金属−配位子錯体及び触媒
本発明は、概して、金属−配位子錯体、当該金属−配位子錯体を含む又は当該金属−配位子錯体から製造された触媒、当該触媒によりオレフィン重合反応を触媒してポリオレフィンを製造する方法、それにより製造されるポリオレフィン、金属−配位子錯体及び触媒の製造方法、並びにそれらの製造に有用な中間化合物に関する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）の金属−配位子錯体：
【化１】
｛式中、
各ＬＱは、存在しないか、又はＬであり；
各Ｌは、独立に、存在しないか、又はハロゲン原子、水素原子、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＣ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＣ（Ｏ）Ｎ（（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビル）、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＣ（Ｏ）Ｏ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、ＲＫＲＬＮ−、ＲＬＯ−、ＲＬＳ−又はＲＫＲＬＰ−（ここで、各ＲＫ及びＲＬは、独立に、水素、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、［（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル］３Ｓｉ、［（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル］３Ｓｉ（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル、又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルであるか、あるいはＲＫとＲＬが一緒になって（Ｃ２−Ｃ４０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンを形成している）であるか、あるいはＬとＬＱが一緒になって（ＲＤ）２Ｃ＝Ｃ（ＲＤ）−Ｃ（ＲＤ）＝Ｃ（ＲＤ）２を形成しており、各Ｌは、独立に、Ｍ１に結合しているモノアニオン性部分であり；
ｎは０〜３の整数であり；
各Ｘは、独立に、存在しないか、又はＲＸＮＲＫＲＬ、ＲＫＯＲＬ、ＲＫＳＲＬもしくはＲＸＰＲＫＲＬである中性ルイス塩基基（ここで、各ＲＸは、独立に、水素、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、［（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル］３Ｓｉ、［（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル］３Ｓｉ（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル、又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルであり、ＲＫ及びＲＬは、独立に、先に定義したとおりである）であり；
Ｊは式（Ｊ１）〜（Ｊ７）：
ＲＫＲＬＲＸＰ＝Ｎ− （Ｊ１），（式中、ＲＫ、ＲＬ及びＲＸの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
ＲＫＲＬＢ−Ｏ− （Ｊ２），（式中、ＲＫ及びＲＬの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
【化２】
（式中、−−−は２つの非局在化したπ結合を示し、
各ＲＷ１及びＲＷ２は独立にＲＸであり、Ｍ２はＡｌ−ＲＡ、Ｇａ−ＲＡ又はＺｎであり、ここで、各ＲＡは独立に（Ｃ１−Ｃ４０）アルキル、ＲＫＲＬＮ−又はＲＬＯ−であり、各ＲＪは独立に（Ｃ６−Ｃ１２）アリールである）；
ＲＫＲＬＮ−Ｏ− （Ｊ４），（式中、ＲＫ及びＲＬの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
ＲＫＲＬＣ＝Ｎ− （Ｊ５），（式中、ＲＫ及びＲＬの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
ＲＫ（ＲＬＲＸＮ）Ｃ＝Ｎ− （Ｊ６），（式中、ＲＫ、ＲＬ及びＲＸの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
（ＲＬＲＸＮ）２Ｃ＝Ｎ− （Ｊ７），（式中、ＲＫ、ＲＬ及びＲＸの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
のいずれか１つのモノアニオン性部分であるか、あるいは、
ｎは１、２又は３であり、１つのＸとＪが一緒になって式（Ｋ１）〜（Ｋ６）：
【化３】
（式中、ＲＫ、ＲＬ及びＲＸの各々は、独立に、先に定義したとおりである）
のうちのいずれか１つのモノアニオン性二座部分ＸＪ−ＪＸを形成しており；
各Ｍ１は、独立に、第４族金属であり、これは、Ｍ１がハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）又はチタン（Ｔｉ）であることを意味し、当該金属は＋３又は＋４の形式酸化状態にあり；
ｍは０〜３の整数であり；
各Ｒ１は、独立に、Ｈ、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルであり；
Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の各々は、独立に、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＯ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）２−、（（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル）２Ｎ−、（（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル）２Ｐ−、又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルであるか、あるいは、Ｒ４は、先に定義したとおりであり、Ｒ２とＲ３が一緒になって式（Ｒ２３）：
【化４】
（式中、Ｒ２Ａ及びＲ３Ａの各々は、独立に、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＯ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）２−、（（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル）２Ｎ−、（（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル）２Ｐ−、又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルである）
のジラジカルを形成しており；
各Ｒ５は、独立に、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルであるか；あるいは
Ｒ１とＲ２、Ｒ１とＲ４、Ｒ１とＲ２Ａ、Ｒ２とＲ３、Ｒ２とＲ５、Ｒ２ＡとＲ３Ａ、Ｒ２ＡとＲ５、Ｒ３とＲ４、Ｒ３ＡとＲ４、Ｒ４とＲ５、Ｒ１もしくはＲ５とＸもしくはＪのＲＫ、又はＲ１もしくはＲ５とＬもしくはＪのＲＬは一緒になって（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンを形成しており、それらの残りは先に定義したとおりであるか；あるいは
Ｒ１もしくはＲ５とＬが一緒になって、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｎ（（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビル）、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン、又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンを形成しており、それらの残りは先に定義したとおりであるか；あるいは
Ｒ１〜Ｒ５、Ｒ２Ａ、Ｒ３Ａ、ＸもしくはＪのＲＫ及びＬもしくはＪのＲＬのうちのいずれか３つ又は４つが一緒になって、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンの各三価又は四価の類似体を形成しており、それらの残りは先に定義したとおりであり；あるいは
Ｒ１もしくはＲ５と、Ｒ１〜Ｒ５の残りとＲ２Ａ、Ｒ３Ａ、ＸもしくはＪのＲＫ及びＬもしくはＪのＲＬのうちのいずれか１つ又は２つとがＬと一緒になって、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｎ（（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビル）、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン、又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンの各三価又は四価の類似体を形成しており、Ｒ１〜Ｒ５、Ｒ２Ａ、Ｒ３Ａ、ＸもしくはＪのＲＫ及びＬもしくはＪのＲＬの残りは先に定義したとおりであり；
上記（Ｃ６−Ｃ１２）アリール、（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン、（Ｃ２−Ｃ４０）ヒドロカルビレン、及び（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンの各々は、独立に、同じであるか又は異なり、置換されていないかもしくは１個以上の置換基ＲＳにより置換されており；
各ＲＳは、独立に、ハロゲン原子、ポリフルオロ、ペルフルオロ、非置換（Ｃ１−Ｃ１８）ヒドロカルビル、Ｆ３Ｃ−、ＦＣＨ２Ｏ−、Ｆ２ＨＣＯ−、Ｆ３ＣＯ−、オキソ、Ｒ３Ｓｉ−、ＲＯ−、ＲＳ−、ＲＳ（Ｏ）−、ＲＳ（Ｏ）２−、Ｒ２Ｐ−、Ｒ２Ｎ−、Ｒ２Ｃ＝Ｎ−、ＮＣ−、ＲＣ（Ｏ）Ｏ−、ＲＯＣ（Ｏ）−、ＲＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）−、又はＲ２ＮＣ（Ｏ）−であり、ここで、各Ｒは独立に非置換（Ｃ１−Ｃ１８）ヒドロカルビルであり；
各
【化５】
は、独立に、結合フラグメントを示し；
各Ｌ、ＬＱ、及びｍは、式（Ｉ）の金属−配位子錯体が集合体で中性であるように、金属Ｍ１の形式酸化状態に応じて選択される｝。
【請求項２】
Ｒ２とＲ３が一緒になって式（Ｒ２３）：
【化６】
のジラジカルを形成しているために、式（Ｉ）の金属−配位子錯体は、式（ＩＩ−Ｂ）、（ＩＩ−Ｅ）、（ＩＩ−Ａ）、（ＩＩ−Ｈ）又は（ＩＩ−Ｉ）：
【化７】
［式（ＩＩ−Ｂ）において、各Ｒ３４は、独立に、Ｃ（Ｒ３５）２、Ｏ、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２、Ｎ（ＲＮ）、Ｓｉ（ＲＣ）２又はＰ（ＲＰ）であり、ここで、各Ｒ３５は、独立に、Ｈ又は（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビルであり、各ＲＮ、ＲＣ及びＲＰは、独立に、（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビルである］；
【化８】
[式（ＩＩ−Ｅ）において、各−−−−は、存在しないか、又はπ結合である］
【化９】
［式（ＩＩ−Ａ）において、各Ｒ３４は、独立に、Ｃ（Ｒ３５）２、Ｏ、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２、Ｎ（ＲＮ）、Ｓｉ（ＲＣ）２又はＰ（ＲＰ）であり、ここで、各Ｒ３５は、独立に、Ｈ又は（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビルであり、各ＲＮ、ＲＣ及びＲＰは、独立に、（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビルである］；
【化１０】
[式（ＩＩ−Ｈ）において、Ｒ２Ａは、Ｈ又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルであり、Ｒ３ＡとＲ４は一緒になって（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ１−Ｃ２０）ヘテロヒドロカルビレンを形成している］；又は
【化１１】
［式（ＩＩ−Ｉ）において、Ｒ２Ａは、Ｈ又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルであり、Ｒ３ＡとＲ４は一緒になって（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ１−Ｃ２０）ヘテロヒドロカルビレンを形成している］
の金属−配位子錯体である、請求項１に記載の金属−配位子錯体。
【請求項３】
式（ＩＩ−Ｈ）及び（ＩＩ−Ｉ）において、Ｒ３ＡとＲ４が一緒になって（Ｃ２−Ｃ５）ヒドロカルビレン又は（Ｃ１−Ｃ４）ヘテロヒドロカルビレンを形成しており、Ｒ１及びＲ５の各々は、独立に、（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビルであり、Ｒ２ＡはＨ又は（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルである、請求項２に記載の金属−配位子錯体。
【請求項４】
式（ＩＩＩ）：
【化１２】
［式中、Ｒ２Ｂ、Ｒ３Ｂ及びＲ４の各々は、独立に、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＯ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）２−、（（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル）２Ｎ−、（（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル）２Ｐ−又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルである］
の金属-配位子錯体である請求項１に記載の金属-配位子錯体。
【請求項５】
式（Ｉ）において；あるいは、式（ＩＩ−Ｂ）、（ＩＩ−Ｅ）又は（ＩＩ−Ａ）において；あるいは、式（ＩＩＩ）において、ＪがＲＫＲＬＲＸＰ＝Ｎ−（Ｊ１）又はＲＫＲＬＣ＝Ｎ−（Ｊ５）である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の金属−配位子錯体。
【請求項６】
ｎが０であり、Ｘが存在しない、請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属−配位子錯体。
【請求項７】
ｎが１であり、ＸとＪが一緒になって式（Ｋ１）〜（Ｋ６）のいずれか１つの上記のアニオン性二座部分ＸＪ−ＪＸを形成していて、金属−配位子錯体が式（ＩＶ）：
【化１３】
により表されるものである、請求項１に記載の金属−配位子錯体。
【請求項８】
ＲＫ、ＲＬ及びＲＸの各々が、独立に、（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビルである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属−配位子錯体。
【請求項９】
Ｌ及びＬＱの各々が、独立に、（Ｃ１-Ｃ５）アルキル、トリメチルシリルメチル又はベンジルである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属-配位子錯体。
【請求項１０】
前記金属−配位子錯体が式（１）〜（１２）：
【化１４】
【化１５】
（式中、Ｍｅはメチルであり、ｉ−Ｐｒはｉｓｏ−プロピルを意味し、ｔ−Ｂｕは１，１−ジメチルエチルを意味し、Ｐｈはフェニルを意味する）
のいずれか１つにより表されるものである、請求項１に記載の金属−配位子錯体。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の１種以上の金属−配位子錯体と１種以上の活性化共触媒又はそれらの反応生成物を含む、あるいは請求項１〜１０のいずれか一項に記載の１種以上の金属−配位子錯体と１種以上の活性化共触媒又はそれらの反応生成物から製造された触媒であって、１種以上の金属−配位子錯体の総モル数と１種以上の活性化共触媒の総モル数との比が１：１０，０００〜１００：１である触媒。
【請求項１２】
ポリオレフィンの製造方法であって、少なくとも１種の重合性オレフィンを、当該少なくとも１種の重合性オレフィンの少なくとも幾らかを重合させるのに十分なオレフィン重合条件の下で、請求項１１に記載の触媒に接触させて前記少なくとも１種の重合性オレフィンからポリオレフィンを生成させる工程を含む、ポリオレフィンの製造方法。
【請求項１】
式（Ｉ）の金属−配位子錯体：
【化１】
｛式中、
各ＬＱは、存在しないか、又はＬであり；
各Ｌは、独立に、存在しないか、又はハロゲン原子、水素原子、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＣ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＣ（Ｏ）Ｎ（（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビル）、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＣ（Ｏ）Ｏ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、ＲＫＲＬＮ−、ＲＬＯ−、ＲＬＳ−又はＲＫＲＬＰ−（ここで、各ＲＫ及びＲＬは、独立に、水素、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、［（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル］３Ｓｉ、［（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル］３Ｓｉ（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル、又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルであるか、あるいはＲＫとＲＬが一緒になって（Ｃ２−Ｃ４０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンを形成している）であるか、あるいはＬとＬＱが一緒になって（ＲＤ）２Ｃ＝Ｃ（ＲＤ）−Ｃ（ＲＤ）＝Ｃ（ＲＤ）２を形成しており、各Ｌは、独立に、Ｍ１に結合しているモノアニオン性部分であり；
ｎは０〜３の整数であり；
各Ｘは、独立に、存在しないか、又はＲＸＮＲＫＲＬ、ＲＫＯＲＬ、ＲＫＳＲＬもしくはＲＸＰＲＫＲＬである中性ルイス塩基基（ここで、各ＲＸは、独立に、水素、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、［（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル］３Ｓｉ、［（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル］３Ｓｉ（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル、又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルであり、ＲＫ及びＲＬは、独立に、先に定義したとおりである）であり；
Ｊは式（Ｊ１）〜（Ｊ７）：
ＲＫＲＬＲＸＰ＝Ｎ− （Ｊ１），（式中、ＲＫ、ＲＬ及びＲＸの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
ＲＫＲＬＢ−Ｏ− （Ｊ２），（式中、ＲＫ及びＲＬの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
【化２】
（式中、−−−は２つの非局在化したπ結合を示し、
各ＲＷ１及びＲＷ２は独立にＲＸであり、Ｍ２はＡｌ−ＲＡ、Ｇａ−ＲＡ又はＺｎであり、ここで、各ＲＡは独立に（Ｃ１−Ｃ４０）アルキル、ＲＫＲＬＮ−又はＲＬＯ−であり、各ＲＪは独立に（Ｃ６−Ｃ１２）アリールである）；
ＲＫＲＬＮ−Ｏ− （Ｊ４），（式中、ＲＫ及びＲＬの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
ＲＫＲＬＣ＝Ｎ− （Ｊ５），（式中、ＲＫ及びＲＬの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
ＲＫ（ＲＬＲＸＮ）Ｃ＝Ｎ− （Ｊ６），（式中、ＲＫ、ＲＬ及びＲＸの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
（ＲＬＲＸＮ）２Ｃ＝Ｎ− （Ｊ７），（式中、ＲＫ、ＲＬ及びＲＸの各々は、独立に、先に定義したとおりである）；
のいずれか１つのモノアニオン性部分であるか、あるいは、
ｎは１、２又は３であり、１つのＸとＪが一緒になって式（Ｋ１）〜（Ｋ６）：
【化３】
（式中、ＲＫ、ＲＬ及びＲＸの各々は、独立に、先に定義したとおりである）
のうちのいずれか１つのモノアニオン性二座部分ＸＪ−ＪＸを形成しており；
各Ｍ１は、独立に、第４族金属であり、これは、Ｍ１がハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）又はチタン（Ｔｉ）であることを意味し、当該金属は＋３又は＋４の形式酸化状態にあり；
ｍは０〜３の整数であり；
各Ｒ１は、独立に、Ｈ、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルであり；
Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の各々は、独立に、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＯ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）２−、（（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル）２Ｎ−、（（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル）２Ｐ−、又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルであるか、あるいは、Ｒ４は、先に定義したとおりであり、Ｒ２とＲ３が一緒になって式（Ｒ２３）：
【化４】
（式中、Ｒ２Ａ及びＲ３Ａの各々は、独立に、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＯ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）２−、（（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル）２Ｎ−、（（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル）２Ｐ−、又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルである）
のジラジカルを形成しており；
各Ｒ５は、独立に、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルであるか；あるいは
Ｒ１とＲ２、Ｒ１とＲ４、Ｒ１とＲ２Ａ、Ｒ２とＲ３、Ｒ２とＲ５、Ｒ２ＡとＲ３Ａ、Ｒ２ＡとＲ５、Ｒ３とＲ４、Ｒ３ＡとＲ４、Ｒ４とＲ５、Ｒ１もしくはＲ５とＸもしくはＪのＲＫ、又はＲ１もしくはＲ５とＬもしくはＪのＲＬは一緒になって（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンを形成しており、それらの残りは先に定義したとおりであるか；あるいは
Ｒ１もしくはＲ５とＬが一緒になって、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｎ（（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビル）、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン、又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンを形成しており、それらの残りは先に定義したとおりであるか；あるいは
Ｒ１〜Ｒ５、Ｒ２Ａ、Ｒ３Ａ、ＸもしくはＪのＲＫ及びＬもしくはＪのＲＬのうちのいずれか３つ又は４つが一緒になって、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンの各三価又は四価の類似体を形成しており、それらの残りは先に定義したとおりであり；あるいは
Ｒ１もしくはＲ５と、Ｒ１〜Ｒ５の残りとＲ２Ａ、Ｒ３Ａ、ＸもしくはＪのＲＫ及びＬもしくはＪのＲＬのうちのいずれか１つ又は２つとがＬと一緒になって、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｎ（（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビル）、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン、又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンの各三価又は四価の類似体を形成しており、Ｒ１〜Ｒ５、Ｒ２Ａ、Ｒ３Ａ、ＸもしくはＪのＲＫ及びＬもしくはＪのＲＬの残りは先に定義したとおりであり；
上記（Ｃ６−Ｃ１２）アリール、（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビレン、（Ｃ２−Ｃ４０）ヒドロカルビレン、及び（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンの各々は、独立に、同じであるか又は異なり、置換されていないかもしくは１個以上の置換基ＲＳにより置換されており；
各ＲＳは、独立に、ハロゲン原子、ポリフルオロ、ペルフルオロ、非置換（Ｃ１−Ｃ１８）ヒドロカルビル、Ｆ３Ｃ−、ＦＣＨ２Ｏ−、Ｆ２ＨＣＯ−、Ｆ３ＣＯ−、オキソ、Ｒ３Ｓｉ−、ＲＯ−、ＲＳ−、ＲＳ（Ｏ）−、ＲＳ（Ｏ）２−、Ｒ２Ｐ−、Ｒ２Ｎ−、Ｒ２Ｃ＝Ｎ−、ＮＣ−、ＲＣ（Ｏ）Ｏ−、ＲＯＣ（Ｏ）−、ＲＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）−、又はＲ２ＮＣ（Ｏ）−であり、ここで、各Ｒは独立に非置換（Ｃ１−Ｃ１８）ヒドロカルビルであり；
各
【化５】
は、独立に、結合フラグメントを示し；
各Ｌ、ＬＱ、及びｍは、式（Ｉ）の金属−配位子錯体が集合体で中性であるように、金属Ｍ１の形式酸化状態に応じて選択される｝。
【請求項２】
Ｒ２とＲ３が一緒になって式（Ｒ２３）：
【化６】
のジラジカルを形成しているために、式（Ｉ）の金属−配位子錯体は、式（ＩＩ−Ｂ）、（ＩＩ−Ｅ）、（ＩＩ−Ａ）、（ＩＩ−Ｈ）又は（ＩＩ−Ｉ）：
【化７】
［式（ＩＩ−Ｂ）において、各Ｒ３４は、独立に、Ｃ（Ｒ３５）２、Ｏ、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２、Ｎ（ＲＮ）、Ｓｉ（ＲＣ）２又はＰ（ＲＰ）であり、ここで、各Ｒ３５は、独立に、Ｈ又は（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビルであり、各ＲＮ、ＲＣ及びＲＰは、独立に、（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビルである］；
【化８】
[式（ＩＩ−Ｅ）において、各−−−−は、存在しないか、又はπ結合である］
【化９】
［式（ＩＩ−Ａ）において、各Ｒ３４は、独立に、Ｃ（Ｒ３５）２、Ｏ、Ｓ、Ｓ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２、Ｎ（ＲＮ）、Ｓｉ（ＲＣ）２又はＰ（ＲＰ）であり、ここで、各Ｒ３５は、独立に、Ｈ又は（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビルであり、各ＲＮ、ＲＣ及びＲＰは、独立に、（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビルである］；
【化１０】
[式（ＩＩ−Ｈ）において、Ｒ２Ａは、Ｈ又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルであり、Ｒ３ＡとＲ４は一緒になって（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ１−Ｃ２０）ヘテロヒドロカルビレンを形成している］；又は
【化１１】
［式（ＩＩ−Ｉ）において、Ｒ２Ａは、Ｈ又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルであり、Ｒ３ＡとＲ４は一緒になって（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビレン又は（Ｃ１−Ｃ２０）ヘテロヒドロカルビレンを形成している］
の金属−配位子錯体である、請求項１に記載の金属−配位子錯体。
【請求項３】
式（ＩＩ−Ｈ）及び（ＩＩ−Ｉ）において、Ｒ３ＡとＲ４が一緒になって（Ｃ２−Ｃ５）ヒドロカルビレン又は（Ｃ１−Ｃ４）ヘテロヒドロカルビレンを形成しており、Ｒ１及びＲ５の各々は、独立に、（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビルであり、Ｒ２ＡはＨ又は（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルである、請求項２に記載の金属−配位子錯体。
【請求項４】
式（ＩＩＩ）：
【化１２】
［式中、Ｒ２Ｂ、Ｒ３Ｂ及びＲ４の各々は、独立に、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＯ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＳ（Ｏ）２−、（（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル）２Ｎ−、（（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル）２Ｐ−又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルである］
の金属-配位子錯体である請求項１に記載の金属-配位子錯体。
【請求項５】
式（Ｉ）において；あるいは、式（ＩＩ−Ｂ）、（ＩＩ−Ｅ）又は（ＩＩ−Ａ）において；あるいは、式（ＩＩＩ）において、ＪがＲＫＲＬＲＸＰ＝Ｎ−（Ｊ１）又はＲＫＲＬＣ＝Ｎ−（Ｊ５）である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の金属−配位子錯体。
【請求項６】
ｎが０であり、Ｘが存在しない、請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属−配位子錯体。
【請求項７】
ｎが１であり、ＸとＪが一緒になって式（Ｋ１）〜（Ｋ６）のいずれか１つの上記のアニオン性二座部分ＸＪ−ＪＸを形成していて、金属−配位子錯体が式（ＩＶ）：
【化１３】
により表されるものである、請求項１に記載の金属−配位子錯体。
【請求項８】
ＲＫ、ＲＬ及びＲＸの各々が、独立に、（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビルである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属−配位子錯体。
【請求項９】
Ｌ及びＬＱの各々が、独立に、（Ｃ１-Ｃ５）アルキル、トリメチルシリルメチル又はベンジルである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属-配位子錯体。
【請求項１０】
前記金属−配位子錯体が式（１）〜（１２）：
【化１４】
【化１５】
（式中、Ｍｅはメチルであり、ｉ−Ｐｒはｉｓｏ−プロピルを意味し、ｔ−Ｂｕは１，１−ジメチルエチルを意味し、Ｐｈはフェニルを意味する）
のいずれか１つにより表されるものである、請求項１に記載の金属−配位子錯体。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の１種以上の金属−配位子錯体と１種以上の活性化共触媒又はそれらの反応生成物を含む、あるいは請求項１〜１０のいずれか一項に記載の１種以上の金属−配位子錯体と１種以上の活性化共触媒又はそれらの反応生成物から製造された触媒であって、１種以上の金属−配位子錯体の総モル数と１種以上の活性化共触媒の総モル数との比が１：１０，０００〜１００：１である触媒。
【請求項１２】
ポリオレフィンの製造方法であって、少なくとも１種の重合性オレフィンを、当該少なくとも１種の重合性オレフィンの少なくとも幾らかを重合させるのに十分なオレフィン重合条件の下で、請求項１１に記載の触媒に接触させて前記少なくとも１種の重合性オレフィンからポリオレフィンを生成させる工程を含む、ポリオレフィンの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公表番号】特表２０１３−５２０４１８（Ｐ２０１３−５２０４１８Ａ）
【公表日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５５３９３４（Ｐ２０１２−５５３９３４）
【出願日】平成２３年２月８日（２０１１．２．８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１１／０２４０１２
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／１０２９８９
【国際公開日】平成２３年８月２５日（２０１１．８．２５）
【出願人】（５０２１４１０５０）ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー (1,383)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月８日（２０１１．２．８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１１／０２４０１２
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／１０２９８９
【国際公開日】平成２３年８月２５日（２０１１．８．２５）
【出願人】（５０２１４１０５０）ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー (1,383)
【Ｆターム（参考）】
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