【課題】配線層に空隙部を設けた半導体装置における配線間容量を確実に低減できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１の上に形成された第１絶縁膜１０２と、該第１絶縁膜１０２に選択的に形成された複数の配線１０８とを有している。第１絶縁膜１０２における複数の配線１０８のうちの一部の配線同士の間の領域にはエアギャップ１０２ｃが形成されており、第１絶縁膜１０２におけるエアギャップ１０２ｃの底部及び該エアギャップ１０２ｃと隣接する配線１０８の下側部分の誘電率は、第１絶縁膜１０２におけるエアギャップ１０２ｃと隣接しない配線１０８の下側部分の誘電率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層配線の形成方法は、シロキサン構造を含むビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４を金属配線４１ａ上に形成する第一の工程（図１［１］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の一部に金属配線４１ａに達する凹部としてのデュアルダマシン溝４８を形成する第二の工程（図１［２］〜図２［２］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４とデュアルダマシン溝４８内で露出した金属配線４１ａとに水素プラズマ処理を施すことにより、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の表面に改質層４９を形成するとともに金属配線金属配線４１ａの表面を還元する第三の工程（図３［１］）と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、且つ、良好な品質を有する絶縁膜を備え、配線間の寄生容量が抑制された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成され、第１の溝（第２の配線溝２８）を有し、高さ方向において組成比が異なる第１の絶縁膜（第３の絶縁膜２４）と、第１の溝（第２の配線溝２８）を埋める第１の金属配線（第２の金属配線２５）とを備えている。第１の絶縁膜（第３の絶縁膜２４）では、上部における機械的強度がその他の部分における機械的強度に比べて大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、第１の原料液と、第２の原料液とを含むセラミックスの原料液を結晶化することにより、セラミックス膜を形成する工程を含む。前記第１の原料液と前記第２の原料液とは、種類が異なる関係にあり、前記第１の原料液は、強誘電体を生成するための原料液であり、前記第２の原料液は、ＡＢＯ系などの酸化物を生成するための原料液であり、前記第１の原料液が含む溶媒と第２の原料液が含む溶媒とは、極性の異なる関係にあり、前記第１の原料液と前記第２の原料液が相分離した状態で成膜することにより、前記セラミックス膜の平面方向において、前記第１の原料液からなる第１の結晶が断続して形成され、前記第２の原料液からなる第２の結晶が前記第１の結晶相互間に介在するように形成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、トレンチ形成層或いはビア形成層の低誘電率性と機械的強度を確保するとともに、膜剥がれを防止する。
【解決手段】 基体上に所定の原料ガスを用いてＳｉＯＣを主成分とする第１の多孔質絶縁膜２を予め定めた所定の膜厚まで気相成長させたのち、同一チャンバー内において連続して所定の原料ガスにポロジェン前駆体を添加してポロジェン４を包含するＳｉＯＣを主成分とする第２の多孔質絶縁膜３を気相成長させ、次いで、第１及び第２の多孔質絶縁膜３に２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長の紫外線５を照射する。 （もっと読む）

【課題】３．７以下の誘電率を有するシリカ系の材料及び膜、並びにそれを作製及び使用するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】シリカ系材料を調製するための組成物であって、少なくとも１つのシリカ源と、溶剤と、少なくとも１つのポロゲンと、任意選択で触媒と、任意選択で流動添加剤とを含み、該溶剤が、９０℃〜１７０℃の温度で沸騰し、化学式、ＨＯ−ＣＨＲ⁸−ＣＨＲ⁹−ＣＨ₂−ＣＨＲ¹⁰Ｒ¹¹（式中、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は、独立して１〜４個の炭素原子のアルキル基又は水素原子であることができる）；Ｒ¹²−ＣＯ−Ｒ¹³（式中、Ｒ¹²は３〜６個の炭素原子を有する炭化水素基であり；Ｒ¹³は１〜３個の炭素原子を有する炭化水素基である）；及びそれらの混合物によって表される化合物から成る群より選択された組成物によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＦ膜を含む層間絶縁膜にダマシン法で埋め込み配線を形成する半導体集積回路装置において、埋め込み配線用の配線溝を形成する際に用いるエッチングストッパ層とＳｉＯＦ膜との界面剥離を防止する。
【解決手段】ＳｉＯＦ膜２６、２９を含む層間絶縁膜をドライエッチングして形成した配線溝３２の内部にダマシン法でＣｕ配線３３を埋め込む際、上記ドライエッチングのエッチングストッパ層を構成する窒化シリコン膜２８とＳｉＯＦ膜２６との間に酸窒化シリコン膜２７を介在させ、ＳｉＯＦ膜２６中で発生した遊離のＦを酸窒化シリコン膜２７でトラップする。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどの層間絶縁膜に用いられる低い誘電率と優れた機械強度を有する層間絶縁膜を形成できる絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１）で表される化合物と下記一般式（２）で表される化合物とを酸触媒により脱水縮合して得られるポリマーを含有することを特徴とする。
【化１】


（Ｒ_１〜Ｒ_４のうち、少なくとも２つはヒドロキシル基、メトキシ基等から選ばれ、残りはメチル基、エチル基等から選ばれる。Ａはカゴ型構造を有する構造を表し、Ｙ_１〜Ｙ_４のうち少なくとも２つはヒドロキシル基であり、残りは水素、メチル基、エチル基等から選ばれる。） （もっと読む）

【課題】低吸湿性かつ低誘電率のＦ添加ＳｉＯ₂ 膜を形成すること。
【解決手段】導電領域間を電気的に分離し、Ｓｉ、Ｏ、Ｆを含み、ＳｉＯ₂ の網目構造を有する絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により形成する際に、原料ガスとして、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＦ₃ ）₃ 、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＯＲ）₃ ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＦ₂ Ｒ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＯＲ）₂ Ｒ′）₃ （Ｒ，Ｒ′は官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＮＲ₂ ）₃ ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ Ｃ（ＮＲ₂ ）₂ Ｒ′）₃ （Ｒ，Ｒ′は官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＲＯ）₃ （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＮ）₃ 、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＮＯ₂ ）₃ 、ＳｉＦ（ＯＣＨ₂ ＣＯＯＲ）₃ （Ｒは官能基）またはＳｉＦ_n （ＯＣＨ₂ ＣＦ₂ Ｒ）_4-n （ｎ＝１〜３、Ｒは官能基）のガスを用いたときに、前記Ｓｉに結合した元素がＦと置換する反応確率が、前記ＳｉにＦが結合している場合のほうが、前記ＳｉにＦが結合していない場合よりも小さくなる成膜温度で、前記絶縁膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】移動度の低下を極力抑えつつゲートリーク電流が低い良好なゲート絶縁膜を有するＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層と、ゲート電極と、膜厚が１ｎｍ以上で少なくとも半導体層側からその厚み方向に１ｎｍまでの領域は窒化酸化シリコン膜（ＳｉＯＮ）から構成され、かつシリコンと酸素の原子数比（Ｏ／Ｓｉ）が０．０１〜０．３０、シリコンと窒素の原子数比（Ｎ／Ｓｉ）が０．０５〜０．３０であるゲート絶縁膜と、ソース／ドレイン領域と、を備えたＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】下から順に、制御ゲート電極、ゲート間絶縁膜、浮遊ゲート電極、トンネル絶縁膜の各層を形成した構造において、トンネル絶縁膜の膜質を向上できるようにした不揮発性半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上にシリコン酸化膜２を介して、制御ゲート電極ＣＧとして機能する導電膜３、高誘電体膜を含有した導電膜間絶縁膜４、リン、砒素またはボロンによる不純物を添加した多結晶シリコンから構成され、浮遊ゲート電極ＦＧとして機能する導電膜５を順に形成する。その後、４００℃以上６００℃以下の温度範囲内の低温条件下でプラズマ酸化処理によって導電膜５上にシリコン酸化膜７を形成する。シリコン酸化膜７および８上には、シリコン層９が形成されている。ソース／ドレイン領域が積層ゲート電極６のＹ方向両脇で且つシリコン酸化膜８の上側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンなどの被エッチング膜を部分的にドライエッチングする際、有機マスクのリフトオフを防止する。
【解決手段】酸化シリコンなどからなる被エッチング膜１２に界面膜１３を積層する。界面膜１３は、アモルファスシリコンや炭素含有シリコン化合物で構成されている。界面膜１３上に有機マスク２０を設け、無水または加湿したＨＦ（反応剤）とＯ_３（酸化剤）を含むエッチングガスを供給する。界面膜１３は、反応剤単独との反応性が被エッチング膜１２より低く、Ｏ_３との酸化反応を経て反応剤と間接的に反応しエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】基板上にシリコンを含む低誘電率膜を塗布法により形成するにあたり、簡便な方法により低誘電率膜中に気孔を形成すること。
【解決手段】低誘電率膜の前駆体であるシリコンを含む化合物の塗布液中に、負電荷を持ち、かつ浮力がほぼゼロの極めて小さな気泡であるナノバブルを導入し、この塗布液を基板上に塗布した後に、基板を加熱して低誘電率膜を形成する。このナノバブルが負電荷を持っているので、凝集しにくく、溶液中に均一に分散し、また基板の加熱後にも気泡として低誘電率膜中に取り込まれるため、均一で小さな気孔を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】低リーク電流、高移動度の半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板上にシリコン酸化膜、第一のハフニウム含有窒化シリケート膜、第二のハフニウム含有窒化シリケート膜が順次積層されたゲート絶縁膜、および金属シリサイド電極が積層されたゲート構造を含むＭＩＳＦＥＴを有し、前記第一のハフニウム含有窒化シリケート膜中のハフニウム原子濃度が５〜１０％であり、窒素原子濃度が５〜１０％であり、前記第二のハフニウム含有窒化シリケート膜中のハフニウム原子濃度が５０〜６０％であり、窒素原子濃度が２０〜４５％であり、前記ゲート絶縁膜の膜厚が１．８〜３．０ｎｍであることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 相互接続積層物内の誘電層間にナノスケール波形界面を有するデバイス構造を提供する。
【解決手段】 相互接続積層物においてナノメートル・スケール波形界面を有する界面を含む誘電複合構造は、接着強度および界面破壊靭性の向上をもたらす。また、波形接着促進物層（１１４）を更に含んで固有の界面接着を更に向上させる複合構造も記載する。また、自己アセンブリング・ポリマー系およびパターン転送プロセスを用いてこれらの構造を可能とするための、ナノメートル・スケール波形界面を形成するための方法も記載する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、配線用トレンチ或いはビアホールの側壁に無孔質保護絶縁膜を均一に成膜する。
【解決手段】 半導体基板と、半導体基板上に形成された空孔を含有する第１絶縁膜３と、第１絶縁膜３に形成された凹部４と、凹部４の側壁に形成された第２絶縁膜５と、第２絶縁膜５を介して凹部４に埋め込まれた導体７とを有するとともに、第１絶縁膜３と第２絶縁膜５との界面において、第１絶縁膜３の表面のボンドが官能基で終端している比率より第２絶縁膜５を構成する材料の主鎖と化学的に結合している比率を高くする。 （もっと読む）

誘電性領域および導電性領域を含む、パターン化半導体基板表面を提供することと、両親媒性表面調整剤を誘電性領域に塗布し、誘電性領域を調整することと、を含む、パターン化半導体基板を調整する方法が提示される。いくつかの実施形態では、誘電性領域を調整することは、誘電性領域のぬれ角を調整することを含む。いくつかの実施形態では、ぬれ角を調整することは、誘電性領域の表面を親水性にすることを含む。いくつかの実施形態では、方法は、水溶液をパターン化半導体基板表面に塗布することをさらに含む。いくつかの実施形態では、導電性領域は、水溶液によって、選択的に増強される。いくつかの実施形態では、方法は、低誘電率材料から形成される誘電性領域を提供することをさらに含む。いくつかの実施形態では、両親媒性表面調整剤を塗布することは、低誘電率領域の後続プロセスとの相互作用を調整する。
（もっと読む）

【課題】浮遊ゲート電極または制御ゲート電極の特性ばらつきを可及的に抑制し、トンネル絶縁膜の信頼性の低下を防止し、かつストレス誘起リーク電流を抑制することを可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体層を有する基板１と、半導体層に対向して設けられた一対の第２導電型のソース／ドレイン領域１２と、ソース／ドレイン領域間の半導体層上に設けられた第１の絶縁膜１４と、第１の絶縁膜上に設けられ、ソース／ドレイン領域が対向する方向に沿って亜粒界１７が形成された単結晶の半導体を含む浮遊ゲート電極１６と、浮遊ゲート電極上に設けられた第２の絶縁膜１８と、第２の絶縁膜上に設けられた制御ゲート電極２０と、を有するメモリセルと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ハフニウムを含む絶縁膜の結晶化及びシリサイド化の両方を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン層１１の上方にハフニウムを含む絶縁膜１３が形成され、絶縁膜１３の上にポリシリコン層１４が形成された積層膜を形成し、積層膜を酸素と窒素が混合され、全圧が前記窒素の分圧にほぼ等しい雰囲気中で熱処理する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜に替わる特性を備えた高誘電体ゲート絶縁膜として使用することが可能であるＨｆＯ_２・ＳｉＯ_２膜の形成に好適な、耐脆化性に富むハフニウムシリサイドターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＨｆＳｉ_{０．８２−０．９８}からなるゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットに関する。ＨｆＳｉ_{０．８２−０．９８}からなる組成の粉末を合成し、これを１００メッシュ以下に粉砕したものを１７００°Ｃ〜２１２０°Ｃ、１５０〜２０００ｋｇｆ／ｃｍ^２で、ホットプレス又は熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）することによりゲート酸化膜形成用ハフニウムシリサイドターゲットを製造する。 （もっと読む）