【課題】界面準位密度およびフラットバンド電圧がともに良好な界面特性を有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】まず、炭化珪素基板１の表面を洗浄する（ステップＳ１）。つぎに、原料ガスをＥＣＲプラズマ化し、原料ガスに含まれる原子を炭化珪素基板１に照射することで、炭化珪素基板１の表面にシリコン窒化膜２を成長させる（ステップＳ２）。つぎに、ＥＣＲプラズマ化学気相成長法により、シリコン窒化膜２の表面にシリコン酸化膜３を堆積する（ステップＳ３）。つぎに、窒素雰囲気中で、シリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３が形成された炭化珪素基板１のアニール処理を行う（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面に、Ａｌ２Ｏ３層を備えて表面パッシベーション層を形成するに際し、表面パッシベーション層は、パッシベーション層の良好な表面パッシベーション品質が維持されると共に、ブリスター形成が、高温でも回避される方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン基板の表面に表面パッシベーション層を形成する方法であって、この方法が、前記表面上に、１５ｎｍ以下の厚さを有するＡｌ_２Ｏ_３層を堆積するステップと、前記表面上への前記Ａｌ_２Ｏ_３層の堆積の後、５００℃と９００℃の間の範囲の温度でガス発生プロセスを行うステップと、ガス発生プロセスの後、前記Ａｌ_２Ｏ_３層上に、窒化シリコン層及び／又は酸化シリコン層等の少なくとも１個の追加誘電体層を堆積するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴデバイスにおける高品質ゲート誘電体層を形成するのに有用な方法及び装置を提供する。
【解決手段】高密度プラズマ酸化（ＨＤＰＯ）処理層がチャネル、ソース、及びドレイン領域上に形成されて誘電体インターフェースを構成し、次に、１つ以上の誘電体層をＨＤＰＯ層上に堆積して高品質ゲート誘電体層を形成する。ＨＤＰＯ処理は、一般的に、誘導及び／又は容量結合ＲＦ伝達デバイスを用いてプラズマを発生し、基板上で発生したプラズマを制御し、また酸化源を含有するガスを注入して界面層を成長させる。次に、第２誘電体層をＣＶＤ又はＰＥＣＶＤ堆積処理を用いて基板上に堆積する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ケイ素含有膜の堆積に用いることができる有機アミノシラン前駆体を提供する。
【解決手段】ケイ素を含むケイ素含有膜の堆積に用いることができる有機アミノシラン前駆体及びこれらの前駆体の製造方法を開示する。また、ここに記載した有機アミノシラン前駆体を用いてケイ素含有膜を製造するための堆積方法も開示する。例えば、ケイ素含有膜を堆積させるために前駆体を反応器に供給するのに用いることができる、上記有機アミノシラン前駆体又はその組成物を含む容器も開示する。 （もっと読む）

【課題】被処理体以外の部位への成膜を抑制した大気圧プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、誘電体内にアンテナとアースが形成された面放電型の誘電体バリア放電方式のプラズマ源において、被処理体を前記プラズマ源に略接触させ、被処理体に対してプラズマ源を設置した面とは反対の面にプラズマを生成するようにした。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを低減し、ドレイン電流を増大しながら、ゲートリーク電流を減少できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１と、基板１の上に形成されたIII族窒化物からなる半導体層２、３と、半導体層２、３の上に、それぞれ形成されたソース電極５、ゲート電極７及びドレイン電極６と、半導体層２、３の上に、ゲート電極７の下部及び半導体層２、３と接し、且つ、ソース電極５及びドレイン電極６と離間するように形成されたシリコンを含まない第１保護膜８と、半導体層２、３の上に、半導体層２、３と接し且つゲート電極７の下部と離間するように形成され、第１保護膜８と組成が異なり且つ窒素を含む第２保護膜９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタを覆うシリコン窒化膜を用いて、該トランジスタの駆動能力をより一層向上することができるようにする。
【解決手段】Ｐウェル１０２の上に、ＮＭＯＳゲート絶縁膜１０４を介在させて形成されたＮＭＯＳゲート電極１０６と、Ｐウェル１０２におけるＮＭＯＳゲート電極１０６の両側方の領域に形成されたｎ型ソースドレイン領域１１２と、Ｐウェル１０２の上に形成され、ＮＭＯＳゲート電極１０６及びｎ型ソースドレイン領域１１２を覆うように形成されたシリコン窒化膜１１８とを有している。シリコン窒化膜１１８を構成するシリコンは、その同位体^２９Ｓｉ又は^３０Ｓｉの比率が５０％以上である。 （もっと読む）

【課題】異なる処理を含む一連の処理工程において他の処理からの影響を抑制することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを載置する載置部を四つ備え移動する回転トレーと、ウエハを処理する第一のガスを供給する第一のシャワーヘッドと、ウエハを処理する第二のガスを供給する第二のシャワーヘッドと、回転トレーの移動を抑制する制御部と、を有し、制御部は、第一のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第一の処理室と、第二のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第二の処理室と、を形成するように制御する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＴＩプロセスにおけるシリコンのトレンチの内壁面に沿って、酸素の拡散に対するバリア性を有する数ｎｍ程度の厚みの薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００では、平面アンテナ３１からマイクロ波透過板２８を経て処理容器１内に放射されたマイクロ波により、処理容器１内で電磁界が形成され、ＡｒガスおよびＮ_２ガスがそれぞれプラズマ化する。プラズマ中の活性種の作用によりウエハＷのトレンチの内壁面が極薄く窒化されることにより、緻密なライナーＳｉＮ膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】低温ＡＬＤ法で形成された窒化珪素膜のエッチング耐性を向上させる。
【解決手段】プラズマ窒化処理方法は、上部に開口を有する処理容器１と、ウエハＷを載置する載置台２と、処理容器１の開口を塞ぐとともにマイクロ波を透過させるマイクロ波透過板２８と、処理容器１内にマイクロ波を導入するための複数のスロットを有する平面アンテナ３１と、を備えたプラズマ処理装置１００を用いる。処理容器１内で、窒素含有ガスと希ガスとを含む処理ガスのプラズマを生成させて、ウエハＷ上の窒化珪素膜をプラズマ窒化処理する。窒化珪素膜は、ＡＬＤ法により４００℃以下の成膜温度で成膜された窒化珪素膜であり、プラズマ窒化処理は、ＡＬＤ法における成膜温度を上限とする処理温度で行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭素ドープ窒化ケイ素、炭素ドープ酸化ケイ素、炭素ドープ酸窒化フィルムを低い堆積温度で形成する方法を開示する。
【解決手段】この堆積に用いられるケイ素含有前駆体は、モノクロロシラン（ＭＣＳ）及びモノクロロアルキルシランである。この方法は、好ましくは、プラズマ原子層堆積、プラズマ化学気相成長、及びプラズマサイクリック化学気相成長を用いることによって実行される。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Ａｌを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 低温領域において、膜中の塩素濃度が低く、フッ化水素に対する耐性の高いシリコン窒化膜を形成する。
【解決手段】 処理室内の基板に対してモノクロロシランガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起させた水素含有ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起または熱励起させた窒素含有ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起させた窒素ガスおよびプラズマ励起させた希ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上にシリコン窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を構成する配線の信頼性向上を図る。
【解決手段】テトラメチルシランガスの流量を通常条件よりも下げて形成したＳｉＣＮ膜ＳＣＮ１（４ＭＳ↓）と、このＳｉＣＮ膜ＳＣＮ１（４ＭＳ↓）上に形成され、通常のテトラメチルシランガスの流量で形成したＳｉＣＮ膜ＳＣＮ２と、このＳｉＣＮ膜ＳＣＮ２上に形成されたＳｉＣＯ膜ＳＣＯからバリア絶縁膜を構成する。これにより、耐透水性の向上と低誘電率化をバランス良く実現することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を下地基板とし、基板サイズに比して問題ない程度に反りが抑制され、半導体素子の作製に好適なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板が、シリコン単結晶からなる下地基板と、下地基板の上に形成された複数のIII族窒化物層からなるIII族窒化物層群と、を備えており、下地基板が、所定のｎ型ドーパントが添加されてなることでｎ型の導電性を有し、かつ、比抵抗が０．１Ω・ｃｍ以下であり、複数のIII族窒化物層がそれぞれ、少なくともＡｌまたはＧａを含み、エピタキシャル基板の反り量をＳＲ（単位：μｍ）、窒化物層群の総膜厚をｔｅ（単位：μｍ）、下地基板の膜厚をｔｓ（単位：ｍｍ）、下地基板の直径をｄｓ（単位：ｍｍ）とするときに、規格化反り指数ＫがＫ＝｛（ＳＲ／ｔｅ）×（ｔｓ／ｄｓ）²｝≦１×１０^-3なる関係式をみたすようにする。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型電界効果トランジスタとｐチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ、ｐチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０と、ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０とを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０のゲート電極１５を覆う応力制御膜１９には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０のゲート電極３５を覆う応力制御膜３９には、膜応力が、ｎチャネル型トランジスタ１０の応力制御膜１９より、圧縮応力側の膜を用いることにより、ｎチャネル型、ｐチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】所望の膜厚分布を有する薄膜を堆積可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】少なくとも第１の原料ガスおよび第２の原料ガスを基板に対して交互に供給することにより、第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応により生じる反応生成物質の薄膜を基板に堆積する成膜方法が開示される。この方法は、基板が収容される処理容器内にガスを供給することなく処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に不活性ガスを所定の圧力まで供給するステップと、処理容器内の真空排気を停止した状態で、不活性ガスが所定の圧力に満たされた処理容器内に第１の原料ガスを供給するステップと、第１の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップと、処理容器内に第２の原料ガスを供給するステップと、第２の原料ガスの供給を停止するとともに処理容器内を真空排気するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 化学量論的に窒素に対しシリコンが過剰な窒化シリコン膜を形成する。
【解決手段】 処理室内の基板に対してシリコン含有物を供給して、シリコン含有物を熱分解させて、基板上に数原子層以下のシリコン膜を堆積させる工程と、処理室内に残留したシリコン含有物を処理室内から除去する工程と、処理室内の基板に対して窒素含有物を供給して、シリコン膜の窒素含有物による窒化反応が不飽和となる条件下でシリコン膜を熱窒化する工程と、処理室内に残留した窒素含有物を処理室内から除去する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に化学量論的に窒素に対しシリコンが過剰な窒化シリコン膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン窒化膜を低温で形成する際に、評価対象のシリコン含有前駆体が、求める成膜温度や成膜速度を達成可能であるか予測することが可能なシリコン窒化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン含有ガスとして適用可能なシリコン含有前駆体について、成膜温度と成膜速度との関係から得られるシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの実験値と、第一原理計算により求める活性化エネルギーの計算値と、の相関性を検証した後、所定温度における前記成膜速度の対数値と前記活性化エネルギーの計算値との相関性を示す一次関数から、所定の成膜温度もしくは所定の成膜速度でシリコン窒化膜を形成するために必要なシリコン含有前駆体の活性化エネルギーを算出することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）