雰囲気下で本反応を実施することが殊更好ましい。
【００４６】
工程１によって製造したクロロシラン誘導体（３）は、必要に応じてろ過、抽出、蒸留、昇華、結晶化などの一般的な精製方法を適宜選んで用いることにより精製することができる。またクロロシラン誘導体（３）を必ずしも単離する必要はなく、粗製のクロロヒドロシラン誘導体（３）をそのまま工程２の原料として用いても良い。また、工程１の反応終了後、そのままワンポットで工程２の反応に用いても良い。
【００４７】
工程２は、前述の工程Ａと同じ条件で実施することができる。
【００４８】
次に、ヒドロシラン誘導体（１’）を材料として用いることを特徴とする、ケイ素含有薄膜の製造法について詳細に説明する。ヒドロシラン誘導体（１’）を単独で薄膜作製用材料として用いる方法のほか、他のケイ素化合物と組み合わせて薄膜作製用材料として用いることによりケイ素含有薄膜を作製することができる。また酸素ガス、オゾン、窒素ガス、水素ガス、水、過酸化水素、アンモニア、アルコール、カルボン酸などを薄膜作製用材料としてヒドロシラン誘導体（１’）と併用することによってケイ素含有薄膜を作製しても良い。作製することができる薄膜としては、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化酸化ケイ素及びシリケートなどの薄膜を例示することができる。なかでも二酸化ケイ素薄膜や窒化ケイ素薄膜を効率良く作製することができる。さらに具体的には、たとえば本発明のヒドロシラン誘導体（１’）を材料として用い、酸素、オゾン、水、過酸化水素、アルコール、カルボン酸などの群からなる酸素源化合物から適宜選択される薄膜作製用材料を併用することによって酸化ケイ素薄膜を作製することができる。また、アンモニア、アミン類、ヒドラジンなどの窒素源化合物を薄膜作製用材料として併用することによって窒化ケイ素薄膜を作製することができる。さらに、他の薄膜作製用材料を併用せずに、ヒドロシラン誘導体（１’）を単独で用いることによって窒化ケイ素薄膜を作製することができる。さらに他の金属化合物、例えばスカンジウム、イットリウム、希土類元素、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム等の遷移金属を含有する化合物や典型金属を含有する化合物を薄膜作製用材料としてヒドロシラン誘導体（１’）と併用することにより、種々の金属シリサイド薄膜を作製することができる。さらに典型金属や遷移金属との複合酸化物の薄膜などを作製することも可能である。
【００４９】
ケイ素含有薄膜を作製する具体的な方法としては、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法などの気相蒸着法、並びにディップコート法、スピンコート法又はインクジェット法などの溶液法を例示することができる。三次元化された構造を持つ基板の表面にも均一に薄膜を形成しやすい点で、気相蒸着法が好ましい。例えばＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりケイ素含有薄膜を作製する場合、ヒドロシラン誘導体（１’）を気化させ、気体として反応チャンバーに供給する。ヒドロシラン誘導体（１’）を気化させる方法としては、例えばバブリング法やリキッドインジェクション法などを挙げることができる。なお本明細書中で挙げたバブリング法とは、恒温槽内に設置することよって一定の温度に保たれた材料容器にヒドロシラン誘導体（１’）を入れ、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン又は窒素などヒドロシラン誘導体（１’）とは反応しないガスをキャリアガスとして吹き込むことによってヒドロシラン誘導体（１’）を気化させる方法である。リキッドインジェクション法とは、ヒドロシラン誘導体（１’）を液体の状態で気化器に送りこみ、気化器内での加熱などによってヒドロシラン誘導体（１’）を気化させる方法である。リキッドインジェクション法では、ヒドロシラン誘導体（１’）を単独で薄膜作製用材料として用いることができるほか、ヒドロシラン誘導体（１’）を有機溶媒に溶かした溶液を用いることができる。ヒドロシラン誘導体（１’）を溶液として用いるときの有機溶媒としては、ヒドロシラン誘導体（１’）と反応しないものであれば特に制限は無く、例えば１，２−ジメトキシエタン、ジグライム、トリグライム、ジオキサン、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエ−テル、シクロペンチルエチルエーテルなどのエ−テル類、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカンなどのアルカン類、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素類などを挙げることができる。これらを単独で又は混合して溶媒として用いることができる。
【００５０】
ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりケイ素含有薄膜を作製する場合、気体として反応チャンバーに供給したヒドロシラン誘導体（１’）を分解することにより、反応チャンバー内に備え付けた基板上にケイ素含有薄膜を作製することができる。ヒドロシラン誘導体（１’）を分解する方法としては、熱による方法、プラズマや光などを使用する方法や、反応チャンバー内に水、酸素ガス、オゾン、過酸化水素、水素ガス、アンモニアや、メタノール、エタノール及び２−プロパノールなどのアルコール類、ぎ酸、酢酸及びプロピオン酸などのカルボン酸類などの反応ガスを送り込んで化学反応を起こさせる方法を例示することができる。これらの方法を単独で又は併せて用いることによってヒドロシラン誘導体（１’）を分解し、ケイ素含有薄膜を作製することができる。ヒドロシラン誘導体（１’）を分解する際の基板温度は、分解する条件によって適宜選択される。例えば、プラズマや光の併用が無く反応ガスとして酸素ガスを用いる場合には、基板温度に特に制限はないが、コストメリットがある点で、３００℃〜１０００℃が好ましい。成膜速度が良好な点で４００℃〜７５０℃がさらに好ましく、４５０℃〜７００℃が殊更好ましい。またプラズマや光、オゾン、過酸化水素、アンモニアなどを適宜使用することによって、３００℃以下の温度域でもケイ素含有薄膜を作製することができる。また、本発明のヒドロシラン誘導体（１’）を材料として用いることにより、５００℃以下の低い温度でもプラズマやオゾンを用いなくても二酸化ケイ素などのケイ素含有薄膜を効率良く作製することができる。
【００５１】
ヒドロシラン誘導体（１’）を薄膜作製用材料として用いて作製したケイ素含有薄膜は、その組成に応じて電気伝導性、電気絶縁性、誘電性などの様々な電気特性を持つため、電極や絶縁体、誘電体としてＤＲＡＭやフラッシュメモリなどの半導体素子に使われるほか、コーティング膜などの光学材料などとして用いることができる。なかでも二酸化ケイ素薄膜や窒化ケイ素薄膜は、絶縁体、誘電体、犠牲層、反射防止膜、ガスバリア膜、保護膜、ハードマスクなどに、さらに窒化ケイ素薄膜は拡散バリア膜や耐久性コーティングなどにも使用することができる。
【００５２】
さらにヒドロシラン誘導体（１’）は、種々のケイ素含有ポリマーやシランカップリング剤として、またはそれらの合成中間体としても有用である。
【発明の効果】
【００５３】
本発明のヒドロシラン誘導体（１’）を材料として用いることにより、５００℃以下の低い温度でもプラズマやオゾンを用いなくても二酸化ケイ素や窒化ケイ素などのケイ素含有薄膜を効率良く作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施例３９から５２、５７から６５及び比較例１から４で用いた薄膜作製装置の概略図である。
【図２】Ｓｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）ＮＨＥｔのＴＧ及びＤＳＣのチャートである。
【図３】Ｓｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）ＮＨｉＰｒのＴＧ及びＤＳＣのチャートである。
【図４】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２のＴＧ及びＤＳＣのチャートである。
【図５】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＭｅのＴＧ及びＤＳＣのチャートである。
【図６】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＥｔのＴＧ及びＤＳＣのチャートである。
【図７】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｃＰｒのＴＧ及びＤＳＣのチャートである。
【図８】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｉＰｒのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図９】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＰｒのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１０】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｓＢｕのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１１】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｔＢｕのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１２】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＣｙのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１３】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｔＯｃｔのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１４】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＣＨ２ＣＦ３のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１５】Ｓｉ（ｓＢｕＮＣＨＣＨＮｓＢｕ）（Ｈ）ＮＨＥｔのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１６】Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨ２のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１７】Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨＭｅのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１８】Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨＥｔのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１９】Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨ２のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２０】Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨＥｔのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２１】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨ２のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２２】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨＰｒのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２３】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＯのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２４】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＳのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２５】Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＣＯのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２６】Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＣＯのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２７】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＥｔ２のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２８】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＢｕＭｅのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２９】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨＣＨ２のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図３０】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図３１】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨＣ（ＣＨ３）２のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図３２】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【実施例】
【００５５】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、本明細書中では、Ｍｅ、Ｅｔ、Ｐｒ、ｉＰｒ、ｃＰｒ、Ｂｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、ｔＢｕ、ｔＰｅ、Ｃｙ及びｔＯｃｔは、それぞれメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、シクロヘキシル基及び１，１，３，３−テトラメチルブチル基（ｔｅｒｔ−オクチル基）を示す。
【００５６】
参考例−１
【００５７】
【化１２】
イソプロピルアミン５．３２ｇ（８９．９ｍｍｏｌ）と水５０ｍＬの混合液に４０％グリオキサル水溶液６．０６ｇ（４１．８ｍｍｏｌ）を加えて室温で１時間撹拌した。生成した固体をろ別し、水５ｍＬで二回洗浄した後、減圧下で乾燥することにより、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）を白色固体として得た（収量４．６６ｇ，収率８０％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）７．９４（ｓ，２Ｈ），３．１５（ｓｅｐｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，２Ｈ），１．０８（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，１２Ｈ）。
【００５８】
参考例−２
【００５９】
【化１３】
ｓｅｃ−ブチルアミン８６．０７ｇ（１．１７７ｍｏｌ）とヘキサン２００ｍＬの混合液に４０％グリオキサル水溶液８４．４５ｇ（５８２．０ｍｏｌ）を加えて室温で３０分間撹拌した。塩化ナトリウム１５．００ｇを加えて更に１５分間撹拌した後、撹拌を止めて二層に分離させた。水層を除去した後、ヘキサン層に硫酸マグネシウム５．００ｇを加え、室温で３０分間撹拌した。不溶物をろ別した後、ろ液を減圧下で乾燥することにより、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（ｓＢｕＮＣＨＣＨＮｓＢｕ）を淡黄色液体として得た（収量９７．１０ｇ，収率９９％）。なお、これは立体配置が相異なる複数の異性体の混合物であった。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）７．９８（ｓ，２Ｈ），２．８８（ｓｅｘｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，２Ｈ），１．６０−１．５０（ｍ，２Ｈ），１．４７−１．３８（ｍ，２Ｈ），１．０９（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，６Ｈ），０．７５（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）。
【００６０】
参考例−３
【００６１】
【化１４】
ヘキサン５０ｍＬとｔｅｒｔ−ブチルアミン２０．４８ｇ（２８０．０ｍｍｏｌ）の混合液を氷浴に浸けて冷却し、４０％グリオキサル水溶液２０．３０ｇ（１３９．９ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間撹拌した。水層を除去した後、ヘキサン層に硫酸マグネシウム２．００ｇを加え、室温で３０分間撹拌した。不溶物をろ別した後、ろ液を減圧下で乾燥することにより、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）を白色固体として得た（収量２２．９０ｇ，収率９７％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）８．０７（ｓ，２Ｈ），１．１２（ｓ，１８Ｈ）。
【００６２】
参考例−４
【００６３】
【化１５】
ヘキサン１６０ｍＬとｔｅｒｔ−ペンチルアミン１１８．４ｇ（１．３５８ｍｏｌ）の混合液を氷浴に浸けて冷却し、４０％グリオキサル水溶液９８．０４ｇ（６７５．７ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間撹拌した。水層を除去した後、ヘキサン層に硫酸マグネシウム５．００ｇを加え、室温で３０分間撹拌した。不溶物をろ別した後、ろ液を減圧下で乾燥することにより、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）を淡黄色液体として得た（収量１３０．３ｇ，収率９８％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）８．０７（ｓ，２Ｈ），１．５２（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，４Ｈ），１．０４（ｓ，１２Ｈ），０．７９（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）。
【００６４】
参考例−５
【００６５】
【化１６】
１，１，３，３−テトラメチルブチルアミン１９．５０ｇ（１５０．９ｍｍｏｌ）と水１００ｍＬの混合液に４０％グリオキサル水溶液１０．６６ｇ（７３．５ｍｍｏｌ）を加えて室温で１時間撹拌した。生成した固体をろ別し、水１０ｍＬで二回洗浄した後、減圧下で乾燥することにより、Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）を白色固体として得た（収量１９．５４ｇ，収率９５％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）
８．０９（ｓ，２Ｈ），１．６１（ｓ，４Ｈ），１．１４（ｓ，１２Ｈ），０．９８（ｓ，１８Ｈ）
参考例−６
【００６６】
【化１７】
ヘキサン２００ｍＬ及びグリオキサル４０％水溶液７４．１０ｇ（５１０．７ｍｍｏｌ）の混合液に１，１，３，３−テトラメチルブチルアミン６６．００ｇ（５１０．７ｍｍｏｌ）及びｔｅｒｔ−ブチルアミン３７．３５ｇ（５１０．７ｍｍｏｌ）の混合液を加えて室温で１時間撹拌した。水層を除去した後、ヘキサン層に硫酸マグネシウム５．００ｇを加え、室温で３０分間撹拌した。不溶物をろ別した後、ろ液を減圧下で乾燥することにより、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ’−１，１，３，３−テトラメチルブチル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）、ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ及びｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔの混合物を淡黄色液体として得た（収量１１１．４ｇ，収率９７％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）
８．０９４（ｓ），８．０９１（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ），８．０８（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ），８．０７（ｓ），１．６１（ｓ），１．６０（ｓ），１．１４（ｓ），１．１２（ｓ），１．１１（ｓ），０．９７９（ｓ），０．９７６（ｓ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１５７．８０，１５７．７９，１５７．７６，６１．９７，５８．１０，５６．６３，５６．５６，３２．５１，３２．４７，３２．１９，３２．１８，２９．７７４，２９．６９，２９．６６，２９．６１。
【００６７】
参考例−７
【００６８】
【化１８】
アルゴン雰囲気下で、ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ２６．２７ｇ（１８７．３ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１９０ｍＬに溶かし、リチウム２．６７ｇ（３８５ｍｍｏｌ）を加え、室温で７時間撹拌することにより、ジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を濃赤色均一溶液として得た。
【００６９】
参考例−８
【００７０】
【化１９】
アルゴン雰囲気下で、ｓＢｕＮＣＨＣＨＮｓＢｕ３１．２４ｇ（１８５．６ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５０ｍＬとヘキサン２００ｍＬの混合溶媒に溶かし、リチウム２．７１ｇ（３９０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間撹拌することにより、ジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を濃赤色均一溶液として得た。
【００７１】
参考例−９
【００７２】
【化２０】
アルゴン雰囲気下で、ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ３２．００ｇ（１９０．２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５０ｍＬ及びヘキサン１５０ｍＬの混合溶媒に溶かし、リチウム２．６６ｇ（３８３ｍｍｏｌ）を加え、室温で１６時間撹拌することにより、ジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を濃赤色均一溶液として得た。
【００７３】
参考例−１０
【００７４】
【化２１】
アルゴン雰囲気下で、ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ３６．５５ｇ（１８６．２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５０ｍＬ及びヘキサン１９０ｍＬの混合溶媒に溶かし、リチウム２．６６ｇ（３８３ｍｍｏｌ）を加え、室温で１４時間撹拌することにより、ジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を濃赤色均一溶液として得た。
【００７５】
参考例−１１
【００７６】
【化２２】
アルゴン雰囲気下で、ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ５２．２８ｇ（１８６．４ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍＬ及びヘキサン２００ｍＬの混合溶媒に溶かし、リチウム２．６８ｇ（３８６ｍｍｏｌ）を加え、室温で１６時間撹拌することにより、ジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を濃赤色均一溶液として得た。
【００７７】
参考例−１２
【００７８】
【化２３】
アルゴン雰囲気下で、ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ２７．９０ｇ（１６５．８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１８０ｍＬに溶かし、ナトリウム７．５９ｇ（３３０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間撹拌することにより、ジナトリウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を濃赤色均一溶液として得た。
【００７９】
参考例−１３
【００８０】
【化２４】
アルゴン雰囲気下で、参考例−６に記載の方法によって得たｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ、ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ及びｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔの混合物４１．６０ｇをテトラヒドロフラン５０ｍＬとヘキサン１５０ｍＬの混合溶媒に溶かし、リチウム２．６７ｇ（３９３ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間撹拌することにより、ジリチウム（Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ’−１，１，３，３−テトラメチルブチル−１，２−ビニレンジアミニド）、ジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）及びジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミニド）の混合溶液を濃赤色均一溶液として得た。
【００８１】
参考例−１４
【００８２】
【化２５】
アルゴン雰囲気下で、参考例７に示した手順及び試薬数量に従い調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液をトリクロロシラン２５．００ｇ（１８４．６ｍｍｏｌ）のヘキサン（２００ｍＬ）溶液に加え、室温で１６時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた油状物を減圧蒸留（留出温度６４℃／４．４×１０２Ｐａ）することにより、２−クロロ−１，３−ジイソプロピル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）Ｃｌ）を無色の液体として得た（収量１２．９６ｇ，収率３４％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．３６（ｓ，１Ｈ），５．５９（ｓ，２Ｈ），３．２０（ｍ，２Ｈ），１．１３（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），１．１０（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１５．３，４８．３，２４．７，２４．０。
【００８３】
参考例−１５
【００８４】
【化２６】
アルゴン雰囲気下で、参考例８に示した手順及び試薬数量に従い調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液をトリクロロシラン２５．００ｇ（１８４．６ｍｍｏｌ）のヘキサン（１５０ｍＬ）溶液に加え、室温で６時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８５℃／５×１０２Ｐａ）することにより、２−クロロ−１，３−ジ−ｓｅｃ−ブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｓＢｕＮＣＨＣＨＮｓＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ）を淡黄色の液体として得た（収量１８．１０ｇ，収率４２％）。なお、これは立体配置が相異なる複数の異性体の混合物であった。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．３９（ｓ，１Ｈ），５．６１（ｍ）／５．５８（ｍ）（二つのシグナルの積分強度の合計が２Ｈ），２．９５（ｍ，２Ｈ），１．６３−１．４９（ｍ，２Ｈ），１．４２−１．２９（ｍ，２Ｈ），１．１４（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ）／１．１２（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ）（二つのシグナルの積分強度の合計が６Ｈ），０．８０（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ）／０．７８（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ）（二つのシグナルの積分強度の合計が６Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１５．４，１１５．３，１１４．７，１１４．５，５４．４，５４．０，３１．３８，３１．３６，３０．８２，３０．８１，２２．５１，２２．４９，２１．６，１１．４，１１．３。
【００８５】
参考例−１６
【００８６】
【化２７】
アルゴン雰囲気下で、参考例９に示した手順及び試薬数量に従い調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液をトリクロロシラン２５．２０ｇ（１８６．０ｍｍｏｌ）のヘキサン（５０ｍＬ）溶液に加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８０℃／３．８×１０２Ｐａ）することにより、２−クロロ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ）を無色の液体として得た（収量３５．５８ｇ，収率８３％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．４０（ｓ，１Ｈ），５．７７（ｓ，２Ｈ），１．２１（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１３．１，５１．９，３０．８。
【００８７】
参考例−１７
【００８８】
【化２８】
アルゴン雰囲気下で、参考例１２に示した手順及び試薬数量に従い調製したジナトリウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液をトリクロロシラン２５．２０ｇ（１８６．０ｍｍｏｌ）のヘキサン（５０ｍＬ）溶液に加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８０℃／３．８×１０２Ｐａ）することにより、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ）を無色の液体として得た（収量２０．８０ｇ，収率４８％）。このようにして得たＳｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌの１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは参考例１６で得たもののスペクトルと一致した。
【００８９】
参考例−１８
【００９０】
【化２９】
アルゴン雰囲気下で、参考例１０に示した手順及び試薬数量に従い調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液をトリクロロシラン２５．００ｇ（１８４．６ｍｍｏｌ）のヘキサン（１８０ｍＬ）溶液に加え、室温で４時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度９５℃／３．８×１０２Ｐａ）することにより、２−クロロ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）Ｃｌ）を無色の液体として得た（収量４４．１１ｇ，収率９２％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．４５（ｓ，１Ｈ），５．７１（ｓ，２Ｈ），１．４７（ｄｑ，Ｊ＝１６Ｈｚ，８Ｈｚ，２Ｈ），１．４１（ｄｑ，Ｊ＝１６Ｈｚ，８Ｈｚ，２Ｈ），１．１９９（ｓ，６Ｈ），１．１９７（ｓ，６Ｈ），０．７８（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，６Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．９，５４．６，３５．２，２８．７，２８．２，８．９。
【００９１】
参考例−１９
【００９２】
【化３０】
アルゴン雰囲気下で、参考例１１に示した手順及び試薬数量に従い調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミニド）溶液をトリクロロシラン２５．００ｇ（１８４．６ｍｍｏｌ）のヘキサン（１５０ｍＬ）溶液に加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１２５℃／８５Ｐａ）することにより、２−クロロ−１，３−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）Ｃｌ）を淡黄色の液体として得た（収量５７．２２ｇ，収率９０％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．４４（ｓ，１Ｈ），５．７３（ｓ，２Ｈ），１．６０（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，２Ｈ），１．４３（ｓ，６Ｈ），１．３１（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，２Ｈ），１．２８（ｓ，６Ｈ），０．９５（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１３．０，５５．７，５３．８，３２．７，３２．０，３１．８，３０．０。
【００９３】
参考例−２０
【００９４】
【化３１】
アルゴン雰囲気下で、参考例１３に示した手順及び試薬数量に従い調製したジリチウム（Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ’−１，１，３，３−テトラメチルブチル−１，２−ビニレンジアミニド）、ジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）及びジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミニド）の混合溶液をトリクロロシラン２５．１４ｇ（１８５．６ｍｍｏｌ）のヘキサン（１００ｍＬ）溶液に加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留して留出温度８３℃／８１Ｐａの留分を分取することにより、２−クロロ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−１−１，１，３，３−テトラメチルブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）Ｃｌ）を淡黄色の液体として得た（収量９．８４ｇ，収率１８％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．４４（ｔ，Ｊ＝１Ｈｚ，１Ｈ），５．７７（ｄｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，１Ｈｚ，１Ｈ），５．７２（ｄｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，１Ｈｚ，１Ｈ），１．５９（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，１Ｈ），１．４１（ｓ，３Ｈ），１．３５（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，２Ｈ），１．２８（ｓ，３Ｈ），１．２１（ｓ，９Ｈ），０．９５（ｓ，９Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１３．４，１１２．８，５５．７，５４．１，５１．９，３２．４，３２．０，３１．８，３０．８，３０．１。
【００９５】
実施例−１
【００９６】
【化３２】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）Ｃｌ４．０６ｇ（１９．８ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かした。この溶液を凍結脱気した後、アンモニアを充填した内容積５Ｌの風船を接続することにより反応容器内をアンモニア雰囲気として室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８０℃／８．８×１０２Ｐａ）することにより、２−アミノ−１，３−ジイソプロピル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）ＮＨ２）を無色の液体として得た（収量２．１１ｇ，収率５８％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．６６（ｍ，２Ｈ），５．６２（ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ，１Ｈ），３．３５（ｓｅｐｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．２０（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），１．１８（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．８４（ｂｒ，２Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１４．０，４８．０，２５．３，２４．３。
【００９７】
実施例−２
【００９８】
【化３３】
アルゴン雰囲気下で、エチルアミン６．８０ｇ（１５１ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かし、−２０℃でＳｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）Ｃｌ５．７３ｇ（２８．０ｍｍｏｌ）をヘキサン５ｍＬに溶かした溶液を加え、室温で４時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度７４℃／４．３×１０２Ｐａ）することにより、２−エチルアミノ−１，３−ジ−イソプロピル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）ＮＨＥｔ）を無色の液体として得た（収量５．３４ｇ，収率８９％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．６８（ｓ，２Ｈ），５．５８（ｓ，１Ｈ），３．３５（ｓｅｐｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），２．７０（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．２１（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），１．１９（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．９４（ｂｒ，１Ｈ），０．９１（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１４．０，４７．９，３５．１，２５．０，２４．２，２０．１。
【００９９】
実施例−３
【０１００】
【化３４】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）Ｃｌ４．２４ｇ（２０．７ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かし、イソプロピルアミン２．５１ｇ（４２．４ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度７５℃／３．７×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジイソプロピル−２−イソプロピルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）ＮＨｉＰｒ）を無色の液体として得た（収量４．１０ｇ，収率８７％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．６９（ｓ，２Ｈ），５．５８（ｓ，１Ｈ），３．３７（ｓｅｐｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），３．１８（ｍ，１Ｈ），１．２１（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，１２Ｈ），０．９４（ｂｒ，１Ｈ），０．９６（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１３．６，４７．６，４２．２，２７．６，２５．０，２４．１。
【０１０１】
実施例−４
【０１０２】
【化３５】
アルゴン雰囲気下で、リチウムアミド５０５ｍｇ（純度９５％、２０．９ｍｍｏｌ）を１，２−ジメトキシエタン２０ｍＬに懸濁させ、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ４．６５ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間撹拌した。反応混合物にヘキサンを２０ｍＬ加え、室温で１０分間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度７８℃／３．８×１０２Ｐａ）することにより、２−アミノ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２）を淡黄色の液体として得た（収量３．９３ｇ，収率９２％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８１（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．６８（ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ，１Ｈ），１．２９（ｓ，１８Ｈ），０．８３（ｂｒ，２Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．９，５１．４，３１．４。
【０１０３】
実施例−５
【０１０４】
【化３６】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ６．４４ｇ（２７．７ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かした。この溶液を凍結脱気した後、アンモニアを充填した内容積５Ｌの風船を接続することにより反応容器内をアンモニア雰囲気として室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度７８℃／３．７×１０２Ｐａ）することにより、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２を淡黄色の液体として得た（収量５．４５ｇ，収率９２％）。このようにして得たＳｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２の１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例４で得たもののスペクトルと一致した。
【０１０５】
実施例−６
【０１０６】
【化３７】
参考例９に示した手順に従い、ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ１２．６５ｇ，テトラヒドロフラン２０ｍＬ、ヘキサン６０ｍＬ及びリチウム１．０５ｇを用いて調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を、アルゴン雰囲気下でトリクロロシラン９．９８ｇ（７３．７ｍｍｏｌ）のヘキサン（２０ｍＬ）溶液に加え、室温で３時間撹拌した。この反応混合物を凍結脱気した後、アンモニアを充填した内容積５Ｌの風船を接続することにより反応容器内をアンモニア雰囲気として室温で２０時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度７８℃／３．７×１０２Ｐａ）することにより、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２を淡黄色の液体として得た（収量１４．０９ｇ，収率９０％）。このようにして得たＳｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２の１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例４及び５で得たもののスペクトルと一致した。
【０１０７】
実施例−７
【０１０８】
【化３８】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．２４ｇ（２２．５ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かし、メチルアミンのテトラヒドロフラン溶液（濃度１．９５ｍｏｌ／Ｌ）２５．０ｍＬ（４８．８ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８０℃／３．８×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＭｅ）を淡黄色の液体として得た（収量４．４１ｇ，収率８６％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８１（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．６０（ｓ，１Ｈ），２．３１（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），１．２８（ｓ，１８Ｈ），０．６５（ｂｒ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．０，５１．３，３１．２，２６．４。
【０１０９】
実施例−８
【０１１０】
【化３９】
アルゴン雰囲気下で、エチルアミン３．４０ｇ（７５．５ｍｍｏｌ）をヘキサン３０ｍＬに溶かし、−２０℃でＳｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．７８ｇ（２４．８ｍｍｏｌ）をヘキサン５ｍＬに溶かした溶液を加え、室温で２時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８６℃／４．１×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−エチルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＥｔ）を淡黄色の液体として得た（収量５．７７ｇ，収率９６％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８３（ｓ，２Ｈ），５．６５（ｓ，１Ｈ），２．６９（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．３０（ｓ，１８Ｈ），０．９２（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），０．８２（ｂｒ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．０，５１．３，３５．１，３１．３，１９．９。
【０１１１】
実施例−９
【０１１２】
【化４０】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ６．２２ｇ（２６．７ｍｍｏｌ）をヘキサン３０ｍＬに溶かし、シクロプロピルアミン３．１４ｇ（５６．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１００℃／３．７×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−シクロプロピルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｃＰｒ）を無色の液体として得た（収量６．０７ｇ，収率９０％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８０（ｓ，２Ｈ），５．３４（ｓ，１Ｈ），２．０８（ｍ，１Ｈ），１．２８（ｓ，１８Ｈ），０．９０（ｂｒ，１Ｈ），０．３９−０．２９（ｍ，４Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１３．８，５１．４，３１．２，２３．８，７．９。
【０１１３】
実施例−１０
【０１１４】
【化４１】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．７０ｇ（２４．５ｍｍｏｌ）をヘキサン４０ｍＬに溶かし、イソプロピルアミン２．９０ｇ（４９．１ｍｍｏｌ）を加え、室温で５時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度９０℃／３．７×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−イソプロピルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｉＰｒ）を淡黄色の液体として得た（収量５．６５ｇ，収率９０％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８０（ｓ，２Ｈ），５．６４（ｓ，１Ｈ），３．２０（ｄｏｕｂｌｅｓｅｐｔｅｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，７Ｈｚ，１Ｈ），１．３１（ｓ，１８Ｈ），０．９８（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．８７（ｂｒ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．９，５１．４，４２．３，３１．３，２７．５。
【０１１５】
実施例−１１
【０１１６】
【化４２】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．９０ｇ（２５．４ｍｍｏｌ）をヘキサン４０ｍＬに溶かし、プロピルアミン３．０３ｇ（５１．３ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度９２℃／３．５×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−プロピルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＰｒ）を淡黄色の液体として得た（収量５．９９ｇ，収率９２％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８３（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．６７（ｓ，１Ｈ），２．６５（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．３１（ｓ，１８Ｈ），１．３０（ｓｅｘｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），０．９４（ｂｒ，１Ｈ），０．７５（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．０，５１．４，４２．６，３１．３，２７．７，１１．９。
【０１１７】
実施例−１２
【０１１８】
【化４３】
参考例９に示した手順に従い、ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ３２．００ｇ，テトラヒドロフラン５０ｍＬ、ヘキサン１５０ｍＬ及びリチウム２．６７ｇを用いて調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を、アルゴン雰囲気下でトリクロロシラン２５．１６ｇ（１８５．７ｍｍｏｌ）のヘキサン（５０ｍＬ）溶液に加え、室温で３時間撹拌した。この反応混合物にプロピルアミン２２．４０ｇ（３７９．０ｍｍｏｌ）を加えて室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度７８℃／３．７×１０２Ｐａ）することにより、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＰｒを淡黄色の液体として得た（収量４１．４６ｇ，収率８７％）。このようにして得たＳｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＰｒの１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例１１で得たもののスペクトルと一致した。
【０１１９】
実施例−１３
【０１２０】
【化４４】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．２３ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）をヘキサン３０ｍＬに溶かし、ｓｅｃ−ブチルアミン３．３０ｇ（４５．１ｍｍｏｌ）を加え、室温で１４時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度９８℃／３．５×１０２Ｐａ）することにより、２−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｓＢｕ）を淡黄色の液体として得た（収量５．５６ｇ，収率９２％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８３（ｓ，２Ｈ），５．６９（ｓ，１Ｈ），３．０２（ｓｅｐｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），１．４５−１．３５（ｍ，２Ｈ），１．３２（ｓ，１８Ｈ），１．００（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，３Ｈ），０．９８（ｂｒ，１Ｈ），０．７７（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．０１，１１２．００，５１．４６，５１．４３，４７．７，３１．３，３１．２，２３．８，１０．６。
【０１２１】
実施例−１４
【０１２２】
【化４５】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ４．８７ｇ（２０．９ｍｍｏｌ）をヘキサン４０ｍＬに溶かし、ｔｅｒｔ−ブチルアミン３．１３ｇ（４２．８ｍｍｏｌ）を加え、室温で１４時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を昇華（加熱温度１５０℃／１．２×１０２Ｐａ）することにより、２−ｔｅｒｔ−ブチルアミノ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｔＢｕ）を白色固体として得た（収量５．０６ｇ，収率９０％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７９（ｓ，２Ｈ），５．５６（ｓ，１Ｈ），１．３３（ｓ，１８Ｈ），１．１４（ｓ，９Ｈ），１．０１（ｂｒ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．７，５１．６，４９．５，３３．４，３１．２。
【０１２３】
実施例−１５
【０１２４】
【化４６】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．７０ｇ（２４．５ｍｍｏｌ）をヘキサン１００ｍＬに溶かし、シクロヘキシルアミン４．８６ｇ（４９．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で４時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を昇華（加熱温度１６０℃／７．０×１０２Ｐａ）することにより、２−シクロヘキシルアミノ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＣｙ）を白色固体として得た（収量６．９５ｇ，収率９６％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８３（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．７１（ｓ，１Ｈ），２．８７（ｍ，１Ｈ），１．８６（ｍ，２Ｈ），１．５７（ｍ，２Ｈ），１．４４（ｍ，１Ｈ），１．３３（ｓ，１８Ｈ），１．２０−０．９５（ｍ，６Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．０，５１．５，４９．８，３８．４，３１．３，２６．４，２６．０。
【０１２５】
実施例−１６
【０１２６】
【化４７】
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（濃度１．６５ｍｏｌ／Ｌ）１３．８ｍＬ（２２．８ｍｍｏｌ）にヘキサン１０ｍＬ及び１，１，３，３−テトラメチルブチルアミン２．９４ｇ（２２．８ｍｍｏｌ）を加え、室温で１４時間撹拌することにより調製したリチウム（１，１，３，３−テトラメチルブチルアミド）溶液に、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．１４ｇ（２２．１ｍｍｏｌ）をヘキサン１０ｍＬに溶かした溶液を加え、室温で２４時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を昇華（加熱温度１８０℃／６４Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）アミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｔＯｃｔ）を白色固体として得た（収量５．８５ｇ，収率８１％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８０（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．６１（ｓ，１Ｈ），１．５１（ｓ，２Ｈ），１．３６（ｓ，１８Ｈ），１．２８（ｓ，６Ｈ），１．０４（ｂｒ，１Ｈ），１．００（ｓ，９Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．８，５９．３，５３．９，５１．７，３２．６，３２．２，３２．１，３１．２。
【０１２７】
実施例−１７
【０１２８】
【化４８】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．６３ｇ（２４．２ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かし、２，２，２−トリフルオロエチルアミン５．３８ｇ（５４．３ｍｍｏｌ）を加え、室温で１５時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８０℃／４．７×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−（２，２，２−トリフルオロエチル）アミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＣＨ２ＣＦ３）を淡黄色液体として得た（収量４．７４ｇ，収率６６％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７３（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．４７（ｓ，１Ｈ），２．８９（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝９Ｈｚ，２Ｈ），１．１９（ｓ，１８Ｈ），１．０２（ｂｒ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１４．８（ｑ，Ｊ＝２６９Ｈｚ），１１２．２，４２．７（ｑ，Ｊ＝３３Ｈｚ），５１．４，３１．１。
【０１２９】
実施例−１８
【０１３０】
【化４９】
アルゴン雰囲気下で、エチルアミン３．３０ｇ（７３．２ｍｍｏｌ）をヘキサン３０ｍＬに溶かし、−２０℃でＳｉ（ｓＢｕＮＣＨＣＨＮｓＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ６．２１ｇ（２６．７ｍｍｏｌ）をヘキサン５ｍＬに溶かした溶液を加え、室温で２時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度９２−９６℃／４．０×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｓｅｃ−ブチル−２−エチルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｓＢｕＮＣＨＣＨＮｓＢｕ）（Ｈ）ＮＨＥｔ）を淡黄色の液体として得た（収量５．６１ｇ，収率８７％）。なお、これは立体配置が相異なる複数の異性体の混合物であった。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．６８（ｓ）／５．６６（ｓ）／５．６５（ｓ）（三つのシグナルの積分強度の合計が２Ｈ），５．５７（ｓ，１Ｈ），３．０６（ｓｅｐｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），２．７６−２．６９（ｍ，２Ｈ），１．６９−１．５９（ｍ，２Ｈ），１．５１−１．３３（ｍ，２Ｈ），１．２１（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ）／１．２０（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ）（二つのシグナルの積分強度の合計が６Ｈ），１．００−０．８８（ｍ，１０Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１４．３，１１３．９，１１３．２，１１２．９，５４．１，５４．０，５３．４，３５．２，３１．９，３０．９，２２．９，２２．８，２２．１，２２．０，２０．３，１１．９，１１．７４，１１．７３。
【０１３１】
実施例−１９
【０１３２】
【化５０】
アルゴン雰囲気下で、リチウムアミド３７９ｍｇ（純度９５％、１５．７ｍｍｏｌ）を１，２−ジメトキシエタン１０ｍＬに懸濁させ、Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）Ｃｌ３．９９ｇ（１５．３ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。反応混合物にヘキサンを１０ｍＬ加え、室温で１０分間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度９０℃／３．７×１０２Ｐａ）することにより、２−アミノ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨ２）を淡黄色の液体として得た（収量３．２３ｇ，収率８７％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７２（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．６９（ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ，１Ｈ），１．５６（ｄｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ，７Ｈｚ，２Ｈ），１．４８（ｄｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ，７Ｈｚ，２Ｈ），１．２６（ｓ，６Ｈ），１．２５（ｓ，６Ｈ），０．８７（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．８５（ｂｒ，２Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．７，５４．０，３５．６，２９．３，２８．７，９．１。
【０１３３】
実施例−２０
【０１３４】
【化５１】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）Ｃｌ６．１８ｇ（２３．７ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かした。この溶液を凍結脱気した後、アンモニアを充填した内容積５Ｌの風船を接続することにより反応容器内をアンモニア雰囲気として室温で６時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度９０℃／３．７×１０２Ｐａ）することにより、２−アミノ−ジ−１，３−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨ２）を淡黄色の液体として得た（収量５．３６ｇ，収率９４％）。このようにして得たＳｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨ２の１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例１９で得たもののスペクトルと一致した。
【０１３５】
実施例−２１
【０１３６】
【化５２】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）Ｃｌ５．２４ｇ（２０．１ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かし、メチルアミンのテトラヒドロフラン溶液（濃度１．９５ｍｏｌ／Ｌ）２４．０ｍＬ（４６．８ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１０４℃／３．８×１０２Ｐａ）することにより、２−メチルアミノ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨＭｅ）を淡黄色の液体として得た（収量４．７１ｇ，収率９２％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７３（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．６２（ｓ，１Ｈ），２．３４（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），１．５８（ｄｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ，７Ｈｚ，２Ｈ），１．４８（ｄｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ，７Ｈｚ，２Ｈ），１．２５（ｓ，６Ｈ），１．２４（ｓ，６Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．６４（ｂｒ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．８，５３．８，３５．６，２９．２，２８．４，２６．４，９．２。
【０１３７】
実施例−２２
【０１３８】
【化５３】
アルゴン雰囲気下で、エチルアミン６．８０ｇ（１５１ｍｍｏｌ）をヘキサン２５ｍＬに溶かし、−２０℃でＳｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）Ｃｌ６．９６ｇ（２６．７ｍｍｏｌ）をヘキサン５ｍＬに溶かした溶液を加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１１０℃／１．５×１０２Ｐａ）することにより、２−エチルアミノ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨＥｔ）を淡黄色の液体として得た（収量６．６３ｇ，収率９２％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７２（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．６４（ｓ，１Ｈ），２．７３（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．６０（ｄｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ，７Ｈｚ，２Ｈ），１．４８（ｄｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ，７Ｈｚ，２Ｈ），１．２７（ｓ，６Ｈ），１．２５（ｓ，６Ｈ），０．９４（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），０．８９（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．８３（ｂｒ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．８，５３．９，３５．７，３５．２，２９．３，２８．３，１９．９，９．２。
【０１３９】
実施例−２３
【０１４０】
【化５４】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）Ｃｌ６．４９ｇ（２４．９ｍｍｏｌ）をヘキサン２５ｍＬに溶かし、イソプロピルアミン２．９６ｇ（５０．１ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を昇華（加熱温度１６０℃／７０Ｐａ）することにより、２−イソプロピルアミノ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨｉＰｒ）を白色の固体として得た（収量６．７７ｇ，収率９６％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７３（ｓ，２Ｈ），５．６６（ｓ，１Ｈ），３．２２（ｍ，１Ｈ），１．６４（ｄｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ，７Ｈｚ，２Ｈ），１．４６（ｄｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ，７Ｈｚ，２Ｈ），１．３０（ｓ，６Ｈ），１．２７（ｓ，６Ｈ），１．００（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．９０（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．８６（ｂｒ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．８，４２．３，３５．７，２９．４，２８．０，２７．５，９．１。
【０１４１】
実施例−２４
【０１４２】
【化５５】
アルゴン雰囲気下で、リチウムアミド４３９ｍｇ（純度９５％，１８．２ｍｍｏｌ）を１，２−ジメトキシエタン２０ｍＬに懸濁させ、Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）Ｃｌ６．０７ｇ（１７．６ｍｍｏｌ）を加え、室温で４時間撹拌した。反応混合物にヘキサンを２０ｍＬ加え、室温で１０分間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１１６℃／１．３×１０２Ｐａ）することにより、２−アミノ−１，３−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨ２）を淡黄色の液体として得た（収量４．９９ｇ，収率８７％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７３（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．７０（ｓ，１Ｈ），１．６３（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，２Ｈ），１．４６（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，２Ｈ），１．４１（ｓ，６Ｈ），１．３５（ｓ，６Ｈ），１．０５（ｓ，１８Ｈ），０．８８（ｂｒ，２Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．９，５５．２，５４．２，３２．８，３２．１，３２．０，３１．２。
【０１４３】
実施例−２５
【０１４４】
【化５６】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）Ｃｌ５．４２ｇ（１５．７ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かした。この溶液を凍結脱気した後、アンモニアを充填した内容積５Ｌの風船を接続することにより反応容器内をアンモニア雰囲気として室温で４１時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１１５℃／１．２×１０２Ｐａ）することにより、２−アミノ−１，３−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨ２）を淡黄色の液体として得た（収量４．５２ｇ，収率８８％）。このようにして得たＳｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨ２の１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例２４で得たもののスペクトルと一致した。
【０１４５】
実施例−２６
【０１４６】
【化５７】
アルゴン雰囲気下で、エチルアミン６．８０ｇ（１５１ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かし、−２０℃でＳｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）Ｃｌ５．２６ｇ（１５．２ｍｍｏｌ）をヘキサン１０ｍＬに溶かした溶液を加え、室温で１２時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１２８℃／１．４×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−２−エチルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨＥｔ）を淡黄色の液体として得た（収量５．２２ｇ，収率９７％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７４（ｓ，２Ｈ），５．６４（ｓ，１Ｈ），２．７３（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．７２（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，２Ｈ），１．４５（ｓ，６Ｈ），１．４３（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，２Ｈ），１．３３（ｓ，６Ｈ），１．０６（ｓ，１８Ｈ），０．９５（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），０．８３（ｂｒ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．９，５５．２，５４．３，３５．５，３３．０，３２．１，３２．０，３０．５，１９．９。
【０１４７】
実施例−２７
【０１４８】
【化５８】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）Ｃｌ４．８７ｇ（１６．９ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かした。この溶液を凍結脱気した後、アンモニアを充填した内容積５Ｌの風船を接続することにより反応容器内をアンモニア雰囲気として室温で１９時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１１４℃／３．３×１０２Ｐａ）することにより、２−アミノ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−１−１，１，３，３−テトラメチルブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨ２）を淡黄色の液体として得た（収量４．０２ｇ，収率８８％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７９（ｄｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，１Ｈｚ，１Ｈ），５．７４（ｄｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，１Ｈｚ，１Ｈ），５．６９（ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ，１Ｈ），１．６５（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，１Ｈ），１．４６（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，１Ｈ），１．４１（ｓ，３Ｈ），１．３５（ｓ，３Ｈ），１．２８（ｓ，９Ｈ），１．０５（ｓ，９Ｈ），０．８５（ｂｒ，２Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．４，１１１．４，５５．２，５４．４，５１．４，３２．８，３２．１，３２．０，３１．４，３１．１。
【０１４９】
実施例−２８
【０１５０】
【化５９】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）Ｃｌ４．８２ｇ（１６．９ｍｍｏｌ）をヘキサン４０ｍＬに溶かし、プロピルアミン２．０２ｇ（３４．２ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１０６℃／９７Ｐａ）することにより、１−１，１，３，３−テトラメチルブチル−３−ｔｅｒｔ−ブチル−２−プロピルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨＰｒ）を淡黄色の液体として得た（収量４．５３ｇ，収率８７％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８０（ｄｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，１Ｈｚ，２Ｈ），５．７５（ｄｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，１Ｈｚ，２Ｈ），５．６７（ｓ，１Ｈ），２．６６（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．７３（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，１Ｈ），１．４６（ｓ，３Ｈ），１．４３（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，１Ｈ），１．３３（ｓ，３Ｈ），１．３２（ｓｅｘｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．３０（ｓ，９Ｈ），１．０６（ｓ，９Ｈ），０．９６（ｂｒ，１Ｈ），０．７７（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．４，１１１．５，５５．１，５４．５，５１．３，４２．８，３３．１，３２．１，３２．０，３１．３，３０．４，２７．７，１１．９。
【０１５１】
実施例−２９
【０１５２】
【化６０】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ７．６９ｇ（３３．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍＬに溶かし、シアン酸ナトリウム２．５８ｇ（純度９０％、３５．７ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下で８時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８５℃／３．３×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−イソシアナト−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＯ）を無色の液体として得た（収量７．０９ｇ，収率９０％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．６８（ｓ，２Ｈ），５．６３（ｓ，１Ｈ），１．１２（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１２５．０，１１２．７，５１．４，３０．９。
【０１５３】
実施例−３０
【０１５４】
【化６１】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ８．３３ｇ（３５．８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍＬに溶かし、シアン酸カリウム３．１９ｇ（純度９６％、３７．８ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下で１５時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８５℃／３．３×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−イソシアナト−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＯ）を無色の液体として得た（収量７．０７ｇ，収率８３％）。このようにして得たＳｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＯの１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例２９で得たもののスペクトルと一致した。
【０１５５】
実施例−３１
【０１５６】
【化６２】
参考例９に示した手順に従い、ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ３２．１６ｇ，テトラヒドロフラン２５０ｍＬ及びリチウム２．６７ｇを用いて調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を、アルゴン雰囲気下でトリクロロシラン２５．１２ｇ（１８５．５ｍｍｏｌ）のヘキサン（３０ｍＬ）溶液に加え、室温で３時間撹拌した。この反応混合物にシアン酸ナトリウム１４．４７ｇ（純度９６％、２１３．７ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下で４時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８５℃／３．３×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−イソシアナト−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＯ）を無色の液体として得た（収量３５．４４ｇ，収率８０％）。このようにして得たＳｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＯの１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例２９及び３０で得たもののスペクトルと一致した。
【０１５７】
実施例−３２
【０１５８】
【化６３】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ６．１０ｇ（２６．２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍＬに溶かし、チオシアン酸ナトリウム２．１５ｇ（純度９９％、２６．３ｍｍｏｌ）を加え、室温で１４時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１０８℃／３．３×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−チオイソシアナト−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＳ）を淡黄色の液体として得た（収量６．０５ｇ，収率９０％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．６３（ｄ，Ｊ＝２Ｈｚ，２Ｈ），５．５２（ｓ，１Ｈ），１．１０（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１４４．１，１１２．８，５１．５，３０．８。
【０１５９】
実施例−３３
【０１６０】
【化６４】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）Ｃｌ１１．３ｇ（４３．３ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン８０ｍＬに溶かし、シアン酸ナトリウム２．８１ｇ（純度９６％、４１．６ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下で１８．５時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を減圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（８６℃／９．６×１０２Ｐａ）することにより、２−イソシアナト−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＣＯ）を無色の液体として得た（収量９．３７ｇ，収率８４％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．６８（ｓ，１Ｈ），５．６２（ｓ，１Ｈ），５．６１（ｓ，１Ｈ），１．３６（ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ），１．３５（ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ），１．１０（ｓ，６Ｈ），１．０９（ｓ，６Ｈ），０．７６（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，６Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１２５．３，１１２．１，５３．８，３４．９，２８．３，２８．２，８．５９。
【０１６１】
実施例−３４
【０１６２】
【化６５】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）Ｃｌ７．５７ｇ（２２．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍＬに溶かし、シアン酸ナトリウム２．１４ｇ（純度９６％、３１．６ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下で１８時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１１７℃／７３Ｐａ）することにより、２−イソシアナト−１，３−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＣＯ）を無色の液体として得た（収量６．９１ｇ，収率８９％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７０（ｓ，１Ｈ），５．６３（ｓ，２Ｈ），１．５１（ｄ，Ｊ＝１４Ｈｚ，２Ｈ），１．３０（ｄ，Ｊ＝１４Ｈｚ，２Ｈ），１．２８（ｓ，６Ｈ），１．１９（ｓ，６Ｈ），０．９５（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１２５．１，１１２．６，５５．２，５３．７，３２．６，３１．９，３１．８，３０．５。
【０１６３】
実施例−３５
【０１６４】
【化６６】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ３．９８ｇ（１７．１ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かした。この溶液を凍結脱気した後、ジメチルアミンを充填した内容積５Ｌの風船を接続することにより反応容器内をジメチルアミン雰囲気として室温で２０時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８４℃／４．７×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ジメチルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＭｅ２）を無色液体として得た（収量３．７６ｇ，収率９１％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８３（ｓ，２Ｈ），５．６３（ｓ，１Ｈ），２．３８（ｓ，６Ｈ），１．２２（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．０，５１．１，３５．６，３１．０。
【０１６５】
実施例−３６
【０１６６】
【化６７】
参考例９に示した手順に従い、ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ３２．００ｇ，テトラヒドロフラン５０ｍＬ、ヘキサン１５０ｍＬ及びリチウム２．６７ｇを用いて調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を、アルゴン雰囲気下でトリクロロシラン２５．２０ｇ（１８６．０ｍｍｏｌ）のヘキサン（１２０ｍＬ）溶液に加え、室温で４時間撹拌した。この反応混合物にジエチルアミン３０．００ｇ（４１０．２ｍｍｏｌ）を加えて室温で５時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１０２℃／４．０×１０２Ｐａ）することにより、１，３―ジ―ｔｅｒｔ−ブチル−２−ジエチルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＥｔ２）を淡黄色の液体として得た（収量３０．２９ｇ，収率６０％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８２（ｓ，２Ｈ），５．６９（ｓ，１Ｈ），２．８５（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，４Ｈ），１．２６（ｓ，１８Ｈ），１．００（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．１，５１．３，３８．６，３１．２，１５．１。
【０１６７】
実施例−３７
【０１６８】
【化６８】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．５０ｇ（２３．６ｍｍｏｌ）をヘキサン１０ｍＬに溶かし、リチウムブチル（メチル）アミド溶液（１．６７ｍｏｌ／Ｌのブチルリチウムヘキサン溶液１４．２ｍＬ、テトラヒドロフラン１５ｍＬ及びＮ−ブチル−Ｎ−メチルアミン２．０７ｇを混合して室温で１時間撹拌することにより調製したもの）を加えて室温で２０時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１０９℃／３．３×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ブチルメチルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＢｕＭｅ）を無色液体として得た（収量５．６７ｇ，収率８５％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８５（ｓ，２Ｈ），５．６８（ｓ，１Ｈ），２．７５（ｍ，２Ｈ），２．４０（ｓ，３Ｈ），１．４６（ｍ，２Ｈ），１．２６（ｓ，１８Ｈ），１．２１（ｍ，２Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．１，５１．２，４８．７，３２．７，３１．６，３１．１，２１．１，１４．６。
【０１６９】
実施例−３８
【０１７０】
【化６９】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ３．３６ｇ（１４．４ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍＬに溶かし、チオシアン酸カリウム１．４７ｇ（純度９８％、１４．８ｍｍｏｌ）を加え、室温で１８時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１０８℃／３．３×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−チオイソシアナト−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＳ）を淡黄色の液体として得た（収量３．２８ｇ，収率８９％）。このようにして得たＳｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＳの１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例３２で得たもののスペクトルと一致した。
【０１７１】
薄膜作製例（実施例−３９から４７及び比較例−１から３）
本発明のヒドロシラン誘導体又はＳｉＨ（ＮＭｅ２）３（ＴＤＭＡＳ）をそれぞれ材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は表１に示すとおりである。なお、ｓｃｃｍとは気体の流量を表す単位であり、１ｓｃｃｍは理想気体に換算すると２．６８ｍｍｏｌ／ｈの速度で気体が移動していることを表す。反応チャンバーへの材料供給速度は、（キャリアガス流量×材料の蒸気圧÷材料容器内全圧）の計算式に基づいて求めることができ、実施例−３９から４７及び比較例−１から３の全ての成膜例を通じて材料供給速度がなるべく統一されるように材料容器温度やキャリアガス（アルゴン）の流量などを調節した。また材料とキャリアガスのほかに酸素ガスを６０ｓｃｃｍの流量で反応チャンバーに導入した。さらに実施例−３９から４７及び比較例−１から３の全ての成膜例を通じて反応チャンバー内の酸素濃度及び総ガス流量（線速）を統一するために希釈ガス（アルゴン）の導入量を調節した。すなわち実施例−３９から４７では２２０ｓｃｃｍの流量で、比較例１から３では２３０ｓｃｃｍの流量で希釈ガスを導入することにより、反応チャンバー内の圧力を１．３ｋＰａに調節した。用いた基板の材質はサファイアであり、成膜時間は１時間である。実施例−３９から４７及び比較例−１から３のいずれの場合においても、作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から算出した膜厚を表１に示した。表１から明らかなように、ＴＤＭＡＳと酸素ガスを用いてＣＶＤ法による二酸化ケイ素薄膜作製を試みた比較例−１から３では、基板温度５００℃以下においては膜の堆積がほとんど進行しないことを確認した。また、実施例３９、４１、４４及び４６について膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ、二酸化ケイ素膜であることを確認した。
【０１７２】
実施例−４８
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は以下の通りである。材料容器温度：４０℃、材料の蒸気圧：３１Ｐａ、キャリアガス（アルゴン）流量：２０ｓｃｃｍ、材料容器内全圧：１３．３ｋＰａ、反応チャンバーへの材料供給速度：０．１３ｍｍｏｌ／ｈ、希釈ガス（アルゴン）流量：２８０ｓｃｃｍ、反応チャンバー内全圧：１．３ｋＰａ、基板温度：５００℃。酸素ガスの供給は行わなかった。用いた基板の材質はサファイアであり、成膜時間は１時間である。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、２０ｎｍであった。また、膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ、ケイ素と窒素を含有する膜であることを確認した。
【０１７３】
実施例−４９
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−４８と同様とし、但し基板温度は４７５℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、１０ｎｍであった。
【０１７４】
実施例−５０
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は以下の通りである。材料容器温度：４０℃、材料の蒸気圧：３１Ｐａ、キャリアガス（アルゴン）流量：４０ｓｃｃｍ、材料容器内全圧：１３．３ｋＰａ、反応チャンバーへの材料供給速度：０．２６ｍｍｏｌ／ｈ、希釈ガス（アルゴン）流量：６０ｓｃｃｍ、反応チャンバー内全圧：１．３ｋＰａ、基板温度：５００℃。酸素ガスの供給は行わなかった。用いた基板の材質はサファイアであり、成膜時間は１時間である。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、１３１ｎｍであった。また、膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ、ケイ素と窒素を含有する膜であることを確認した。
【０１７５】
実施例−５１
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−５０と同様とし、但し基板温度は４７５℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、５０ｎｍであった。
【０１７６】
実施例−５２
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−５０と同様とし、但し基板温度は４５０℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、１９ｎｍであった。
【０１７７】
比較例−４
ＳｉＨ（ＮＭｅ２）３（ＴＤＭＡＳ）を材料に用いて、熱ＣＶＤ法によるケイ素含有薄膜の作製を試みた。本試験のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は以下の通りである。材料容器温度：１℃、材料の蒸気圧：１２５Ｐａ、キャリアガス（アルゴン）流量：１０ｓｃｃｍ、材料容器内全圧：２６．７ｋＰａ、反応チャンバーへの材料供給速度：０．１３ｍｍｏｌ／ｈ、希釈ガス（アルゴン）流量：２９０ｓｃｃｍ、反応チャンバー内全圧：１．３ｋＰａ、基板温度：５００℃。酸素ガスの供給は行わなかった。用いた基板の材質はサファイアであり、成膜時間は１時間である。基板表面へのケイ素含有薄膜の形成を確認するため、基板表面を蛍光Ｘ線分析で調べた。その結果、ケイ素に基づく特性Ｘ線はほとんど検出されず、ケイ素含有薄膜の形成は確認されなかった。
【０１７８】
実施例−５３
【０１７９】
【化７０】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ６．５４ｇ（２８．１ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かし、ビニルマグネシウムクロリドテトラヒドロフラン溶液（１．６１ｍｏｌ／Ｌ，３４．５ｍＬ，５５．５ｍｍｏｌ）を加えて室温で２２時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８５℃／６．１×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ビニル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨＣＨ２）を黄色液体として得た（収量３．０１ｇ，収率４８％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．２５（ｄｄｄ，Ｊ＝２０Ｈｚ，１４Ｈｚ，５Ｈｚ，１Ｈ），６．０９（ｄ，Ｊ＝５Ｈｚ，１Ｈ），５．９２（ｄｄ，Ｊ＝２０Ｈｚ，３Ｈｚ，１Ｈ），５．８９（ｄｄ，Ｊ＝１４Ｈｚ，３Ｈｚ，１Ｈ），５．７７（ｓ，２Ｈ），１．１９（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１４０．３，１３３．９，１１３．６，５１．５，３１．１。
【０１８０】
実施例−５４
【０１８１】
【化７１】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ８．３９ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）をヘキサン１７ｍＬに溶かし、（プロパ−２−エン−１−イル）マグネシウムブロミドジエチルエーテル溶液（０．９９ｍｏｌ／Ｌ，３８．０ｍＬ，３７．６ｍｍｏｌ）を加えて室温で１８時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８８℃／４．４×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−（プロパ−２−エン−１−イル）−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２）を黄色液体として得た（収量７．３３ｇ，収率８５％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．０５（ｓ，１Ｈ），５．９３−５，８５（ｍ，１Ｈ），５．７２（ｓ，２Ｈ），５．１０−４．９０（ｍ，２Ｈ），１．７７（ｄｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，１Ｈｚ，２Ｈ），１．１７（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１３３．６，１１５．０，１１３．９，５１．１，３１．２，３１．１。
【０１８２】
実施例−５５
【０１８３】
【化７２】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ８．４４ｇ（３６．２ｍｍｏｌ）をヘキサン１７ｍＬに溶かし、（２−メチルプロパ−１−エン−１−イル）マグネシウムブロミドテトラヒドロフラン溶液（０．５６ｍｏｌ／Ｌ，６８．０ｍＬ，３８．１ｍｍｏｌ）を加えて室温で１８時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度９０℃／３．５×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−（２−メチルプロパ−１−エン−１−イル）−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨＣ（ＣＨ３）２）を黄色液体として得た（収量６．３０ｇ，収率６９％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．１９（ｓ，１Ｈ），５．７７（ｓ，２Ｈ），５．４０（ｓ，１Ｈ），１．７８（ｓ，３Ｈ），１．７０（ｓ，３Ｈ），１．２２（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１５６．７，１２６．７，１１２．８，５１．２，３１．０，２９．５，２３．８。
【０１８４】
実施例−５６
【０１８５】
【化７３】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ８．７１ｇ（３７．４ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かし、（プロパ−１−エン−２−イル）マグネシウムブロミドテトラヒドロフラン溶液（０．５７ｍｏｌ／Ｌ，６９．０ｍＬ，３９．３ｍｍｏｌ）を加えて１４時間還流した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８０℃／４．３×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−（プロパ−１−エン−２−イル）−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２）を黄色液体として得た（収量４．１８ｇ，収率４７％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．１２（ｓ，１Ｈ），５．７９（ｓ，２Ｈ），５．６９（ｓ，１Ｈ），５．６２（ｓ，１Ｈ），１．９３（ｓ，３Ｈ），１．１１（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１４９．３，１２７．８，１１３．８，５１．４，３１．０，２０．６。
【０１８６】
実施例−５７
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は以下の通りである。材料容器温度：４３℃、材料の蒸気圧：３１Ｐａ、キャリアガス（アルゴン）流量：２０ｓｃｃｍ、材料容器内全圧：１３．３ｋＰａ、反応チャンバーへの材料供給速度：０．１３ｍｍｏｌ／ｈ、酸素ガス流量：６０ｓｃｃｍ、希釈ガス（アルゴン）流量：２２０ｓｃｃｍ、反応チャンバー内全圧：１．３ｋＰａ、基板温度：５００℃。用いた基板の材質はサファイアであり、成膜時間は１時間である。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、１２３ｎｍであった。また、膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ、二酸化ケイ素膜であることを確認した。
【０１８７】
実施例−５８
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−５７と同様とし、但し基板温度は４７５℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、９１ｎｍであった。
【０１８８】
実施例−５９
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−５７と同様とし、但し基板温度は４５０℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、４７ｎｍであった。
【０１８９】
実施例−６０
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は以下の通りである。材料容器温度：４３℃、材料の蒸気圧：３１Ｐａ、キャリアガス（アルゴン）流量：２０ｓｃｃｍ、材料容器内全圧：１３．３ｋＰａ、反応チャンバーへの材料供給速度：０．１３ｍｍｏｌ／ｈ、希釈ガス（アルゴン）流量：２８０ｓｃｃｍ、反応チャンバー内全圧：１．３ｋＰａ、基板温度：５００℃。酸素ガスの供給は行わなかった。用いた基板の材質はサファイアであり、成膜時間は１時間である。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、７４ｎｍであった。また、膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ、ケイ素と窒素を含有する膜であることを確認した。
【０１９０】
実施例−６１
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−６０と同様とし、但し基板温度は４７５℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、４４ｎｍであった。
【０１９１】
実施例−６２
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−６０と同様とし、但し基板温度は４５０℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、１４ｎｍであった。
【０１９２】
実施例−６３
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は以下の通りである。材料容器温度：４３℃、材料の蒸気圧：３１Ｐａ、キャリアガス（アルゴン）流量：４０ｓｃｃｍ、材料容器内全圧：１３．３ｋＰａ、反応チャンバーへの材料供給速度：０．２６ｍｍｏｌ／ｈ、希釈ガス（アルゴン）流量：６０ｓｃｃｍ、反応チャンバー内全圧：１．３ｋＰａ、基板温度：５００℃。酸素ガスの供給は行わなかった。用いた基板の材質はサファイアであり、成膜時間は１時間である。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、２７７ｎｍであった。また、膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ、ケイ素と窒素を含有する膜であることを確認した。
【０１９３】
実施例−６４
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−６３と同様とし、但し基板温度は４７５℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、１７７ｎｍであった。
【０１９４】
実施例−６５
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−６３と同様とし、但し基板温度は４５０℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、７７ｎｍであった。
【０１９５】
【表１】
試験例
本発明のヒドロシラン誘導体の熱重量分析（ＴＧ）及び示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を行った。ＴＧでは、４００ｍｌ／ｍｉｎの一定量でアルゴンを流通させている測定装置内にサンプルを置き、サンプル及びアルゴンの温度を１０℃／ｍｉｎの一定速度で上げたときの気化による重量減少を観察し、サンプルが５０％減量したときの温度を記録した。ＤＳＣでは、アルゴン雰囲気下でサンプルをステンレス製測定用容器に密閉し、容器の温度を１０℃／ｍｉｎの一定速度で上げたときのサンプルの熱分解に基づく発熱を観察し、発熱が起き始めた温度を記録した。これら記録の一覧を表２に示した。また図２から図３２には、各サンプルのＴＧ及びＤＳＣチャートを示した。これらのチャートの横軸は摂氏温度であり、縦軸左側はＴＧの重量減少の百分率であり、縦軸右側はＤＳＣの発熱量である。
【０１９６】
【表２】
【符号の説明】
【０１９７】
１ 材料容器
２ 恒温槽
３ 反応チャンバー
４ 基板
５ 酸素ガス
６ 希釈ガス
７ キャリアガス
８ マスフローコントローラー
９ マスフローコントローラー
１０ マスフローコントローラー
１１ 油回転式ポンプ
１２ 排気
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造用材料などとして有用なヒドロシラン誘導体、その製造方法、ケイ素含有薄膜の製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ケイ素単体及びケイ素含有化合物は、構成元素の種類及び／又は比率を変えることによって電気抵抗率、比誘電率などの電気的性質を調整することができるため、半導体デバイスを構成する多くの部位に薄膜として用いられ、今後もその産業上の用途は更に広がるものと期待されている。半導体素子用途として用いられるケイ素含有化合物としては、二酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素、金属シリケートなど多様な物質を挙げることができる。また、半導体デバイスの高集積化を進める上で、デバイス構造の立体化、すなわち三次元化された基板の表面上に薄膜を製造する技術の確立は極めて重要である。この観点から、化学気相蒸着法（ＣＶＤ法）や原子層蒸着法（ＡＬＤ法）は、次世代以降の半導体デバイス製造工程に適した薄膜作製プロセスとして特に注目されている。ＣＶＤ法やＡＬＤ法を用いてケイ素含有薄膜を作製するための材料として種々のケイ素化合物の使用が検討されている。しかし、シランガスは酸素ガスと爆発的に反応するため用途は限られ、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）は薄膜作製の際に高温やプラズマを必須とする点で用途が限られている。トリス（ジメチルアミノ）シラン（ＴＤＭＡＳ）も、ＣＶＤ法やＡＬＤ法によるケイ素含有薄膜を作製するための材料として研究されている。例えば、特許文献１にはＴＤＭＡＳを材料として用いたＰＥＣＶＤ法によって二酸化ケイ素薄膜を作製する方法が記載されている。また、特許文献２にはＴＤＭＡＳ及びオゾン若しくは酸素ガスを用いたＡＬＤ法によって二酸化ケイ素薄膜を作製する方法が記載されている。
【０００３】
本発明のヒドロシラン誘導体（１）に類似した物質として、非特許文献１には、該文献中の化合物８及び１０として１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ジエチルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＥｔ２）及び１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ジプロピルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＰｒ２）が記載されているが、これらをケイ素含有薄膜作製用の材料として用いることに関する記載は一切無い。ジエチルアミノ基やジプロピルアミノ基以外のジアルキルアミノ基を持つ誘導体や、アミノ基、モノアルキルアミノ基、イソシアナト基、チオイソシアナト基又はアルケニル基を有する誘導体に関する記述も一切ない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００９／０４５９６４号パンフレット
【特許文献２】特開２００８−１３５６３３号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ、第２８巻，２７４４ページ（２００９年）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体デバイスを製造する場合には、複数の異なる化合物の薄膜を積層する必要がある。しかしながら既存のケイ素化合物を実用的なケイ素含有薄膜作製用材料として用いるには問題がある。例えば、ＴＤＭＡＳと酸素ガスだけを用いて二酸化ケイ素薄膜を作製する場合には、ＴＤＭＡＳと酸素の反応を促進させるための高い基板温度が必須である。特許文献２には、ＴＤＭＡＳと酸素ガスだけを用いたＡＬＤ法によって二酸化ケイ素薄膜を作製する場合、５５０℃では薄膜を作製できるものの、基板温度が低いと膜が堆積しないとの記述がある。また、本発明者らがＴＤＭＡＳと酸素ガスを用いてＣＶＤ法による二酸化ケイ素薄膜作製を試みたところ、基板温度５００℃以下においては膜の堆積がほとんど進行しないことを確認した。（比較例１、２及び３参照。）薄膜作製時の基板温度が高い場合には各層の間の相互拡散や剥離などのトラブルが発生することがあるため、出来るだけ低い温度で薄膜を作製することが求められている。またＴＤＭＡＳと酸素の反応を促進させる手段としてプラズマを使うＰＥＣＶＤ法やオゾンを使った方法も検討されているが、ＰＥＣＶＤ法にはプラズマによって基板が損傷するという問題点があり、オゾンを用いる方法には基板がオゾンによって酸化される問題点があるため、いずれも実用的な薄膜作製方法としては適用範囲が狭い。すなわち、プラズマやオゾン等の助剤を用いず加熱のみで、かつ可能な限り低温で薄膜を形成しうるケイ素化合物が求められるが、このような化合物は未だ見出されていない。これらの問題点を解決するためには、５００℃以下の低い温度でもプラズマやオゾンを用いなくても二酸化ケイ素や窒化ケイ素などのケイ素含有薄膜を効率良く作製することが可能な、新しい薄膜作製用ケイ素材料の開発が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは上記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、一般式（１）及び（１’）で示される環状構造を有するヒドロシラン誘導体が、５００℃以下の低い温度でもプラズマやオゾンを用いなくても二酸化ケイ素や窒化ケイ素などのケイ素含有薄膜を効率良く作製することが可能な優れた化合物であることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち本発明は、一般式（１）
【０００９】
【化１】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｚａはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、Ｎ（ＣＨ３）Ｒ４で表わされるＮ−メチル−アルキルアミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４は炭素数１から４のアルキル基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体に関する。
【００１０】
また本発明は、一般式（３）
【００１１】
【化２】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。）で示されるクロロシラン誘導体と一般式（４）
【００１２】
【化３】
（式中、Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。Ｚがイソシアナト基又はイソチオシアナト基の場合、Ｍ２はナトリウム原子又はカリウム原子を表す。Ｚがアミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基又はＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基の場合、Ｍ２は水素原子又はリチウム原子を表す。Ｚが炭素数２から６のアルケニル基の場合、Ｍ２はハロゲン化マグネシウム基を表す。）で示される化合物を反応させることを特徴とする、一般式（１’）
【００１３】
【化４】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体の製造方法に関する。
【００１４】
さらに本発明は、一般式（２）
【００１５】
【化５】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｍ１はリチウム原子又はナトリウム原子を表す。）で示されるビニレンジアミニドアルカリ金属塩とトリクロロシランを反応させることにより、一般式（３）
【００１６】
【化６】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。）で示されるクロロシラン誘導体を製造し、さらにそのクロロシラン誘導体（３）と一般式（４）
【００１７】
【化７】
（式中、Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。Ｚがイソシアナト基又はイソチオシアナト基の場合、Ｍ２はナトリウム原子又はカリウム原子を表す。Ｚがアミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基又はＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基の場合、Ｍ２は水素原子又はリチウム原子を表す。Ｚが炭素数２から６のアルケニル基の場合、Ｍ２はハロゲン化マグネシウム基を表す。）で示される化合物を反応させることを特徴とする、一般式（１’）
【００１８】
【化８】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体の製造方法に関する。
【００１９】
さらに本発明は、一般式（１’）
【００２０】
【化９】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体を材料として用いることを特徴とする、ケイ素含有薄膜の製造法に関する。
【００２１】
以下に本発明をさらに詳細に説明する。まず、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５の定義について説明する。Ｒ１及びＲ２で表される炭素数３から１２のアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状のいずれのものでも良く、具体的にはプロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−エチルプロピル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチル基、シクロプロピルエチル基、シクロブチルメチル基、ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、１，１−ジエチルプロピル基、２−メチルシクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、オクチル基、１，１−ジエチル−２−メチルプロピル基、２，５−ジメチルシクロヘキシル基、３，５−ジメチルシクロヘキシル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基、１−メチル−１−プロピルブチル基、１，１，２，３，３−ペンタメチルブチル基、１，１−ジエチル−３，３−ジメチルブチル基、アダマンチル基、１，１−ジメチルオクチル基、１，１−ジプロピルブチル基、１，１−ジメチルデシル基、１，１−ジエチルオクチル基及び１−ブチル−１−プロピルペンチル基などを例示することができる。
【００２２】
ヒドロシラン誘導体（１’）が高い蒸気圧を持ち薄膜形成用材料として取り扱いやすい点及びヒドロシラン誘導体（１’）を材料として用いて成膜したときのケイ素含有薄膜の堆積速度が速い点で、Ｒ１及びＲ２が各々独立に炭素数３から８のアルキル基であることが好ましく、炭素数３から５の二級アルキル基又は三級アルキル基であることが更に好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ペンチル基が殊更好ましい。
【００２３】
Ｒ３で表される炭素数１から１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−エチルプロピル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１，１，２−トリメチルプロピル基、１，２，２−トリメチルプロピル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、シクロプロピルメチル基、シクロプロピルエチル基、シクロブチルメチル基、ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、１，１−ジエチルプロピル基、２−メチルシクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、１，１−ジエチル−２−メチルプロピル基、２，５−ジメチルシクロヘキシル基、３，５−ジメチルシクロヘキシル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基、１−メチル−１−プロピルブチル基、１，１，２，３，３−ペンタメチルブチル基、１，１−ジエチル−３，３−ジメチルブチル基、アダマンチル基、１，１−ジメチルオクチル基、１，１−ジプロピルブチル基、１，１−ジメチルデシル基、１，１−ジエチルオクチル基及び１−ブチル−１−プロピルペンチル基などを例示することができる。
【００２４】
これらはフッ素原子で置換されていても良く、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、１−フルオロエチル基、２−フルオロエチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、１−フルオロプロピル基、２−フルオロプロピル基、３−フルオロプロピル基、１，１−ジフルオロプロピル基、２，２−ジフルオロプロピル基、３，３−ジフルオロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、ペルフルオロプロピル基、１−トリフルオロメチル−２，２，２−トリフルオロエチル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロイソブチル基、ペルフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロイソペンチル基、ペルフルオロネオペンチル基、ペルフルオロ−ｔｅｒｔ−ペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロシクロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基、ペルフルオロオクチル基、ペルフルオロノニル基、ペルフルオロデシル基、ペルフルオロウンデシル基及びペルフルオロドデシル基などを例示することができる。
【００２５】
ヒドロシラン誘導体（１’）が高い蒸気圧を持ち、液体であり薄膜形成用材料として取り扱いやすい点及びヒドロシラン誘導体（１’）を材料として用いて成膜したときのケイ素含有薄膜の堆積速度が速い点で、Ｒ３がフッ素で置換されていても良い炭素数１から８のアルキル基であることが好ましく、とりわけ炭素数１から４のアルキル基であることが好ましく、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロブチル基などが殊更好ましい。
【００２６】
Ｒ４及びＲ５で表される炭素数１から４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基及びシクロブチル基などを例示することができる。
【００２７】
次に本明細書におけるＺ及びＺａで表わされる置換基の定義について説明する。Ｚａはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、Ｎ（ＣＨ３）Ｒ４で表わされるＮ−メチル−アルキルアミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す（Ｒ３及びＲ４は前記と同じ意味を示す。）。ＺはＺａの上位概念であり、イソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す（Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は前記と同じ意味を示す。）。
【００２８】
炭素数２から６のアルケニル基は直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、具体例としては、ビニル基、プロパ−１−エン−１−イル基、プロパ−１−エン−２−イル基、プロパ−２−エン−１−イル基、シクロプロパ−１−エニル基、シクロプロパ−２−エニル基、ブタ−１−エン−１−イル基、ブタ−１−エン−２−イル基、ブタ−３−エン−２−イル基、ブタ−３−エン−１−イル基、ブタ−２−エン−１−イル基、ブタ−２−エン−２−イル基、２−メチルプロパ−１−エン−１−イル基、シクロブタ−１−エニル基、シクロブタ−２−エニル基、ペンタ−１−エン−１−イル基、ペンタ−１−エン−２−イル基、ペンタ−１−エン−３−イル基、ペンタ−４−エン−２−イル基、ペンタ−４−エン−１−イル基、ペンタ−２−エン−１−イル基、ペンタ−２−エン−２−イル基、ペンタ−２−エン−３−イル基、ペンタ−３−エン−２−イル基、ペンタ−３−エン−１−イル基、２−メチルブタ−１−エン−１−イル基、２−メチルブタ−３−エン−２−イル基、３−メチルブタ−２−エン−１−イル基、３−メチルブタ−２−エン−２−イル基、２−メチレンブチル基、２−メチルブタ−２−エン−１−イル基、シクロペンタ−１−エニル基、シクロペンタ−２−エニル基、シクロペンタ−３−エニル基、ヘキサ−１−エン−１−イル基、ヘキサ−１−エン−２−イル基、ヘキサ−１−エン−３−イル基、ヘキサ−５−エン−１−イル基、ヘキサ−５−エン−２−イル基、ヘキサ−５−エン−３−イル基、２−メチルペンタ−４−エン−２−イル基、４−メチルペンタ−１−エン−３−イル基、３−メチルペンタ−１−エン−３−イル基、２−メチルペンタ−１−エン−３−イル基、４−メチルペンタ−４−エン−１−イル基、３−メチレンペンチル基、２−メチレンペンチル基、３−メチレン−２−メチレンブチル基、２，３−ジメチルブタ−３−エン−２−イル基、シクロヘキサ−１−エニル基、シクロヘキサ−２−エニル基、シクロヘキサ−３−エニル基などを挙げることが出来る。
【００２９】
ヒドロシラン誘導体（１’）が高い蒸気圧を持つ点で、炭素数２から４のアルケニル基が好ましく、具体的にはビニル基、プロパ−１−エン−１−イル基、プロパ−１−エン−２−イル基、プロパ−２−エン−１−イル基、シクロプロパ−１−エニル基、シクロプロパ−２−エニル基、ブタ−１−エン−１−イル基、ブタ−１−エン−２−イル基、ブタ−３−エン−２−イル基、ブタ−３−エン−１−イル基、ブタ−２−エン−１−イル基、ブタ−２−エン−２−イル基、２−メチルプロパ−１−エン−１−イル基、シクロブタ−１−エニル基、シクロブタ−２−エニル基が好ましい。とりわけビニル基、プロパ−１−エン−１−イル基、プロパ−１−エン−２−イル基、プロパ−２−エン−１−イル基が好ましい。
【００３０】
ヒドロシラン誘導体（１）を材料として酸素ガス共存下で酸化ケイ素薄膜を作製する場合のケイ素含有薄膜の堆積速度が速い点で、Ｚａはアミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、Ｎ（ＣＨ３）Ｒ４で表わされるＮ−メチル−アルキルアミノ基又は炭素数２から４のアルケニル基であることが好ましく、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基であることが更に好ましく、アミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、シクロプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基又はｔｅｒｔ−ブチルアミノ基であることがより一層好ましい。また熱分解温度が低く低温でのケイ素含有薄膜作製プロセスに適している点で、Ｚａはアミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、イソシアナト基又は炭素数２から４のアルケニル基が好ましい。さらに、低温でも含ケイ素薄膜の堆積速度が速い点で、Ｚａはアミノ基が殊更好ましい。
【００３１】
ヒドロシラン誘導体（１’）を材料として酸素ガス共存下で酸化ケイ素薄膜を作製する場合の含ケイ素薄膜の堆積速度が速い点で、Ｚはアミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、Ｎ（ＣＨ３）Ｒ４で表わされるＮ−メチル−アルキルアミノ基又は炭素数２から４のアルケニル基であることが好ましく、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基であることが更に好ましく、アミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、シクロプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基又はｔｅｒｔ−ブチルアミノ基であることが殊更好ましい。また熱分解温度が低い特徴を持ち低温でのケイ素含有薄膜作製プロセスに適している点で、Ｚはアミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、イソシアナト基又は炭素数２から４のアルケニル基が好ましい。さらに、低温でも含ケイ素薄膜の堆積速度が速い点で、Ｚはアミノ基が殊更好ましい。
【００３２】
次に本発明の製造方法について説明する。本発明のヒドロシラン誘導体（１’）は、下記反応式に示した工程Ａによって製造することができる。
【００３３】
【化１０】
工程Ａで用いる化合物Ｍ２Ｚ（４）は、所望のヒドロシラン誘導体（１’）の置換基Ｚの種類に応じて、前述の通りＭ２が決定され用いることができる。具体的には、化合物Ｍ２Ｚ（４）は、アンモニア、リチウムアミド、ＮＨ２Ｒ３で表わされる一級アミン、ＮＨＲ４Ｒ５で表わされる二級アミン、ＬｉＮＨＲ３で表わされるリチウム（アルキルアミド）、ＬｉＮＲ４Ｒ５で表わされるリチウム（ジアルキルアミド）、シアン酸ナトリウム、シアン酸カリウム、チオシアン酸ナトリウム、チオシアン酸カリウム及び炭素数２から６のアルケニルマグネシウムハロゲン化物からなる群から適宜選択して用いられる（Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は前記と同じ意味を示す。）。さらに具体的には、Ｚがイソシアナト基の場合には化合物（４）としてシアン酸ナトリウム又はシアン酸カリウムを、Ｚがイソチオシアナト基の場合には化合物（４）としてチオシアン酸ナトリウム又はチオシアン酸カリウムを、Ｚがアミノ基の場合には化合物（４）としてアンモニア又はリチウムアミドを、Ｚが一置換アミノ基ＮＨＲ３の場合には化合物（４）として一級アミンＮＨ２Ｒ３又はリチウム（アルキルアミド）ＬｉＮＨＲ３を、Ｚが二置換アミノ基ＮＲ４Ｒ５の場合には化合物（４）として二級アミンＮＨＲ４Ｒ５又はＬｉＮＲ４Ｒ５で表わされるリチウム（ジアルキルアミド）を、Ｚが炭素数２から６のアルケニル基の場合には化合物（４）としてアルケニルマグネシウムハロゲン化物をそれぞれ用いる（Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は前記と同じ意味を示す。）。アルケニルマグネシウムハロゲン化物のハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を例示することが出来るが、ヒドロシラン誘導体（１’）の収率が良い点で、塩素原子または臭素原子が好ましく、とりわけ臭素原子が好ましい。工程Ａでは、必要に応じてトリエチルアミン、ジエチル（イソプロピル）アミンなどの三級アミン類や、ピリジン類を反応助剤として添加して用いても良い。
【００３４】
工程Ａは、ヒドロシラン誘導体（１’）の収率が良い点で、有機溶媒中で実施することが好ましい。用いることができる有機溶媒としては、反応を阻害することがない溶媒であれば制限はない。例えば化合物（４）としてアンモニア、一級アミンＮＨ２Ｒ３又は二級アミンＮＨＲ４Ｒ５を用いる場合には、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの炭化水素溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタンなどのエーテル溶媒などを例示することができ、これらを単独で用いても任意の比率で混合して用いても良い。ヒドロシラン誘導体（１’）の収率が良い点で、ヘキサン、ヘプタン、テトラヒドロフラン又はテトラヒドロフランとヘキサン若しくはヘプタンの混合溶媒が好ましい。また化合物（４）としてリチウムアミド、リチウム（アルキルアミド）ＬｉＮＨＲ３、リチウム（ジアルキルアミド）ＬｉＮＲ４Ｒ５、シアン酸ナトリウム、シアン酸カリウム、チオシアン酸ナトリウム、チオシアン酸カリウム及びアルケニルマグネシウムハロゲン化物を用いる場合には、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタンなどのエーテル溶媒並びにこれらエーテル溶媒とペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン又はエチルベンゼンなどの炭化水素溶媒の混合溶媒を例示することができ、ヒドロシラン誘導体（１’）の収率が良い点で、テトラヒドロフラン又は１，２−ジメトキシエタンが殊更好ましい。
【００３５】
工程Ａでは溶媒の使用量に特に制限はなく、適宜選択された量の溶媒を用いることにより収率良くジアザシラシクロペンテン誘導体（１’）を製造することができる。
【００３６】
次にクロロシラン誘導体（３）と化合物（４）の混合比について説明する。工程Ａで用いる化合物（４）がアンモニア、一級アミンＮＨ２Ｒ３又は二級アミンＮＨＲ５Ｒ６の場合、三級アミン類やピリジン類を反応助剤として添加しないときには、クロロシラン誘導体に対して２当量以上の化合物（４）を用いることにより収率良くヒドロシラン誘導体（１’）を製造することができる。反応助剤を添加するときには、反応助剤の添加量に応じて化合物（４）の使用量を減らすことができ、例えば反応助剤をクロロシラン誘導体（３）に対して１当量以上用いるときには、クロロシラン誘導体（３）に対して１当量以上の化合物（４）を用いることにより収率良くヒドロシラン誘導体（１’）を製造することができる。また工程Ａで用いる化合物（４）がリチウムアミド、リチウム（アルキルアミド）ＬｉＮＨＲ３、リチウム（ジアルキルアミド）ＬｉＮＲ４Ｒ５、シアン酸ナトリウム、シアン酸カリウム、チオシアン酸ナトリウム、チオシアン酸カリウム又はアルケニルマグネシウムハロゲン化物の場合には、クロロシラン誘導体（３）に対して１当量以上の化合物（４）を用いることにより収率良くヒドロシラン誘導体（１’）を製造することができる。
【００３７】
工程Ａの反応温度及び反応時間には特に限定はなく、好ましくは０℃〜２００℃、１０分〜１２０時間の範囲から適宜選択することによって、収率よくヒドロシラン誘導体（１’）を製造することができる。また工程Ａの雰囲気として用いることができるガスとしては、乾燥空気、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴンなどを例示することができる。ヒドロシラン誘導体（１’）の収率が良い点で、窒素又はアルゴン雰囲気下で工程Ａを実施することが好ましい。
【００３８】
工程Ａによって製造したヒドロシラン誘導体（１’）は、必要に応じてろ過、抽出、蒸留、昇華、結晶化などの一般的な精製方法を適宜選んで用いることにより精製することができる。
【００３９】
また本発明のヒドロシラン誘導体（１’）は、下記反応式に示した二つの工程１及び２を実施する方法によって製造することもできる。
【００４０】
【化１１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｍ１、Ｚ、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＭ２は前記と同じ意味を示す。）すなわち、ビニレンジアミニドアルカリ金属塩（２）とトリクロロシランを反応させることによりクロロシラン誘導体（３）を製造する工程１、及びクロロシラン誘導体（３）と化合物（４）を反応させることによりヒドロシラン誘導体（１’）を製造する工程２を実施することによってヒドロシラン誘導体（１’）を製造することができる。
【００４１】
まず工程１について詳細に説明する。工程１で用いるビニレンジアミニドアルカリ金属塩（２）およびその合成原料であるＮ，Ｎ’−ジアルキル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（Ｒ１Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＮＲ２）は、例えばＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ、第１２０巻，１２７１４ページ（１９９８年）やＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、第３０１巻、１８３ページ（１９８６年）などに記載の方法に準じて製造することができる。
【００４２】
クロロシラン誘導体（３）の収率が良い点でＭ１はリチウム原子であることが好ましい。
【００４３】
工程１は、クロロシラン誘導体（３）の収率が良い点で、有機溶媒中で実施することが好ましい。用いることができる有機溶媒としては、反応を阻害することがない溶媒であれば制限はない。例えばジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタンなどのエーテル溶媒並びにこれらエーテル溶媒とペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン又はエチルベンゼンなどの炭化水素溶媒の混合溶媒を挙げることができ、クロロシラン誘導体（３）の収率が良い点で、テトラヒドロフラン又はテトラヒドロフランとヘキサンの混合溶媒が殊更好ましい。溶媒の使用量には特に制限はなく、適宜選択された量を用いることにより収率良くクロロシラン誘導体（３）を製造することができる。
【００４４】
工程１で用いるビニレンジアミニドアルカリ金属塩（２）の使用量に特に制限はないが、収率良くクロロシラン誘導体（３）を製造することができる点でビニレンジアミニドアルカリ金属塩（２）に対して０．９から１．１当量のトリクロロシランを用いることが好ましく、ビニレンジアミニドアルカリ金属塩（２）やトリクロロシランを過不足なく使用できる点でビニレンジアミニドアルカリ金属塩（２）に対して１．０当量のトリクロロシランを用いることが殊更好ましい。
【００４５】
工程１の反応温度及び反応時間には特に限定はなく、好ましくは０℃〜１００℃、１０分〜１２０時間の範囲から適宜選択することによって、収率よくクロロシラン誘導体（３）を製造することができる。また本反応の雰囲気として用いることができるガスとしては、クロロシラン誘導体（３）の収率が良い点で窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴンなど不活性ガスを例示することができる。クロロシラン誘導体（３）の収率が良い点で、窒素又はアルゴン雰囲気下で本反応を実施することが殊更好ましい。
【００４６】
工程１によって製造したクロロシラン誘導体（３）は、必要に応じてろ過、抽出、蒸留、昇華、結晶化などの一般的な精製方法を適宜選んで用いることにより精製することができる。またクロロシラン誘導体（３）を必ずしも単離する必要はなく、粗製のクロロヒドロシラン誘導体（３）をそのまま工程２の原料として用いても良い。また、工程１の反応終了後、そのままワンポットで工程２の反応に用いても良い。
【００４７】
工程２は、前述の工程Ａと同じ条件で実施することができる。
【００４８】
次に、ヒドロシラン誘導体（１’）を材料として用いることを特徴とする、ケイ素含有薄膜の製造法について詳細に説明する。ヒドロシラン誘導体（１’）を単独で薄膜作製用材料として用いる方法のほか、他のケイ素化合物と組み合わせて薄膜作製用材料として用いることによりケイ素含有薄膜を作製することができる。また酸素ガス、オゾン、窒素ガス、水素ガス、水、過酸化水素、アンモニア、アルコール、カルボン酸などを薄膜作製用材料としてヒドロシラン誘導体（１’）と併用することによってケイ素含有薄膜を作製しても良い。作製することができる薄膜としては、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化酸化ケイ素及びシリケートなどの薄膜を例示することができる。なかでも二酸化ケイ素薄膜や窒化ケイ素薄膜を効率良く作製することができる。さらに具体的には、たとえば本発明のヒドロシラン誘導体（１’）を材料として用い、酸素、オゾン、水、過酸化水素、アルコール、カルボン酸などの群からなる酸素源化合物から適宜選択される薄膜作製用材料を併用することによって酸化ケイ素薄膜を作製することができる。また、アンモニア、アミン類、ヒドラジンなどの窒素源化合物を薄膜作製用材料として併用することによって窒化ケイ素薄膜を作製することができる。さらに、他の薄膜作製用材料を併用せずに、ヒドロシラン誘導体（１’）を単独で用いることによって窒化ケイ素薄膜を作製することができる。さらに他の金属化合物、例えばスカンジウム、イットリウム、希土類元素、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、テクネチウム、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム等の遷移金属を含有する化合物や典型金属を含有する化合物を薄膜作製用材料としてヒドロシラン誘導体（１’）と併用することにより、種々の金属シリサイド薄膜を作製することができる。さらに典型金属や遷移金属との複合酸化物の薄膜などを作製することも可能である。
【００４９】
ケイ素含有薄膜を作製する具体的な方法としては、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法などの気相蒸着法、並びにディップコート法、スピンコート法又はインクジェット法などの溶液法を例示することができる。三次元化された構造を持つ基板の表面にも均一に薄膜を形成しやすい点で、気相蒸着法が好ましい。例えばＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりケイ素含有薄膜を作製する場合、ヒドロシラン誘導体（１’）を気化させ、気体として反応チャンバーに供給する。ヒドロシラン誘導体（１’）を気化させる方法としては、例えばバブリング法やリキッドインジェクション法などを挙げることができる。なお本明細書中で挙げたバブリング法とは、恒温槽内に設置することよって一定の温度に保たれた材料容器にヒドロシラン誘導体（１’）を入れ、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン又は窒素などヒドロシラン誘導体（１’）とは反応しないガスをキャリアガスとして吹き込むことによってヒドロシラン誘導体（１’）を気化させる方法である。リキッドインジェクション法とは、ヒドロシラン誘導体（１’）を液体の状態で気化器に送りこみ、気化器内での加熱などによってヒドロシラン誘導体（１’）を気化させる方法である。リキッドインジェクション法では、ヒドロシラン誘導体（１’）を単独で薄膜作製用材料として用いることができるほか、ヒドロシラン誘導体（１’）を有機溶媒に溶かした溶液を用いることができる。ヒドロシラン誘導体（１’）を溶液として用いるときの有機溶媒としては、ヒドロシラン誘導体（１’）と反応しないものであれば特に制限は無く、例えば１，２−ジメトキシエタン、ジグライム、トリグライム、ジオキサン、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエ−テル、シクロペンチルエチルエーテルなどのエ−テル類、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカンなどのアルカン類、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素類などを挙げることができる。これらを単独で又は混合して溶媒として用いることができる。
【００５０】
ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりケイ素含有薄膜を作製する場合、気体として反応チャンバーに供給したヒドロシラン誘導体（１’）を分解することにより、反応チャンバー内に備え付けた基板上にケイ素含有薄膜を作製することができる。ヒドロシラン誘導体（１’）を分解する方法としては、熱による方法、プラズマや光などを使用する方法や、反応チャンバー内に水、酸素ガス、オゾン、過酸化水素、水素ガス、アンモニアや、メタノール、エタノール及び２−プロパノールなどのアルコール類、ぎ酸、酢酸及びプロピオン酸などのカルボン酸類などの反応ガスを送り込んで化学反応を起こさせる方法を例示することができる。これらの方法を単独で又は併せて用いることによってヒドロシラン誘導体（１’）を分解し、ケイ素含有薄膜を作製することができる。ヒドロシラン誘導体（１’）を分解する際の基板温度は、分解する条件によって適宜選択される。例えば、プラズマや光の併用が無く反応ガスとして酸素ガスを用いる場合には、基板温度に特に制限はないが、コストメリットがある点で、３００℃〜１０００℃が好ましい。成膜速度が良好な点で４００℃〜７５０℃がさらに好ましく、４５０℃〜７００℃が殊更好ましい。またプラズマや光、オゾン、過酸化水素、アンモニアなどを適宜使用することによって、３００℃以下の温度域でもケイ素含有薄膜を作製することができる。また、本発明のヒドロシラン誘導体（１’）を材料として用いることにより、５００℃以下の低い温度でもプラズマやオゾンを用いなくても二酸化ケイ素などのケイ素含有薄膜を効率良く作製することができる。
【００５１】
ヒドロシラン誘導体（１’）を薄膜作製用材料として用いて作製したケイ素含有薄膜は、その組成に応じて電気伝導性、電気絶縁性、誘電性などの様々な電気特性を持つため、電極や絶縁体、誘電体としてＤＲＡＭやフラッシュメモリなどの半導体素子に使われるほか、コーティング膜などの光学材料などとして用いることができる。なかでも二酸化ケイ素薄膜や窒化ケイ素薄膜は、絶縁体、誘電体、犠牲層、反射防止膜、ガスバリア膜、保護膜、ハードマスクなどに、さらに窒化ケイ素薄膜は拡散バリア膜や耐久性コーティングなどにも使用することができる。
【００５２】
さらにヒドロシラン誘導体（１’）は、種々のケイ素含有ポリマーやシランカップリング剤として、またはそれらの合成中間体としても有用である。
【発明の効果】
【００５３】
本発明のヒドロシラン誘導体（１’）を材料として用いることにより、５００℃以下の低い温度でもプラズマやオゾンを用いなくても二酸化ケイ素や窒化ケイ素などのケイ素含有薄膜を効率良く作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】実施例３９から５２、５７から６５及び比較例１から４で用いた薄膜作製装置の概略図である。
【図２】Ｓｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）ＮＨＥｔのＴＧ及びＤＳＣのチャートである。
【図３】Ｓｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）ＮＨｉＰｒのＴＧ及びＤＳＣのチャートである。
【図４】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２のＴＧ及びＤＳＣのチャートである。
【図５】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＭｅのＴＧ及びＤＳＣのチャートである。
【図６】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＥｔのＴＧ及びＤＳＣのチャートである。
【図７】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｃＰｒのＴＧ及びＤＳＣのチャートである。
【図８】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｉＰｒのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図９】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＰｒのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１０】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｓＢｕのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１１】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｔＢｕのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１２】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＣｙのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１３】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｔＯｃｔのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１４】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＣＨ２ＣＦ３のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１５】Ｓｉ（ｓＢｕＮＣＨＣＨＮｓＢｕ）（Ｈ）ＮＨＥｔのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１６】Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨ２のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１７】Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨＭｅのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１８】Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨＥｔのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図１９】Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨ２のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２０】Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨＥｔのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２１】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨ２のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２２】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨＰｒのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２３】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＯのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２４】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＳのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２５】Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＣＯのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２６】Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＣＯのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２７】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＥｔ２のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２８】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＢｕＭｅのＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図２９】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨＣＨ２のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図３０】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図３１】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨＣ（ＣＨ３）２のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【図３２】Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２のＴＧ及びＤＳＣチャートである。
【実施例】
【００５５】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、本明細書中では、Ｍｅ、Ｅｔ、Ｐｒ、ｉＰｒ、ｃＰｒ、Ｂｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、ｔＢｕ、ｔＰｅ、Ｃｙ及びｔＯｃｔは、それぞれメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、シクロヘキシル基及び１，１，３，３−テトラメチルブチル基（ｔｅｒｔ−オクチル基）を示す。
【００５６】
参考例−１
【００５７】
【化１２】
イソプロピルアミン５．３２ｇ（８９．９ｍｍｏｌ）と水５０ｍＬの混合液に４０％グリオキサル水溶液６．０６ｇ（４１．８ｍｍｏｌ）を加えて室温で１時間撹拌した。生成した固体をろ別し、水５ｍＬで二回洗浄した後、減圧下で乾燥することにより、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）を白色固体として得た（収量４．６６ｇ，収率８０％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）７．９４（ｓ，２Ｈ），３．１５（ｓｅｐｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，２Ｈ），１．０８（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，１２Ｈ）。
【００５８】
参考例−２
【００５９】
【化１３】
ｓｅｃ−ブチルアミン８６．０７ｇ（１．１７７ｍｏｌ）とヘキサン２００ｍＬの混合液に４０％グリオキサル水溶液８４．４５ｇ（５８２．０ｍｏｌ）を加えて室温で３０分間撹拌した。塩化ナトリウム１５．００ｇを加えて更に１５分間撹拌した後、撹拌を止めて二層に分離させた。水層を除去した後、ヘキサン層に硫酸マグネシウム５．００ｇを加え、室温で３０分間撹拌した。不溶物をろ別した後、ろ液を減圧下で乾燥することにより、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（ｓＢｕＮＣＨＣＨＮｓＢｕ）を淡黄色液体として得た（収量９７．１０ｇ，収率９９％）。なお、これは立体配置が相異なる複数の異性体の混合物であった。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）７．９８（ｓ，２Ｈ），２．８８（ｓｅｘｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，２Ｈ），１．６０−１．５０（ｍ，２Ｈ），１．４７−１．３８（ｍ，２Ｈ），１．０９（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，６Ｈ），０．７５（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）。
【００６０】
参考例−３
【００６１】
【化１４】
ヘキサン５０ｍＬとｔｅｒｔ−ブチルアミン２０．４８ｇ（２８０．０ｍｍｏｌ）の混合液を氷浴に浸けて冷却し、４０％グリオキサル水溶液２０．３０ｇ（１３９．９ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間撹拌した。水層を除去した後、ヘキサン層に硫酸マグネシウム２．００ｇを加え、室温で３０分間撹拌した。不溶物をろ別した後、ろ液を減圧下で乾燥することにより、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）を白色固体として得た（収量２２．９０ｇ，収率９７％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）８．０７（ｓ，２Ｈ），１．１２（ｓ，１８Ｈ）。
【００６２】
参考例−４
【００６３】
【化１５】
ヘキサン１６０ｍＬとｔｅｒｔ−ペンチルアミン１１８．４ｇ（１．３５８ｍｏｌ）の混合液を氷浴に浸けて冷却し、４０％グリオキサル水溶液９８．０４ｇ（６７５．７ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間撹拌した。水層を除去した後、ヘキサン層に硫酸マグネシウム５．００ｇを加え、室温で３０分間撹拌した。不溶物をろ別した後、ろ液を減圧下で乾燥することにより、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）を淡黄色液体として得た（収量１３０．３ｇ，収率９８％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）８．０７（ｓ，２Ｈ），１．５２（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，４Ｈ），１．０４（ｓ，１２Ｈ），０．７９（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）。
【００６４】
参考例−５
【００６５】
【化１６】
１，１，３，３−テトラメチルブチルアミン１９．５０ｇ（１５０．９ｍｍｏｌ）と水１００ｍＬの混合液に４０％グリオキサル水溶液１０．６６ｇ（７３．５ｍｍｏｌ）を加えて室温で１時間撹拌した。生成した固体をろ別し、水１０ｍＬで二回洗浄した後、減圧下で乾燥することにより、Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）を白色固体として得た（収量１９．５４ｇ，収率９５％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）
８．０９（ｓ，２Ｈ），１．６１（ｓ，４Ｈ），１．１４（ｓ，１２Ｈ），０．９８（ｓ，１８Ｈ）
参考例−６
【００６６】
【化１７】
ヘキサン２００ｍＬ及びグリオキサル４０％水溶液７４．１０ｇ（５１０．７ｍｍｏｌ）の混合液に１，１，３，３−テトラメチルブチルアミン６６．００ｇ（５１０．７ｍｍｏｌ）及びｔｅｒｔ−ブチルアミン３７．３５ｇ（５１０．７ｍｍｏｌ）の混合液を加えて室温で１時間撹拌した。水層を除去した後、ヘキサン層に硫酸マグネシウム５．００ｇを加え、室温で３０分間撹拌した。不溶物をろ別した後、ろ液を減圧下で乾燥することにより、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ’−１，１，３，３−テトラメチルブチル−１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）、ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ及びｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔの混合物を淡黄色液体として得た（収量１１１．４ｇ，収率９７％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）
８．０９４（ｓ），８．０９１（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ），８．０８（ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ），８．０７（ｓ），１．６１（ｓ），１．６０（ｓ），１．１４（ｓ），１．１２（ｓ），１．１１（ｓ），０．９７９（ｓ），０．９７６（ｓ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１５７．８０，１５７．７９，１５７．７６，６１．９７，５８．１０，５６．６３，５６．５６，３２．５１，３２．４７，３２．１９，３２．１８，２９．７７４，２９．６９，２９．６６，２９．６１。
【００６７】
参考例−７
【００６８】
【化１８】
アルゴン雰囲気下で、ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ２６．２７ｇ（１８７．３ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１９０ｍＬに溶かし、リチウム２．６７ｇ（３８５ｍｍｏｌ）を加え、室温で７時間撹拌することにより、ジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を濃赤色均一溶液として得た。
【００６９】
参考例−８
【００７０】
【化１９】
アルゴン雰囲気下で、ｓＢｕＮＣＨＣＨＮｓＢｕ３１．２４ｇ（１８５．６ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５０ｍＬとヘキサン２００ｍＬの混合溶媒に溶かし、リチウム２．７１ｇ（３９０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間撹拌することにより、ジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を濃赤色均一溶液として得た。
【００７１】
参考例−９
【００７２】
【化２０】
アルゴン雰囲気下で、ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ３２．００ｇ（１９０．２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５０ｍＬ及びヘキサン１５０ｍＬの混合溶媒に溶かし、リチウム２．６６ｇ（３８３ｍｍｏｌ）を加え、室温で１６時間撹拌することにより、ジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を濃赤色均一溶液として得た。
【００７３】
参考例−１０
【００７４】
【化２１】
アルゴン雰囲気下で、ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ３６．５５ｇ（１８６．２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５０ｍＬ及びヘキサン１９０ｍＬの混合溶媒に溶かし、リチウム２．６６ｇ（３８３ｍｍｏｌ）を加え、室温で１４時間撹拌することにより、ジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を濃赤色均一溶液として得た。
【００７５】
参考例−１１
【００７６】
【化２２】
アルゴン雰囲気下で、ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ５２．２８ｇ（１８６．４ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍＬ及びヘキサン２００ｍＬの混合溶媒に溶かし、リチウム２．６８ｇ（３８６ｍｍｏｌ）を加え、室温で１６時間撹拌することにより、ジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を濃赤色均一溶液として得た。
【００７７】
参考例−１２
【００７８】
【化２３】
アルゴン雰囲気下で、ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ２７．９０ｇ（１６５．８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１８０ｍＬに溶かし、ナトリウム７．５９ｇ（３３０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間撹拌することにより、ジナトリウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を濃赤色均一溶液として得た。
【００７９】
参考例−１３
【００８０】
【化２４】
アルゴン雰囲気下で、参考例−６に記載の方法によって得たｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ、ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ及びｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔの混合物４１．６０ｇをテトラヒドロフラン５０ｍＬとヘキサン１５０ｍＬの混合溶媒に溶かし、リチウム２．６７ｇ（３９３ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間撹拌することにより、ジリチウム（Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ’−１，１，３，３−テトラメチルブチル−１，２−ビニレンジアミニド）、ジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）及びジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミニド）の混合溶液を濃赤色均一溶液として得た。
【００８１】
参考例−１４
【００８２】
【化２５】
アルゴン雰囲気下で、参考例７に示した手順及び試薬数量に従い調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液をトリクロロシラン２５．００ｇ（１８４．６ｍｍｏｌ）のヘキサン（２００ｍＬ）溶液に加え、室温で１６時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた油状物を減圧蒸留（留出温度６４℃／４．４×１０２Ｐａ）することにより、２−クロロ−１，３−ジイソプロピル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）Ｃｌ）を無色の液体として得た（収量１２．９６ｇ，収率３４％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．３６（ｓ，１Ｈ），５．５９（ｓ，２Ｈ），３．２０（ｍ，２Ｈ），１．１３（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），１．１０（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１５．３，４８．３，２４．７，２４．０。
【００８３】
参考例−１５
【００８４】
【化２６】
アルゴン雰囲気下で、参考例８に示した手順及び試薬数量に従い調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液をトリクロロシラン２５．００ｇ（１８４．６ｍｍｏｌ）のヘキサン（１５０ｍＬ）溶液に加え、室温で６時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８５℃／５×１０２Ｐａ）することにより、２−クロロ−１，３−ジ−ｓｅｃ−ブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｓＢｕＮＣＨＣＨＮｓＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ）を淡黄色の液体として得た（収量１８．１０ｇ，収率４２％）。なお、これは立体配置が相異なる複数の異性体の混合物であった。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．３９（ｓ，１Ｈ），５．６１（ｍ）／５．５８（ｍ）（二つのシグナルの積分強度の合計が２Ｈ），２．９５（ｍ，２Ｈ），１．６３−１．４９（ｍ，２Ｈ），１．４２−１．２９（ｍ，２Ｈ），１．１４（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ）／１．１２（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ）（二つのシグナルの積分強度の合計が６Ｈ），０．８０（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ）／０．７８（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ）（二つのシグナルの積分強度の合計が６Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１５．４，１１５．３，１１４．７，１１４．５，５４．４，５４．０，３１．３８，３１．３６，３０．８２，３０．８１，２２．５１，２２．４９，２１．６，１１．４，１１．３。
【００８５】
参考例−１６
【００８６】
【化２７】
アルゴン雰囲気下で、参考例９に示した手順及び試薬数量に従い調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液をトリクロロシラン２５．２０ｇ（１８６．０ｍｍｏｌ）のヘキサン（５０ｍＬ）溶液に加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８０℃／３．８×１０２Ｐａ）することにより、２−クロロ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ）を無色の液体として得た（収量３５．５８ｇ，収率８３％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．４０（ｓ，１Ｈ），５．７７（ｓ，２Ｈ），１．２１（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１３．１，５１．９，３０．８。
【００８７】
参考例−１７
【００８８】
【化２８】
アルゴン雰囲気下で、参考例１２に示した手順及び試薬数量に従い調製したジナトリウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液をトリクロロシラン２５．２０ｇ（１８６．０ｍｍｏｌ）のヘキサン（５０ｍＬ）溶液に加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８０℃／３．８×１０２Ｐａ）することにより、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ）を無色の液体として得た（収量２０．８０ｇ，収率４８％）。このようにして得たＳｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌの１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは参考例１６で得たもののスペクトルと一致した。
【００８９】
参考例−１８
【００９０】
【化２９】
アルゴン雰囲気下で、参考例１０に示した手順及び試薬数量に従い調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液をトリクロロシラン２５．００ｇ（１８４．６ｍｍｏｌ）のヘキサン（１８０ｍＬ）溶液に加え、室温で４時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度９５℃／３．８×１０２Ｐａ）することにより、２−クロロ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）Ｃｌ）を無色の液体として得た（収量４４．１１ｇ，収率９２％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．４５（ｓ，１Ｈ），５．７１（ｓ，２Ｈ），１．４７（ｄｑ，Ｊ＝１６Ｈｚ，８Ｈｚ，２Ｈ），１．４１（ｄｑ，Ｊ＝１６Ｈｚ，８Ｈｚ，２Ｈ），１．１９９（ｓ，６Ｈ），１．１９７（ｓ，６Ｈ），０．７８（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，６Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．９，５４．６，３５．２，２８．７，２８．２，８．９。
【００９１】
参考例−１９
【００９２】
【化３０】
アルゴン雰囲気下で、参考例１１に示した手順及び試薬数量に従い調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミニド）溶液をトリクロロシラン２５．００ｇ（１８４．６ｍｍｏｌ）のヘキサン（１５０ｍＬ）溶液に加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１２５℃／８５Ｐａ）することにより、２−クロロ−１，３−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）Ｃｌ）を淡黄色の液体として得た（収量５７．２２ｇ，収率９０％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．４４（ｓ，１Ｈ），５．７３（ｓ，２Ｈ），１．６０（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，２Ｈ），１．４３（ｓ，６Ｈ），１．３１（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，２Ｈ），１．２８（ｓ，６Ｈ），０．９５（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１３．０，５５．７，５３．８，３２．７，３２．０，３１．８，３０．０。
【００９３】
参考例−２０
【００９４】
【化３１】
アルゴン雰囲気下で、参考例１３に示した手順及び試薬数量に従い調製したジリチウム（Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｎ’−１，１，３，３−テトラメチルブチル−１，２−ビニレンジアミニド）、ジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）及びジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，２−ビニレンジアミニド）の混合溶液をトリクロロシラン２５．１４ｇ（１８５．６ｍｍｏｌ）のヘキサン（１００ｍＬ）溶液に加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留して留出温度８３℃／８１Ｐａの留分を分取することにより、２−クロロ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−１−１，１，３，３−テトラメチルブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）Ｃｌ）を淡黄色の液体として得た（収量９．８４ｇ，収率１８％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．４４（ｔ，Ｊ＝１Ｈｚ，１Ｈ），５．７７（ｄｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，１Ｈｚ，１Ｈ），５．７２（ｄｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，１Ｈｚ，１Ｈ），１．５９（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，１Ｈ），１．４１（ｓ，３Ｈ），１．３５（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，２Ｈ），１．２８（ｓ，３Ｈ），１．２１（ｓ，９Ｈ），０．９５（ｓ，９Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１３．４，１１２．８，５５．７，５４．１，５１．９，３２．４，３２．０，３１．８，３０．８，３０．１。
【００９５】
実施例−１
【００９６】
【化３２】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）Ｃｌ４．０６ｇ（１９．８ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かした。この溶液を凍結脱気した後、アンモニアを充填した内容積５Ｌの風船を接続することにより反応容器内をアンモニア雰囲気として室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８０℃／８．８×１０２Ｐａ）することにより、２−アミノ−１，３−ジイソプロピル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）ＮＨ２）を無色の液体として得た（収量２．１１ｇ，収率５８％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．６６（ｍ，２Ｈ），５．６２（ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ，１Ｈ），３．３５（ｓｅｐｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．２０（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），１．１８（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．８４（ｂｒ，２Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１４．０，４８．０，２５．３，２４．３。
【００９７】
実施例−２
【００９８】
【化３３】
アルゴン雰囲気下で、エチルアミン６．８０ｇ（１５１ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かし、−２０℃でＳｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）Ｃｌ５．７３ｇ（２８．０ｍｍｏｌ）をヘキサン５ｍＬに溶かした溶液を加え、室温で４時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度７４℃／４．３×１０２Ｐａ）することにより、２−エチルアミノ−１，３−ジ−イソプロピル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）ＮＨＥｔ）を無色の液体として得た（収量５．３４ｇ，収率８９％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．６８（ｓ，２Ｈ），５．５８（ｓ，１Ｈ），３．３５（ｓｅｐｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），２．７０（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．２１（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），１．１９（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．９４（ｂｒ，１Ｈ），０．９１（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１４．０，４７．９，３５．１，２５．０，２４．２，２０．１。
【００９９】
実施例−３
【０１００】
【化３４】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）Ｃｌ４．２４ｇ（２０．７ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かし、イソプロピルアミン２．５１ｇ（４２．４ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度７５℃／３．７×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジイソプロピル−２−イソプロピルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｉＰｒＮＣＨＣＨＮｉＰｒ）（Ｈ）ＮＨｉＰｒ）を無色の液体として得た（収量４．１０ｇ，収率８７％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．６９（ｓ，２Ｈ），５．５８（ｓ，１Ｈ），３．３７（ｓｅｐｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），３．１８（ｍ，１Ｈ），１．２１（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，１２Ｈ），０．９４（ｂｒ，１Ｈ），０．９６（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１３．６，４７．６，４２．２，２７．６，２５．０，２４．１。
【０１０１】
実施例−４
【０１０２】
【化３５】
アルゴン雰囲気下で、リチウムアミド５０５ｍｇ（純度９５％、２０．９ｍｍｏｌ）を１，２−ジメトキシエタン２０ｍＬに懸濁させ、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ４．６５ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間撹拌した。反応混合物にヘキサンを２０ｍＬ加え、室温で１０分間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度７８℃／３．８×１０２Ｐａ）することにより、２−アミノ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２）を淡黄色の液体として得た（収量３．９３ｇ，収率９２％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８１（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．６８（ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ，１Ｈ），１．２９（ｓ，１８Ｈ），０．８３（ｂｒ，２Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．９，５１．４，３１．４。
【０１０３】
実施例−５
【０１０４】
【化３６】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ６．４４ｇ（２７．７ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かした。この溶液を凍結脱気した後、アンモニアを充填した内容積５Ｌの風船を接続することにより反応容器内をアンモニア雰囲気として室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度７８℃／３．７×１０２Ｐａ）することにより、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２を淡黄色の液体として得た（収量５．４５ｇ，収率９２％）。このようにして得たＳｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２の１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例４で得たもののスペクトルと一致した。
【０１０５】
実施例−６
【０１０６】
【化３７】
参考例９に示した手順に従い、ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ１２．６５ｇ，テトラヒドロフラン２０ｍＬ、ヘキサン６０ｍＬ及びリチウム１．０５ｇを用いて調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を、アルゴン雰囲気下でトリクロロシラン９．９８ｇ（７３．７ｍｍｏｌ）のヘキサン（２０ｍＬ）溶液に加え、室温で３時間撹拌した。この反応混合物を凍結脱気した後、アンモニアを充填した内容積５Ｌの風船を接続することにより反応容器内をアンモニア雰囲気として室温で２０時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度７８℃／３．７×１０２Ｐａ）することにより、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２を淡黄色の液体として得た（収量１４．０９ｇ，収率９０％）。このようにして得たＳｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２の１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例４及び５で得たもののスペクトルと一致した。
【０１０７】
実施例−７
【０１０８】
【化３８】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．２４ｇ（２２．５ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かし、メチルアミンのテトラヒドロフラン溶液（濃度１．９５ｍｏｌ／Ｌ）２５．０ｍＬ（４８．８ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８０℃／３．８×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＭｅ）を淡黄色の液体として得た（収量４．４１ｇ，収率８６％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８１（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．６０（ｓ，１Ｈ），２．３１（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），１．２８（ｓ，１８Ｈ），０．６５（ｂｒ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．０，５１．３，３１．２，２６．４。
【０１０９】
実施例−８
【０１１０】
【化３９】
アルゴン雰囲気下で、エチルアミン３．４０ｇ（７５．５ｍｍｏｌ）をヘキサン３０ｍＬに溶かし、−２０℃でＳｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．７８ｇ（２４．８ｍｍｏｌ）をヘキサン５ｍＬに溶かした溶液を加え、室温で２時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８６℃／４．１×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−エチルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＥｔ）を淡黄色の液体として得た（収量５．７７ｇ，収率９６％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８３（ｓ，２Ｈ），５．６５（ｓ，１Ｈ），２．６９（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．３０（ｓ，１８Ｈ），０．９２（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），０．８２（ｂｒ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．０，５１．３，３５．１，３１．３，１９．９。
【０１１１】
実施例−９
【０１１２】
【化４０】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ６．２２ｇ（２６．７ｍｍｏｌ）をヘキサン３０ｍＬに溶かし、シクロプロピルアミン３．１４ｇ（５６．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１００℃／３．７×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−シクロプロピルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｃＰｒ）を無色の液体として得た（収量６．０７ｇ，収率９０％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８０（ｓ，２Ｈ），５．３４（ｓ，１Ｈ），２．０８（ｍ，１Ｈ），１．２８（ｓ，１８Ｈ），０．９０（ｂｒ，１Ｈ），０．３９−０．２９（ｍ，４Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１３．８，５１．４，３１．２，２３．８，７．９。
【０１１３】
実施例−１０
【０１１４】
【化４１】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．７０ｇ（２４．５ｍｍｏｌ）をヘキサン４０ｍＬに溶かし、イソプロピルアミン２．９０ｇ（４９．１ｍｍｏｌ）を加え、室温で５時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度９０℃／３．７×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−イソプロピルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｉＰｒ）を淡黄色の液体として得た（収量５．６５ｇ，収率９０％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８０（ｓ，２Ｈ），５．６４（ｓ，１Ｈ），３．２０（ｄｏｕｂｌｅｓｅｐｔｅｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，７Ｈｚ，１Ｈ），１．３１（ｓ，１８Ｈ），０．９８（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．８７（ｂｒ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．９，５１．４，４２．３，３１．３，２７．５。
【０１１５】
実施例−１１
【０１１６】
【化４２】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．９０ｇ（２５．４ｍｍｏｌ）をヘキサン４０ｍＬに溶かし、プロピルアミン３．０３ｇ（５１．３ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度９２℃／３．５×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−プロピルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＰｒ）を淡黄色の液体として得た（収量５．９９ｇ，収率９２％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８３（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．６７（ｓ，１Ｈ），２．６５（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．３１（ｓ，１８Ｈ），１．３０（ｓｅｘｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），０．９４（ｂｒ，１Ｈ），０．７５（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．０，５１．４，４２．６，３１．３，２７．７，１１．９。
【０１１７】
実施例−１２
【０１１８】
【化４３】
参考例９に示した手順に従い、ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ３２．００ｇ，テトラヒドロフラン５０ｍＬ、ヘキサン１５０ｍＬ及びリチウム２．６７ｇを用いて調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を、アルゴン雰囲気下でトリクロロシラン２５．１６ｇ（１８５．７ｍｍｏｌ）のヘキサン（５０ｍＬ）溶液に加え、室温で３時間撹拌した。この反応混合物にプロピルアミン２２．４０ｇ（３７９．０ｍｍｏｌ）を加えて室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度７８℃／３．７×１０２Ｐａ）することにより、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＰｒを淡黄色の液体として得た（収量４１．４６ｇ，収率８７％）。このようにして得たＳｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＰｒの１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例１１で得たもののスペクトルと一致した。
【０１１９】
実施例−１３
【０１２０】
【化４４】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．２３ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）をヘキサン３０ｍＬに溶かし、ｓｅｃ−ブチルアミン３．３０ｇ（４５．１ｍｍｏｌ）を加え、室温で１４時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度９８℃／３．５×１０２Ｐａ）することにより、２−ｓｅｃ−ブチルアミノ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｓＢｕ）を淡黄色の液体として得た（収量５．５６ｇ，収率９２％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８３（ｓ，２Ｈ），５．６９（ｓ，１Ｈ），３．０２（ｓｅｐｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，１Ｈ），１．４５−１．３５（ｍ，２Ｈ），１．３２（ｓ，１８Ｈ），１．００（ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ，３Ｈ），０．９８（ｂｒ，１Ｈ），０．７７（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．０１，１１２．００，５１．４６，５１．４３，４７．７，３１．３，３１．２，２３．８，１０．６。
【０１２１】
実施例−１４
【０１２２】
【化４５】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ４．８７ｇ（２０．９ｍｍｏｌ）をヘキサン４０ｍＬに溶かし、ｔｅｒｔ−ブチルアミン３．１３ｇ（４２．８ｍｍｏｌ）を加え、室温で１４時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を昇華（加熱温度１５０℃／１．２×１０２Ｐａ）することにより、２−ｔｅｒｔ−ブチルアミノ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｔＢｕ）を白色固体として得た（収量５．０６ｇ，収率９０％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７９（ｓ，２Ｈ），５．５６（ｓ，１Ｈ），１．３３（ｓ，１８Ｈ），１．１４（ｓ，９Ｈ），１．０１（ｂｒ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．７，５１．６，４９．５，３３．４，３１．２。
【０１２３】
実施例−１５
【０１２４】
【化４６】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．７０ｇ（２４．５ｍｍｏｌ）をヘキサン１００ｍＬに溶かし、シクロヘキシルアミン４．８６ｇ（４９．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で４時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を昇華（加熱温度１６０℃／７．０×１０２Ｐａ）することにより、２−シクロヘキシルアミノ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＣｙ）を白色固体として得た（収量６．９５ｇ，収率９６％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８３（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．７１（ｓ，１Ｈ），２．８７（ｍ，１Ｈ），１．８６（ｍ，２Ｈ），１．５７（ｍ，２Ｈ），１．４４（ｍ，１Ｈ），１．３３（ｓ，１８Ｈ），１．２０−０．９５（ｍ，６Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．０，５１．５，４９．８，３８．４，３１．３，２６．４，２６．０。
【０１２５】
実施例−１６
【０１２６】
【化４７】
アルゴン雰囲気下で、ブチルリチウムのヘキサン溶液（濃度１．６５ｍｏｌ／Ｌ）１３．８ｍＬ（２２．８ｍｍｏｌ）にヘキサン１０ｍＬ及び１，１，３，３−テトラメチルブチルアミン２．９４ｇ（２２．８ｍｍｏｌ）を加え、室温で１４時間撹拌することにより調製したリチウム（１，１，３，３−テトラメチルブチルアミド）溶液に、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．１４ｇ（２２．１ｍｍｏｌ）をヘキサン１０ｍＬに溶かした溶液を加え、室温で２４時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を昇華（加熱温度１８０℃／６４Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）アミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨｔＯｃｔ）を白色固体として得た（収量５．８５ｇ，収率８１％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８０（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．６１（ｓ，１Ｈ），１．５１（ｓ，２Ｈ），１．３６（ｓ，１８Ｈ），１．２８（ｓ，６Ｈ），１．０４（ｂｒ，１Ｈ），１．００（ｓ，９Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．８，５９．３，５３．９，５１．７，３２．６，３２．２，３２．１，３１．２。
【０１２７】
実施例−１７
【０１２８】
【化４８】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．６３ｇ（２４．２ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かし、２，２，２−トリフルオロエチルアミン５．３８ｇ（５４．３ｍｍｏｌ）を加え、室温で１５時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８０℃／４．７×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−（２，２，２−トリフルオロエチル）アミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨＣＨ２ＣＦ３）を淡黄色液体として得た（収量４．７４ｇ，収率６６％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７３（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．４７（ｓ，１Ｈ），２．８９（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝９Ｈｚ，２Ｈ），１．１９（ｓ，１８Ｈ），１．０２（ｂｒ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１４．８（ｑ，Ｊ＝２６９Ｈｚ），１１２．２，４２．７（ｑ，Ｊ＝３３Ｈｚ），５１．４，３１．１。
【０１２９】
実施例−１８
【０１３０】
【化４９】
アルゴン雰囲気下で、エチルアミン３．３０ｇ（７３．２ｍｍｏｌ）をヘキサン３０ｍＬに溶かし、−２０℃でＳｉ（ｓＢｕＮＣＨＣＨＮｓＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ６．２１ｇ（２６．７ｍｍｏｌ）をヘキサン５ｍＬに溶かした溶液を加え、室温で２時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度９２−９６℃／４．０×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｓｅｃ−ブチル−２−エチルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｓＢｕＮＣＨＣＨＮｓＢｕ）（Ｈ）ＮＨＥｔ）を淡黄色の液体として得た（収量５．６１ｇ，収率８７％）。なお、これは立体配置が相異なる複数の異性体の混合物であった。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．６８（ｓ）／５．６６（ｓ）／５．６５（ｓ）（三つのシグナルの積分強度の合計が２Ｈ），５．５７（ｓ，１Ｈ），３．０６（ｓｅｐｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），２．７６−２．６９（ｍ，２Ｈ），１．６９−１．５９（ｍ，２Ｈ），１．５１−１．３３（ｍ，２Ｈ），１．２１（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ）／１．２０（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ）（二つのシグナルの積分強度の合計が６Ｈ），１．００−０．８８（ｍ，１０Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１４．３，１１３．９，１１３．２，１１２．９，５４．１，５４．０，５３．４，３５．２，３１．９，３０．９，２２．９，２２．８，２２．１，２２．０，２０．３，１１．９，１１．７４，１１．７３。
【０１３１】
実施例−１９
【０１３２】
【化５０】
アルゴン雰囲気下で、リチウムアミド３７９ｍｇ（純度９５％、１５．７ｍｍｏｌ）を１，２−ジメトキシエタン１０ｍＬに懸濁させ、Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）Ｃｌ３．９９ｇ（１５．３ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。反応混合物にヘキサンを１０ｍＬ加え、室温で１０分間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度９０℃／３．７×１０２Ｐａ）することにより、２−アミノ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨ２）を淡黄色の液体として得た（収量３．２３ｇ，収率８７％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７２（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．６９（ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ，１Ｈ），１．５６（ｄｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ，７Ｈｚ，２Ｈ），１．４８（ｄｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ，７Ｈｚ，２Ｈ），１．２６（ｓ，６Ｈ），１．２５（ｓ，６Ｈ），０．８７（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．８５（ｂｒ，２Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．７，５４．０，３５．６，２９．３，２８．７，９．１。
【０１３３】
実施例−２０
【０１３４】
【化５１】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）Ｃｌ６．１８ｇ（２３．７ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かした。この溶液を凍結脱気した後、アンモニアを充填した内容積５Ｌの風船を接続することにより反応容器内をアンモニア雰囲気として室温で６時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度９０℃／３．７×１０２Ｐａ）することにより、２−アミノ−ジ−１，３−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨ２）を淡黄色の液体として得た（収量５．３６ｇ，収率９４％）。このようにして得たＳｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨ２の１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例１９で得たもののスペクトルと一致した。
【０１３５】
実施例−２１
【０１３６】
【化５２】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）Ｃｌ５．２４ｇ（２０．１ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かし、メチルアミンのテトラヒドロフラン溶液（濃度１．９５ｍｏｌ／Ｌ）２４．０ｍＬ（４６．８ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１０４℃／３．８×１０２Ｐａ）することにより、２−メチルアミノ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨＭｅ）を淡黄色の液体として得た（収量４．７１ｇ，収率９２％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７３（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．６２（ｓ，１Ｈ），２．３４（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），１．５８（ｄｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ，７Ｈｚ，２Ｈ），１．４８（ｄｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ，７Ｈｚ，２Ｈ），１．２５（ｓ，６Ｈ），１．２４（ｓ，６Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．６４（ｂｒ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．８，５３．８，３５．６，２９．２，２８．４，２６．４，９．２。
【０１３７】
実施例−２２
【０１３８】
【化５３】
アルゴン雰囲気下で、エチルアミン６．８０ｇ（１５１ｍｍｏｌ）をヘキサン２５ｍＬに溶かし、−２０℃でＳｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）Ｃｌ６．９６ｇ（２６．７ｍｍｏｌ）をヘキサン５ｍＬに溶かした溶液を加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１１０℃／１．５×１０２Ｐａ）することにより、２−エチルアミノ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨＥｔ）を淡黄色の液体として得た（収量６．６３ｇ，収率９２％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７２（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．６４（ｓ，１Ｈ），２．７３（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．６０（ｄｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ，７Ｈｚ，２Ｈ），１．４８（ｄｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ，７Ｈｚ，２Ｈ），１．２７（ｓ，６Ｈ），１．２５（ｓ，６Ｈ），０．９４（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），０．８９（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．８３（ｂｒ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．８，５３．９，３５．７，３５．２，２９．３，２８．３，１９．９，９．２。
【０１３９】
実施例−２３
【０１４０】
【化５４】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）Ｃｌ６．４９ｇ（２４．９ｍｍｏｌ）をヘキサン２５ｍＬに溶かし、イソプロピルアミン２．９６ｇ（５０．１ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を昇華（加熱温度１６０℃／７０Ｐａ）することにより、２−イソプロピルアミノ−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＨｉＰｒ）を白色の固体として得た（収量６．７７ｇ，収率９６％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７３（ｓ，２Ｈ），５．６６（ｓ，１Ｈ），３．２２（ｍ，１Ｈ），１．６４（ｄｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ，７Ｈｚ，２Ｈ），１．４６（ｄｑ，Ｊ＝１４Ｈｚ，７Ｈｚ，２Ｈ），１．３０（ｓ，６Ｈ），１．２７（ｓ，６Ｈ），１．００（ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．９０（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ），０．８６（ｂｒ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．８，４２．３，３５．７，２９．４，２８．０，２７．５，９．１。
【０１４１】
実施例−２４
【０１４２】
【化５５】
アルゴン雰囲気下で、リチウムアミド４３９ｍｇ（純度９５％，１８．２ｍｍｏｌ）を１，２−ジメトキシエタン２０ｍＬに懸濁させ、Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）Ｃｌ６．０７ｇ（１７．６ｍｍｏｌ）を加え、室温で４時間撹拌した。反応混合物にヘキサンを２０ｍＬ加え、室温で１０分間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１１６℃／１．３×１０２Ｐａ）することにより、２−アミノ−１，３−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨ２）を淡黄色の液体として得た（収量４．９９ｇ，収率８７％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７３（ｄ，Ｊ＝１Ｈｚ，２Ｈ），５．７０（ｓ，１Ｈ），１．６３（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，２Ｈ），１．４６（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，２Ｈ），１．４１（ｓ，６Ｈ），１．３５（ｓ，６Ｈ），１．０５（ｓ，１８Ｈ），０．８８（ｂｒ，２Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．９，５５．２，５４．２，３２．８，３２．１，３２．０，３１．２。
【０１４３】
実施例−２５
【０１４４】
【化５６】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）Ｃｌ５．４２ｇ（１５．７ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かした。この溶液を凍結脱気した後、アンモニアを充填した内容積５Ｌの風船を接続することにより反応容器内をアンモニア雰囲気として室温で４１時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１１５℃／１．２×１０２Ｐａ）することにより、２−アミノ−１，３−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨ２）を淡黄色の液体として得た（収量４．５２ｇ，収率８８％）。このようにして得たＳｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨ２の１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例２４で得たもののスペクトルと一致した。
【０１４５】
実施例−２６
【０１４６】
【化５７】
アルゴン雰囲気下で、エチルアミン６．８０ｇ（１５１ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かし、−２０℃でＳｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）Ｃｌ５．２６ｇ（１５．２ｍｍｏｌ）をヘキサン１０ｍＬに溶かした溶液を加え、室温で１２時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１２８℃／１．４×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−２−エチルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨＥｔ）を淡黄色の液体として得た（収量５．２２ｇ，収率９７％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７４（ｓ，２Ｈ），５．６４（ｓ，１Ｈ），２．７３（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．７２（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，２Ｈ），１．４５（ｓ，６Ｈ），１．４３（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，２Ｈ），１．３３（ｓ，６Ｈ），１．０６（ｓ，１８Ｈ），０．９５（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ），０．８３（ｂｒ，１Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１１．９，５５．２，５４．３，３５．５，３３．０，３２．１，３２．０，３０．５，１９．９。
【０１４７】
実施例−２７
【０１４８】
【化５８】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）Ｃｌ４．８７ｇ（１６．９ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かした。この溶液を凍結脱気した後、アンモニアを充填した内容積５Ｌの風船を接続することにより反応容器内をアンモニア雰囲気として室温で１９時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１１４℃／３．３×１０２Ｐａ）することにより、２−アミノ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−１−１，１，３，３−テトラメチルブチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨ２）を淡黄色の液体として得た（収量４．０２ｇ，収率８８％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７９（ｄｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，１Ｈｚ，１Ｈ），５．７４（ｄｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，１Ｈｚ，１Ｈ），５．６９（ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ，１Ｈ），１．６５（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，１Ｈ），１．４６（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，１Ｈ），１．４１（ｓ，３Ｈ），１．３５（ｓ，３Ｈ），１．２８（ｓ，９Ｈ），１．０５（ｓ，９Ｈ），０．８５（ｂｒ，２Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．４，１１１．４，５５．２，５４．４，５１．４，３２．８，３２．１，３２．０，３１．４，３１．１。
【０１４９】
実施例−２８
【０１５０】
【化５９】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）Ｃｌ４．８２ｇ（１６．９ｍｍｏｌ）をヘキサン４０ｍＬに溶かし、プロピルアミン２．０２ｇ（３４．２ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１０６℃／９７Ｐａ）することにより、１−１，１，３，３−テトラメチルブチル−３−ｔｅｒｔ−ブチル−２−プロピルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＨＰｒ）を淡黄色の液体として得た（収量４．５３ｇ，収率８７％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８０（ｄｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，１Ｈｚ，２Ｈ），５．７５（ｄｄ，Ｊ＝４Ｈｚ，１Ｈｚ，２Ｈ），５．６７（ｓ，１Ｈ），２．６６（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．７３（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，１Ｈ），１．４６（ｓ，３Ｈ），１．４３（ｄ，Ｊ＝１５Ｈｚ，１Ｈ），１．３３（ｓ，３Ｈ），１．３２（ｓｅｘｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，２Ｈ），１．３０（ｓ，９Ｈ），１．０６（ｓ，９Ｈ），０．９６（ｂｒ，１Ｈ），０．７７（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．４，１１１．５，５５．１，５４．５，５１．３，４２．８，３３．１，３２．１，３２．０，３１．３，３０．４，２７．７，１１．９。
【０１５１】
実施例−２９
【０１５２】
【化６０】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ７．６９ｇ（３３．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍＬに溶かし、シアン酸ナトリウム２．５８ｇ（純度９０％、３５．７ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下で８時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８５℃／３．３×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−イソシアナト−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＯ）を無色の液体として得た（収量７．０９ｇ，収率９０％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．６８（ｓ，２Ｈ），５．６３（ｓ，１Ｈ），１．１２（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１２５．０，１１２．７，５１．４，３０．９。
【０１５３】
実施例−３０
【０１５４】
【化６１】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ８．３３ｇ（３５．８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍＬに溶かし、シアン酸カリウム３．１９ｇ（純度９６％、３７．８ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下で１５時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８５℃／３．３×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−イソシアナト−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＯ）を無色の液体として得た（収量７．０７ｇ，収率８３％）。このようにして得たＳｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＯの１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例２９で得たもののスペクトルと一致した。
【０１５５】
実施例−３１
【０１５６】
【化６２】
参考例９に示した手順に従い、ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ３２．１６ｇ，テトラヒドロフラン２５０ｍＬ及びリチウム２．６７ｇを用いて調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を、アルゴン雰囲気下でトリクロロシラン２５．１２ｇ（１８５．５ｍｍｏｌ）のヘキサン（３０ｍＬ）溶液に加え、室温で３時間撹拌した。この反応混合物にシアン酸ナトリウム１４．４７ｇ（純度９６％、２１３．７ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下で４時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８５℃／３．３×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−イソシアナト−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＯ）を無色の液体として得た（収量３５．４４ｇ，収率８０％）。このようにして得たＳｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＯの１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例２９及び３０で得たもののスペクトルと一致した。
【０１５７】
実施例−３２
【０１５８】
【化６３】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ６．１０ｇ（２６．２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍＬに溶かし、チオシアン酸ナトリウム２．１５ｇ（純度９９％、２６．３ｍｍｏｌ）を加え、室温で１４時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１０８℃／３．３×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−チオイソシアナト−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＳ）を淡黄色の液体として得た（収量６．０５ｇ，収率９０％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．６３（ｄ，Ｊ＝２Ｈｚ，２Ｈ），５．５２（ｓ，１Ｈ），１．１０（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１４４．１，１１２．８，５１．５，３０．８。
【０１５９】
実施例−３３
【０１６０】
【化６４】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）Ｃｌ１１．３ｇ（４３．３ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン８０ｍＬに溶かし、シアン酸ナトリウム２．８１ｇ（純度９６％、４１．６ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下で１８．５時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を減圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（８６℃／９．６×１０２Ｐａ）することにより、２−イソシアナト−１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＰｅＮＣＨＣＨＮｔＰｅ）（Ｈ）ＮＣＯ）を無色の液体として得た（収量９．３７ｇ，収率８４％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．６８（ｓ，１Ｈ），５．６２（ｓ，１Ｈ），５．６１（ｓ，１Ｈ），１．３６（ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ），１．３５（ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ，２Ｈ），１．１０（ｓ，６Ｈ），１．０９（ｓ，６Ｈ），０．７６（ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，６Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１２５．３，１１２．１，５３．８，３４．９，２８．３，２８．２，８．５９。
【０１６１】
実施例−３４
【０１６２】
【化６５】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）Ｃｌ７．５７ｇ（２２．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍＬに溶かし、シアン酸ナトリウム２．１４ｇ（純度９６％、３１．６ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下で１８時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１１７℃／７３Ｐａ）することにより、２−イソシアナト−１，３−ビス（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＯｃｔＮＣＨＣＨＮｔＯｃｔ）（Ｈ）ＮＣＯ）を無色の液体として得た（収量６．９１ｇ，収率８９％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．７０（ｓ，１Ｈ），５．６３（ｓ，２Ｈ），１．５１（ｄ，Ｊ＝１４Ｈｚ，２Ｈ），１．３０（ｄ，Ｊ＝１４Ｈｚ，２Ｈ），１．２８（ｓ，６Ｈ），１．１９（ｓ，６Ｈ），０．９５（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１２５．１，１１２．６，５５．２，５３．７，３２．６，３１．９，３１．８，３０．５。
【０１６３】
実施例−３５
【０１６４】
【化６６】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ３．９８ｇ（１７．１ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かした。この溶液を凍結脱気した後、ジメチルアミンを充填した内容積５Ｌの風船を接続することにより反応容器内をジメチルアミン雰囲気として室温で２０時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８４℃／４．７×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ジメチルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＭｅ２）を無色液体として得た（収量３．７６ｇ，収率９１％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８３（ｓ，２Ｈ），５．６３（ｓ，１Ｈ），２．３８（ｓ，６Ｈ），１．２２（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．０，５１．１，３５．６，３１．０。
【０１６５】
実施例−３６
【０１６６】
【化６７】
参考例９に示した手順に従い、ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ３２．００ｇ，テトラヒドロフラン５０ｍＬ、ヘキサン１５０ｍＬ及びリチウム２．６７ｇを用いて調製したジリチウム（Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−ビニレンジアミニド）溶液を、アルゴン雰囲気下でトリクロロシラン２５．２０ｇ（１８６．０ｍｍｏｌ）のヘキサン（１２０ｍＬ）溶液に加え、室温で４時間撹拌した。この反応混合物にジエチルアミン３０．００ｇ（４１０．２ｍｍｏｌ）を加えて室温で５時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１０２℃／４．０×１０２Ｐａ）することにより、１，３―ジ―ｔｅｒｔ−ブチル−２−ジエチルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＥｔ２）を淡黄色の液体として得た（収量３０．２９ｇ，収率６０％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８２（ｓ，２Ｈ），５．６９（ｓ，１Ｈ），２．８５（ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ，４Ｈ），１．２６（ｓ，１８Ｈ），１．００（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，６Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．１，５１．３，３８．６，３１．２，１５．１。
【０１６７】
実施例−３７
【０１６８】
【化６８】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ５．５０ｇ（２３．６ｍｍｏｌ）をヘキサン１０ｍＬに溶かし、リチウムブチル（メチル）アミド溶液（１．６７ｍｏｌ／Ｌのブチルリチウムヘキサン溶液１４．２ｍＬ、テトラヒドロフラン１５ｍＬ及びＮ−ブチル−Ｎ−メチルアミン２．０７ｇを混合して室温で１時間撹拌することにより調製したもの）を加えて室温で２０時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１０９℃／３．３×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ブチルメチルアミノ−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＢｕＭｅ）を無色液体として得た（収量５．６７ｇ，収率８５％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）５．８５（ｓ，２Ｈ），５．６８（ｓ，１Ｈ），２．７５（ｍ，２Ｈ），２．４０（ｓ，３Ｈ），１．４６（ｍ，２Ｈ），１．２６（ｓ，１８Ｈ），１．２１（ｍ，２Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，３Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１１２．１，５１．２，４８．７，３２．７，３１．６，３１．１，２１．１，１４．６。
【０１６９】
実施例−３８
【０１７０】
【化６９】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ３．３６ｇ（１４．４ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２０ｍＬに溶かし、チオシアン酸カリウム１．４７ｇ（純度９８％、１４．８ｍｍｏｌ）を加え、室温で１８時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度１０８℃／３．３×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−チオイソシアナト−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＳ）を淡黄色の液体として得た（収量３．２８ｇ，収率８９％）。このようにして得たＳｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＣＳの１Ｈ及び１３Ｃ ＮＭＲスペクトルを測定したところ、これらのスペクトルは実施例３２で得たもののスペクトルと一致した。
【０１７１】
薄膜作製例（実施例−３９から４７及び比較例−１から３）
本発明のヒドロシラン誘導体又はＳｉＨ（ＮＭｅ２）３（ＴＤＭＡＳ）をそれぞれ材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は表１に示すとおりである。なお、ｓｃｃｍとは気体の流量を表す単位であり、１ｓｃｃｍは理想気体に換算すると２．６８ｍｍｏｌ／ｈの速度で気体が移動していることを表す。反応チャンバーへの材料供給速度は、（キャリアガス流量×材料の蒸気圧÷材料容器内全圧）の計算式に基づいて求めることができ、実施例−３９から４７及び比較例−１から３の全ての成膜例を通じて材料供給速度がなるべく統一されるように材料容器温度やキャリアガス（アルゴン）の流量などを調節した。また材料とキャリアガスのほかに酸素ガスを６０ｓｃｃｍの流量で反応チャンバーに導入した。さらに実施例−３９から４７及び比較例−１から３の全ての成膜例を通じて反応チャンバー内の酸素濃度及び総ガス流量（線速）を統一するために希釈ガス（アルゴン）の導入量を調節した。すなわち実施例−３９から４７では２２０ｓｃｃｍの流量で、比較例１から３では２３０ｓｃｃｍの流量で希釈ガスを導入することにより、反応チャンバー内の圧力を１．３ｋＰａに調節した。用いた基板の材質はサファイアであり、成膜時間は１時間である。実施例−３９から４７及び比較例−１から３のいずれの場合においても、作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から算出した膜厚を表１に示した。表１から明らかなように、ＴＤＭＡＳと酸素ガスを用いてＣＶＤ法による二酸化ケイ素薄膜作製を試みた比較例−１から３では、基板温度５００℃以下においては膜の堆積がほとんど進行しないことを確認した。また、実施例３９、４１、４４及び４６について膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ、二酸化ケイ素膜であることを確認した。
【０１７２】
実施例−４８
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は以下の通りである。材料容器温度：４０℃、材料の蒸気圧：３１Ｐａ、キャリアガス（アルゴン）流量：２０ｓｃｃｍ、材料容器内全圧：１３．３ｋＰａ、反応チャンバーへの材料供給速度：０．１３ｍｍｏｌ／ｈ、希釈ガス（アルゴン）流量：２８０ｓｃｃｍ、反応チャンバー内全圧：１．３ｋＰａ、基板温度：５００℃。酸素ガスの供給は行わなかった。用いた基板の材質はサファイアであり、成膜時間は１時間である。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、２０ｎｍであった。また、膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ、ケイ素と窒素を含有する膜であることを確認した。
【０１７３】
実施例−４９
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−４８と同様とし、但し基板温度は４７５℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、１０ｎｍであった。
【０１７４】
実施例−５０
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は以下の通りである。材料容器温度：４０℃、材料の蒸気圧：３１Ｐａ、キャリアガス（アルゴン）流量：４０ｓｃｃｍ、材料容器内全圧：１３．３ｋＰａ、反応チャンバーへの材料供給速度：０．２６ｍｍｏｌ／ｈ、希釈ガス（アルゴン）流量：６０ｓｃｃｍ、反応チャンバー内全圧：１．３ｋＰａ、基板温度：５００℃。酸素ガスの供給は行わなかった。用いた基板の材質はサファイアであり、成膜時間は１時間である。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、１３１ｎｍであった。また、膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ、ケイ素と窒素を含有する膜であることを確認した。
【０１７５】
実施例−５１
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−５０と同様とし、但し基板温度は４７５℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、５０ｎｍであった。
【０１７６】
実施例−５２
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＮＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−５０と同様とし、但し基板温度は４５０℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、１９ｎｍであった。
【０１７７】
比較例−４
ＳｉＨ（ＮＭｅ２）３（ＴＤＭＡＳ）を材料に用いて、熱ＣＶＤ法によるケイ素含有薄膜の作製を試みた。本試験のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は以下の通りである。材料容器温度：１℃、材料の蒸気圧：１２５Ｐａ、キャリアガス（アルゴン）流量：１０ｓｃｃｍ、材料容器内全圧：２６．７ｋＰａ、反応チャンバーへの材料供給速度：０．１３ｍｍｏｌ／ｈ、希釈ガス（アルゴン）流量：２９０ｓｃｃｍ、反応チャンバー内全圧：１．３ｋＰａ、基板温度：５００℃。酸素ガスの供給は行わなかった。用いた基板の材質はサファイアであり、成膜時間は１時間である。基板表面へのケイ素含有薄膜の形成を確認するため、基板表面を蛍光Ｘ線分析で調べた。その結果、ケイ素に基づく特性Ｘ線はほとんど検出されず、ケイ素含有薄膜の形成は確認されなかった。
【０１７８】
実施例−５３
【０１７９】
【化７０】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ６．５４ｇ（２８．１ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かし、ビニルマグネシウムクロリドテトラヒドロフラン溶液（１．６１ｍｏｌ／Ｌ，３４．５ｍＬ，５５．５ｍｍｏｌ）を加えて室温で２２時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８５℃／６．１×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ビニル−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨＣＨ２）を黄色液体として得た（収量３．０１ｇ，収率４８％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．２５（ｄｄｄ，Ｊ＝２０Ｈｚ，１４Ｈｚ，５Ｈｚ，１Ｈ），６．０９（ｄ，Ｊ＝５Ｈｚ，１Ｈ），５．９２（ｄｄ，Ｊ＝２０Ｈｚ，３Ｈｚ，１Ｈ），５．８９（ｄｄ，Ｊ＝１４Ｈｚ，３Ｈｚ，１Ｈ），５．７７（ｓ，２Ｈ），１．１９（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１４０．３，１３３．９，１１３．６，５１．５，３１．１。
【０１８０】
実施例−５４
【０１８１】
【化７１】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ８．３９ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）をヘキサン１７ｍＬに溶かし、（プロパ−２−エン−１−イル）マグネシウムブロミドジエチルエーテル溶液（０．９９ｍｏｌ／Ｌ，３８．０ｍＬ，３７．６ｍｍｏｌ）を加えて室温で１８時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８８℃／４．４×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−（プロパ−２−エン−１−イル）−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２）を黄色液体として得た（収量７．３３ｇ，収率８５％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．０５（ｓ，１Ｈ），５．９３−５，８５（ｍ，１Ｈ），５．７２（ｓ，２Ｈ），５．１０−４．９０（ｍ，２Ｈ），１．７７（ｄｔ，Ｊ＝８Ｈｚ，１Ｈｚ，２Ｈ），１．１７（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１３３．６，１１５．０，１１３．９，５１．１，３１．２，３１．１。
【０１８２】
実施例−５５
【０１８３】
【化７２】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ８．４４ｇ（３６．２ｍｍｏｌ）をヘキサン１７ｍＬに溶かし、（２−メチルプロパ−１−エン−１−イル）マグネシウムブロミドテトラヒドロフラン溶液（０．５６ｍｏｌ／Ｌ，６８．０ｍＬ，３８．１ｍｍｏｌ）を加えて室温で１８時間撹拌した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度９０℃／３．５×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−（２−メチルプロパ−１−エン−１−イル）−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨＣ（ＣＨ３）２）を黄色液体として得た（収量６．３０ｇ，収率６９％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．１９（ｓ，１Ｈ），５．７７（ｓ，２Ｈ），５．４０（ｓ，１Ｈ），１．７８（ｓ，３Ｈ），１．７０（ｓ，３Ｈ），１．２２（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１５６．７，１２６．７，１１２．８，５１．２，３１．０，２９．５，２３．８。
【０１８４】
実施例−５６
【０１８５】
【化７３】
アルゴン雰囲気下で、Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃｌ８．７１ｇ（３７．４ｍｍｏｌ）をヘキサン２０ｍＬに溶かし、（プロパ−１−エン−２−イル）マグネシウムブロミドテトラヒドロフラン溶液（０．５７ｍｏｌ／Ｌ，６９．０ｍＬ，３９．３ｍｍｏｌ）を加えて１４時間還流した。生成した不溶物をろ別し、ろ液から溶媒を大気圧下で留去した。得られた残渣を減圧蒸留（留出温度８０℃／４．３×１０２Ｐａ）することにより、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−（プロパ−１−エン−２−イル）−１，３−ジアザ−２−シラシクロペント−４−エン（Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２）を黄色液体として得た（収量４．１８ｇ，収率４７％）。
１Ｈ ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）６．１２（ｓ，１Ｈ），５．７９（ｓ，２Ｈ），５．６９（ｓ，１Ｈ），５．６２（ｓ，１Ｈ），１．９３（ｓ，３Ｈ），１．１１（ｓ，１８Ｈ）．
１３Ｃ ＮＭＲ（１２５ＭＨｚ，Ｃ６Ｄ６，δ／ｐｐｍ）１４９．３，１２７．８，１１３．８，５１．４，３１．０，２０．６。
【０１８６】
実施例−５７
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は以下の通りである。材料容器温度：４３℃、材料の蒸気圧：３１Ｐａ、キャリアガス（アルゴン）流量：２０ｓｃｃｍ、材料容器内全圧：１３．３ｋＰａ、反応チャンバーへの材料供給速度：０．１３ｍｍｏｌ／ｈ、酸素ガス流量：６０ｓｃｃｍ、希釈ガス（アルゴン）流量：２２０ｓｃｃｍ、反応チャンバー内全圧：１．３ｋＰａ、基板温度：５００℃。用いた基板の材質はサファイアであり、成膜時間は１時間である。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、１２３ｎｍであった。また、膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ、二酸化ケイ素膜であることを確認した。
【０１８７】
実施例−５８
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−５７と同様とし、但し基板温度は４７５℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、９１ｎｍであった。
【０１８８】
実施例−５９
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−５７と同様とし、但し基板温度は４５０℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、４７ｎｍであった。
【０１８９】
実施例−６０
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は以下の通りである。材料容器温度：４３℃、材料の蒸気圧：３１Ｐａ、キャリアガス（アルゴン）流量：２０ｓｃｃｍ、材料容器内全圧：１３．３ｋＰａ、反応チャンバーへの材料供給速度：０．１３ｍｍｏｌ／ｈ、希釈ガス（アルゴン）流量：２８０ｓｃｃｍ、反応チャンバー内全圧：１．３ｋＰａ、基板温度：５００℃。酸素ガスの供給は行わなかった。用いた基板の材質はサファイアであり、成膜時間は１時間である。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、７４ｎｍであった。また、膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ、ケイ素と窒素を含有する膜であることを確認した。
【０１９０】
実施例−６１
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−６０と同様とし、但し基板温度は４７５℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、４４ｎｍであった。
【０１９１】
実施例−６２
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−６０と同様とし、但し基板温度は４５０℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、１４ｎｍであった。
【０１９２】
実施例−６３
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は以下の通りである。材料容器温度：４３℃、材料の蒸気圧：３１Ｐａ、キャリアガス（アルゴン）流量：４０ｓｃｃｍ、材料容器内全圧：１３．３ｋＰａ、反応チャンバーへの材料供給速度：０．２６ｍｍｏｌ／ｈ、希釈ガス（アルゴン）流量：６０ｓｃｃｍ、反応チャンバー内全圧：１．３ｋＰａ、基板温度：５００℃。酸素ガスの供給は行わなかった。用いた基板の材質はサファイアであり、成膜時間は１時間である。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、２７７ｎｍであった。また、膜組成をＸ線光電子分光法で確認したところ、ケイ素と窒素を含有する膜であることを確認した。
【０１９３】
実施例−６４
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−６３と同様とし、但し基板温度は４７５℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、１７７ｎｍであった。
【０１９４】
実施例−６５
Ｓｉ（ｔＢｕＮＣＨＣＨＮｔＢｕ）（Ｈ）ＣＨ２ＣＨＣＨ２を材料に用いて、ケイ素含有薄膜を熱ＣＶＤ法によって作製した。薄膜作製のために使用した装置の概略を図１に示した。成膜条件は実施例−６３と同様とし、但し基板温度は４５０℃とした。作製した膜を蛍光Ｘ線分析で確認したところ、ケイ素に基づく特性Ｘ線が検出された。検出されたＸ線の強度から膜厚を算出したところ、７７ｎｍであった。
【０１９５】
【表１】
試験例
本発明のヒドロシラン誘導体の熱重量分析（ＴＧ）及び示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を行った。ＴＧでは、４００ｍｌ／ｍｉｎの一定量でアルゴンを流通させている測定装置内にサンプルを置き、サンプル及びアルゴンの温度を１０℃／ｍｉｎの一定速度で上げたときの気化による重量減少を観察し、サンプルが５０％減量したときの温度を記録した。ＤＳＣでは、アルゴン雰囲気下でサンプルをステンレス製測定用容器に密閉し、容器の温度を１０℃／ｍｉｎの一定速度で上げたときのサンプルの熱分解に基づく発熱を観察し、発熱が起き始めた温度を記録した。これら記録の一覧を表２に示した。また図２から図３２には、各サンプルのＴＧ及びＤＳＣチャートを示した。これらのチャートの横軸は摂氏温度であり、縦軸左側はＴＧの重量減少の百分率であり、縦軸右側はＤＳＣの発熱量である。
【０１９６】
【表２】
【符号の説明】
【０１９７】
１ 材料容器
２ 恒温槽
３ 反応チャンバー
４ 基板
５ 酸素ガス
６ 希釈ガス
７ キャリアガス
８ マスフローコントローラー
９ マスフローコントローラー
１０ マスフローコントローラー
１１ 油回転式ポンプ
１２ 排気
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｚａはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、Ｎ（ＣＨ３）Ｒ４で表わされるＮ−メチル−アルキルアミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４は炭素数１から４のアルキル基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体。
【請求項２】
Ｒ１及びＲ２が各々独立に炭素数３から８のアルキル基であり、Ｚａがイソシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基又は炭素数２から４のアルケニル基であり、Ｒ３がフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から８のアルキル基である請求項１に記載のヒドロシラン誘導体。
【請求項３】
Ｒ１及びＲ２が各々独立にｔｅｒｔ−ブチル基又はｔｅｒｔ−ペンチル基であり、Ｚａがアミノ基又はＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基であり、Ｒ３が炭素数１から４のアルキル基である請求項１又は２に記載のヒドロシラン誘導体。
【請求項４】
一般式（３）
【化２】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。）で示されるクロロシラン誘導体と一般式（４）
【化３】
（式中、Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。Ｚがイソシアナト基又はイソチオシアナト基の場合、Ｍ２はナトリウム原子又はカリウム原子を表す。Ｚがアミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基又はＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基の場合、Ｍ２は水素原子又はリチウム原子を表す。Ｚが炭素数２から６のアルケニル基の場合、Ｍ２はハロゲン化マグネシウム基を表す。）で示される化合物を反応させることを特徴とする、一般式（１’）
【化４】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体の製造方法。
【請求項５】
Ｚがイソシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基又は炭素数２から４のアルケニル基であり、Ｒ１及びＲ２が各々独立に炭素数３から８のアルキル基であり、Ｒ３がフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から８のアルキル基である請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
Ｚがアミノ基又はＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基であり、Ｍ２が水素原子であり、Ｒ１及びＲ２が各々独立にｔｅｒｔ−ブチル基又はｔｅｒｔ−ペンチル基であり、Ｒ３が炭素数１から４のアルキル基である請求項４又は５に記載の製造方法。
【請求項７】
一般式（２）
【化５】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｍ１はリチウム原子又はナトリウム原子を表す。）で示されるビニレンジアミニドアルカリ金属塩とトリクロロシランを反応させることにより、一般式（３）
【化６】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。）で示されるクロロシラン誘導体を製造し、さらにそのクロロシラン誘導体（３）と一般式（４）
【化７】
（式中、Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。Ｚがイソシアナト基又はイソチオシアナト基の場合、Ｍ２はナトリウム原子又はカリウム原子を表す。Ｚがアミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基又はＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基の場合、Ｍ２は水素原子又はリチウム原子を表す。Ｚが炭素数２から６のアルケニル基の場合、Ｍ２はハロゲン化マグネシウム基を表す。）で示される化合物を反応させることを特徴とする、一般式（１’）
【化８】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体の製造方法。
【請求項８】
一般式（１’）
【化９】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体を材料として用いることを特徴とする、ケイ素含有薄膜の製造法。
【請求項９】
Ｚがアミノ基又はＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基であり、Ｒ３が炭素数１から４のアルキル基である請求項８に記載の製造法。
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｚａはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、Ｎ（ＣＨ３）Ｒ４で表わされるＮ−メチル−アルキルアミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４は炭素数１から４のアルキル基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体。
【請求項２】
Ｒ１及びＲ２が各々独立に炭素数３から８のアルキル基であり、Ｚａがイソシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基又は炭素数２から４のアルケニル基であり、Ｒ３がフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から８のアルキル基である請求項１に記載のヒドロシラン誘導体。
【請求項３】
Ｒ１及びＲ２が各々独立にｔｅｒｔ−ブチル基又はｔｅｒｔ−ペンチル基であり、Ｚａがアミノ基又はＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基であり、Ｒ３が炭素数１から４のアルキル基である請求項１又は２に記載のヒドロシラン誘導体。
【請求項４】
一般式（３）
【化２】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。）で示されるクロロシラン誘導体と一般式（４）
【化３】
（式中、Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。Ｚがイソシアナト基又はイソチオシアナト基の場合、Ｍ２はナトリウム原子又はカリウム原子を表す。Ｚがアミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基又はＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基の場合、Ｍ２は水素原子又はリチウム原子を表す。Ｚが炭素数２から６のアルケニル基の場合、Ｍ２はハロゲン化マグネシウム基を表す。）で示される化合物を反応させることを特徴とする、一般式（１’）
【化４】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体の製造方法。
【請求項５】
Ｚがイソシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基又は炭素数２から４のアルケニル基であり、Ｒ１及びＲ２が各々独立に炭素数３から８のアルキル基であり、Ｒ３がフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から８のアルキル基である請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
Ｚがアミノ基又はＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基であり、Ｍ２が水素原子であり、Ｒ１及びＲ２が各々独立にｔｅｒｔ−ブチル基又はｔｅｒｔ−ペンチル基であり、Ｒ３が炭素数１から４のアルキル基である請求項４又は５に記載の製造方法。
【請求項７】
一般式（２）
【化５】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｍ１はリチウム原子又はナトリウム原子を表す。）で示されるビニレンジアミニドアルカリ金属塩とトリクロロシランを反応させることにより、一般式（３）
【化６】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。）で示されるクロロシラン誘導体を製造し、さらにそのクロロシラン誘導体（３）と一般式（４）
【化７】
（式中、Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。Ｚがイソシアナト基又はイソチオシアナト基の場合、Ｍ２はナトリウム原子又はカリウム原子を表す。Ｚがアミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基又はＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基の場合、Ｍ２は水素原子又はリチウム原子を表す。Ｚが炭素数２から６のアルケニル基の場合、Ｍ２はハロゲン化マグネシウム基を表す。）で示される化合物を反応させることを特徴とする、一般式（１’）
【化８】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体の製造方法。
【請求項８】
一般式（１’）
【化９】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に炭素数３から１２のアルキル基を表す。Ｚはイソシアナト基、イソチオシアナト基、アミノ基、ＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基、ＮＲ４Ｒ５で表わされる二置換アミノ基又は炭素数２から６のアルケニル基を表す。Ｒ３はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１２のアルキル基を表す。Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素数１から４のアルキル基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体を材料として用いることを特徴とする、ケイ素含有薄膜の製造法。
【請求項９】
Ｚがアミノ基又はＮＨＲ３で表わされる一置換アミノ基であり、Ｒ３が炭素数１から４のアルキル基である請求項８に記載の製造法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【公開番号】特開２０１２−１２６７０４（Ｐ２０１２−１２６７０４Ａ）
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１１２３７３（Ｐ２０１１−１１２３７３）
【出願日】平成２３年５月１９日（２０１１．５．１９）
【出願人】（０００００３３００）東ソー株式会社 (1,901)
【出願人】（０００１７３７６２）公益財団法人相模中央化学研究所 (151)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月１９日（２０１１．５．１９）
【出願人】（０００００３３００）東ソー株式会社 (1,901)
【出願人】（０００１７３７６２）公益財団法人相模中央化学研究所 (151)
【Ｆターム（参考）】
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