【課題】高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い炭素含有酸化シリコン膜を得ることのできる基板処理装置、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い炭素含有酸化シリコン膜を形成することのできる半導体装置の製造方法、又は膜の形成方法を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内にエチル基結合を有するシリコン含有ガスを供給し、前記基板上に炭化珪素膜を形成する第１の処理工程と、前記処理室内に酸素含有ガスを供給し前記炭化珪素膜を酸化する第２の処理工程とを有し、前記第１の処理工程と前記第２の処理工程から構成される一連の処理工程を、１回以上繰り返すことにより、所定膜厚の炭素含有酸化シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】シラン酸化物前駆体の化学気相成長によって基材上に比較的低温で酸化ケイ素膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】以下の式によって表されるアミノシラン前駆体を使用することを含む、酸化剤との反応によるシラン酸化物前駆体の化学気相成長によって基材上に酸化ケイ素膜を形成するための方法：ＲＲ１ＮＳｉＨ３（式Ａ）ＲＮ（ＳｉＨ３）２（式Ｂ）ＳｉＨ３ＲＮ（Ｒ２）ＮＲ１ＳｉＨ３（式Ｃ）式中、Ｒ及びＲ１は、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ２〜Ｃ１０のアルキル基、芳香族、アルキルアミノ基からなる群より選択され；式Ａ及び式Ｃ中において、ＲとＲ１は、環状基（ＣＨ２）ｎになっていてもよく（ｎは１〜６、好ましくは４及び５）、且つＲ２は、一重結合、（ＣＨ２）ｎ鎖、環、ＳｉＲ２又はＳｉＨ２を表す。 （もっと読む）

【課題】 高誘電体ゲート絶縁膜およびシリコン基板との界面を高品質化して、ＭＩＳＦＥＴの特性向上を図る。
【解決手段】 シリコン基板１１上にｈｉｇｈ−ｋ膜２１とゲート電極２４を形成する半導体装置の製造方法において、ｈｉｇｈ−ｋ膜形成後にフッ素雰囲気でアニール処理２３を施し、その後のプロセス温度を６００℃以下で行う、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板上にゲート誘電体層とゲート電極とのゲートスタックを含む半導体デバイスを製造する方法であって、ゲートスタックのＶ_Ｔ値を容易に調整することができる方法を提供する。
【解決手段】ゲート誘電体層とゲート電極とのゲートスタックを含む半導体デバイスを製造する方法は、第１の電気陰性度を有する金属酸化物または半金属酸化物であるゲート誘電体層を半導体基板上に形成するステップと、第２の電気陰性度を有する金属酸化物または半金属酸化物である誘電体Ｖ_Ｔ調整層を形成するステップと、ゲート誘電体層およびＶ_Ｔ調整層の上にゲート電極を形成するステップと、を含み、前記ゲートスタックの実効仕事関数が、誘電体Ｖ_Ｔ調整層の厚さおよび組成を調整することによって所望の値に調整され、第２の電気陰性度が、第１の電気陰性度およびＡｌ_２Ｏ_３のいずれよりも高い。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に互いに離れた第１、第２の処理領域に夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段とを設ける。前記回転方向において第１、第２の処理領域の間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設ける。さらに前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第１の処理領域及び第２の処理領域に夫々対応する真空容器の側壁部位に一方及び他方の真空排気口を形成する。 （もっと読む）

【課題】活性ラジカルを使って膜状態の変動の少ない膜を形成する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法は、処理ガスを、一または複数のラジカル発生源に供給する工程と、前記一または複数のラジカル発生源の各々において、前記処理ガスから活性ラジカルを形成する工程と、前記活性ラジカルを前記基板表面に供給する工程と、前記基板表面における前記活性ラジカルの反応により、絶縁膜を形成する工程とよりなり、前記活性ラジカルを形成する工程は、前記一または複数のラジカル源の各々の状態を変化させながら実行され、さらに前記絶縁膜内における膜状態の変動を最小化するような最適状態を、前記一または複数のラジカル源の各々について、前記絶縁膜の状態に基づいて求める工程と、前記一または複数のラジカル源の各々の状態を、前記最適状態に設定して基板表面に絶縁膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】配線からのＣｕの拡散を防止する。
【解決手段】例えば、ＵＤＣ拡散バリア膜２２、ポーラスシリカ膜２３、ＵＤＣミドルストッパ膜２４、ポーラスシリカ膜２５およびＵＤＣ拡散バリア膜２６の積層構造にビア溝２７ａと配線溝２７ｂを形成したときに、内部に露出するＵＤＣ拡散バリア膜２２、ＵＤＣミドルストッパ膜２４、ＵＤＣ拡散バリア膜２６の表面に対し、水素プラズマを照射する。これにより、各ＳｉＣ膜の露出表面をＳｉリッチにする。そして、プラズマ照射後のビア溝２７ａと配線溝２７ｂにＴａ膜２８を形成し、Ｃｕで埋め込む。Ｔａ膜２８と接触することとなるＳｉＣ膜の表面をあらかじめＳｉリッチな状態にしておくことにより、Ｔａ膜２８をＣｕの突き抜けが抑えられるような結晶構造に制御することが可能になる。これにより、配線からのＣｕの拡散を防止することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生のために誘導結合型の電極を用いることにより、プラズマ形成ボックス内の壁面がエッチングされることを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、複数の被処理体Ｗを保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段２２と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段３８と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段６０とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の長手方向に沿って設けられるプラズマ形成ボックス６４と、前記プラズマ形成ボックスに沿って設けられる誘導結合型の電極６６と、前記誘導結合型の電極に接続された高周波電源６８とよりなる。 （もっと読む）

【課題】 低温下であっても、高い成膜レートを維持しつつ、低コストで膜厚均一性の良好な絶縁膜を形成する。
【解決手段】 基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に所定元素を含む第１の原料ガスと所定元素を含む第２の原料ガスとを供給し排気することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に第１の原料ガスおよび第２の原料ガスとは異なる反応ガスを供給し排気することで、所定元素含有層を酸化層、窒化層または酸窒化層に改質する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜、窒化膜または酸窒化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、第１の原料ガスは第２の原料ガスよりも反応性が高く、所定元素含有層を形成する工程では第１の原料ガスの供給量を第２の原料ガスの供給量よりも少なくする。 （もっと読む）

ポリシラン−ポリシラザン共重合体は、式（Ｉ）のポリシラン単位、及び式（ＩＩ）のポリシラザン単位を含有し、式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立してＨ、Ｓｉ、及びＮ原子から選択され、Ｒ^３はＨ、Ｓｉ、又はＣ原子から選択され、ａ≧１であり、ｂ≧１であり、（ａ＋ｂ）≧２である。ポリシラン−ポリシラザン共重合体は、溶媒を含む組成物に製剤することができる。ポリシラン−ポリシラザン共重合体は、ＰＭＤ及びＳＴＩ用途において１００ｎｍ以下の幅及び少なくとも６のアスペクト比を有する溝を充填するために用いることができる。ポリシラン−ポリシラザン共重合体は、１分子当たり２個以上のケイ素原子を有するペルクロロポリシランの第１級アミンでのアミノ化により調製することができる。

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クラッキングする傾向を減少させた、間隙充填酸化ケイ素層の形成が記載される。堆積は、トレンチの充填を容易にする、流動可能なシリコン含有層の形成を含む。高い基板温度における後続の処理が、従来技術の方法に従って形成された流動可能な膜よりも、誘電体膜中のクラッキングを少なくする。間隙充填酸化ケイ素層の形成に先立って堆積された圧縮性ライナ層が記載され、後続して堆積される膜がクラックする傾向を減少する。流動可能なシリコン含有層の後に堆積される圧縮性キャッピング層も、クラッキングを減少させるように決定された。圧縮性ライナ層および圧縮性キャッピング層は、単独でまたは組み合わせて使用され、クラッキングを減少させ、多くの場合クラッキングをなくすことができる。開示した実施形態の圧縮性キャッピング層は、下にある窒化ケイ素の層を酸化ケイ素層に変換できることが、さらに確定されている。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの発生を停止した際の気化器内における液体原料の残留を抑制し、液体原料供給経路内の洗浄を容易に行うことが可能な気化器を提供する。
【解決手段】気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔは、液体原料を気化する気化室５１ｓ，５１ｂ，５１ｔと、気化室内を加熱するヒータ６１ｓ，６１ｂ，６１ｔと、液体原料を気化室内に噴霧させる噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔと、噴霧ノズル内へのキャリアガス、液体原料および溶媒の供給を制御するバルブと、を有し、該バルブは噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔに直結されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減することができ、かつ、歩留まりの高い薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】本発明の実施の形態１に係る薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁基板１０の上に少なくともゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体層１３、ソース電極１４、ドレイン電極１５及び保護層１６を具備する薄膜トランジスタの製造方法であって、保護層１６が真空紫外光ＣＶＤ法により形成されるものであり、ゲート絶縁層１２の上の全面に保護層１６となる膜を成膜する工程と、保護層と１６なる膜をパターニングなしにエッチングしソース電極１４とドレイン電極１５の表面を露出させ保護層１６のパターンを形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層、浅いトレンチ分離誘電体層等として使用するための低誘電率を有する酸化珪素層を均一に堆積するための方法と装置とを提供する。
【解決手段】約４００℃未満の基板温度での有機珪素化合物とヒドロキシル形成化合物との反応によって低比誘電体率を有する酸化珪素層を堆積する。これらの低誘電率薄膜は、残留炭素を含んでおり、サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層および浅いトレンチ分離誘電体層のために有用である。堆積に先立って水あるいは有機化合物からヒドロキシル化合物を調製することができる。酸化珪素層は、約３．０未満の誘電率を有するギャップ充填層を与えるために有機珪素化合物から生成されたライナー層の上に約４０℃未満の基板温度で堆積されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜と配線金属との間に形成されるバリア膜について、配線金属を構成する元素や層間絶縁膜を構成する元素に対して高いバリア性を提供する。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台５１と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材８２とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置から原料ガスである例えばトリメチルシランガスと窒素ガスとを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台５１の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．０４８Ｗ／ｃｍ2以下となるようにバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】導電膜もしくは絶縁膜を効率的に除去する半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する第１の工程と、処理室内に複数の原料ガスを供給して基板上に導電膜もしくは絶縁膜を形成する第２の工程と、処理室内から処理後の基板を搬出する第３の工程と、処理室内に改質ガスを供給して、処理室内に付着した導電膜もしくは絶縁膜を改質する第４の工程と、を１サイクルとして複数サイクル繰り返した後、処理室内にクリーニングガスを供給して、改質された導電膜もしくは絶縁膜を含む処理室内に付着した堆積物を除去する第５の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】式(I)：(Zr_1-a M²_a)O_bN_c（ここで、0≦a＜1、0＜b≦3、好ましくは1.5≦b≦2.5、0≦c≦1、M²は金属原子を示す）の化合物を含む金属含有誘電体フィルムを基板上に堆積する方法の提供。
【解決手段】基板を反応チャンバーの中に提供する工程a)と、Zr(MeCp)(NMe₂)₃、Zr(EtCp)(NMe₂)₃、ZrCp(NMe₂)₃、Zr(MeCp)(NEtMe)₃、Zr(EtCp)(NEtMe)₃、ZrCp(NEtMe)₃、Zr(MeCp)(NEt₂)₃等から選択される少なくとも一つのZr金属含有前駆体を気化させる工程b)と、前記第1の気相金属源と前記任意の第2の気相金属源とを前記反応チャンバーに導入し、それらと前記基板との接触を生じさせ、前記基板上に先に定義された式(I)の化合物を含有する金属含有誘電体フィルムの堆積を生じさせる工程c)とを含む方法。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な金属酸化膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地上に有機金属化合物を含むガスを供給し、下地上に金属酸化膜を成膜する金属酸化膜の成膜方法であって、下地上に有機金属化合物を供給して下地上に金属酸化膜を成膜し（工程２）、かつ、金属酸化膜の成膜プロセスの最後に、金属酸化膜を酸素含有ガス又は酸素含有プラズマに曝す（工程４）。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスが良好な金属酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハを収容した処理容器内に金属原子を含む原料を供給し排気する工程と、処理容器内に反応ガスを供給し排気する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことでウエハ上に金属膜を形成する工程（Ｓ５）と、処理容器内に酸化ガスを供給し排気することで金属膜を酸化させる工程（Ｓ６）と、を１セットとして、このセットを所定回数行う（Ｓ７）ことによりウエハ上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】スループットを高く維持しつつリーク電流を抑制してリーク特性も高く維持することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体の表面とゲート電極との間に介在されるゲート絶縁層を形成する成膜方法において、シリコンを含む界面膜を所定の温度で形成する界面膜形成工程Ｓ１と、被処理体を冷却する冷却工程Ｓ２と、冷却された被処理体に対して界面膜形成工程の所定の温度より低い温度でゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程Ｓ３とを有する。 （もっと読む）