【課題】貫通する開口を備える保護層を基板上に形成し、さらにこの開口の中にゲート電極を形成することによって、トランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極の第１の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、ゲート電極の第２の部分は、保護層から間隔を空けて配置され、第１の部分を越えて横方向に延在する。関連したデバイスおよび作製方法も述べられる。 （もっと読む）

【課題】互いに反応する処理ガスを順番に供給して基板の表面に反応生成物を積層すると共に基板に対してプラズマ処理を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】２つのプラズマ発生部８１、８２を回転テーブル２の回転方向に互いに離間させて設けると共に、これらプラズマ発生部８１、８２とウエハＷとの間にファラデーシールド９５を各々配置する。そして、各々のプラズマ発生部８１、８２におけるアンテナ８３と直交する方向に伸びるスリット９７を各々のファラデーシールド９５に設けて、各々のアンテナ８３において発生する電磁界のうち電界については遮断し、一方磁界についてはウエハＷ側に通過させる。 （もっと読む）

【課題】窒化膜の屈折率及び／又は堆積速度の分布の均一性を所定の数値範囲内に収めるとともに、窒化膜の応力の制御性を高める。
【解決手段】本発明の１つの窒化膜の製造装置１００は、チャンバー３０内に配置された基板２０上にプラズマＣＶＤ法によって窒化膜７０（７０ａ）を形成する窒化膜の製造装置１００である。具体的には、この窒化膜の製造装置１００は、窒化膜７０（７０ａ）の形成のために独立に印加する相対的に高い周波数の第１高周波電力及び／又は相対的に低い周波数の第２高周波電力とを用いて得られる、所定の数値範囲内に収まった前述の窒化膜の屈折率の分布及び／又は前述の窒化膜の堆積速度の分布に基づいて、所望（応力が０の場合を含む）の窒化膜７０（７０ａ）の圧縮応力又は引張応力を得るための第１高周波電力が印加される第１期間と第２高周波電力が印加される第２期間とを算出する制御部３９を備えている。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層１１２に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合）などの不純物を、酸化物半導体層１１２より排除し、上記酸化物半導体層１１２中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層１１２と接して設けられるゲート絶縁層１３２及び／又は絶縁層１１６に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層１１２に付着させてもよい。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ効果的に、窒化物半導体の絶縁破壊電圧低下が低減された窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板の一主面上に窒化ケイ素層を形成する工程と、前記窒化ケイ素層上に窒化物半導体からなる中間層を形成する工程と、前記中間層上に窒化物半導体からなる活性層を形成する工程と、を含む窒化物半導体基板の製造方法であって、前記窒化ケイ素層を形成する工程は、窒素ガスが９０ｖｏｌ％以上１００ｖｏｌ％以下で残部は前記窒素ガス以外の不活性ガスからなるガス雰囲気にて室温から９００℃以上１０００℃以下の到達温度まで昇温する第１ステップと、前記ガス雰囲気と前記到達温度のままで所定時間保持する第２ステップと、その後還元性ガス含有雰囲気に切り替えて所定時間保持する第３ステップと、からなることを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法により薄膜付基板を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】基板１０の薄膜を形成しようとする部分である成膜部１０ｃの他主面１０ｃ２に、基板１０に吸収される波長域の光を照射することにより成膜部１０ｃを加熱した状態で、成膜部１０ｃの一主面１０ｃ１に対向して配置したノズル３０から成膜部１０ｃの一主面１０ｃ１に向けて反応ガスを供給することにより薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】半導体基板１のｎＭＩＳ形成領域１Ａにｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎを、半導体基板１のｐＭＩＳ形成領域１Ｂにｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐを、それぞれ形成してから、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐを覆うように引張応力の窒化シリコン膜５を形成し、ｎＭＩＳ形成領域１ＡおよびｐＭＩＳ形成領域１Ｂの窒化シリコン膜５に紫外線照射処理を施す。その後、ｎＭＩＳ形成領域１Ａの窒化シリコン膜５を覆いかつｐＭＩＳ形成領域１Ｂの窒化シリコン膜５を露出するマスク層６ａを形成してから、ｐＭＩＳ形成領域１Ｂの窒化シリコン膜５をプラズマ処理することで、ｐＭＩＳ形成領域１Ｂの窒化シリコン膜５の引張応力を緩和させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン系ガスとアミン系ガスとを使用してＳｉＣ等のＳｉＣ系の膜を低温で成膜できる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板２００を処理室２０１内に収容する工程と、加熱された処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して基板２００上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込める工程と、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室２０１内を排気する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン膜を活性層とするＴＦＴの閾値ドリフトを小さくする。
【解決手段】シリコンを含む半導体装置の製造方法であって、シリコンを含む原料ガスを水素ガスで６００倍以上に希釈する工程と、前記希釈した原料ガスと水素ガスの混合ガスに高周波電力を加えて放電させる工程と、前記放電により分解した原料ガス中のシリコンを基板に堆積させる工程と、前記混合ガスの圧力を６００Ｐａ以上に制御する工程とを含み、前記原料ガスの水素ガスによる希釈率がＤ、前記混合ガスの圧力がＰ（Ｐａ）のとき、前記高周波電力の電力密度Ｐｗ（Ｗ／ｃｍ^２）をＰｗ（Ｗ／ｃｍ^２）×Ｄ（倍）／Ｐ（Ｐａ）の値が０．０８３以上、かつ０．２２２以下となる範囲に設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好なエアギャップを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基体上にライン・アンド・スペース構造を形成する工程と、前記ライン・アンド・スペース構造のラインの側壁および上面に絶縁膜材料で第１の膜を成膜する工程と、前記第１の膜を選択的に除去して前記ライン構造の頂面を露出させる工程と、前記ライン・アンド・スペース構造を跨ぐ第２の膜を塗布成膜法により成膜する工程と、前記第２の膜を熱処理により硬化させる工程と、を持つ。前記第１の膜の厚さは前記スペースの幅の１／２未満であり、前記第２の膜は、前記第１の膜に対する濡れ性が悪い材料で前記ライン・アンド・スペース構造を覆うことにより成膜される。 （もっと読む）

【課題】低誘電率化、ウェットエッチング耐性の向上及びリーク電流の低減化が達成されたＳｉＢＣＮ膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、ボロン含有ガスと窒化ガスとシラン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にボロンと窒素とシリコンと炭素を含む薄膜を形成する成膜方法において、ボロン含有ガスと窒化ガスとを交互に間欠的に供給するサイクルを１回以上行ってＢＮ膜を形成する第１の工程と、シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスとを間欠的に供給するサイクルを１回以上行ってＳｉＣＮ膜を形成する第２の工程とを有する。これにより、低誘電率化、ウェットエッチング耐性の向上及びリーク電流の低減化が達成されたボロンと窒素とシリコンと炭素とを含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】電極メタルがＳｉＮ絶縁膜に拡散することを抑制でき、電流コラプスの抑制とリーク電流の低減とを両立できるＧａＮ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】このＧａＮ系ＨＦＥＴの製造方法によれば、ＧａＮ系積層体５上に形成したＳｉＮ保護膜７を熱処理により改質してから、Ｔｉ/Ａｌ電極１５,１６をＧａＮ系積層体５上に形成し、Ｔｉ/Ａｌ電極１５,１６を熱処理してオーミック電極としてのソース電極１５,ドレイン電極１６とする。ＳｉＮ保護膜７を熱処理した後に、Ｔｉ/Ａｌ電極１５,１６を熱処理(オーミックアニール)し、オーミック電極としてソース電極１５,ドレイン電極１６を形成することによって、電極メタルがＳｉＮ保護膜７に拡散することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ＴＡＴの短縮及び製造コストの低下を図る。
【解決手段】実施形態に係わる半導体装置の製造方法は、下地層上にピラーを形成する工程と、ＧＣＩＢ法を用いて、下地層上に、ピラーを覆い、かつ、上面の最も低い部分がピラーの上面よりも下にある絶縁層を形成する工程と、ＣＭＰ法を用いて、絶縁層及びピラーを、絶縁層の上面の最も低い部分まで研磨する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】内部圧縮圧力を増強した炭窒化シリコン及び炭窒化シリコン薄膜のプラズマCVD法を提供すること。
【解決手段】本発明は、プラズマ化学気相成長（PECVD）窒化シリコン（SiN）及び炭窒化シリコン（SiCN）薄膜における内部圧縮応力の増強方法であって、アミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体からの膜を堆積するステップを含んでなる前記方法である。より詳しく述べると、本発明は、以下の式：
［RR¹N］_xSiR³_y（R²）_z
｛式中、x＋y＋z＝4、x＝1〜3、y＝0〜2、及びz＝1〜3であり；R、R¹、及びR³が、水素、C₁〜C₁₀アルカン、アルケン、C₄〜C₁₂芳香族であり得；各R²が、ビニル、アリル、又はビニル含有官能基である。｝から選択されるアミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体を使用する。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法やＡＬＤ法等によってシリコン絶縁膜を形成する際に、成膜温度を増加させることなく薄膜成長速度を増加させて生産性の向上が可能なシリコン絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン源としてアミノシラン化合物を用いるシリコン絶縁膜の形成方法であって、前記アミノシラン化合物は、分子内の全てのＳｉ−ＮＲ_１Ｒ_２（Ｒ_１及びＲ_２は、水素（Ｈ）又は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状アルキル基）結合が、Ｈ_３Ｓｉ−ＮＲ_１Ｒ_２構造としたときの正規化双極子モーメントが１．３７以上を有するとともに、分子内にアミノ基を３個有するトリスアミノ構造又は分子内にアミノ基を４個有するテトラキスアミノ構造を有することを特徴とするシリコン絶縁膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造において基板の金属汚染を抑える。
【解決手段】半導体素子が設けられた基板の、半導体素子形成面とは反対側の裏面および端部に保護膜を形成する工程と、前記半導体素子形成面に設けられた金属含有膜を加工する工程と、前記金属含有膜の加工後に前記保護膜を除去する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理で被処理基体上の層を、例えば窒化又は酸化するＡＬＤ法で、パージに要する時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ヘッド１６が、第１の空間Ｓ１内の第１の領域で第１のプロセスガスをステージ１４に向けて供給する。ヘッド１６は、第２の領域Ｒ２に退避可能である。ヘッド１６は、第１の空間Ｓ１内の第１の領域の上方の上部領域Ｒａと第１の領域の下方の下部領域Ｒｂとを画成する。供給源１８は、上部領域Ｒａに電磁界エネルギーを供給する。上部領域Ｒａには、第２のプロセスガスが供給される。ヘッド１６は、ステージ１４を覆い、且つ、下部領域Ｒｂに面する連通路Ｐの開口を覆う大きさを有する。 （もっと読む）

【課題】 電流コラプスを抑制するとともに、高耐圧動作が可能な化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＣ基板１０上に形成されたｉ−ＧａＮバッファ層１２と、ｉ−ＧａＮバッファ層１２上に形成されたｎ−ＡｌＧａＮ電子供給層１６と、ｎ−ＡｌＧａＮ電子供給層１６上に形成されたｎ−ＧａＮキャップ層１８と、ｎ−ＧａＮキャップ層１８上に形成されたソース電極２０及ドレイン電極２２と、ソース電極２０とドレイン電極２２との間のｎ−ＧａＮキャップ層１８上に形成されたゲート電極２６と、ソース電極２０とドレイン電極２２との間のｎ−ＧａＮキャップ層１８上に形成された第１の保護層２４と、ゲート電極２６とドレイン電極２２との間の第１の保護層２４に形成されたｎ−ＧａＮキャップ層１８に達する開口部２８に埋め込まれ、第１の保護層２４とは異なる絶縁層よりなる第２の保護層３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の湾曲を抑えて特性の高い太陽電池を製造することが可能なテクスチャ構造の形成方法および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ３００μｍ以下の半導体基板の一方の表面である第１の表面に窒化シリコン膜を形成する工程と、半導体基板の第１の表面とは反対側の第２の表面をエッチングすることによってテクスチャ構造を形成する工程と含み、窒化シリコン膜のシリコン原子に対する窒素原子の含有比率が１．３以上２以下であるテクスチャ構造の形成方法および太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】断熱構造体やプロセスチューブ全体を均一に急冷可能とする。
【解決手段】縦置きの加熱装置に使用される断熱構造体４２であって、円筒形状に形成された側壁部４３を有し、該側壁部４３が内外複数層構造に形成されており、該側壁部の複数層のうちの外側に配置された側壁外層４４の上部に設けられる冷却ガス供給口７４と、前記側壁部の複数層のうちの内側に配置された側壁内層４５と前記側壁外層との間に設けられる冷却ガス通路４７と、前記側壁内層の内側に設けられる空間７５と、前記冷却ガス通路から前記空間へ冷却ガスを吹出すように、前記側壁内層の前記冷却ガス供給口より下方に設けられる複数の吹出孔７８と、前記側壁内層の内周面の前記吹出孔の対向する位置に設けられ、前記冷却ガス通路側から前記空間側に向けて開口面積が広くなるように形成される切欠部７９と、を有する断熱構造体。 （もっと読む）