【課題】リードの側面またはリードの下部に形成された残留樹脂の剥がれによって起こるリード同士の間のショートの発生を防ぎ、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】隣り合うリード３、ダムバー１２および封止体２によって囲まれたダム部１２ａに形成されたダム内樹脂に対し、リード３の主面側およびリード３の裏面側からそれぞれ複数回レーザ光を照射することで、リード３の側面またはリード３の下部に形成されたダム内樹脂を残さず除去する。 （もっと読む）

【課題】リードフレーム切断時のリードフレームの切りしろのダイシングテープからの脱落防止を防ぎ、ダイシングソーの破損を防ぐ。
【解決手段】リードフレーム１００は、一面に半導体素子を搭載するアイランド１０１、およびアイランド１０１の周囲に配置された複数のリード端子１０２をそれぞれ含み、マトリクス状に配置された所定数の単位フレーム１０５と、所定数の単位フレーム１０５を接続するとともにダイシングソーにより切断される領域であるタイバー１０３とを含む単位フレーム集合体１０７を含み、単位フレーム集合体１０７の外周部で、後に樹脂により封止される樹脂外縁１６０ｅよりも内側の領域であってダイシングソーにより切断される領域から離間した領域に形成され、少なくとも一面側から開口した離間開口部１１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】薬液処理による樹脂の密着性低下や剥離や変色を抑制したリードフレームを提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップを実装するために用いられるリードフレームであって、前記ＬＥＤチップを第１の面に実装して該ＬＥＤチップの第１の電極に電気的に接続されるように構成された第１のリードフレーム部と、前記ＬＥＤチップの前記第１の電極とは異なる第２の電極に電気的に接続されるように構成された第２のリードフレーム部と、を有し、前記第１のリードフレーム部及び前記第２のリードフレーム部の前記第１の面には、前記ＬＥＤチップの実装領域を取り囲むように第１の凹溝が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に接合されたヒートシンクの半導体素子とは反対側の面をモールド樹脂より露出させてなる半導体装置において、ヒートシンクの平面度の精度に関係なく、樹脂バリ防止を行う。
【解決手段】金型１００において、キャビティ１０３におけるヒートシンク１０の他面１２との接触面のうち当該他面１２の周辺部に対応する部位に、キャビティの内外を連通する第１の孔１０５および第２の孔１０６を設けるとともに、第１の孔１０５、第２の孔１０６を当該他面１２の内部側から周辺部側に向かって順次配列し、第１の孔１０５を介してキャビティ１０３へ空気を吹き込むとともに、第２の孔１０６から吹き出させることにより、キャビティ１０３内において、ヒートシンク１０の他面１２の内部側から周辺部側に向かう流体の流れを形成した状態としてモールド樹脂５０の充填を行う。 （もっと読む）

【課題】特にＨＩＣ基板のような大きな基板を用いる樹脂封止型電子装置であっても高い信頼性を確保することができ、かつ安価に製造することのできる樹脂封止型電子装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子回路を構成した基板１０が、ヒートシンク２０の上に搭載され、該ヒートシンク２０に固定されたリードフレーム３０と共にモールド樹脂４０で樹脂封止されてなる樹脂封止型電子装置１００であって、基板１０上に、ポリイミド系樹脂またはポリアミドイミド系樹脂からなるコーティング層６０ａが形成されると共に、リードフレーム３０の固定端子部３０ａが、コーティング層６０ａと同じポリイミド系樹脂またはポリアミドイミド系樹脂からなる接着層６０ｂによって、ヒートシンク２０に固定されてなる樹脂封止型電子装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】ＱＦＮ(Quad Flat Non-leaded package)の多ピン化を推進する。
【解決手段】半導体チップ２は、ダイパッド部４上に搭載された状態で封止体３の中央部に配置されている。ダイパッド部４の周囲には、ダイパッド部４および吊りリード５ｂと同一の金属からなる複数本のリード５がダイパッド部４を囲むように配置されている。これらのリード５の一端部側５ａは、Ａｕワイヤ６を介して半導体チップ２の主面のボンディングパッドと電気的に接続されており、他端部側５ｃは、封止体３の側面で終端している。リード５のそれぞれは、半導体チップ２との距離を短くするために、一端部側５ａがダイパッド部４の近傍まで引き回されており、隣接するリード５とのピッチは、一端部側５ａの方が他端部側５ｃよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、片面樹脂封止型の半導体装置において、２６０℃以上という高温環境下においても耐半田クラック性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
金属製支持体のダイパット上に熱硬化性接着剤組成物を介して半導体素子を載置する工程と、所定の加熱条件Ａにより前記接着剤組成物を硬化するとともに前記金属製支持体と前記半導体素子とを接着する工程と、前記金属製支持体のダイパットの前記半導体装置が接着された面と反対面の側を露出させた状態で、前記金属製支持体と半導体素子とを封止用樹脂組成物により封止する工程と、を有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物であって、前記熱硬化性接着剤組成物の所定の反り評価試験Ｓにおける反り量１と反り量２とが、所定の条件式１および２を満たすものである半導体装置製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＱＦＮ(Quad Flat Non-leaded package)の製造歩留まりを向上させ、多ピン化を推進する。
【解決手段】半導体チップ２を封止する樹脂封止体３を成形した後、樹脂封止体３の外縁に沿ったライン（モールドライン）よりも内側（樹脂封止体３の中心側）に位置するカットラインＣに沿って樹脂封止体３の周辺部およびリードフレームＬＦ_１を共に切断することにより、樹脂封止体３の側面（切断面）に露出するリード５の全周（上面、下面および両側面）が樹脂によって覆われた状態になるので、リード５の切断面に金属バリが発生しない。 （もっと読む）

【課題】インサート品の変形を抑制するトランスファ成形による成形法および成形品を提供する。
【解決手段】トランスファ成形による成形法は、金型５内のキャビティ５ａにおいてインサート品３を封止するトランスファ成形による成形法であって、キャビティ５ａ内でインサート品３の表面を覆うことでキャビティ５ａ内でインサート品３の表面が露出しないように第１樹脂１をキャビティ５ａ内に注入する工程と、第１樹脂１が注入された後、注入する際の粘度が第１樹脂１より高い第２樹脂２をキャビティ５ａ内に注入する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】枠材とその周囲の樹脂層との境界部に生じる応力に起因して、枠材の開口形状が歪んでしまうことを、抑制する。
【解決手段】電子装置１０８は、本体部１０１と、本体部１０１の上面に露出するように設けられた機能部（例えば、受光部１０１ｂ）と、を有する素子（例えば、受光素子１００）を有する。電子装置１０８は、更に、機能部の上面が露出するように本体部１０１上に立設されて機能部を２重以上に囲む枠材１０２と、最外周の枠材（例えば、第２枠材１０２ｂ）の周囲を埋める樹脂層（封止樹脂層１０６）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ランナー部の切断時にゲート残り量のバラツキを抑制する。
【解決手段】バタフライプレート１２とバタフライプレート１３でパッケージ材７０のランナー部２０を挟み込み、バタフライプレート１１でパッケージ材７０のダミー樹脂封止部３を所定量押さえ込む。その後、バタフライプレート１２及び１３、或いはバタフライプレート１１を可動させることにより、パッケージ材７０のランナー部２０がゲートブレークされる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程においてプラズマ処理を含む工程が行われる場合においても、耐プラズマ性が良好であり、貼り付けた粘着テープが劣化させず、糊残りを生じさせない樹脂封止用耐熱性粘着テープ及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材層と基材層上に積層された粘着剤層とを備えた粘着テープ２０であって、粘着剤層は、（メタ）アクリル酸と（メタ）アクリル酸以外のモノマー成分とに由来する構造単位を有するポリマー及びエポキシ系架橋剤を含む粘着剤によって形成されており、（メタ）アクリル酸は、モノマー成分１００重量部に対して５重量部以上含有され、エポキシ系架橋剤は、（メタ）アクリル酸に対して０．４当量以上に対応する重量部数で含有されてなる樹脂封止型半導体装置の製造における樹脂封止用耐熱性粘着テープ。 （もっと読む）

【課題】リード裏面のはんだの有無を容易に確認できる構造のモールドパッケージを簡易な製造工程で得る。
【解決手段】モールド材２４中に、金属パターン１００の一部が埋め込まれており、下面（裏面）ではこの十字型の構造が露出している。この裏面においては、横セクションバー１３を挟んだ共通リード１２の裏面の２箇所において、凹部１６が形成されている。図７（ｂ）に示されるように、上方のモールド材２４側から、凹部１６を含む領域で、ハーフカット加工を行う（モールド分離工程）。次に、図７（ｄ）に示されるように、２つのスルーホール４０（凹部１６）間を、フルカット加工する（切断工程）。切断工程後には、共通リード１２が左右に分割されてリード５０となる。このリード５０の中央には、スルーホール４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止の際の樹脂漏れを効率的に防止することができる樹脂封止用粘着テープ及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材層と該基材層上に積層された粘着剤層とを備え、これら基材層と粘着剤層との総膜厚が２５〜４０μｍである樹脂封止型半導体装置の製造における樹脂封止用粘着テープ２０及びこの粘着テープ２０を、リードフレーム１１の少なくとも一面に貼着し、前記リードフレーム１１上に半導体チップ１５を搭載し、該半導体チップ１５側を封止樹脂１７により封止し、封止後に前記粘着テープ２０を剥離する工程を含む樹脂封止型半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】外部へ信号を出力する為の出力材料を必要とする従来の半導体装置よりも小型・薄型化が可能となる半導体装置、及びこれを備える半導体モジュール、並びに半導体装置の製造方法及び半導体モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置８は、半導体チップ１とボンディングワイヤ２とを備え、半導体チップ１を封止樹脂５で封止してパッケージングされている半導体装置であって、半導体装置８の側面でボンディングワイヤ２のワイヤ断面７が露出している。ボンディングワイヤ２を外部出力端子とすることで、外部へ信号を出力する為の出力材料を介さずに、半導体チップ１から外部に信号を出力出来る。出力材料を必要としないので、出力材料を必要とする従来の半導体装置よりも小型・薄型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】リード裏面のはんだの有無を容易に確認できる構造のモールドパッケージを簡易な製造工程で得る。
【解決手段】図６（ｂ）に示されるように、共通リード１２の中心軸付近を、その長さ方向と平行にハーフカット加工を行う（裏面溝形成工程）。この工程により、裏面において共通リード１２の中心付近に裏面溝３０が形成される。次に、図６（ｄ）に示されるように、上方のモールド材２４側から、横セクションバー１３のある箇所を、横セクションバー１３と平行に、ブレード１０２を用いたハーフカット加工を行う（モールド分離工程）。この工程により、中心付近でモールド材２４が大きく除去されたモールド溝３１が形成される。次に、図６（ｆ）に示されるように、モールド溝３１の底面を、横セクションバー１３あるいはモールド溝３１と平行に、ブレード１０３でフルカット加工する（切断工程）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多孔性部材に吸着固定される電子部品をモールド射出成形する電子部品の製造装置及び電子部品の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例による電子部品の製造装置は、電子部品が装着される多孔性部材であって少なくとも１つからなり、上記電子部品が収容される内部空間が形成される上部及び下部金型と、上記上部及び下部金型の内部空間に離型フィルムを提供する離型フィルム提供部と、上記電子部品がモールド射出成形されるように上記内部空間にモールディング樹脂を提供するモールディング樹脂提供部と、を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】リードフレームを用いて製造される表面実装型半導体パッケージにおいて、リード数を容易に増加でき、かつ、製造効率向上も図ることができるようにする。
【解決手段】フレーム枠部１２、及び、その内縁から内側に延びると共にフレーム枠部１２の上面よりも上方にアップセットされた複数のリード４を備えた複数枚のリードフレーム１１を用意する。互いに異なるリードフレーム１１のリード４同士が離間するように複数枚のリードフレーム１１を重ね合わせ、一のリードフレーム１１Ａのステージ部３の上面に半導体チップ２を固定し、半導体チップ２と複数のリード４とを電気接続する。そして、半導体チップ２、ステージ部３及びリード４を樹脂モールド部５により埋設した後に、フレーム枠部１２の下面側からフレーム枠部１２を削り取ることで、複数のリード４を電気的に分断すると共に各リード４の基端部を樹脂モールド部５の下面から外方に露出させる。 （もっと読む）

【課題】センシング部を露出させるようにセンサチップの一端側をモールド樹脂で封止して、センサチップを基板に片持ち支持させたときに、モールド樹脂によってセンサチップに加わる応力を低減しつつ、センシング部における樹脂バリの発生を防止する。
【解決手段】センサチップ２０の一端側を基板１０の一面１１に支持させ、これをモールド樹脂３０によって封止し、センシング部２１が位置する他端側をモールド樹脂３０より露出させるとともに、センサチップ２０の一端側は、モールド樹脂３０による応力を緩和する応力緩和樹脂７０を介してモールド樹脂３０で封止されており、さらに、応力緩和樹脂７０のうちモールド樹脂３０の外側のはみ出し部７０ａは、樹脂成形時に金型２００に密着し金型２００から荷重を受けることで、応力緩和樹脂７０のうちモールド樹脂３０の内部に位置する部位よりも薄いものとなっている。 （もっと読む）

【課題】モールド材料の吸湿や乾燥の結果生じる半導体素子及び半導体ＩＣの特性変動及び特性バラツキを抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】モールド材料１０３によって樹脂封止される半導体素子１０４の少なくとも一部を覆う保護膜１０１の材料を、モールド材料１０３の応力を相殺する材料に特定した半導体装置１及びその製造方法である。 （もっと読む）