【課題】配線幅が異なる第１及び第２の配線を有する配線パターンの上に形成された絶縁層を、十分に平坦化すること。
【解決手段】基板上に、第１の配線及び第１の配線よりも配線幅が小さい第２の配線を有する配線パターンを形成する配線形成工程Ｓ１０と、配線パターンの上から、第１の絶縁層及び第２の絶縁層をこの順に形成する絶縁層形成工程Ｓ２０と、第２の絶縁層の上に、配線パターンの反転パターンを有するレジストパターンを形成するレジスト形成工程Ｓ３０と、第２の絶縁層の方が第１の絶縁層よりもエッチングされやすい条件で等方性エッチングするエッチング工程Ｓ４０と、レジストパターンを除去するレジスト除去工程Ｓ５０と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡易なプロセスでパターン欠陥を抑制することが可能な金属パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムを含む金属パターン２０を製造する際に、真空雰囲気下にて、気相法により、基板上にアルミニウムを含む金属膜２１を成膜する工程（１）と、金属膜２１の表面に酸化処理により酸化膜２２を形成する工程（２）と、酸化膜２２上に金属パターンに対応したレジストパターン３０を形成する工程（３）と、レジストパターン３０をマスクとして、金属膜２１をエッチングする工程（４）とを順次実施する。工程（１）と工程（２）との間において、少なくとも工程（２）の実施直前には、基板の雰囲気を真空雰囲気とする。 （もっと読む）

【課題】基板の湾曲を抑えて特性の高い太陽電池を製造することが可能なテクスチャ構造の形成方法および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ３００μｍ以下の半導体基板の一方の表面である第１の表面に窒化シリコン膜を形成する工程と、半導体基板の第１の表面とは反対側の第２の表面をエッチングすることによってテクスチャ構造を形成する工程と含み、窒化シリコン膜のシリコン原子に対する窒素原子の含有比率が１．３以上２以下であるテクスチャ構造の形成方法および太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮなどの窒化物半導体材料の酸化皮膜形成処理、エッチング処理を半導体材料にダメージを与えることなく効率よく行うことを可能にする。
【解決手段】硫酸濃度が５６〜９０質量％の硫酸溶液を電解して生成した過硫酸含有硫酸溶液を、窒化物半導体材料に接触させて、前記半導体表面に酸化皮膜を生成する。該処理は、表面処理部２と、電解装置３と、硫酸溶液を表面処理部と電解装置とを含む経路で循環させる循環路１０，２０，３０，３１と、表面処理部に供給される過硫酸を含む硫酸溶液を加熱する加熱部２２と、電解装置に供給される硫酸溶液を冷却する冷却部３２とを備える表面処理システム１で行う。半導体材料のダメージを抑えつつ、酸化が困難であった素材の半導体に安定した酸化膜を形成でき、酸化処理後に安定したエッチングを行うこともできる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上にパターニングされたＳｉＯ₂膜および／もしくはＳｉN膜を生成する製膜方法において、拡散制御性能、またはパッシベーション性能を満たすＳｉＯ₂膜および／もしくはＳｉN膜を生成する。
【解決手段】ＳｉＯ₂および／もしくはＳｉＯ₂前駆体を含む溶液を半導体基板上にパターニングして塗布して第１パターンを生成するステップと、ＣＶＤ法によってＳｉＯ₂膜および／もしくはＳｉN膜を生成するステップと、フッ酸水溶液に浸漬させて前記第１パターンを除去することにより、前記ＣＶＤ法によるＳｉＯ₂膜および／もしくはＳｉN膜からなる第２パターンを生成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】希土類金属を含有するHigh-ｋ膜のエッチング残渣を抑制するための半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に絶縁膜４を形成する工程と、絶縁膜４の上に希土類元素含有酸化膜７、１２を形成する工程と、フッ酸、塩酸、硫酸を含む薬液により希土類元素含有酸化膜７、１２をエッチングする工程とを有し、これにより希土類元素含有酸化膜７、１２のエッチングを良好に行う。 （もっと読む）

【課題】溝部を絶縁膜で埋設する際に、溝部のアスペクト比が大きい場合であっても、内部にボイドを残存させることなく、溝部内に絶縁膜を充填する。これにより微細化した半導体装置の製造を容易に行うことを可能とする。
【解決手段】隣り合う凸部の間に形成される溝部の上端部においてオーバーハング形状を有すると共に、溝部の上部にボイドを有するように溝部内に溝部用絶縁膜を形成する。凸部の高さ方向に対して斜め方向から、溝部用絶縁膜に不純物をイオン注入することにより、溝部内に形成された溝部用絶縁膜の一部に不純物をドープする。溝部用絶縁膜の不純物がドープされた部分を除去した後、溝部内に溝部用絶縁膜を充填する。 （もっと読む）

【課題】ケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復
【解決手段】第１の誘電率および少なくとも１つの表面を有するケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復方法であって、ケイ素含有誘電体材料の層の第１の誘電率が第２の誘電率まで増加しており、該方法は、ケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面と、ケイ素含有流体とを接触させるステップ、そしてケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面を、紫外線照射、熱、および電子ビームからなる群から選択されるエネルギー源に曝すステップ、の各ステップを含み、ケイ素含有誘電体材料の層は、ケイ素含有誘電体材料の層をエネルギー源に曝した後の第２の誘電率より低い第３の誘電率を有する、方法。 （もっと読む）

【課題】容易に製造することができ、かつ信頼性の高い薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜および活性層し、活性層上に第１の保護層となるＧａ酸化物膜を形成する。Ｇａ酸化物膜上に第２の保護層となる感光性有機系絶縁膜を形成し、感光性有機系絶縁膜においてチャネル領域に整合する部分をパターン部とし、それ以外の部分を非パターン部とする。この非パターン部を除去し、この非パターン部の除去とともにパターン部をマスクとして非パターン部下のＧａ酸化物膜を除去して、第１の保護層および第２の保護層を形成しチャネル保護膜を得る。チャネル保護膜を覆うようにソース電極およびドレイン電極となる膜を形成し、この膜上にレジストパターンを形成し、チャネル保護膜をエッチングストッパとして膜をエッチングし、ソース電極およびドレイン電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンゲート電極の意図しないフルシリサイド化を防止する。
【解決手段】基板１７上に、ゲート絶縁膜１２およびシリコン層１０をこの順に積層した積層体（１０、１２）を形成する工程と、積層体（１０、１２）の側壁沿いにＳｉＮ膜を有するオフセットスペーサ１３を形成する工程と、その後、シリコン層１０の上面を、薬液を用いて洗浄する工程と、その後、少なくともシリコン層１０の上面を覆う金属膜１９を形成する工程と、その後、加熱する工程と、を有し、オフセットスペーサ１３が有するＳｉＮ膜は、ＡＬＤ法を用いて４５０℃以上で成膜されたＳｉＮ膜、または、１Ｇｐａ以上の引張／圧縮応力を有するＳｉＮ膜であり、前記薬液は、重量比率で、ＨＦ／Ｈ_２Ｏ＝１／１００以上であるＤＨＦ、または、バッファードフッ酸である半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】第１の溝を埋め込み特性に優れたＳＯＤ膜で埋め込むことで、ショートの発生を抑制することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の溝１７に第１のＳＯＤ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）膜を埋め込み、第１のＳＯＤ膜を高温で改質させることで第１の絶縁膜４５を形成し、第１の絶縁膜４５上に位置する部分の第１の溝１７に、第１のＳＯＤ膜と同じ材料よりなる第２のＳＯＤ膜４６を埋め込み、第１のＳＯＤ膜を改質させる温度よりも低い温度で、第２のＳＯＤ膜４６を改質させることで、第２の絶縁膜２７を形成し、その後、ウエットエッチングにより第１の絶縁膜４５を除去する。 （もっと読む）

【目的】より簡易な手法で、所定の層表面に反射防止構造を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、高周波電力を印加したプラズマ雰囲気中で、基板上にシリコン（Ｓｉ）含有絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、前記Ｓｉ含有絶縁膜を形成する際に用いたガスを継続して流し続けながら前記高周波電力の出力を弱めることで、前記Ｓｉ含有絶縁膜上にＳｉを主成分とする複数の粒子を堆積させる工程（Ｓ１０４）と、前記複数の粒子をマスクとして、前記Ｓｉ含有絶縁膜をエッチングする工程（Ｓ１０６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＳＴＩを利用して形成した素子分離膜がウエットエッチング工程により目減りすることを出来るだけ抑制しながら半導体装置を製造する。
【解決手段】 犠牲酸化膜の形成とウエットエッチングによる剥離、及び／又は、二酸化珪素膜の形成とウエットエッチングによる剥離を行う半導体装置の製造プロセスにおいて、犠牲酸化膜及び／又は二酸化珪素膜の形成を、プラズマ処理装置の処理容器内で、酸素を含む処理ガスを用いて生成させたＯ（^１Ｄ_２）ラジカルが支配的なプラズマにより行う。 （もっと読む）

【課題】化学強化以外の方法で炭化珪素基板を強化することや、炭化珪素基板の薄板化の手法を工夫することで、割れやクラックの発生、進展を抑制した炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の表裏主面のうち半導体装置の形成領域に対応する中央部ＣＰの周辺領域部ＰＰと基板側面部ＳＰとを含んで構成される炭化珪素基板ＷＦの外周部に、膨張力発生部ＥＸを形成することで、基板内部に向かうように圧縮応力ＣＳが生じる。このために、基板加工中または、プロセス中に、微小な割れの起点が発生しても、圧縮応力で抑えられて割れが広がらないために、ウエハ割れが発生せず、実質的に基板外周部が強化された構成となる。 （もっと読む）

【課題】基板の外周端部の膜をクラックや局部剥がれを生じることなく除去して、パーティクルの発生を防止する。
【解決手段】強誘電体薄膜形成用の有機金属化合物を含有するＣＳＤ溶液を基板２に塗布してゲル状塗膜１を形成する工程と、基板２を回転させながら外周端部に水Ｗを噴射又は滴下して、ゲル状塗膜１の外周端部を除去する工程と、外周端部について除去された後のゲル状塗膜１を加熱処理して強誘電体薄膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造において、シリコン窒化膜の含有水素量を低減してメモリ動作の長期信頼性が確保された製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、表面にシリコン窒化膜１０３が形成されたシリコン基板１０１ａを収容した処理室内の圧力を大気圧よりも低くした状態で処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して、シリコン窒化膜１０３の一部を酸化する工程と、シリコン窒化膜１０３の酸化した部分１０４を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造の影響を受けにくいエッチング液とそれを用いたアイソレーション構造の形成方法の提供。
【解決手段】フッ酸と有機溶媒とを含んでなるエッチング液。前記有機溶媒の、ハンセンの溶解度パラメーターによって定義されるδＨは４以上１２以下であり、２０℃の水に対する飽和溶解度が５％以上である。このエッチング液は、従来の半導体素子形成プロセスに用いられるエッチング液の代わりに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】フッ酸に対する化学耐性を備え、６５０℃以下の低温で形成可能な窒化シリコンを堆積してキャパシタ電極のサポート用絶縁膜や薬剤浸透防止用の層間絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】コンタクトプラグがその上端を露出するように埋込まれた下部層間絶縁膜上に、薬剤浸透防止用の窒化シリコンからなる第１層間絶縁膜を形成する工程と、第１層間絶縁膜上に第２層間絶縁膜を形成する工程と、第２層間絶縁膜上にキャパシタ素子の下部電極の立設を保持するための窒化シリコンからなるサポート用絶縁膜を形成する工程と、サポート用絶縁膜を一部残存させて、第２層間絶縁膜を湿式エッチングにより除去してキャパシタ素子の下部電極を形成する工程とを備え、第１層間絶縁膜及びサポート用絶縁膜の少なくとも一方を高密度プラズマＣＶＤ法で形成する半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

ここに、半導体装置の形成方法が提供された。ある実施の形態において、半導体装置の形成方法は、酸化物表面とシリコン表面とを有する基板を用意し、酸化物表面およびシリコン表面の双方の露出面に窒素含有層を形成し、酸化物表面上から窒素含有層を選択的に除去することによって窒素含有層を酸化する工程を有する。別の実施の形態において、シリコン特徴部上に形成された窒素含有層の残余部分上に酸化物層が形成される。また、ある実施の形態において、酸化物表面が半導体装置の１つまたはそれ以上のフローティングゲートに隣接して配置されている浅いトレンチ分離領域（ＳＴＩ）の露出した表面である。ある実施の形態において、シリコン表面は、半導体装置のシリコンまたはポリシリコンのフローティングゲートの露出面である。
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【課題】高誘電率でありかつリーク電流を低減することが可能なゲート絶縁膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１上に設けられ、かつランタンアルミシリコン酸化物若しくは酸窒化物を含む第１の誘電体膜２３と、第１の誘電体膜２３上に設けられ、かつハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、及び希土類金属のうち少なくとも１つを含む酸化物若しくは酸窒化物を含む第２の誘電体膜２４と、第２の誘電体膜２４上に設けられた電極１４とを含む。 （もっと読む）