【課題】バリア膜を良好に形成することができながら、Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を低減することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む第２絶縁層６に、第２溝１１およびビアホール１２が形成された後、Ｍｎからなる金属膜１８が第２溝１１およびビアホール１２の側面および底面に被着される。次いで、金属膜１８中のＭｎと第２絶縁層６中のＳｉおよびＯとを結合させるための熱処理が行われる。この熱処理の結果、第２溝１１およびビアホール１２の内面上に、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】溝を埋め尽くすように形成されるＣｕ層中のＭｎの残留量の増加を生じることなく、溝の側面上における合金膜の膜剥がれの発生を防止することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる第２絶縁層６に、第２溝１１が形成される。次に、スパッタ法により、第２溝１１の内面に、ＣｕＭｎ合金からなる合金膜１８が被着される。この合金膜１８は、第２溝１１の内面に接する部分のＭｎ濃度が相対的に高く、その表層部分のＭｎ濃度が相対的に低くなるように形成される。次いで、合金膜１８上に、Ｃｕからなる第２配線１４が形成される。第２配線１４の形成後、熱処理により、第２配線と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。 （もっと読む）

【課題】電子トンネリングを防止するのに十分な厚さにおいても、要求されるキャパシタンス値を満たすことができる高誘電率の誘電定数を有し、誘電損失が非常に低く、常誘電特性を示す線形的なＢＳＴＯ誘電体薄膜組成物を提供する。
【解決手段】（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）誘電体薄膜に錫酸化物（ＳｎＯ_２）が連続組成拡散法によって添加され、一般式Ｂａ_{（１−ｘ）}Ｓｒ_ｘＴｉ_{（１−ｙ）}Ｓｎ_ｙＯ_３（式中、モル分率ｘは０．０６≦ｘ≦０．８２の範囲であり、モル分率ｙは０．０５≦ｙ≦０．２８の範囲である）（ＢＳＴＳＯ）である誘電体薄膜組成物とする。これにより、電界によるキャパシタンスの変化がほとんどなく、要求されるキャパシタンス値を示し誘電損失は非常に低く、既存の誘電体素材であるＳｉＯ_２のような常誘電（paraelectric）特性を示す。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に高誘電率膜を用いたＭＩＳトランジスタのトランジスタ特性を向上する。
【解決手段】基板の主面上に形成した酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜上に、ハフニウムおよび酸素を含むベース絶縁膜を形成する。次いで、ベース絶縁膜上に、ベース絶縁膜より薄く、かつ、金属元素のみからなる金属薄膜を形成し、その金属薄膜上に、耐湿性および耐酸化性を有する保護膜を形成する。その後、保護膜を有する状態で、ベース絶縁膜に金属薄膜の金属元素をすべて拡散することによって、酸化シリコン膜上に、酸化シリコン膜より厚く、かつ、酸化シリコンより誘電率が高く、ベース絶縁膜のハフニウムおよび酸素と、金属薄膜の金属元素とを含む混合膜（高誘電率膜）を形成する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体の表面上に酸化物を備えた半導体装置であって、上記III族窒化物系化合物半導体と上記酸化物との間の界面の界面準位密度を小さくでき、移動度を高くできるものを提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置では、III族窒化物系化合物半導体３の表面上に、Ａｌを組成に含みスピネル構造をもつ酸化物４が形成されている。III族窒化物系化合物半導体３は、例えばＧａＮからなる。酸化物４は、例えばＭｇＡｌ_２Ｏ_４、ＭｎＡｌ_２Ｏ_４、ＣｏＡｌ_２Ｏ_４、ＮｉＡｌ_２Ｏ_４からなる。 （もっと読む）

【課題】レジストポイゾニングの発生を抑制する半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁層を介して形成された第１配線と第２配線を電気的に接続するビアを備える半導体装置において、半導体基板上に形成された低誘電率の第１絶縁層であって、表面の誘電率が内部より高く、かつ当該第１絶縁層上に形成される絶縁性バリア膜の誘電率より低い表面改質領域が形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層に形成された第１配線と、前記第１配線上に形成された絶縁性バリア膜と、前記絶縁性バリア膜上に形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層に形成された第２配線と、前記第２絶縁層に形成された、前記第１配線と前記第２配線を電気的に接続するビアを有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、絶縁膜の誘電率を低く維持すると共に、半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】シリコン基板１の上方に層間絶縁膜２９を形成する工程と、層間絶縁膜２９に配線溝２９ａを形成する工程と、層間絶縁膜２９の上面と配線溝２９ａの中とに導電膜２７を形成する工程と、導電膜２７を研磨することにより、層間絶縁膜２９の上面から導電膜２７を除去すると共に、配線溝２９ａの中に導電膜２７を残す工程と、導電膜２７の表面を還元性プラズマに曝す工程と、導電膜２７の表面にシリサイド層３４を形成する工程と、シリサイド層３４の表面に窒化層３６を形成する工程と、炭素を含むガス又は液に層間絶縁膜２９の上面を曝す工程と、層間絶縁膜２９の上面に紫外線を照射する工程と、導電膜２７の上にバリア絶縁膜４０を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】絶縁性に優れた複合酸化物積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２０と、前記基板２０の上方に形成され、一般式ＡＢＯ₃で表される第１複合酸化物層２４と、前記第１複合酸化物層２４の上方に形成され、一般式ＡＢ_1-xＣ_xＯ₃で表される第２複合酸化物層２６と、を含み、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなる。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜を含む半導体装置に関し、配線間容量が低く絶縁性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板上に形成された多孔質絶縁材料を含む絶縁膜４４，４８と、絶縁膜４４，４８の少なくとも表面側に形成された溝６０に埋め込まれ、銅を含む配線６４ｂと、絶縁膜４８上及び配線６４ｂ上に形成され、含窒素複素環化合物を含む絶縁材料のバリア絶縁膜６６とを有する。 （もっと読む）

基板を処理するための方法が提供され、ここで第１の有機シリコン前駆体、第２の有機シリコン前駆体、ポロゲン、および酸素源が、処理チャンバーに提供される。第１の有機シリコン前駆体は、一般に低い炭素含有量を有する化合物を含む。第２の有機シリコン前駆体は、より高い炭素含有量を有する化合物を含む。ポロゲンは、炭化水素化合物を含む。ＲＦ電力は、基板上に膜を堆積させるために印加され、さまざまな反応物の流れの流量は、膜の部分が堆積されるにつれて炭素含有量を変化させるために調節される。一実施形態では、堆積膜の最初の部分は、低い炭素含有量を有し、従って酸化物のようであり、一方次に続く部分は、より高い炭素含有量を有し、オキシ炭化物のようになる。他の実施形態は、酸化物のような最初の部分を特徴としない。膜を後処理するステップは、より高い炭素含有量を有する膜の部分に細孔を発生させる。
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キャッピング層は、汚染からアクティブチャネルを保護するために、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアクティブチャネルの上に堆積してもよい。キャッピング層は、ＴＦＴの性能に影響するかもしれない。キャッピング層があまりに多量の水素、窒素、又は酸素を含んでいるならば、ＴＦＴの閾値電圧、サブスレショルドスロープ、及び移動度に否定的に影響を与えるかもしれない。窒素、酸素、及び水素含有ガスの流速の比率を制御することによって、ＴＦＴの性能が最適化されるかもしれない。更に、電力密度、キャッピング層堆積圧、及び温度も、ＴＦＴ性能を最適化するために制御してもよい。
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【課題】Ｌｏｗ−ｋ膜の機械的強度を向上させることができる半導体装置の製造方法、およびそれにより得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板ＳＢ上に、ＳｉＯＣを含有する骨格構造部と、炭化水素化合物を含有する空孔形成材料部とを有するＳｉＯＣ膜である層間絶縁膜３が形成される。層間絶縁膜３に２００ｎｍ以上２６０ｎｍ以下の波長を有する光が照射される。 （もっと読む）

金属源前駆体と式Ｉ：
Ｔｉ（Ｌ）_ｘ （式１）
（式中、Ｌはβ−ジケトナートであり、ｘは３または４である）
によるチタン系β−ジケトナート前駆体を使用して気相成長過程によって高κ誘電性膜を形成し安定化させる方法が提供される。さらに、式Ｉによるチタン前駆体を使用して半導体装置の高κゲート特性を改善する方法が提供される。式Ｉによるチタン前駆体を含んでなる高κ誘電性膜形成格子もまた提供される。 （もっと読む）

金属源前駆体および式Ｉ：
Ｃｅ（Ｌ）_ｘ （式Ｉ）
［式中、Ｌはβ−ジケトナートであり、ｘは３または４である］に従うセリウムのβ−ジケトナート前駆体を用いる化学相成長法により、高κ誘電性膜の形成と安定化の方法を提供する。さらに、式Ｉに従うセリウム前駆体を用い、半導体装置の高κゲート特性を改善する方法を提供する。また、酸化ハフニウム、酸化チタン、またはそれらの混合物を含み、さらに、誘電率を維持または増加させる量のセリウム原子を含有する高κ誘電性膜を提供する。 （もっと読む）

本発明は、ａ）金属又は半金属を有する第一のモノマー単位、及びｂ）化学結合によって第一のモノマー単位に結合されている第二のモノマー単位を有する少なくとも１つのツインモノマーを重合することによって得られる誘電体を有する、３．５以下の誘電率を有する誘電体層に関し、その際、前記重合は、前記化学結合の切断及び第一のモノマー単位を有する第一のポリマーの形成及び第二のモノマー単位を有する第二のポリマーの形成を伴った前記ツインモノマーの重合を含み、且つ、その際、第一及び第二のモノマー単位は共通の機構によって重合する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム酸化物膜をブロック絶縁膜とする高性能なＭＯＮＯＳ型のＮＡＮＤ型不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に、直列接続された複数のメモリセルトランジスタと、選択トランジスタを備えるＮＡＮＤ型不揮発性半導体メモリ装置である。メモリセルトランジスタは、半導体基板上の第１の絶縁膜１０２ａと、電荷蓄積層１０４と、アルミニウム酸化物である第２の絶縁膜１０６ａと、第１の制御ゲート電極１０８ａと、第１のソース／ドレイン領域を有する。選択トランジスタは、半導体基板上の第３の絶縁膜１０２ｂと、アルミニウム酸化物であり、４価カチオン元素、５価カチオン元素、Ｎ（窒素）のうち少なくとも１種の元素を含有する第４の絶縁膜１０６ｂと、第２の制御電極１０８ｂと、第２のソース／ドレイン領域を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、ポリマーＡと、ポリマーＢと、溶媒Ａ及び大気圧における沸点が溶媒Ａよりも低い溶媒Ｂと、を含み、かつ、以下の式（ｉ）及び（ｉｉ）を満たす。
前記ポリマーＡの溶媒Ａへの溶解度＞前記ポリマーＡの前記溶媒Ｂへの溶解度
・・・（ｉ）
前記ポリマーＢの溶媒Ａへの溶解度＜前記ポリマーＢの前記溶媒Ｂへの溶解度
・・・（ｉｉ） （もっと読む）

【課題】バリア層をさらに薄くしても、配線本体側からの銅の拡散や、絶縁膜側からの珪素の拡散に対する障壁作用を十分に保持して、絶縁膜の絶縁性確保、また配線の低抵抗化を実現することができ、それによって配線の線幅を減少させることができ、ＬＳＩの集積度も向上させることができるようにする。
【解決手段】この発明の銅配線は、シリコン基板の表面上に設けられ、珪素と酸素と炭素とを炭化水素基の形態で含むＳｉＯＣ絶縁層１０と、ＳｉＯＣ絶縁層１０上に形成され、添加元素の酸化物を含む銅合金からなるバリア層１５と、そのバリア層１５に接して形成され、銅を主成分としてなる配線本体１６とを備え、バリア層１５は、添加元素と炭素と水素とを含む酸化物からなり、その添加元素の原子濃度が最大となる当該バリア層内の厚さ方向の位置で、炭素と水素の各原子濃度が極大となる。 （もっと読む）

【課題】
ウエハ面内の膜厚均一性に優れた条件でハフニウムシリコン酸化物膜を形成し、エッチング処理によって閾値変動を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法であって、半導体基板表面にシリコン酸化膜あるいは酸窒化膜（酸化膜）を形成し、この酸化膜の表面にハフニウムとシリコンを含有する高誘電率酸化物膜を形成し、このハフニウムとシリコンを含む高誘電率酸化物膜に対し、ＨｆＯに対するエッチング速度がＳｉＯに対するエッチング速度より大きなエッチング液によるＨｆＯ優先エッチングを行ない、エッチング後の前記高誘電率酸化物膜の上にポリシリコンのゲート電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒素成分の抜けが少なく、ゲートリーク電流の増大を抑制することができるＨｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜を成膜する、High-kゲート絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２００上にHigh-kゲート絶縁膜３０を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜３０を窒素及び希ガス含有ガスでHigh-kゲート絶縁膜３０を窒化する工程と、前記High-kゲート絶縁膜３０上に電極３２を形成する工程と、前記電極３２を囲むように絶縁層３４を形成する工程とを有する半導体デバイスの製造方法を提供する。 （もっと読む）