【課題】モールド材料の吸湿や乾燥の結果生じる半導体素子及び半導体ＩＣの特性変動及び特性バラツキを抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】モールド材料１０３によって樹脂封止される半導体素子１０４の少なくとも一部を覆う保護膜１０１の材料を、モールド材料１０３の応力を相殺する材料に特定した半導体装置１及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】小型で耐性のある高性能なＲＦＩＤタグを提供する。
【解決手段】本発明は、無線通信を行うＲＦＩＤタグであって、リードフレームで形成されたアンテナと、前記リードフレームの上に搭載された半導体デバイスと、前記半導体デバイスを覆う熱硬化性樹脂と、前記リードフレームの第１の面側から射出成形された第１の熱可塑性樹脂と、前記リードフレームの前記第１の面とは反対の第２の面側から射出成形された第２の熱可塑性樹脂とを有する。 （もっと読む）

【課題】 封止樹脂の硬化時に起こる樹脂収縮によってパッケージに発生する反りに起因して、ヒートシンクへの実装時に隙間が生じ、放熱性が低下する問題がある。本発明の目的は、このパッケージ裏面の反りが生じにくい半導体装置の製造用金型、ならびに製造方法を提供することにある。
【解決手段】 半導体装置の表面側を形成する第一の型と裏面側を形成する第二の型の二つを合わせることで形成されるキャビティの内部に、リードフレームをキャビティの厚み方向の中心から第二の型側に偏在するように挾持し、封止樹脂を注入することで半導体パッケージを形成する半導体装置製造用金型において、第二の型内面の、半導体装置の裏面を形成する面の任意の位置に、隆起部を設けたことを特徴とする。この高さは、前記裏面を形成する面とリードフレームとの間の距離並びに、樹脂の収縮率に応じて設定される。 （もっと読む）

【課題】キャビティへ良好に樹脂を流入するための樹脂封止用金型を提供する。
【解決手段】凹状に形成されるキャビティ下部８ａを有する下金型１と、下金型１に形成されて樹脂載置領域を有するポット２と、ポット２に挿通されるプランジャ３と、下金型１のうちキャビティ下部８ａとポット２の間のランナー領域４とゲート領域６の少なくとも一方に形成されるホール４ａ、６ａ内に上下動可能に挿通され、上面に凹状の異物捕捉部５ｂ、７ｂを有する少なくとも１つの摺動ピン５，７と、キャビティ下部８ａに合わさせられる凹状のキャビティ上部８ｂを有する上金型１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性のさらなる向上がなされた電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品を、半導体チップ１と、半導体チップ１に電気的に接続された２つのリードフレーム２および３と、半導体チップ１とリードフレーム２および３の接続部分を封止するモールド樹脂４と、リードフレーム２の一方に面接触される絶縁シート５と、絶縁シート５のリードフレーム面接触側とは反対側の面に積層される金属シート６で形成する。絶縁シート５とモールド樹脂４の双方の素材は、移行していない状態で保持する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で半導体装置を製造する。
【解決手段】本実施形態における半導体装置の製造方法は、主面に半導体チップが搭載され、裏面に樹脂封止用粘着テープが貼り付けられたリードフレームを樹脂封止して樹脂封止体を形成後に、樹脂封止用粘着テープ上に、ダイシング用粘着テープを重ねて貼り付けて、リードフレームを樹脂封止体側からダイシングして半導体チップごとに個片化している。この際、樹脂封止用粘着テープ上にダイシング用粘着テープが積層されているため、樹脂封止体を完全に切断しつつダイシング用粘着テープまでは完全に切断せずに残すことができる。そして、ダイシング後に、樹脂封止用粘着テープの粘着性を低下させる。これにより、リードフレームから、樹脂封止用粘着テープ及びダイシング用粘着テープを一括して剥離でき、ダイシング工程前の樹脂封止用粘着テープ剥離工程を削減できる。 （もっと読む）

【課題】モールド金型を用いた半導体装置のレジン封止工程においては、上下モールド金型の内面のキャビティ部やポット部に樹脂カスが発生する。これらのレジンバリを除去するために、通常、専用のバキューム・クリーナにより、クリーニングしている。しかし、フィラの微細化等に起因して、封止レジンの流動性が増加する傾向にあるため、プランジャ部周辺間隙へのレジン流入が増加して、通常のクリーニングでは、完全除去が不可能となる場合があることが本願発明者等によって明らかにされた。
【解決手段】本願発明は、トランスファ・モールドによるレジン封止工程を有する半導体装置の製造方法において、先行する基体にレジン封止体を形成した後、後続の基体をセットする前に、モールド金型内面をクリーニングする際に、キャビティ部とポット部が別個の吸引排気ファンまたは集塵ファンに連結して排気されるクリーニング・ヘッドを用いて実行される。 （もっと読む）

【課題】封止体を有する半導体装置の製造方法では、成型金型を有するモールド装置を用いて行われる。しかし、一般に成型金型の構造は、複雑に構成されているため、封止体を形成する工程を行った後、モールド装置から取り出した基材の表面には、レジン・バリが形成されている。レジン・バリが付着した状態で基材を次の工程に流すと、付着したレジン・バリが異物となって飛散する恐れがある。そして、異物が飛散すると、次に搬送されてきた基材に飛散した異物が付着する。これにより、半導体装置の信頼性が低下、あるいは製品不良となるため、モールド工程により形成されたレジン・バリは、できるだけ早い段階で除去することが重要であることが、本願発明者の検討により明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、半導体装置の製造方法において、レジン・モールド装置内において、レジン・バリを除去するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをダイパッドの上面に接合した状態で封止樹脂により封止した構成の半導体パッケージにおいて、ダイパッド上面に対する封止樹脂の密着性向上を図る。
【解決手段】封止樹脂に接触するダイパッド１１の上面１１ａに、粗化処理による凹凸形状が形成されると共に、酸化ケイ素粒子１７が均一に付着している半導体パッケージを提供する。なお、前記ダイパッド１１の上面１１ａにおいて前記酸化ケイ素粒子１７を分散状態で付着させてもよい。また、前記凹凸形状を前記ダイパッド１１の上面１１ａに開口する多孔質形状に形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】組立治具上にリードフレームＬＦ１、半導体チップＣＰＨ、リードフレームＬＦ２および半導体チップＣＰＬを間に半田を介して順に積層し、半田リフロー処理を行ってこれらの組立体を作製してから、この組立体をモールド用の金型ＭＤ１，ＭＤ２で挟んで封止樹脂部ＭＲを形成する。金型ＭＤ２の上面には段差が設けられ、モールド工程では、リードフレームＬＦ１よりも高い位置でリードフレームＬＦ２を金型ＭＤ１，ＭＤ２でクランプし、更に高い位置でリードフレームＬＦ３を金型ＭＤ１，ＭＤ２でクランプする。組立治具において、金型ＭＤ２の上面の段差に対応する位置に、同じ高さの段差を設ける。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑えつつリフレクター部を一体成型することができ、高放熱特性と高光利用特性を備える発光素子用リードフレーム基板の製造方法及び発光素子用リードフレーム基板並びに発光モジュールを提供する。
【解決手段】金属板２０にレジスト２１を積層するレジスト積層工程と、金属板２０にレジストパターン２２を形成するレジストパターン形成工程と、金属板２０をエッチングしてリードフレーム部４を形成するエッチング工程と、樹脂版２４をリードフレーム部４の表面６ａ、７ａ側に配設する樹脂版設置工程と、リードフレーム部４の裏面６ｂ、７ｂに充填樹脂２５を塗工する充填樹脂塗工工程と、離型フィルム２６を介して充填樹脂２５を加圧し、キャビティーＨ内に充填樹脂２５を充填してリフレクター部１６を備える樹脂部５を成型する樹脂加圧／硬化工程とを備えて、発光素子用リードフレーム基板Ｂを製造する。 （もっと読む）

【課題】片面樹脂封止型の半導体装置において、２６０℃以上という高温環境下においても半導体装置にクラック等の不具合が生じず優れた信頼性を付与することができる熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いて作製した半導体装置を提供する。
【解決手段】金属製支持体のダイパット上に熱硬化性接着剤組成物を介して半導体素子を載置する工程と、所定の加熱条件Ａにより前記接着剤組成物を硬化するとともに前記金属製支持体と前記半導体素子とを接着する工程と、前記金属製支持体のダイパットの前記半導体装置が接着された面と反対面の側を露出させた状態で、前記金属製支持体と半導体素子とを封止用樹脂組成物により封止する工程と、を有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物であって、前記熱硬化性接着剤組成物の所定の反り評価試験Ｓにおける反り量１と反り量２とが、所定の条件式１および２を満たすものである熱硬化型接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの周囲が樹脂基板で封止された構造を有する半導体装置において、樹脂基板の反りの発生を防止すること。
【解決手段】表面側に接続電極２０ａを備えた半導体チップ２０と、半導体チップ２０の周囲を封止すると共に、半導体チップ２０の背面から下側に厚みＴをもって形成されて、下面が半導体チップの背面より下側に配置された樹脂基板３０とを含む。半導体チップ２０の接続電極２０ａにはんだを介さずに配線層５０が直接接続される。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクの下面に配置されると共に樹脂部から露出させられるセラミック絶縁薄膜の剥離による絶縁不良を抑制する。
【解決手段】ヒートシンク３の端部をテーパ面３ｃとし、ヒートシンク３の上面３ａ側の端部である上端を含め、テーパ面３ｃおよびその表面に形成されたセラミック絶縁薄膜６を樹脂部７によって覆う。これにより、セラミック絶縁薄膜６と樹脂部７との界面に作用する力Ｆをテーパ面３ｃの表面に形成されたセラミック絶縁薄膜６の法線方向の力Ｆａと平行方向の力Ｆｂに分散させることができる。したがって、剥離に対する耐性を持たせることが可能となり、樹脂部７とセラミック絶縁薄膜６との界面の剥離を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来の回路装置では、樹脂パッケージに未充填領域が形成されるという問題があった。
【解決手段】本発明の回路装置では、樹脂パッケージ２の長手方向の両側面３、４から複数のリード５が導出する。樹脂パッケージ２の側面４側では、リード５がその両側に離間して配置され、その中央領域に樹脂注入用のゲート部が配置される。また、樹脂パッケージ２の表面側には、樹脂の流れ等を制御する溝１０が配置される。この構造により、樹脂注入方向の奥行きが狭くなり、回路基板１５表面側の樹脂の充填速度が調整されることで、キャビティ内の空気が排除され、樹脂パッケージ２の未充填領域の発生が防止される。 （もっと読む）

【課題】エポキシ樹脂封止材料を用いてトランスファー成形することによって半導体素子を樹脂封止する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子が接合されるリードフレームやリード線をトランスファー成形金型に固定し、このトランスファー成形金型にエポキシ樹脂封止材料をトランスファー成形機により加圧充填して硬化させることにより、半導体素子を樹脂封止するものである。半導体素子をエポキシ樹脂でトランスファーモールドする際に、まず、エポキシ樹脂を第１の金型温度及び第１の成形時間で注入し、その後、第１の金型温度よりも高い第２の金型温度及び第２の成形時間でエポキシ樹脂を硬化するものである。第１の金型温度を１５０℃の状態で第１の成形時間を２０秒間保持した後、事前に設定しておいた第２の金型温度を１７５℃に自動で昇温させて第２の成形時間を１０秒間保持した。 （もっと読む）

【課題】外部電極端子の実装面に傷や異物付着を起こさせない。
【解決手段】枠部と、枠部内のタブ１１と、枠部からタブ１１に向かって延びて先端部分でタブ１１を支持するタブ吊りリードと、枠部からタブ１１に向かって延びるリード４とを含む単位リードフレームパターンを複数配列したマトリクス型リードフレーム２５を用意し、タブ１１の一面に半導体チップ１３を固定し、半導体チップ１３の電極とリード４の内端を導電性のワイヤ１５で接続し、半導体チップ１３、ワイヤ１５、リード４の内端部分を片面モールドにて絶縁性樹脂の封止体２で覆うとともに封止体２の実装面１６にリード４やタブ吊りリードを露出させ、リード４やタブ吊りリードを切断する、半導体装置の製造方法において、片面モールド時に封止体２の外側に封止体２よりも厚い接触防止体４３を形成し、切断工程で接触防止体４３を切断除去する。 （もっと読む）

【課題】第１の基板と第２の基板とを積層してなる電子装置において、両基板が対向する部位にて、第１の基板の対向面に搭載されたパワー素子と第１の基板との電気的接続、および、第２の基板の対向面への電子部品の搭載が両立可能な小型化に適した電子装置を実現する。
【解決手段】パワー素子３０の素子面３１には、第１の基板１０との電気的接続を行う第１の導電性接合部材５０と、第２の基板２０との電気的接続を行う第２の導電性接合部材６０とが電気的に接続されており、第１の導電性接合部材５０は、一端側、他端側が素子面３１、第１の基板１０の一面１１に接続されるとともに、中間部が素子面３１よりも第２の基板２０側に突出する形状をなすものであり、第２の導電性接合部材６０は、一端側が素子面３１に接続され、他端側が第１の導電性接合部材５０の頂部５１を超えて第２の基板２０側へ延び、第２の基板２０に接続されているものである。 （もっと読む）

【課題】モールド金型のキャビティ内で硬化した樹脂封止体を破損させることなく、キャビティから取り出すことのできる技術を提供する。
【解決手段】モールド金型のキャビティ内にある樹脂封止体１２ｃを下金型３から離型するときに、まず、下型エジェクタピン５ａにより樹脂封止体１２ｃを、その厚さの、例えば１〜２割程度押し上げた後、プランジャ１４を上昇させる。次に、プランジャ１４によりカル内の樹脂封止体１２ｃを押し上げることにより樹脂封止体１２ｃの全体を斜めに押し上げて、下型エジェクタピン５ａの先端部から剥離する。 （もっと読む）

【課題】封止工程で金型内での基板の持ち上がりを防止できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】裏面１２側の無効領域に製品有効領域を囲むメッキ層２７と溝部３１、３２とが設けられたリードフレーム１０、を用意する工程と、リードフレーム１０の表面１１にＩＣ素子を搭載する工程と、下金型８１の溝部９７、９８が形成された表面８２に、リードフレーム１０の裏面１２を対向させ、溝部９７、９８の一端に溝部３１がオーバーラップし、且つ、溝部９７、９８の他端にリードフレーム１０がオーバーラップしないように、リードフレーム１０を下金型８１に配置する工程と、リードフレーム１０を覆うように上金型８３を下金型８１に重ね合わせ、下金型８１と上金型８３との間のキャビティを減圧した状態で、キャビティにモールド樹脂を注入することにより、複数の端子２１とＩＣ素子を封止する工程と、を含む。 （もっと読む）