【課題】 本発明の課題は、ジルコニウムハロゲン化物を出発原料として、高収率及び高選択率にてジルコニウムアミド化合物を製造する、工業的に好適なジルコニウムアミド化合物の製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明の課題は、ジルコニウムハロゲン化物とジアルキルアミンと混合した後、次いで、置換基を有していても良いシクロペンタジエン及びアルキルアルカリ金属を反応させることを特徴とする、ジルコニウムアミド化合物の製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】電子材料用途等に好適なハロゲン不純物の低減化された高純度のアミノシランを提供することを目的とする。
【解決手段】Ｓｉ−Ｎ結合を有し、かつＳｉ−ハロゲン結合を持たないアミノシランであり、不純物として１ｐｐｍ（ｗ／ｗ）以上のハロゲンを含有するアミノシランを、アルキル金属試薬で処理する工程と、処理されたアミノシランを蒸留する工程を少なくとも含む精製されたアミノシランの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】５００℃以下の低温でプラズマ等を用いなくても、ケイ素含有薄膜を効率良く作製できる材料を提供する。
【解決手段】クロロシラン誘導体（３）と化合物Ｍ^２Ｚ（４）を反応させ、一般式（１’）


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立にアルキル基を表す。Ｚがイソシアナト基又はイソチオシアナト基の場合、Ｍ^２はナトリウム原子等を表す。Ｚがアミノ基、の場合、Ｍ^２は水素原子等を表す。Ｚがアルケニル基の場合、Ｍ^２はハロゲン化マグネシウム基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体（１’）を製造し、これを材料としてケイ素含有薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】１，３，５−トリエチル−２，４，６−トリヒドリド−２，４，６−トリエチルアミノ−１，３，５−トリアザ−２，４，６−トリシラシクロヘキサンの合成方法を提供する。
【解決手段】１，３，５−トリエチル−２，４，６−トリヒドリド−２，４，６−トリエチルアミノ−１，３，５−トリアザ−２，４，６−トリシラシクロヘキサンの製造方法において、トリクロロシランとエチルアミンとを溶剤中で反応させる。 （もっと読む）

【課題】基質との結合力が高く、しかも３５０℃以上の雰囲気に４時間以上曝露しても、これら化合物による改質表面の接触角の低下が見られないというほどの優れた耐熱性、離型性、及び防汚性を有するシランカップリング剤を提供する。
【解決手段】本発明のシランカップリング剤は下記一般式（１）で表される。


（式（１）中、ＲｆはＦ（ＣＦ_２）_ｍのペルフルオロアルキル基を示し、ｍは４〜１４の整数を示し、ｎは３〜４の整数を示し、Ｘはハロゲン原子又はイソシアナト基を示す。） （もっと読む）

【課題】 より安価かつ容易に高純度なトリシリルアミンを得ることができるトリシリルアミンの製造方法を提供することを目的とする
【解決手段】 ペルヒドロポリシラザンを、無酸素または低酸素雰囲気下で加熱分解するトリシリルアミンの製造方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、概して、金属−配位子錯体、当該金属−配位子錯体を含む又は当該金属−配位子錯体から製造された触媒、当該触媒によりオレフィン重合反応を触媒してポリオレフィンを製造する方法、それにより製造されるポリオレフィン、金属−配位子錯体及び触媒の製造方法、並びにそれらの製造に有用な中間化合物に関する。 （もっと読む）

アニオン重合における官能性開始剤として使用するメタル化アミノシラン化合物、及び該メタル化アミノシラン化合物を使用して少なくとも１種のアニオン重合可能なモノマーのアニオン重合を開始するアミノシラン官能化ポリマーの製造方法である。メタル化アミノシラン化合物の好ましい使用は、アミノシラン官能化ポリマーを含むタイヤ用ゴム組成物をもたらす。 （もっと読む）

【課題】式(I)：(Zr_1-a M²_a)O_bN_c（ここで、0≦a＜1、0＜b≦3、好ましくは1.5≦b≦2.5、0≦c≦1、M²は金属原子を示す）の化合物を含む金属含有誘電体フィルムを基板上に堆積する方法の提供。
【解決手段】基板を反応チャンバーの中に提供する工程a)と、Zr(MeCp)(NMe₂)₃、Zr(EtCp)(NMe₂)₃、ZrCp(NMe₂)₃、Zr(MeCp)(NEtMe)₃、Zr(EtCp)(NEtMe)₃、ZrCp(NEtMe)₃、Zr(MeCp)(NEt₂)₃等から選択される少なくとも一つのZr金属含有前駆体を気化させる工程b)と、前記第1の気相金属源と前記任意の第2の気相金属源とを前記反応チャンバーに導入し、それらと前記基板との接触を生じさせ、前記基板上に先に定義された式(I)の化合物を含有する金属含有誘電体フィルムの堆積を生じさせる工程c)とを含む方法。 （もっと読む）

ハフニウム含有前駆体およびジルコニウム含有前駆体ならびにその提供方法を開示している。開示した前駆体は、配位子と、通常の置換基よりも高い自由度を有するように選択される置換基としての少なくとも１つの脂肪族基とを含む。開示した前駆体は、気相堆積方法たとえば化学気相堆積または原子層堆積を使用して、ハフニウムまたはジルコニウム含有層を堆積させるのに使用できる。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物の提供。
【解決手段】ＩＶ族金属含有フィルムの蒸着前駆体として使用するために有用な有機金属化合物が提供される。ある種の有機金属前駆体を用いてＩＶ族金属含有フィルムを堆積させる方法も提供される。前記のＩＶ族金属含有フィルムは電子デバイスの製造において特に有用である。 （もっと読む）

Ｓｉ−Ｓｉ又はＳｉ−Ｎの単結合によって結合されている一般式（Ｉ）＝ＳｉＹ₂、及び（ＩＩ）＝ＮＲ³の単位４〜１０個から構成されている環状アザシラ化合物であって、前記式中、Ｙは−ＮＲ¹Ｒ²、水素、及びハロゲンから選択されており、Ｒ¹及びＲ²は水素、及び１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基から選択されており、Ｒ³は１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基であり、ただし環中で一般式（Ｉ）の単位の少なくとも２つはＳｉ−Ｓｉ単結合で相互に結合されており、基Ｙの最大３５ｍｏｌ％が水素であり、基Ｙの最大１５ｍｏｌ％がハロゲンである、前記環状アザシラ化合物、及びその製造方法。
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本発明の対象は、一般式（ＩＩ）Ｓｉ_nＸ_2n+2で示されるオリゴハロゲン化シランを一般式（ＩＩＩ）Ｒ−ＮＨ₂で示される第一級アミンと、溶剤としての炭化水素中で反応させることにより、一般式（Ｉ）Ｓｉ_nＹ_2n+2で示されるオリゴアミノシランを製造する方法であり、上記式中、Ｘは、塩素、臭素および沃素から選択され、Ｙは、ハロゲン、水素またはＲ−ＮＨを表わし、Ｒは、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基を表わし、およびｎは、１〜２０の値を表わし、但し、基Ｙの最大３５モル％は、水素を表わし、および基Ｙの最大１５モル％は、ハロゲンを表わし、この場合反応混合物には、活性炭が添加される。同様に、本発明の対象は、一般式（Ｉ）のオリゴアミノシランを安定化させる方法であり、この場合オリゴアミノシランには、活性炭が添加される。 （もっと読む）

ピリジルジアミド遷移金属錯体がアルケンの重合反応での使用について開示されている。この配位子は、ＮＮＮの配置による３座配位子である。一般式は式(I)であり、
Mは第３，４，５，６，７，８，９，１０，１１又は１２族の金属であり、他の可変部は請求項で規定されているとおりである。 （もっと読む）

【課題】残留炭素の少ない良好な金属含有薄膜を与え、成膜速度や薄膜組成制御について安定したプロセスを与える金属化合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される金属化合物。


（式中、Ｍはチタニウム、ジルコニウム又はハフニウムを表し、Ｘはハロゲン原子を表し、ｍは１又は２を表す。） （もっと読む）

原子層成長による金属含有膜の形成方法を提供する。この方法は、少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含んでなり、少なくとも一種の前駆体は構造が式ＩＩ（式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、ＬはＣ_１−Ｃ_６アルコキシである）に対応する。さらに液体注入原子層成長による金属含有膜の形成方法を提供する。この方法は少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含んでなり、少なくとも一種の前駆体は構造が式ＩＩＩ（式中、ＭはＨｆまたはＺｒであり、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、Ｌはアミノであり、アミノは独立してＣ_１−Ｃ_６アルキルによって１又は２置換されていてもよい）に対応する。

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原子層成長によるチタン含有膜の形成方法を提供する。この方法は少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含み、少なくとも一種の前駆体は構造が式Ｉ（式中、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、ＬはＣ_１−Ｃ_６アルコキシ又はアミノであり、かつアミノは独立してＣ_１−Ｃ_６アルキルによって１又は２置換されていてもよい）に対応する。

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一般式（Ｉ）の化合物を提供する。

（Ｒ^１Ｒ^２Ｎ）_２−Ｚｎ・ａＭｇＸ^１_２・ｂＬｉＸ^２ （Ｉ）

Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して、置換もしくは非置換の、直鎖もしくは分岐鎖状のアルキル、アルケニル、アルキニル、またはそれらのシリル誘導体、および置換もしくは非置換のアリールもしくはヘテロアリールから選択され、
Ｒ^１およびＲ^２は、共に環状構造を形成することができ、または、Ｒ^１および／もしくはＲ^２は、重合体構造の一部となることができ、
Ｘ^１_２は、二価陰イオンまたは互いに独立した２つの一価陰イオンであり、
Ｘ^２は、一価陰イオンであり、
ａ＞０であり、
ｂ＞０である。
前記亜鉛アミド塩基は、とりわけ、芳香族の脱プロトン化およびメタル化に用いられる。 （もっと読む）

一般式（１）：Ｓｉ₂（ＮＭｅ₂）₅Ｙであって、ＹがＨ、Ｃｌ又はアミノ基からなる群より選択される式を有したペンタキス（ジメチルアミノ）ジシラン、その製造方法及びＳｉＮ又はＳｉＯＮからなるゲート誘電体膜又はエッチストップ誘電体膜を製造するためのその使用。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法、ＡＬＤ法の原料として熱安定性と気化特性を有する化合物、その製造方法、その化合物を用いた薄膜及び形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物を原料とした金属含有薄膜を形成する。
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