半導体装置の製造方法
【課題】モールド金型を用いた半導体装置のレジン封止工程においては、上下モールド金型の内面のキャビティ部やポット部に樹脂カスが発生する。これらのレジンバリを除去するために、通常、専用のバキューム・クリーナにより、クリーニングしている。しかし、フィラの微細化等に起因して、封止レジンの流動性が増加する傾向にあるため、プランジャ部周辺間隙へのレジン流入が増加して、通常のクリーニングでは、完全除去が不可能となる場合があることが本願発明者等によって明らかにされた。
【解決手段】本願発明は、トランスファ・モールドによるレジン封止工程を有する半導体装置の製造方法において、先行する基体にレジン封止体を形成した後、後続の基体をセットする前に、モールド金型内面をクリーニングする際に、キャビティ部とポット部が別個の吸引排気ファンまたは集塵ファンに連結して排気されるクリーニング・ヘッドを用いて実行される。
【解決手段】本願発明は、トランスファ・モールドによるレジン封止工程を有する半導体装置の製造方法において、先行する基体にレジン封止体を形成した後、後続の基体をセットする前に、モールド金型内面をクリーニングする際に、キャビティ部とポット部が別個の吸引排気ファンまたは集塵ファンに連結して排気されるクリーニング・ヘッドを用いて実行される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造方法におけるレジン封止技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
日本特開２０００−１２５８０号公報（特許文献１）には、レジン・モールド装置内において、モールド体を金型から取り出した後、プランジャを上下動させて、付着した樹脂カスを金型上面に飛散させ、その後、クリーナがプランジャ上を移動（往復又は繰り返し）して、飛散した樹脂カスを吸引除去する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１２５８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
モールド金型を用いた半導体装置のレジン封止工程においては、上下モールド金型の内面のキャビティ部やポット部（プランジャ部、カル部）に樹脂カス（レジンバリ）が発生する。これらのレジンバリを除去するために、通常、専用のバキューム・クリーナにより、クリーニングしている。しかし、金ワイヤの細線化に伴うワイヤ流れ防止の必要性や難燃剤のハロゲン・フリー化等に対応するためフィラ（Ｆｉｌｌｅｒ）の微細化等に起因して、封止レジン（樹脂）の流動性が増加する傾向にある。その結果、プランジャ部周辺間隙へのレジン流入が増加して、通常のクリーニングでは、完全除去が不可能となる場合があることが本願発明者等によって明らかにされた。
【０００５】
レジンバリが完全に除去できないと、次の製品のモールド工程において、このバリが巻き込まれて異物となり種々の不良の原因となる。本願発明者等の検討によれば、このように完全に除去できない原因は以下のごとくである。すなわち、
（１）キャビティ部とプランジャ部を一括でクリーニングするため、プランジャを突き出さない状態でクリーナを走らせなければならず、プランジャの隙間に形成されたバリがうまくとれない。
（２）また、一つの集塵機（吸引口）に対して、広い領域を吸引するため、特にバリがこびりついたプランジャの隙間に対する吸引力が相対的に低くなる。
【０００６】
なお、対応策の一例として、前記特許文献１があるが、キャビティ部のクリーニングもしなければならず、このキャビティ部のクリーニングとの整合性が問題となる。
【０００７】
本願発明は、これらの課題を解決するためになされたものである。
【０００８】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１１】
すなわち、本願の一つの発明は、トランスファ・モールドによるレジン封止工程を有する半導体装置の製造方法において、先行する基体にレジン封止体を形成した後、後続の基体をセットする前に、モールド金型内面をクリーニングする際に、キャビティ部とポット部が別個の吸引排気ファンまたは集塵ファンに連結して排気されるクリーニング・ヘッドを用いて実行される。
【発明の効果】
【００１２】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００１３】
すなわち、トランスファ・モールドによるレジン封止工程を有する半導体装置の製造方法において、先行する基体にレジン封止体を形成した後、後続の基体をセットする前に、モールド金型内面をクリーニングする際に、キャビティ部とポット部が別個の吸引排気ファンまたは集塵ファンに連結して排気されるクリーニング・ヘッドを用いて実行されるので、ポット部に残留するレジンくずを大幅に減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の組立工程（基体がリードフレームである例）の要部の流れを示すデバイス断面プロセス・フロー図（トランスファ・モールド工程）である。
【図２】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の組立工程（基体がリードフレームである例）の要部の流れを示すデバイス断面プロセス・フロー図（レジン封止完成時点）である。
【図３】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の組立工程（基体がリードフレームである例）の要部の流れを示すデバイス断面プロセス・フロー図（製品完成時点）である。
【図４】図３に対応する半導体装置（パッケージ）の斜視図である。
【図５】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程に使用するレジン・モールド装置の上面レイアウト図である。
【図６】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程全体の流れを示すプロセス・ブロック・フロー図である。
【図７】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（先行する基体に対する封止工程後の金型オープン・ステップ）である。
【図８】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（上下金型間領域へのクリーナおよび搬出用搬送機構の侵入ステップ）である。
【図９】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（搬出用搬送機構による基体保持ステップ）である。
【図１０】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（搬出用搬送機構による基体リフト・ステップ）である。
【図１１】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（プランジャが突出した状態でのクリーナによる後退クリーニング・ステップ）である。
【図１２】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（プランジャが突出していない状態でのクリーナによる前進＆後退クリーニング・ステップ）である。
【図１３】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置の吸引排気系の基本的構成を示す吸引排気系構成図である。
【図１４】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッドにおける風速とワイヤ流れ不良率との関係を示すデータ・プロット図である。
【図１５】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッドの斜視図（見やすいように、上金型は取り除いている）である。
【図１６】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッドの斜視図（内部が見えるように図１５の外壁を一部剥ぎ取っている）である。
【図１７】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッド（基本的形態）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ非突出時）である。
【図１８】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッド（基本的形態）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ突出時）である。
【図１９】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッド（基本的形態）の正面図である。
【図２０】図１７に対応するポット部の拡大断面図である。
【図２１】図１９に対応する一変形例（シャッタ方式）のクリーニング・ヘッドの正面図（シャッタが閉じているとき）である。
【図２２】図１９に対応する一変形例（シャッタ方式）のクリーニング・ヘッドの正面図（シャッタが開いているとき）である。
【図２３】図１３に対応する一変形例（共通吸引排気ファンまたは集塵ファン方式）のクリーニング装置の吸引排気系構成図である。
【図２４】図１３に対応する他の変形例（共通吸引排気ファンまたは集塵ファン切り替え方式）のクリーニング装置の吸引排気系構成図である。
【図２５】図１５に対応する一変形例のクリーニング・ヘッドの斜視図（見やすいように、上金型は取り除いている）である。
【図２６】図１６に対応する一変形例のクリーニング・ヘッドの斜視図（内部が見えるように図１５の外壁を一部剥ぎ取っている）である。
【図２７】図１５および図１６に対応するクリーニング・ヘッド（一変形例）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ非突出時）である。
【図２８】クリーニング・ヘッド（基本的形態；図１７に対応）をＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｅ）その他のＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）の封止に適用した場合のクリーニング・ヘッド（基本的形態）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ非突出時）である。
【図２９】クリーニング・ヘッド（一変形例；図２７に対応）をＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｅ）その他のＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型パッケージの封止に適用した場合のクリーニング・ヘッド（一変形例）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ非突出時）である。
【図３０】図２８または図２９の金型によって封止したＢＧＡ型パッケージの模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
【００１６】
１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド金型を開くことによって、第１の金型内面および第２の金型内面を分離させる工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記第１の金型内面のキャビティ部およびポット部に対して、クリーニング処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、半導体チップが取り付けられた第1の基体を前記第１の金型内面および第２の金型内面間にセットする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド金型を閉じて、前記基体上の前記半導体チップを封止レジンにより封止することによって、前記基体上にレジン封止体を形成する工程、
ここで、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）前記第１の金型内面にクリーナヘッドの第１の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
更に、ここで前記クリーナヘッドは以下を含む：
（ｘ１）前記第１の先端面において、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第１の吸引口；
（ｘ２）前記第１の先端面において、前記ポット部に対応する位置に開口した第２の吸引口；
（ｘ３）前記第１の吸引口を吸引する第１の集塵ファン；
（ｘ４）前記第２の吸引口を吸引する第２の集塵ファン。
【００１７】
２．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記第２の吸引口は、前記クリーナヘッド内の隔壁により前記第１の吸引口から分離されている。
【００１８】
３．前記１または２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ５）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部および前記ポット部に対応する位置に開口した第３の吸引口。
【００１９】
４．前記１から３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、レジン封止体が形成された第２の基体を、前記クリーナヘッドと一体的に移動する基体搬送機構により保持した状態で実行される。
【００２０】
５．前記１から４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−１）前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【００２１】
６．前記１から５項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、更に以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−２）前記最下位工程（ｂ１−１）の後、前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させない状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【００２２】
７．前記１から６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記基体は、リードフレームである。
【００２３】
８．前記１から６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記基体は、有機配線基板である。
【００２４】
９．前記１から８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ６）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第３の吸引口；
（ｘ７）前記第２の先端面において、前記第２の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記ポット部に対応する位置に開口した第４の吸引口。
【００２５】
１０．前記１から９項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の外周部には、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の周囲を囲むようにリップ状の弾性体が設けられている。
【００２６】
１１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド金型を開くことによって、第１の金型内面および第２の金型内面を分離させる工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記第１の金型内面のキャビティ部およびポット部に対して、クリーニング処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、半導体チップが取り付けられた基体を前記第１の金型内面および第２の金型内面間にセットする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド金型を閉じて、前記基体上の前記半導体チップを封止レジンにより封止することによって、前記基体上にレジン封止体を形成する工程、
ここで、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）第１の金型内面にクリーナヘッドの第１の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
更に、ここで前記クリーナヘッドは以下を含む：
（ｘ１）前記第１の先端面において、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第１の吸引口；
（ｘ２）前記第１の先端面において、前記ポット部に対応する位置に開口した第２の吸引口；
（ｘ３）前記第１の吸引口に連結された第１の吸引ダクト；
（ｘ４）前記第２の吸引口に連結された第２の吸引ダクト；
（ｘ５）前記第１の吸引ダクトおよび前記第２の吸引ダクトを吸引する第１の集塵ファン、真空ソースまたは減圧ソース。
【００２７】
１２．前記１１項の半導体装置の製造方法において、前記第２の吸引口は、前記クリーナヘッド内の隔壁により前記第１の吸引口から分離されている。
【００２８】
１３．前記１１または１２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ５）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部および前記ポット部に対応する位置に開口した第３の吸引口。
【００２９】
１４．前記１１から１３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、レジン封止体が形成された第２の基体を、前記クリーナヘッドと一体的に移動する基体搬送機構により保持した状態で実行される。
【００３０】
１５．前記１１から１４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−１）前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【００３１】
１６．前記１１から１５項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−２）前記最下位工程（ｂ１−１）の後、前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させない状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【００３２】
１７．前記１１から１６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記基体は、リードフレームである。
【００３３】
１８．前記１１から１７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記基体は、有機配線基板である。
【００３４】
１９．前記１１から１８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ６）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第３の吸引口；
（ｘ７）前記第２の先端面において、前記第２の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記ポット部に対応する位置に開口した第４の吸引口。
【００３５】
２０．前記１１から１９項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の外周部には、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の周囲を囲むようにリップ状の弾性体が設けられている。
【００３６】
２１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド金型を開くことによって、第１の金型内面および第２の金型内面を分離させる工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記第１の金型内面のキャビティ部およびポット部に対して、クリーニング処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、半導体チップが取り付けられた基体を前記第１の金型内面および第２の金型内面間にセットする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド金型を閉じて、前記基体上の前記半導体チップを封止レジンにより封止することによって、前記基体上にレジン封止体を形成する工程、
ここで、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）第１の金型内面にクリーナヘッドの第１の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
更に、ここで前記クリーナヘッドは以下を含む：
（ｘ１）前記第１の先端面において、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第１の吸引口；
（ｘ２）前記第１の先端面において、前記ポット部に対応する位置に開口した第２の吸引口；
（ｘ３）前記第１の吸引口に連結された第１の吸引ダクト；
（ｘ４）前記第２の吸引口に連結された第２の吸引ダクト；
（ｘ５）前記第１の吸引ダクトまたは前記第２の吸引ダクトを吸引する第１の集塵ファン、真空ソースまたは減圧ソース；
（ｘ６）前記第１の集塵ファンまたは前記、真空ソースまたは減圧ソースが吸引するダクトを切り替える吸引ダクト切替機構。
【００３７】
２２．前記２１項の半導体装置の製造方法において、前記第２の吸引口は、前記クリーナヘッド内の隔壁により前記第１の吸引口から分離されている。
【００３８】
２３．前記２１または２２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ５）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部および前記ポット部に対応する位置に開口した第３の吸引口。
【００３９】
２４．前記２１から２３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、レジン封止体が形成された第２の基体を、前記クリーナヘッドと一体的に移動する基体搬送機構により保持した状態で実行される。
【００４０】
２５．前記２１から２４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−１）前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【００４１】
２６．前記２１から２５項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−２）前記最下位工程（ｂ１−１）の後、前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させない状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【００４２】
２７．前記２１から２６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記基体は、リードフレームである。
【００４３】
２８．前記２１から２７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記基体は、有機配線基板である。
【００４４】
２９．前記２１から２８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ６）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第３の吸引口；
（ｘ７）前記第２の先端面において、前記第２の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記ポット部に対応する位置に開口した第４の吸引口。
【００４５】
３０．前記１１から１９項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の外周部には、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の周囲を囲むようにリップ状の弾性体が設けられている。
【００４６】
〔本願における記載形式・基本的用語・用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクションに分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００４７】
更に、本願において、「半導体装置」または「半導体集積回路装置」というときは、主に、各種トランジスタ（能動素子）単体、および、それらを中心に、抵抗、コンデンサ等を半導体チップ等（たとえば単結晶シリコン基板）上に集積したものをいう。ここで、各種トランジスタの代表的なものとしては、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）に代表されるＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を例示することができる。このとき、集積回路構成の代表的なものとしては、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを組み合わせたＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型集積回路に代表されるＣＭＩＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型集積回路を例示することができる。
【００４８】
２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかに、そうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGe合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。
【００４９】
３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。
【００５０】
４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００５１】
５．「ウエハ」というときは、通常は半導体装置（半導体集積回路装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、エピタキシャルウエハ、ＳＯＩ基板、ＬＣＤガラス基板等の絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。
【００５２】
６．本願においては、金型の内面（上金型の下面と下金型の上面）を大きく二つの領域に分けている。一つは、単数又は複数のキャビティ（基板を収容するためのリセスも含む）が設けられたキャビティ部（キャビティ・ブロック領域）であり、二つ目は単数又は複数のポットやカル等が設けられたポット部（ポット・ブロック領域）である。
【００５３】
7．本願において、吸引排気機構について「吸引ダクト」とは、集塵チューブその他の吸引配管系を指す。また、「集塵ファン」とは、集塵ブロア、コンプレッサ、真空ポンプ、その他のファン等を指す。集塵といっても、それ自体に、フィルタを有するという意味ではなく、単に「集塵系用に使用できる」ものであることを意味する。なお、集塵ファンは、工場内共通減圧供給配管等の真空ソース又は減圧ソース等でもよい。
【００５４】
また、集塵フィルタの位置は、集塵ファン（真空ソース又は減圧ソース）の前が好適であるが、集塵ファンと一体または、その後に付けてもよい。なお、工場内共通減圧供給配管（真空ソース又は減圧ソース）自体に集塵フィルタを設けてもよい。
【００５５】
〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００５６】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するために、ハッチングを付すことがある。
【００５７】
１．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の組立工程（基体がリードフレームである例）の要部の流れを示すデバイス断面プロセス・フロー等の説明（主に図１から図４）
この実施の形態では基体としてリードフレームを用いたＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）型のデバイスを例にとり説明する。
【００５８】
図１は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の組立工程（基体がリードフレームである例）の要部の流れを示すデバイス断面プロセス・フロー図（トランスファ・モールド工程）である。図２は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の組立工程（基体がリードフレームである例）の要部の流れを示すデバイス断面プロセス・フロー図（レジン封止完成時点）である。図３は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の組立工程（基体がリードフレームである例）の要部の流れを示すデバイス断面プロセス・フロー図（製品完成時点）である。図４は図３に対応する半導体装置（パッケージ）の斜視図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の組立工程の要部の流れを示すデバイス断面プロセス・フローを説明する。
【００５９】
図１に示すように、たとえば、銅を主要な成分とするリードフレーム２（この基体材料は、銅系のみでなく、４２アロイ等の鉄系材料でもよい）を準備し、そのダイ・パッド３上に接着剤層５を介して、半導体チップ１をダイボンディングする。その後、半導体チップ１の表面１ａ（裏面１ｂの反対の面）上のボンディング・パッド６とリード４のインナリード部の先端との間をボンディング・ワイヤ７（たとえば、金を主要な成分とする金系ワイヤを用いるが、銀系、アルミニウム系、銅系等の各種ワイヤが使用可能である）により、ボンディング・キャピラリ等を用いたボール・ボンディング等により接続する。その後、半導体チップ１、ボンディング・ワイヤ７等を含むリードフレーム２（チップ＆リードフレーム複合体）は、金型３１のキャビティ部３２（キャビティ・ブロック領域）に設けられたキャビティ３４等に収容される。その後、上金型３１ａおよび下金型３１ｂが閉じられる。クランプ圧力は、たとえば、１８メガ・パスカル程度である。その状態で、金型３１（たとえば、摂氏１７５度程度に保持されている）のポット部３３（ポット・ブロック領域）に設けられたポット３５に収容されたレジン・タブレット３７が、熱とプランジャ３６の上昇による圧力により、流動性を有する封止レジン（レジン、樹脂）に変化し、カル３８、ランナ３９、ゲート４１を通して、キャビティ34内に充填される。その後、たとえば６メガ・パスカル程度の充填圧力が印加され、硬化反応が進行する。
【００６０】
その後、金型３１が開かれると、図２に示すような主に封止レジン（樹脂）等から成るレジン封止体（封止体）８を有するリードフレーム２が取り出される。なお、レジンモールド工程のサイクル・タイムは、通常、１５秒から３分程度である。
【００６１】
その後、ポスト・キュア（完全硬化処理）が、たとえば、バッチ処理（たおえば摂氏１７５度程度で数時間程度）で行われる。続いて、リードメッキ（半田メッキ等）が行われ、リードフレーム２の切断およびリード成形により、図３および図４に示すようになる。更に、マーキング処理、パッケージ検査、梱包の後、出荷される。
【００６２】
２．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程に使用するレジン・モールド装置およびモールド工程全体の流れ等の説明（主に図５および図６）
このセクションでは、図１及びその前後のレジン・モールと工程について、その全体の流れ及びモールド装置の基本的構成を説明する。
【００６３】
図５は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程に使用するレジン・モールド装置の上面レイアウト図である。図６は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程全体の流れを示すプロセス・ブロック・フロー図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程に使用するレジン・モールド装置およびモールド工程全体の流れを説明する。
【００６４】
図５および図６に示すように、まず、チップ＆リードフレーム複合体の状態のリードフレーム２が、レジン・モールド装置２１内のリードフレーム・ローダ２２（リードフレーム・ストッカ）に収容される（図６のロード工程１０１）。次に、リードフレーム整列部２３において、リードフレーム２が、たとえば、二個単位で整列される（図６のフレーム整列工程１０２）。一方、ほぼ同時進行的に、タブレット整列部２４では、レジン・タブレット３７が整列されている（図６のタブレット・チャージ工程１０３）。次に、搬入用搬送機構２５が整列されたリードフレーム２およびレジン・タブレット３７を保持して（図６のフレーム搬送工程１０４）、プレス部51に複数個設けられたプレス・ユニット５２に設置された下金型３１ｂの内の一つの上にセットする（図６のフレーム搬入工程１０５）。そこで、トランスファ・モールドが実行される（図６のモールド工程１０６）。次に、金型３１（図１）が開くと、クリーナおよび搬出用搬送機構２６が下金型３１ｂ上に侵入してきて、レジン封止体８が形成されたリードフレーム２を保持した状態で（図６のフレーム搬出工程１０７）、金型３１の内面のクリーニング処理を実行する（図６のクリーニング工程１０８）。次に、クリーナおよび搬出用搬送機構２６がリードフレーム２をゲート・ブレーク部２７へ移送して、そこでゲートブレークが実行される（図６のゲートブレーク工程１０９）。次に、外観検査部２８（未充填等検査部）において、外観検査（レジン未充填等検査）が実行される（図６のパッケージ未充填検査工程１１０）。次に、リードフレーム・アンローダ２９（リードフレーム・ストッカ）に収容される（図６のアンローダへ収容工程１１１）。そして、ここからレジン・モールド装置２１外に搬出される。その後、先に説明したように、バッチのアフタ・キュア（ポスト・キュア処理）が施される。
【００６５】
３．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置の説明（主に図１３から図２０）
このセクションでは、図６の金型クリーニング工程１０８に使用するクリーニング装置について説明する。
【００６６】
図１３は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置の吸引排気系の基本的構成を示す吸引排気系構成図である。図１４は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッドにおける風速とワイヤ流れ不良率との関係を示すデータ・プロット図である。図１５は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッドの斜視図（見やすいように、上金型は取り除いている）である。図１６は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッドの斜視図（内部が見えるように図１５の外壁を一部剥ぎ取っている）である。図１７は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッド（基本的形態）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ非突出時）である。図１８は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッド（基本的形態）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ突出時）である。図１９は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッド（基本的形態）の正面図である。図２０は図１７に対応するポット部の拡大断面図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置を説明する。
【００６７】
先ず、クリーニング装置の吸引排気系の基本的構成を説明する。図１３に示すように、クリーナ・ヘッド２６ｂには、吸引排気用の３個の集塵配管５４が設けられている。すなわち、主にキャビティ部３２をクリーニングするためのキャビティ部集塵配管５４ａ，５４ｂと、主にポット部３３をクリーニングするためのポット部集塵配管５４ｃである。キャビティ部集塵配管５４ａ，５４ｂには、それぞれキャビティ部集塵チューブ（ダクト）５８ａが接続され、その他端はキャビティ部集塵コンプレッサ５９ａ（吸引排気ファンまたは集塵ファン）に連結されている。なお、この吸引排気ファンまたは集塵ファン等は、工場吸引排気配管または、十分容量の大きな吸引排気用減圧又は真空ソースでもよい（以下の吸引排気ファンまたは集塵ファン等についても同じ）。キャビティ部吸引排気ファンまたは集塵ファン５９ａとキャビティ部集塵配管５４ａ，５４ｂとの間には、レジンくずを収容するためのキャビティ部集塵フィルタ５７ａが挿入されている。
【００６８】
一方、ポット部集塵配管５４ｃに接続されたポット部集塵チューブ（ダクト）５８ｃの他端には、ポット部集塵コンプレッサ５９ｂ（吸引排気ファンまたは集塵ファン）が連結されており、それらの間には、レジンくずを収容するためのポット部集塵フィルタ５７ｃが挿入されている。なお、図１４からわかるように、各吸引排気ファンまたは集塵ファン（またはブロア）のパワーは、クリーナ・ヘッド２６ｂにおける風速が３０メートル/秒程度または、それよりも高速になるように設定することが好適である。
【００６９】
次にクリーナ・ヘッド２６ｂ自体の構造を説明する。図１５（プランジャ非突出状態）に示すように、クリーナ・ヘッド２６ｂは、ほぼ直方体形状で、上下が開放されており、下端と上端は、通常では下金型３１ｂの上面および上金型３１ａの下面と１から２ミリメートル程度の微細な間隔を置いて、これらの面に平行に移動しながら吸引動作を実行するようになっている。この例では上部吸引口６２（第３の吸引口）が上部先端面６３（第２の先端面）を形成しており、下部先端面６４（第1の先端面）は、下部の開口に対応している。上部先端面６３および下部先端面６４の周辺の外壁３０には、弾性体から成るリップ状のキャビティ部リップ・ゴム６１ａが、取り巻くように設置されている。下部先端面６４の周辺の外壁３０の一部については、キャビティ部リップ・ゴム６１ａの代わりに、より幅が広く、分割され、弾性体から成るリップ状のポット部リップ・ゴム６１ｃが設置されている。このリップ・ゴム材としては、弗素ゴム（Ｆｌｕｏｒｏｅｌａｓｔｏｍｅｒ）、シリコン・ゴム（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ Ｒｕｂｂｅｒ）等が好適である。
【００７０】
次に、この内部構造等を説明する。図１６（プランジャ突出状態）に示すように、クリーナ・ヘッド２６ｂの上部には、全体が一体の上部吸引口６２がある。一方、クリーナ・ヘッド２６ｂの下部は、二つの下部キャビティ部吸引口６５ａ（第1の吸引口）と下部ポット部吸引口６５ｃ（第２の吸引口）に分かれており、クリーナ・ヘッド２６ｂの内部も、それに対応して内部隔壁６６によって二つの部分に分けられている。すなわち、上部吸引口６２および二つの下部キャビティ部吸引口６５ａを有するキャビティ部吸引室と、下部ポット部吸引口６５ｃを有するポット部吸引室である。ここで、本実施の形態におけるキャビティ部吸引室の形状（大きさ）は、図１６に示すように、一つキャビティ部吸引室が複数のキャビティ３４（本実施の形態では、二つ）を覆うような形状（大きさ）であり、他方のキャビティ部吸引室の形状もこれと同様である。一方、ポット部吸引室の形状（大きさ）は、一つのポット３５を覆うような形状（大きさ）である。すなわち、クリーナ・ヘッド２６が金型における吸引領域に差し掛かったときには、ポット部吸引室が一つのポット３５を覆っているのに対し、キャビティ部吸引室は複数のキャビティ３４を覆った状態で、金型のクリーニング工程が行われる。また、キャビティ部集塵配管５４ａ，５４ｂはキャビティ部吸引室に連結されており、ポット部集塵配管５４ｃはポット部吸引室に連結されている。
【００７１】
なお、リップ・ゴム６１ａは、内部隔壁６６の下端部にも設けられている。
【００７２】
ここで、図１６に関してクリーナ・ヘッド２６ｂの各部の寸法を一例を示すとすれば以下のごとくである。すなわち、幅１８０ミリメートル程度、奥行き２８ミリメートル程度、高さ１１５ミリメートル程度、ポット部吸引室の幅４０ミリメートル程度、キャビティ部集塵配管５４ａ，５４ｂの径３６ミリメートル程度、ポット部集塵配管の径２６ミリメートル程度である。
【００７３】
次に、クリーナ・ヘッド２６ｂの各部と金型３１（上金型３１ａ、下金型３１ｂ）の各部の関係を説明する。図１７は、プランジャ３６が非突出状態の金型内面をクリーニングしている際の金型３１（上金型３１ａ、下金型３１ｂ）およびクリーナ・ヘッド２６ｂの正断面図である。一方、図１８は、プランジャ３６が突出状態の金型内面をクリーニングしている際の金型３１（上金型３１ａ、下金型３１ｂ）およびクリーナ・ヘッド２６ｂの正断面図である。図１７および図１８に示すように、金型３１（上金型３１ａ、下金型３１ｂ）は、プレスユニット５２（図５）に取り付けられた上下一対のクランプ・プレート７４（金型駆動板）によって、サポート・ピラー７７を介して駆動されるようになっている。また、エジェクタ保持板８１に保持されたエジェクタ・ピン５３はエジェクタ・ロッド７５等の動き、エジェクタ駆動バネ７８、エジェクタピン・ストッパ８４等の働きにより駆動又は制御されている。リターン・ピン７６は、金型３１が閉じたときに、エジェクタ・ピン５３を非突出状態にするためのものである。また、上金型３１ａと下金型３１ｂの位置合わせは、位置決めピン８２と位置決め穴８３によって行われる。
【００７４】
図１８に示すように、プランジャ３６が突出状態の金型内面をクリーニングしている際には、プランジャ３６のリング状レジン溜め溝４２は、下金型３１ｂの上面より上に突出している。これは、そこに溜まったレジンかすを効率よく吸引除去するためである。
【００７５】
図１９は、クリーナ・ヘッド２６ｂの正面図である（なお、裏面も同一構造である。以下図２１、図２２において同じ）。プランジャ通過用ゲート６７（外壁切欠き部）は、プランジャ３６が突出状態の金型内面をクリーニングしている際に、プランジャ３６がスムーズにその部分を通過できるようにしたものである。
【００７６】
図２０は、図１８において突出したプランジャ３６の周辺部を拡大したものである。ここで、クリアランスＴＣの好適な寸法は、たとえば、１から２ミリメートル程度である。
【００７７】
４．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理の説明（主に図７から図１２）
このセクションでは、図６の金型クリーニング工程１０８の詳細について説明する。
【００７８】
図７は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（先行する基体に対する封止工程後の金型オープン・ステップ）である。図８は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（上下金型間領域へのクリーナおよび搬出用搬送機構の侵入ステップ）である。図９は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（搬出用搬送機構による基体保持ステップ）である。図１０は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（搬出用搬送機構による基体リフト・ステップ）である。図１１は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（プランジャが突出した状態でのクリーナによる後退クリーニング・ステップ）である。図１２は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（プランジャが突出していない状態でのクリーナによる前進＆後退クリーニング・ステップ）である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理（図６の金型クリーニング工程１０８）の各ステップについて、順に説明する。
【００７９】
図６のモールド工程１０６が終了すると、この例では、リードフレーム２の取り出し工程１０７と金型クリーニング工程１０８が同時平行して進行する（別々に進行するようにしてもよい。たとえば、リードフレーム２を搬出した後、金型クリーニングを実行するようにしてもよい）。
【００８０】
図７に示すように、先行するリードフレーム２に対する封止が完了して、金型３１（上金型３１ａと下金型３１ｂ）が開くと（それとほぼ同時にエジェクタ・ピン５３が突出する）、まず、一体のクリーナおよび搬出用搬送機構２６が上金型３１ａと下金型３１ｂの間の領域に侵入し、図８に示すように、一度、クリーナ・ヘッド２６ｂが上金型３１ａと下金型３１ｂの間の領域外に出る。クリーナおよび搬出用搬送機構２６は、クリーナ・ヘッド２６ｂとリードフレーム２の搬出搬送のための搬出用搬送機構２６ａから構成されている。搬出用搬送機構２６ａには、リードフレーム２を搬送するための搬送アーム５５が設けられている。
【００８１】
次に、クリーナ・ヘッド２６ｂが上金型３１ａと下金型３１ｂの間の領域外に出た時点で、図９に示すように、下金型３１ｂが上昇して、リードフレーム・チャック爪５６がリードフレーム２のレジン封止体８以外の部分を保持する。
【００８２】
次に、図１０に示すように、下金型３１ｂが降下するとともに、リードフレーム２がリードフレーム・チャック爪５６によって保持されてリフトされた状態になる。また、これとほぼ同時に、ポット部３３（図１）において、プランジャ３６が突出状態となる。
【００８３】
次に、図１１に示すように、クリーナおよび搬出用搬送機構２６がリードフレーム２をリフトした状態で、後退しながら上下に対して（キャビティ部３２およびポット部３３の両方に対して）吸引クリーニング（第1クリーニング・スキャン）を実行し、破線でしめすクリーナ・ヘッド２６ｂの位置まで後退する。この後、プランジャ３６が非突出状態となる。
【００８４】
次に、図１２に示すように、クリーナおよび搬出用搬送機構２６がリードフレーム２をリフトした状態で、再び、上金型３１ａと下金型３１ｂの間の領域に侵入し、プランジャ３６が非突出状態で、前進しながら上下に対して（キャビティ部３２およびポット部３３の両方に対して）吸引クリーニング（第２クリーニング・スキャン）を実行し、一点破線でしめすクリーナ・ヘッド２６ｂの位置まで前進する。その後、同じ状態で、クリーナおよび搬出用搬送機構２６がリードフレーム２をリフトした状態で、後退しながら上下に対して（キャビティ部３２およびポット部３３の両方に対して）吸引クリーニング（第３クリーニング・スキャン）を実行し、破線でしめすクリーナ・ヘッド２６ｂの位置まで後退する。第1クリーニング・スキャンを先行するのは、リング状レジン溜め溝４２のレジンかす（異物）を除去しやすくするためである。また、その後に、非突出状態でクリーニングするのは、リング状レジン溜め溝４２のレジンかすがプランジャ３６の移動（降下）により飛散するため、それらを除去する必要があるためである。
【００８５】
これでクリーニング処理１０８（図６）が完了したことになる。金型クリーニング１０８（図６）が完了すると、クリーニングが完了した下金型３１ｂ上に、新たなリードフレーム２がセットされる。そして、トランスファー・モールドが実行され、モールドが完了して、金型３１が開き、再び、図８のステップに戻り、先と同様に、図８から図１２のクリーニング・サイクルを繰り返す。
【００８６】
ここにおいて、第２クリーニング・スキャンまたは第３クリーニング・スキャンは、必ずしも必須ではない。一方または両方ともスキップしてもよいが、実行した方が、レジンかすの残存確率は減少する。また、第1クリーニング・スキャンも、必ずしも必須ではない。少なくとも、第1クリーニング・スキャンから第３クリーニング・スキャンのいずれか一つを実行すればよい。
【００８７】
また、第1クリーニング・スキャンは、通常、プランジャ３６が突出した状態で行うが、非突出状態で実施してもよい。ただし、突出状態で実施した方が、レジンかすの除去効率は高い。また、突出状態での第1クリーニング・スキャンは、毎回実施するのが有効であるが、必ずしも、毎回実施する必要はなく、一回ごと、2回ごと、または、数回に一回等、間歇的でもよい。
【００８８】
なお、処理順については、前記の例が最も好適であるが、順序を入れ替えてもよい。
【００８９】
以上のことから、キャビティ部よりも異物（レジンくず、バリ）の除去が困難であるポット部においても、本実施の形態におけるクリーナ・ヘッド２６を使用することで、このポット部に残留する異物を除去することができる。
【００９０】
また、上記したように、本実施の形態では、クリーナ・ヘッド２６に設けられた二つの吸引室（キャビティ部吸引室、ポット部吸引室）が内部隔壁６６によって分けられ、さらにこれら二つの吸引室に対して、それぞれ独立した配管（または集塵機）が設けられているため、ポットよりも多い数のキャビティが設けられた金型をクリーニングする場合においても、ポット部に残留する異物を除去することができる。
【００９１】
５．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のポット・クリーニング部の変形例の説明（主に図２１および図２２）
このセクションでは、図１９に示すプランジャ通過用ゲート６７の周辺の構造に関する変形例を説明する。
【００９２】
図２１は図１９に対応する一変形例（シャッタ方式）のクリーニング・ヘッドの正面図（シャッタが閉じているとき）である。図２２は図１９に対応する一変形例（シャッタ方式）のクリーニング・ヘッドの正面図（シャッタが開いているとき）である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のポット・クリーニング部の変形例を説明する。
【００９３】
図１９におけるような幅広のリップ・ゴム６１ｃの変わりに、この例では図２１に示すように、幅の狭いリップ・ゴム６１ｃとアクチュエータ６９によって駆動されるシャッタ板６８を図２２に示すように、上下させることで、プランジャ３６の通過をスムーズにしている。シャッタ板６８は、クリーニング・スキャン中は開状態としてもよいが（この場合は駆動制御が簡単になる）、プランジャ３６の通過時のみ開とすると吸引効率が向上する。
【００９４】
６．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置の吸引排気系の変形例の説明（主に図２３および図２４）
このセクションでは、図１３に示すレジンかす等の吸引排気系の構成に対する種々の変形例を説明する。
【００９５】
図２３は図１３に対応する一変形例（共通吸引排気ファンまたは集塵ファン方式）のクリーニング装置の吸引排気系構成図である。図２４は図１３に対応する他の変形例（共通吸引排気ファンまたは集塵ファン切り替え方式）のクリーニング装置の吸引排気系構成図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置の吸引排気系の変形例を説明する。この方式は、ブロア（吸引排気ファンまたは集塵ファン）等が少なくて済むメリットがある。
【００９６】
図２３に示すように、共通吸引排気ファン方式または集塵ファン方式では、図１３と異なり、ポット部集塵コンプレッサ５９ｃ（吸引排気ファンまたは集塵ファン）がなく、ポット部集塵チューブ（ダクト）５８ｃは合流点７３でキャビティ部集塵チューブ（ダクト）５８ａと合流している。合流点７３とポット部集塵配管５４ｃの間（合流点７３とポット部集塵フィルタ５７ｃの間が好適である）には、たとえばバタフライ・バルブ７２等のコンダクタンス調整装置が挿入されている。なお、コンダクタンス調整装置は、キャビティ部集塵チューブ（ダクト）５８ａ側に挿入してもよい。
【００９７】
一方、共通吸引排気ファン切り替え方式または集塵ファン切り替え方式では、図２４に示すように、図２３と異なり、コンダクタンス調整装置７２がなく、合流点７３の代わりに、３方切り替えバルブ７１（吸引ダクト切替機構）が設けられており、キャビティ部３２をクリーニングするときと、ポット部３３をクリーニングするときとで、切り替えて使用するようにしたものである。この方式は、クリーニング時間の点では不利であるが、ブロア（吸引排気ファンまたは集塵ファン）等が少なくて済むメリットがある。
【００９８】
７．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーナ・ヘッド部の変形例の説明（主に図２５から図２７）
このセクションでは、図１５に示すクリーニング・ヘッド構造に対する変形例を説明する。
【００９９】
図２５は図１５に対応する一変形例のクリーニング・ヘッドの斜視図（見やすいように、上金型は取り除いている）である。図２６は図１６に対応する一変形例のクリーニング・ヘッドの斜視図（内部が見えるように図１５の外壁を一部剥ぎ取っている）である。図２７は図１５および図１６に対応するクリーニング・ヘッド（一変形例）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ非突出時）である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーナ・ヘッド部の変形例（上下貫通型）を説明する。
【０１００】
図２５から図２７に示すように、内部隔壁６６がクリーナ・ヘッド２６ｂの中央部を貫通しており、下金型３１ｂのポット部３３と上金型３１ａのカル３８及びその周辺（ポット部３３）を共通の流路で吸引排気できるようになっている。すなわち、クリーナ・ヘッド２６ｂ内において、内部隔壁６６の内部は上下に上部カル吸引口６２ｃ（第４の吸引口）および下部ポット部吸引口６５ｃ（第２の吸引口）を有する単一の部屋を形成している。これにより、下金型３１ｂのポット部３３に対する吸引力は若干低下するものの、上金型３１ａのカル３８及びその周辺を強力に吸引できるメリットがある。
【０１０１】
なお、リップ・ゴム６１ａは、内部隔壁６６の上下にも設けられている。
【０１０２】
８．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の対象製品が基体として配線基板を用いた例等の説明（主に図２８から図３０）
このセクションでは、セクション１から４に示した半導体装置の製造方法に対する変形例として、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型の半導体装置（以下、ＢＧＡと呼ぶ）に適用した例を説明する。なお、ＢＧＡは、配線基板に形成されたデバイス領域ごとに封止体を形成する個片モールドタイプのＢＧＡと、複数のデバイス領域を一括して封止する（一つの封止体で複数のデバイス領域を封止する）ＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプのＢＧＡがあり、ここではＭＡＰ型のＢＧＡについて説明する。
【０１０３】
図２８はクリーニング・ヘッド（基本的形態；図１７に対応）をＢＧＡの封止に適用した場合のクリーニング・ヘッド（基本的形態）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ非突出時）である。図２９はクリーニング・ヘッド（一変形例；図２７に対応）をＢＧＡ型パッケージの封止に適用した場合のクリーニング・ヘッド（一変形例）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ非突出時）である。図３０は図２８または図２９の金型によって封止したＢＧＡ型パッケージの模式断面図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の対象製品が基体として配線基板を用いた例を説明する。
【０１０４】
ＭＡＰ方式のＢＧＡ型素子は、完成時において図３０のような断面を呈している。上半分は図３に示すＱＦＰ型素子と同じであるが、基体２は、単層又は多層有機配線基板等の配線基板９であり、外部リードの代わりに、配線基板９下に半田ボール１１（半田バンプ）が設けられている点が異なる。この種のパッケージは、一般に、以下のようにして組み立てる。まず、大きな有機配線基板９の上面に、マトリクス状に半導体チップ１をダイ・ボンディングし、各チップ１のデバイス面１ａ上のボンディング・パッド６と有機配線基板９の上面の銅ランドを、先に説明したように、金ワイヤ７等でワイヤ・ボンディングした基体チップ複合体（チップ及びワイヤ・ボンディングした基体２）を形成する。次に、この基体２を基板収納部８５（下部キャビティ部）に収容した状態で、金型３１（上金型３１ａ、下金型３１ｂ）を閉じて、トランスファ・モールドして、巨大な封止体を有する基体２を形成し、それをＸＹ方向にパッケージ・ダイシング処理して、ここの素子に分離する。
【０１０５】
図２８のクリーナ・ヘッド２６ｂは、図１５から図２０で説明したクリーナ・ヘッド２６ｂと同一形状であり、図２９のクリーナ・ヘッド２６ｂは、図２５から図２７で説明したクリーナ・ヘッド２６ｂと同一形状である。
【０１０６】
９．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１０７】
例えば、前記実施の形態においては、トランスファ・モールド装置について、主にマルチ・ポット方式の装置を用いたプロセスについて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、シングル・ポット方式の装置を用いたプロセスへも同様に適用できることは言うまでもない。なお、一方又は両方に離型フィルムを使用したトランスファ・モールド技術にも同様に適用できることは言うまでもない。
【０１０８】
また、前記実施の形態においては、リードフレームを用いた方式について、ＱＦＰ型の素子を例にとり具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その他の各種のパッケージに適用できることは言うまでもない。たとえば、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ），ＨＬＱＦＰ（Ｌｏｗ Ｐｒｏｆｉｌｅ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ ｗｉｔｈ Ｈｅａｔ−ｓｉｎｋ）等にも適用できることは言うまでもない。
【０１０９】
更に、前記実施の形態においては、有機配線基板等を用いた方式について、ＭＡＰ方式のＢＧＡ型素子を例にとり具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その以外の方式のＢＧＡ型素子等にも適用できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１１０】
１ 半導体チップ
１ａ チップの表面（デバイス面）
１ｂ チップの裏面
２ リードフレーム（基体）
３ ダイ・パッド
４ リード
５ 接着剤層
６ ボンディング・パッド
７ ボンディング・ワイヤ
８ レジン封止体
９ 配線基板（単層又は多層有機配線基板）
１１ 半田ボール（半田バンプ）
２１ レジン・モールド装置
２２ リードフレーム・ローダ
２３ リードフレーム整列部
２４ タブレット整列部
２５ 搬入用搬送機構
２６ クリーナおよび搬出用搬送機構
２６ａ 搬出用搬送機構
２６ｂ クリーナ・ヘッド
２７ ゲート・ブレーク部
２８ 外観検査部（未充填等検査部）
２９ リードフレーム・アンローダ
３０ 外壁
３１ モールド金型
３１ａ 上金型（第２の金型）
３１ｂ 下金型（第1の金型）
３２ キャビティ部（キャビティ・ブロック領域）
３３ ポット部（ポット・ブロック領域）
３４ モールド・キャビティ
３５ ポット
３６ プランジャ
３７ レジン・タブレット
３８ カル
３９ ランナ
４１ ゲート
４２ リング状レジン溜め溝
５１ プレス部
５２ プレス・ユニット
５３ エジェクタ・ピン
５４ 集塵配管
５４ａ，５４ｂ キャビティ部集塵配管
５４ｃ ポット部集塵配管
５５ 搬送アーム
５６ リードフレーム・チャック爪
５７ａ キャビティ部集塵フィルタ
５７ｃ ポット部集塵フィルタ
５８ａ キャビティ部集塵チューブ（ダクト）
５８ｃ ポット部集塵チューブ（ダクト）
５９ａ キャビティ部集塵コンプレッサ（吸引排気ファンまたは第1の集塵ファン）
５９ｃ ポット部集塵コンプレッサ（吸引排気ファンまたは第２の集塵ファン）
６１ａ キャビティ部リップ・ゴム
６１ｃ ポット部リップ・ゴム
６２、６２ａ 上部吸引口（第３の吸引口）
６２ｃ 上部カル吸引口（第４の吸引口）
６３ 上部先端面（第２の先端面）
６４ 下部先端面（第1の先端面）
６５ａ 下部キャビティ部吸引口（第1の吸引口）
６５ｃ 下部ポット部吸引口（第２の吸引口）
６６ 内部隔壁
６７ プランジャ通過用ゲート（外壁切欠き部）
６８ シャッタ板
６９ アクチュエータ
７１ ３方切り替えバルブ（吸引ダクト切替機構）
７２ バタフライ・バルブ（コンダクタンス調整装置）
７３ 合流点
７４ クランプ・プレート（金型駆動板）
７５ エジェクタ・ロッド
７６ リターン・ピン
７７ サポート・ピラー
７８ エジェクタ駆動バネ
７９ エジェクタ駆動板
８１ エジェクタ保持板
８２ 位置決めピン
８３ 位置決め穴
８４ エジェクタピン・ストッパ
８５ 基板収納部（下部キャビティ部）
１０１ リードフレーム導入
１０２ フレーム整列
１０３ タブレット・チャージ
１０４ リードフレームおよびタブレット搬送準備
１０５ リードフレームおよびタブレット搬送
１０６ レジン・モールド
１０７ リードフレーム取り出し
１０８ 金型クリーニング
１０９ ゲート・ブレーク
１１０ 外観検査
１１１ アンローダへ収納
ＴＣ クリアランス
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造方法におけるレジン封止技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
日本特開２０００−１２５８０号公報（特許文献１）には、レジン・モールド装置内において、モールド体を金型から取り出した後、プランジャを上下動させて、付着した樹脂カスを金型上面に飛散させ、その後、クリーナがプランジャ上を移動（往復又は繰り返し）して、飛散した樹脂カスを吸引除去する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１２５８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
モールド金型を用いた半導体装置のレジン封止工程においては、上下モールド金型の内面のキャビティ部やポット部（プランジャ部、カル部）に樹脂カス（レジンバリ）が発生する。これらのレジンバリを除去するために、通常、専用のバキューム・クリーナにより、クリーニングしている。しかし、金ワイヤの細線化に伴うワイヤ流れ防止の必要性や難燃剤のハロゲン・フリー化等に対応するためフィラ（Ｆｉｌｌｅｒ）の微細化等に起因して、封止レジン（樹脂）の流動性が増加する傾向にある。その結果、プランジャ部周辺間隙へのレジン流入が増加して、通常のクリーニングでは、完全除去が不可能となる場合があることが本願発明者等によって明らかにされた。
【０００５】
レジンバリが完全に除去できないと、次の製品のモールド工程において、このバリが巻き込まれて異物となり種々の不良の原因となる。本願発明者等の検討によれば、このように完全に除去できない原因は以下のごとくである。すなわち、
（１）キャビティ部とプランジャ部を一括でクリーニングするため、プランジャを突き出さない状態でクリーナを走らせなければならず、プランジャの隙間に形成されたバリがうまくとれない。
（２）また、一つの集塵機（吸引口）に対して、広い領域を吸引するため、特にバリがこびりついたプランジャの隙間に対する吸引力が相対的に低くなる。
【０００６】
なお、対応策の一例として、前記特許文献１があるが、キャビティ部のクリーニングもしなければならず、このキャビティ部のクリーニングとの整合性が問題となる。
【０００７】
本願発明は、これらの課題を解決するためになされたものである。
【０００８】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１１】
すなわち、本願の一つの発明は、トランスファ・モールドによるレジン封止工程を有する半導体装置の製造方法において、先行する基体にレジン封止体を形成した後、後続の基体をセットする前に、モールド金型内面をクリーニングする際に、キャビティ部とポット部が別個の吸引排気ファンまたは集塵ファンに連結して排気されるクリーニング・ヘッドを用いて実行される。
【発明の効果】
【００１２】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００１３】
すなわち、トランスファ・モールドによるレジン封止工程を有する半導体装置の製造方法において、先行する基体にレジン封止体を形成した後、後続の基体をセットする前に、モールド金型内面をクリーニングする際に、キャビティ部とポット部が別個の吸引排気ファンまたは集塵ファンに連結して排気されるクリーニング・ヘッドを用いて実行されるので、ポット部に残留するレジンくずを大幅に減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の組立工程（基体がリードフレームである例）の要部の流れを示すデバイス断面プロセス・フロー図（トランスファ・モールド工程）である。
【図２】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の組立工程（基体がリードフレームである例）の要部の流れを示すデバイス断面プロセス・フロー図（レジン封止完成時点）である。
【図３】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の組立工程（基体がリードフレームである例）の要部の流れを示すデバイス断面プロセス・フロー図（製品完成時点）である。
【図４】図３に対応する半導体装置（パッケージ）の斜視図である。
【図５】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程に使用するレジン・モールド装置の上面レイアウト図である。
【図６】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程全体の流れを示すプロセス・ブロック・フロー図である。
【図７】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（先行する基体に対する封止工程後の金型オープン・ステップ）である。
【図８】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（上下金型間領域へのクリーナおよび搬出用搬送機構の侵入ステップ）である。
【図９】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（搬出用搬送機構による基体保持ステップ）である。
【図１０】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（搬出用搬送機構による基体リフト・ステップ）である。
【図１１】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（プランジャが突出した状態でのクリーナによる後退クリーニング・ステップ）である。
【図１２】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（プランジャが突出していない状態でのクリーナによる前進＆後退クリーニング・ステップ）である。
【図１３】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置の吸引排気系の基本的構成を示す吸引排気系構成図である。
【図１４】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッドにおける風速とワイヤ流れ不良率との関係を示すデータ・プロット図である。
【図１５】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッドの斜視図（見やすいように、上金型は取り除いている）である。
【図１６】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッドの斜視図（内部が見えるように図１５の外壁を一部剥ぎ取っている）である。
【図１７】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッド（基本的形態）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ非突出時）である。
【図１８】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッド（基本的形態）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ突出時）である。
【図１９】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッド（基本的形態）の正面図である。
【図２０】図１７に対応するポット部の拡大断面図である。
【図２１】図１９に対応する一変形例（シャッタ方式）のクリーニング・ヘッドの正面図（シャッタが閉じているとき）である。
【図２２】図１９に対応する一変形例（シャッタ方式）のクリーニング・ヘッドの正面図（シャッタが開いているとき）である。
【図２３】図１３に対応する一変形例（共通吸引排気ファンまたは集塵ファン方式）のクリーニング装置の吸引排気系構成図である。
【図２４】図１３に対応する他の変形例（共通吸引排気ファンまたは集塵ファン切り替え方式）のクリーニング装置の吸引排気系構成図である。
【図２５】図１５に対応する一変形例のクリーニング・ヘッドの斜視図（見やすいように、上金型は取り除いている）である。
【図２６】図１６に対応する一変形例のクリーニング・ヘッドの斜視図（内部が見えるように図１５の外壁を一部剥ぎ取っている）である。
【図２７】図１５および図１６に対応するクリーニング・ヘッド（一変形例）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ非突出時）である。
【図２８】クリーニング・ヘッド（基本的形態；図１７に対応）をＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｅ）その他のＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）の封止に適用した場合のクリーニング・ヘッド（基本的形態）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ非突出時）である。
【図２９】クリーニング・ヘッド（一変形例；図２７に対応）をＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｅ）その他のＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型パッケージの封止に適用した場合のクリーニング・ヘッド（一変形例）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ非突出時）である。
【図３０】図２８または図２９の金型によって封止したＢＧＡ型パッケージの模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
【００１６】
１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド金型を開くことによって、第１の金型内面および第２の金型内面を分離させる工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記第１の金型内面のキャビティ部およびポット部に対して、クリーニング処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、半導体チップが取り付けられた第1の基体を前記第１の金型内面および第２の金型内面間にセットする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド金型を閉じて、前記基体上の前記半導体チップを封止レジンにより封止することによって、前記基体上にレジン封止体を形成する工程、
ここで、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）前記第１の金型内面にクリーナヘッドの第１の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
更に、ここで前記クリーナヘッドは以下を含む：
（ｘ１）前記第１の先端面において、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第１の吸引口；
（ｘ２）前記第１の先端面において、前記ポット部に対応する位置に開口した第２の吸引口；
（ｘ３）前記第１の吸引口を吸引する第１の集塵ファン；
（ｘ４）前記第２の吸引口を吸引する第２の集塵ファン。
【００１７】
２．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記第２の吸引口は、前記クリーナヘッド内の隔壁により前記第１の吸引口から分離されている。
【００１８】
３．前記１または２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ５）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部および前記ポット部に対応する位置に開口した第３の吸引口。
【００１９】
４．前記１から３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、レジン封止体が形成された第２の基体を、前記クリーナヘッドと一体的に移動する基体搬送機構により保持した状態で実行される。
【００２０】
５．前記１から４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−１）前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【００２１】
６．前記１から５項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、更に以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−２）前記最下位工程（ｂ１−１）の後、前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させない状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【００２２】
７．前記１から６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記基体は、リードフレームである。
【００２３】
８．前記１から６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記基体は、有機配線基板である。
【００２４】
９．前記１から８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ６）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第３の吸引口；
（ｘ７）前記第２の先端面において、前記第２の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記ポット部に対応する位置に開口した第４の吸引口。
【００２５】
１０．前記１から９項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の外周部には、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の周囲を囲むようにリップ状の弾性体が設けられている。
【００２６】
１１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド金型を開くことによって、第１の金型内面および第２の金型内面を分離させる工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記第１の金型内面のキャビティ部およびポット部に対して、クリーニング処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、半導体チップが取り付けられた基体を前記第１の金型内面および第２の金型内面間にセットする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド金型を閉じて、前記基体上の前記半導体チップを封止レジンにより封止することによって、前記基体上にレジン封止体を形成する工程、
ここで、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）第１の金型内面にクリーナヘッドの第１の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
更に、ここで前記クリーナヘッドは以下を含む：
（ｘ１）前記第１の先端面において、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第１の吸引口；
（ｘ２）前記第１の先端面において、前記ポット部に対応する位置に開口した第２の吸引口；
（ｘ３）前記第１の吸引口に連結された第１の吸引ダクト；
（ｘ４）前記第２の吸引口に連結された第２の吸引ダクト；
（ｘ５）前記第１の吸引ダクトおよび前記第２の吸引ダクトを吸引する第１の集塵ファン、真空ソースまたは減圧ソース。
【００２７】
１２．前記１１項の半導体装置の製造方法において、前記第２の吸引口は、前記クリーナヘッド内の隔壁により前記第１の吸引口から分離されている。
【００２８】
１３．前記１１または１２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ５）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部および前記ポット部に対応する位置に開口した第３の吸引口。
【００２９】
１４．前記１１から１３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、レジン封止体が形成された第２の基体を、前記クリーナヘッドと一体的に移動する基体搬送機構により保持した状態で実行される。
【００３０】
１５．前記１１から１４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−１）前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【００３１】
１６．前記１１から１５項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−２）前記最下位工程（ｂ１−１）の後、前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させない状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【００３２】
１７．前記１１から１６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記基体は、リードフレームである。
【００３３】
１８．前記１１から１７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記基体は、有機配線基板である。
【００３４】
１９．前記１１から１８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ６）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第３の吸引口；
（ｘ７）前記第２の先端面において、前記第２の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記ポット部に対応する位置に開口した第４の吸引口。
【００３５】
２０．前記１１から１９項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の外周部には、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の周囲を囲むようにリップ状の弾性体が設けられている。
【００３６】
２１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド金型を開くことによって、第１の金型内面および第２の金型内面を分離させる工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記第１の金型内面のキャビティ部およびポット部に対して、クリーニング処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、半導体チップが取り付けられた基体を前記第１の金型内面および第２の金型内面間にセットする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド金型を閉じて、前記基体上の前記半導体チップを封止レジンにより封止することによって、前記基体上にレジン封止体を形成する工程、
ここで、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）第１の金型内面にクリーナヘッドの第１の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
更に、ここで前記クリーナヘッドは以下を含む：
（ｘ１）前記第１の先端面において、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第１の吸引口；
（ｘ２）前記第１の先端面において、前記ポット部に対応する位置に開口した第２の吸引口；
（ｘ３）前記第１の吸引口に連結された第１の吸引ダクト；
（ｘ４）前記第２の吸引口に連結された第２の吸引ダクト；
（ｘ５）前記第１の吸引ダクトまたは前記第２の吸引ダクトを吸引する第１の集塵ファン、真空ソースまたは減圧ソース；
（ｘ６）前記第１の集塵ファンまたは前記、真空ソースまたは減圧ソースが吸引するダクトを切り替える吸引ダクト切替機構。
【００３７】
２２．前記２１項の半導体装置の製造方法において、前記第２の吸引口は、前記クリーナヘッド内の隔壁により前記第１の吸引口から分離されている。
【００３８】
２３．前記２１または２２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ５）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部および前記ポット部に対応する位置に開口した第３の吸引口。
【００３９】
２４．前記２１から２３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、レジン封止体が形成された第２の基体を、前記クリーナヘッドと一体的に移動する基体搬送機構により保持した状態で実行される。
【００４０】
２５．前記２１から２４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−１）前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【００４１】
２６．前記２１から２５項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−２）前記最下位工程（ｂ１−１）の後、前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させない状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【００４２】
２７．前記２１から２６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記基体は、リードフレームである。
【００４３】
２８．前記２１から２７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記基体は、有機配線基板である。
【００４４】
２９．前記２１から２８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ６）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第３の吸引口；
（ｘ７）前記第２の先端面において、前記第２の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記ポット部に対応する位置に開口した第４の吸引口。
【００４５】
３０．前記１１から１９項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の外周部には、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の周囲を囲むようにリップ状の弾性体が設けられている。
【００４６】
〔本願における記載形式・基本的用語・用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクションに分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００４７】
更に、本願において、「半導体装置」または「半導体集積回路装置」というときは、主に、各種トランジスタ（能動素子）単体、および、それらを中心に、抵抗、コンデンサ等を半導体チップ等（たとえば単結晶シリコン基板）上に集積したものをいう。ここで、各種トランジスタの代表的なものとしては、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）に代表されるＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を例示することができる。このとき、集積回路構成の代表的なものとしては、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを組み合わせたＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型集積回路に代表されるＣＭＩＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型集積回路を例示することができる。
【００４８】
２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかに、そうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGe合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。
【００４９】
３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。
【００５０】
４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００５１】
５．「ウエハ」というときは、通常は半導体装置（半導体集積回路装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、エピタキシャルウエハ、ＳＯＩ基板、ＬＣＤガラス基板等の絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。
【００５２】
６．本願においては、金型の内面（上金型の下面と下金型の上面）を大きく二つの領域に分けている。一つは、単数又は複数のキャビティ（基板を収容するためのリセスも含む）が設けられたキャビティ部（キャビティ・ブロック領域）であり、二つ目は単数又は複数のポットやカル等が設けられたポット部（ポット・ブロック領域）である。
【００５３】
7．本願において、吸引排気機構について「吸引ダクト」とは、集塵チューブその他の吸引配管系を指す。また、「集塵ファン」とは、集塵ブロア、コンプレッサ、真空ポンプ、その他のファン等を指す。集塵といっても、それ自体に、フィルタを有するという意味ではなく、単に「集塵系用に使用できる」ものであることを意味する。なお、集塵ファンは、工場内共通減圧供給配管等の真空ソース又は減圧ソース等でもよい。
【００５４】
また、集塵フィルタの位置は、集塵ファン（真空ソース又は減圧ソース）の前が好適であるが、集塵ファンと一体または、その後に付けてもよい。なお、工場内共通減圧供給配管（真空ソース又は減圧ソース）自体に集塵フィルタを設けてもよい。
【００５５】
〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００５６】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するために、ハッチングを付すことがある。
【００５７】
１．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の組立工程（基体がリードフレームである例）の要部の流れを示すデバイス断面プロセス・フロー等の説明（主に図１から図４）
この実施の形態では基体としてリードフレームを用いたＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）型のデバイスを例にとり説明する。
【００５８】
図１は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の組立工程（基体がリードフレームである例）の要部の流れを示すデバイス断面プロセス・フロー図（トランスファ・モールド工程）である。図２は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の組立工程（基体がリードフレームである例）の要部の流れを示すデバイス断面プロセス・フロー図（レジン封止完成時点）である。図３は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の組立工程（基体がリードフレームである例）の要部の流れを示すデバイス断面プロセス・フロー図（製品完成時点）である。図４は図３に対応する半導体装置（パッケージ）の斜視図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の組立工程の要部の流れを示すデバイス断面プロセス・フローを説明する。
【００５９】
図１に示すように、たとえば、銅を主要な成分とするリードフレーム２（この基体材料は、銅系のみでなく、４２アロイ等の鉄系材料でもよい）を準備し、そのダイ・パッド３上に接着剤層５を介して、半導体チップ１をダイボンディングする。その後、半導体チップ１の表面１ａ（裏面１ｂの反対の面）上のボンディング・パッド６とリード４のインナリード部の先端との間をボンディング・ワイヤ７（たとえば、金を主要な成分とする金系ワイヤを用いるが、銀系、アルミニウム系、銅系等の各種ワイヤが使用可能である）により、ボンディング・キャピラリ等を用いたボール・ボンディング等により接続する。その後、半導体チップ１、ボンディング・ワイヤ７等を含むリードフレーム２（チップ＆リードフレーム複合体）は、金型３１のキャビティ部３２（キャビティ・ブロック領域）に設けられたキャビティ３４等に収容される。その後、上金型３１ａおよび下金型３１ｂが閉じられる。クランプ圧力は、たとえば、１８メガ・パスカル程度である。その状態で、金型３１（たとえば、摂氏１７５度程度に保持されている）のポット部３３（ポット・ブロック領域）に設けられたポット３５に収容されたレジン・タブレット３７が、熱とプランジャ３６の上昇による圧力により、流動性を有する封止レジン（レジン、樹脂）に変化し、カル３８、ランナ３９、ゲート４１を通して、キャビティ34内に充填される。その後、たとえば６メガ・パスカル程度の充填圧力が印加され、硬化反応が進行する。
【００６０】
その後、金型３１が開かれると、図２に示すような主に封止レジン（樹脂）等から成るレジン封止体（封止体）８を有するリードフレーム２が取り出される。なお、レジンモールド工程のサイクル・タイムは、通常、１５秒から３分程度である。
【００６１】
その後、ポスト・キュア（完全硬化処理）が、たとえば、バッチ処理（たおえば摂氏１７５度程度で数時間程度）で行われる。続いて、リードメッキ（半田メッキ等）が行われ、リードフレーム２の切断およびリード成形により、図３および図４に示すようになる。更に、マーキング処理、パッケージ検査、梱包の後、出荷される。
【００６２】
２．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程に使用するレジン・モールド装置およびモールド工程全体の流れ等の説明（主に図５および図６）
このセクションでは、図１及びその前後のレジン・モールと工程について、その全体の流れ及びモールド装置の基本的構成を説明する。
【００６３】
図５は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程に使用するレジン・モールド装置の上面レイアウト図である。図６は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程全体の流れを示すプロセス・ブロック・フロー図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程に使用するレジン・モールド装置およびモールド工程全体の流れを説明する。
【００６４】
図５および図６に示すように、まず、チップ＆リードフレーム複合体の状態のリードフレーム２が、レジン・モールド装置２１内のリードフレーム・ローダ２２（リードフレーム・ストッカ）に収容される（図６のロード工程１０１）。次に、リードフレーム整列部２３において、リードフレーム２が、たとえば、二個単位で整列される（図６のフレーム整列工程１０２）。一方、ほぼ同時進行的に、タブレット整列部２４では、レジン・タブレット３７が整列されている（図６のタブレット・チャージ工程１０３）。次に、搬入用搬送機構２５が整列されたリードフレーム２およびレジン・タブレット３７を保持して（図６のフレーム搬送工程１０４）、プレス部51に複数個設けられたプレス・ユニット５２に設置された下金型３１ｂの内の一つの上にセットする（図６のフレーム搬入工程１０５）。そこで、トランスファ・モールドが実行される（図６のモールド工程１０６）。次に、金型３１（図１）が開くと、クリーナおよび搬出用搬送機構２６が下金型３１ｂ上に侵入してきて、レジン封止体８が形成されたリードフレーム２を保持した状態で（図６のフレーム搬出工程１０７）、金型３１の内面のクリーニング処理を実行する（図６のクリーニング工程１０８）。次に、クリーナおよび搬出用搬送機構２６がリードフレーム２をゲート・ブレーク部２７へ移送して、そこでゲートブレークが実行される（図６のゲートブレーク工程１０９）。次に、外観検査部２８（未充填等検査部）において、外観検査（レジン未充填等検査）が実行される（図６のパッケージ未充填検査工程１１０）。次に、リードフレーム・アンローダ２９（リードフレーム・ストッカ）に収容される（図６のアンローダへ収容工程１１１）。そして、ここからレジン・モールド装置２１外に搬出される。その後、先に説明したように、バッチのアフタ・キュア（ポスト・キュア処理）が施される。
【００６５】
３．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置の説明（主に図１３から図２０）
このセクションでは、図６の金型クリーニング工程１０８に使用するクリーニング装置について説明する。
【００６６】
図１３は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置の吸引排気系の基本的構成を示す吸引排気系構成図である。図１４は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッドにおける風速とワイヤ流れ不良率との関係を示すデータ・プロット図である。図１５は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッドの斜視図（見やすいように、上金型は取り除いている）である。図１６は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッドの斜視図（内部が見えるように図１５の外壁を一部剥ぎ取っている）である。図１７は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッド（基本的形態）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ非突出時）である。図１８は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッド（基本的形態）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ突出時）である。図１９は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーニング・ヘッド（基本的形態）の正面図である。図２０は図１７に対応するポット部の拡大断面図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置を説明する。
【００６７】
先ず、クリーニング装置の吸引排気系の基本的構成を説明する。図１３に示すように、クリーナ・ヘッド２６ｂには、吸引排気用の３個の集塵配管５４が設けられている。すなわち、主にキャビティ部３２をクリーニングするためのキャビティ部集塵配管５４ａ，５４ｂと、主にポット部３３をクリーニングするためのポット部集塵配管５４ｃである。キャビティ部集塵配管５４ａ，５４ｂには、それぞれキャビティ部集塵チューブ（ダクト）５８ａが接続され、その他端はキャビティ部集塵コンプレッサ５９ａ（吸引排気ファンまたは集塵ファン）に連結されている。なお、この吸引排気ファンまたは集塵ファン等は、工場吸引排気配管または、十分容量の大きな吸引排気用減圧又は真空ソースでもよい（以下の吸引排気ファンまたは集塵ファン等についても同じ）。キャビティ部吸引排気ファンまたは集塵ファン５９ａとキャビティ部集塵配管５４ａ，５４ｂとの間には、レジンくずを収容するためのキャビティ部集塵フィルタ５７ａが挿入されている。
【００６８】
一方、ポット部集塵配管５４ｃに接続されたポット部集塵チューブ（ダクト）５８ｃの他端には、ポット部集塵コンプレッサ５９ｂ（吸引排気ファンまたは集塵ファン）が連結されており、それらの間には、レジンくずを収容するためのポット部集塵フィルタ５７ｃが挿入されている。なお、図１４からわかるように、各吸引排気ファンまたは集塵ファン（またはブロア）のパワーは、クリーナ・ヘッド２６ｂにおける風速が３０メートル/秒程度または、それよりも高速になるように設定することが好適である。
【００６９】
次にクリーナ・ヘッド２６ｂ自体の構造を説明する。図１５（プランジャ非突出状態）に示すように、クリーナ・ヘッド２６ｂは、ほぼ直方体形状で、上下が開放されており、下端と上端は、通常では下金型３１ｂの上面および上金型３１ａの下面と１から２ミリメートル程度の微細な間隔を置いて、これらの面に平行に移動しながら吸引動作を実行するようになっている。この例では上部吸引口６２（第３の吸引口）が上部先端面６３（第２の先端面）を形成しており、下部先端面６４（第1の先端面）は、下部の開口に対応している。上部先端面６３および下部先端面６４の周辺の外壁３０には、弾性体から成るリップ状のキャビティ部リップ・ゴム６１ａが、取り巻くように設置されている。下部先端面６４の周辺の外壁３０の一部については、キャビティ部リップ・ゴム６１ａの代わりに、より幅が広く、分割され、弾性体から成るリップ状のポット部リップ・ゴム６１ｃが設置されている。このリップ・ゴム材としては、弗素ゴム（Ｆｌｕｏｒｏｅｌａｓｔｏｍｅｒ）、シリコン・ゴム（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ Ｒｕｂｂｅｒ）等が好適である。
【００７０】
次に、この内部構造等を説明する。図１６（プランジャ突出状態）に示すように、クリーナ・ヘッド２６ｂの上部には、全体が一体の上部吸引口６２がある。一方、クリーナ・ヘッド２６ｂの下部は、二つの下部キャビティ部吸引口６５ａ（第1の吸引口）と下部ポット部吸引口６５ｃ（第２の吸引口）に分かれており、クリーナ・ヘッド２６ｂの内部も、それに対応して内部隔壁６６によって二つの部分に分けられている。すなわち、上部吸引口６２および二つの下部キャビティ部吸引口６５ａを有するキャビティ部吸引室と、下部ポット部吸引口６５ｃを有するポット部吸引室である。ここで、本実施の形態におけるキャビティ部吸引室の形状（大きさ）は、図１６に示すように、一つキャビティ部吸引室が複数のキャビティ３４（本実施の形態では、二つ）を覆うような形状（大きさ）であり、他方のキャビティ部吸引室の形状もこれと同様である。一方、ポット部吸引室の形状（大きさ）は、一つのポット３５を覆うような形状（大きさ）である。すなわち、クリーナ・ヘッド２６が金型における吸引領域に差し掛かったときには、ポット部吸引室が一つのポット３５を覆っているのに対し、キャビティ部吸引室は複数のキャビティ３４を覆った状態で、金型のクリーニング工程が行われる。また、キャビティ部集塵配管５４ａ，５４ｂはキャビティ部吸引室に連結されており、ポット部集塵配管５４ｃはポット部吸引室に連結されている。
【００７１】
なお、リップ・ゴム６１ａは、内部隔壁６６の下端部にも設けられている。
【００７２】
ここで、図１６に関してクリーナ・ヘッド２６ｂの各部の寸法を一例を示すとすれば以下のごとくである。すなわち、幅１８０ミリメートル程度、奥行き２８ミリメートル程度、高さ１１５ミリメートル程度、ポット部吸引室の幅４０ミリメートル程度、キャビティ部集塵配管５４ａ，５４ｂの径３６ミリメートル程度、ポット部集塵配管の径２６ミリメートル程度である。
【００７３】
次に、クリーナ・ヘッド２６ｂの各部と金型３１（上金型３１ａ、下金型３１ｂ）の各部の関係を説明する。図１７は、プランジャ３６が非突出状態の金型内面をクリーニングしている際の金型３１（上金型３１ａ、下金型３１ｂ）およびクリーナ・ヘッド２６ｂの正断面図である。一方、図１８は、プランジャ３６が突出状態の金型内面をクリーニングしている際の金型３１（上金型３１ａ、下金型３１ｂ）およびクリーナ・ヘッド２６ｂの正断面図である。図１７および図１８に示すように、金型３１（上金型３１ａ、下金型３１ｂ）は、プレスユニット５２（図５）に取り付けられた上下一対のクランプ・プレート７４（金型駆動板）によって、サポート・ピラー７７を介して駆動されるようになっている。また、エジェクタ保持板８１に保持されたエジェクタ・ピン５３はエジェクタ・ロッド７５等の動き、エジェクタ駆動バネ７８、エジェクタピン・ストッパ８４等の働きにより駆動又は制御されている。リターン・ピン７６は、金型３１が閉じたときに、エジェクタ・ピン５３を非突出状態にするためのものである。また、上金型３１ａと下金型３１ｂの位置合わせは、位置決めピン８２と位置決め穴８３によって行われる。
【００７４】
図１８に示すように、プランジャ３６が突出状態の金型内面をクリーニングしている際には、プランジャ３６のリング状レジン溜め溝４２は、下金型３１ｂの上面より上に突出している。これは、そこに溜まったレジンかすを効率よく吸引除去するためである。
【００７５】
図１９は、クリーナ・ヘッド２６ｂの正面図である（なお、裏面も同一構造である。以下図２１、図２２において同じ）。プランジャ通過用ゲート６７（外壁切欠き部）は、プランジャ３６が突出状態の金型内面をクリーニングしている際に、プランジャ３６がスムーズにその部分を通過できるようにしたものである。
【００７６】
図２０は、図１８において突出したプランジャ３６の周辺部を拡大したものである。ここで、クリアランスＴＣの好適な寸法は、たとえば、１から２ミリメートル程度である。
【００７７】
４．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理の説明（主に図７から図１２）
このセクションでは、図６の金型クリーニング工程１０８の詳細について説明する。
【００７８】
図７は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（先行する基体に対する封止工程後の金型オープン・ステップ）である。図８は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（上下金型間領域へのクリーナおよび搬出用搬送機構の侵入ステップ）である。図９は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（搬出用搬送機構による基体保持ステップ）である。図１０は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（搬出用搬送機構による基体リフト・ステップ）である。図１１は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（プランジャが突出した状態でのクリーナによる後退クリーニング・ステップ）である。図１２は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理における装置断面プロセス・フロー図（プランジャが突出していない状態でのクリーナによる前進＆後退クリーニング・ステップ）である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程におけるクリーニング処理（図６の金型クリーニング工程１０８）の各ステップについて、順に説明する。
【００７９】
図６のモールド工程１０６が終了すると、この例では、リードフレーム２の取り出し工程１０７と金型クリーニング工程１０８が同時平行して進行する（別々に進行するようにしてもよい。たとえば、リードフレーム２を搬出した後、金型クリーニングを実行するようにしてもよい）。
【００８０】
図７に示すように、先行するリードフレーム２に対する封止が完了して、金型３１（上金型３１ａと下金型３１ｂ）が開くと（それとほぼ同時にエジェクタ・ピン５３が突出する）、まず、一体のクリーナおよび搬出用搬送機構２６が上金型３１ａと下金型３１ｂの間の領域に侵入し、図８に示すように、一度、クリーナ・ヘッド２６ｂが上金型３１ａと下金型３１ｂの間の領域外に出る。クリーナおよび搬出用搬送機構２６は、クリーナ・ヘッド２６ｂとリードフレーム２の搬出搬送のための搬出用搬送機構２６ａから構成されている。搬出用搬送機構２６ａには、リードフレーム２を搬送するための搬送アーム５５が設けられている。
【００８１】
次に、クリーナ・ヘッド２６ｂが上金型３１ａと下金型３１ｂの間の領域外に出た時点で、図９に示すように、下金型３１ｂが上昇して、リードフレーム・チャック爪５６がリードフレーム２のレジン封止体８以外の部分を保持する。
【００８２】
次に、図１０に示すように、下金型３１ｂが降下するとともに、リードフレーム２がリードフレーム・チャック爪５６によって保持されてリフトされた状態になる。また、これとほぼ同時に、ポット部３３（図１）において、プランジャ３６が突出状態となる。
【００８３】
次に、図１１に示すように、クリーナおよび搬出用搬送機構２６がリードフレーム２をリフトした状態で、後退しながら上下に対して（キャビティ部３２およびポット部３３の両方に対して）吸引クリーニング（第1クリーニング・スキャン）を実行し、破線でしめすクリーナ・ヘッド２６ｂの位置まで後退する。この後、プランジャ３６が非突出状態となる。
【００８４】
次に、図１２に示すように、クリーナおよび搬出用搬送機構２６がリードフレーム２をリフトした状態で、再び、上金型３１ａと下金型３１ｂの間の領域に侵入し、プランジャ３６が非突出状態で、前進しながら上下に対して（キャビティ部３２およびポット部３３の両方に対して）吸引クリーニング（第２クリーニング・スキャン）を実行し、一点破線でしめすクリーナ・ヘッド２６ｂの位置まで前進する。その後、同じ状態で、クリーナおよび搬出用搬送機構２６がリードフレーム２をリフトした状態で、後退しながら上下に対して（キャビティ部３２およびポット部３３の両方に対して）吸引クリーニング（第３クリーニング・スキャン）を実行し、破線でしめすクリーナ・ヘッド２６ｂの位置まで後退する。第1クリーニング・スキャンを先行するのは、リング状レジン溜め溝４２のレジンかす（異物）を除去しやすくするためである。また、その後に、非突出状態でクリーニングするのは、リング状レジン溜め溝４２のレジンかすがプランジャ３６の移動（降下）により飛散するため、それらを除去する必要があるためである。
【００８５】
これでクリーニング処理１０８（図６）が完了したことになる。金型クリーニング１０８（図６）が完了すると、クリーニングが完了した下金型３１ｂ上に、新たなリードフレーム２がセットされる。そして、トランスファー・モールドが実行され、モールドが完了して、金型３１が開き、再び、図８のステップに戻り、先と同様に、図８から図１２のクリーニング・サイクルを繰り返す。
【００８６】
ここにおいて、第２クリーニング・スキャンまたは第３クリーニング・スキャンは、必ずしも必須ではない。一方または両方ともスキップしてもよいが、実行した方が、レジンかすの残存確率は減少する。また、第1クリーニング・スキャンも、必ずしも必須ではない。少なくとも、第1クリーニング・スキャンから第３クリーニング・スキャンのいずれか一つを実行すればよい。
【００８７】
また、第1クリーニング・スキャンは、通常、プランジャ３６が突出した状態で行うが、非突出状態で実施してもよい。ただし、突出状態で実施した方が、レジンかすの除去効率は高い。また、突出状態での第1クリーニング・スキャンは、毎回実施するのが有効であるが、必ずしも、毎回実施する必要はなく、一回ごと、2回ごと、または、数回に一回等、間歇的でもよい。
【００８８】
なお、処理順については、前記の例が最も好適であるが、順序を入れ替えてもよい。
【００８９】
以上のことから、キャビティ部よりも異物（レジンくず、バリ）の除去が困難であるポット部においても、本実施の形態におけるクリーナ・ヘッド２６を使用することで、このポット部に残留する異物を除去することができる。
【００９０】
また、上記したように、本実施の形態では、クリーナ・ヘッド２６に設けられた二つの吸引室（キャビティ部吸引室、ポット部吸引室）が内部隔壁６６によって分けられ、さらにこれら二つの吸引室に対して、それぞれ独立した配管（または集塵機）が設けられているため、ポットよりも多い数のキャビティが設けられた金型をクリーニングする場合においても、ポット部に残留する異物を除去することができる。
【００９１】
５．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のポット・クリーニング部の変形例の説明（主に図２１および図２２）
このセクションでは、図１９に示すプランジャ通過用ゲート６７の周辺の構造に関する変形例を説明する。
【００９２】
図２１は図１９に対応する一変形例（シャッタ方式）のクリーニング・ヘッドの正面図（シャッタが閉じているとき）である。図２２は図１９に対応する一変形例（シャッタ方式）のクリーニング・ヘッドの正面図（シャッタが開いているとき）である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のポット・クリーニング部の変形例を説明する。
【００９３】
図１９におけるような幅広のリップ・ゴム６１ｃの変わりに、この例では図２１に示すように、幅の狭いリップ・ゴム６１ｃとアクチュエータ６９によって駆動されるシャッタ板６８を図２２に示すように、上下させることで、プランジャ３６の通過をスムーズにしている。シャッタ板６８は、クリーニング・スキャン中は開状態としてもよいが（この場合は駆動制御が簡単になる）、プランジャ３６の通過時のみ開とすると吸引効率が向上する。
【００９４】
６．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置の吸引排気系の変形例の説明（主に図２３および図２４）
このセクションでは、図１３に示すレジンかす等の吸引排気系の構成に対する種々の変形例を説明する。
【００９５】
図２３は図１３に対応する一変形例（共通吸引排気ファンまたは集塵ファン方式）のクリーニング装置の吸引排気系構成図である。図２４は図１３に対応する他の変形例（共通吸引排気ファンまたは集塵ファン切り替え方式）のクリーニング装置の吸引排気系構成図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置の吸引排気系の変形例を説明する。この方式は、ブロア（吸引排気ファンまたは集塵ファン）等が少なくて済むメリットがある。
【００９６】
図２３に示すように、共通吸引排気ファン方式または集塵ファン方式では、図１３と異なり、ポット部集塵コンプレッサ５９ｃ（吸引排気ファンまたは集塵ファン）がなく、ポット部集塵チューブ（ダクト）５８ｃは合流点７３でキャビティ部集塵チューブ（ダクト）５８ａと合流している。合流点７３とポット部集塵配管５４ｃの間（合流点７３とポット部集塵フィルタ５７ｃの間が好適である）には、たとえばバタフライ・バルブ７２等のコンダクタンス調整装置が挿入されている。なお、コンダクタンス調整装置は、キャビティ部集塵チューブ（ダクト）５８ａ側に挿入してもよい。
【００９７】
一方、共通吸引排気ファン切り替え方式または集塵ファン切り替え方式では、図２４に示すように、図２３と異なり、コンダクタンス調整装置７２がなく、合流点７３の代わりに、３方切り替えバルブ７１（吸引ダクト切替機構）が設けられており、キャビティ部３２をクリーニングするときと、ポット部３３をクリーニングするときとで、切り替えて使用するようにしたものである。この方式は、クリーニング時間の点では不利であるが、ブロア（吸引排気ファンまたは集塵ファン）等が少なくて済むメリットがある。
【００９８】
７．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーナ・ヘッド部の変形例の説明（主に図２５から図２７）
このセクションでは、図１５に示すクリーニング・ヘッド構造に対する変形例を説明する。
【００９９】
図２５は図１５に対応する一変形例のクリーニング・ヘッドの斜視図（見やすいように、上金型は取り除いている）である。図２６は図１６に対応する一変形例のクリーニング・ヘッドの斜視図（内部が見えるように図１５の外壁を一部剥ぎ取っている）である。図２７は図１５および図１６に対応するクリーニング・ヘッド（一変形例）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ非突出時）である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部プロセスであるモールド工程において使用するクリーニング装置のクリーナ・ヘッド部の変形例（上下貫通型）を説明する。
【０１００】
図２５から図２７に示すように、内部隔壁６６がクリーナ・ヘッド２６ｂの中央部を貫通しており、下金型３１ｂのポット部３３と上金型３１ａのカル３８及びその周辺（ポット部３３）を共通の流路で吸引排気できるようになっている。すなわち、クリーナ・ヘッド２６ｂ内において、内部隔壁６６の内部は上下に上部カル吸引口６２ｃ（第４の吸引口）および下部ポット部吸引口６５ｃ（第２の吸引口）を有する単一の部屋を形成している。これにより、下金型３１ｂのポット部３３に対する吸引力は若干低下するものの、上金型３１ａのカル３８及びその周辺を強力に吸引できるメリットがある。
【０１０１】
なお、リップ・ゴム６１ａは、内部隔壁６６の上下にも設けられている。
【０１０２】
８．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の対象製品が基体として配線基板を用いた例等の説明（主に図２８から図３０）
このセクションでは、セクション１から４に示した半導体装置の製造方法に対する変形例として、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型の半導体装置（以下、ＢＧＡと呼ぶ）に適用した例を説明する。なお、ＢＧＡは、配線基板に形成されたデバイス領域ごとに封止体を形成する個片モールドタイプのＢＧＡと、複数のデバイス領域を一括して封止する（一つの封止体で複数のデバイス領域を封止する）ＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプのＢＧＡがあり、ここではＭＡＰ型のＢＧＡについて説明する。
【０１０３】
図２８はクリーニング・ヘッド（基本的形態；図１７に対応）をＢＧＡの封止に適用した場合のクリーニング・ヘッド（基本的形態）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ非突出時）である。図２９はクリーニング・ヘッド（一変形例；図２７に対応）をＢＧＡ型パッケージの封止に適用した場合のクリーニング・ヘッド（一変形例）とモールド金型の関係を説明するモールド金型の模式断面図（プランジャ非突出時）である。図３０は図２８または図２９の金型によって封止したＢＧＡ型パッケージの模式断面図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の対象製品が基体として配線基板を用いた例を説明する。
【０１０４】
ＭＡＰ方式のＢＧＡ型素子は、完成時において図３０のような断面を呈している。上半分は図３に示すＱＦＰ型素子と同じであるが、基体２は、単層又は多層有機配線基板等の配線基板９であり、外部リードの代わりに、配線基板９下に半田ボール１１（半田バンプ）が設けられている点が異なる。この種のパッケージは、一般に、以下のようにして組み立てる。まず、大きな有機配線基板９の上面に、マトリクス状に半導体チップ１をダイ・ボンディングし、各チップ１のデバイス面１ａ上のボンディング・パッド６と有機配線基板９の上面の銅ランドを、先に説明したように、金ワイヤ７等でワイヤ・ボンディングした基体チップ複合体（チップ及びワイヤ・ボンディングした基体２）を形成する。次に、この基体２を基板収納部８５（下部キャビティ部）に収容した状態で、金型３１（上金型３１ａ、下金型３１ｂ）を閉じて、トランスファ・モールドして、巨大な封止体を有する基体２を形成し、それをＸＹ方向にパッケージ・ダイシング処理して、ここの素子に分離する。
【０１０５】
図２８のクリーナ・ヘッド２６ｂは、図１５から図２０で説明したクリーナ・ヘッド２６ｂと同一形状であり、図２９のクリーナ・ヘッド２６ｂは、図２５から図２７で説明したクリーナ・ヘッド２６ｂと同一形状である。
【０１０６】
９．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１０７】
例えば、前記実施の形態においては、トランスファ・モールド装置について、主にマルチ・ポット方式の装置を用いたプロセスについて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、シングル・ポット方式の装置を用いたプロセスへも同様に適用できることは言うまでもない。なお、一方又は両方に離型フィルムを使用したトランスファ・モールド技術にも同様に適用できることは言うまでもない。
【０１０８】
また、前記実施の形態においては、リードフレームを用いた方式について、ＱＦＰ型の素子を例にとり具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その他の各種のパッケージに適用できることは言うまでもない。たとえば、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ），ＨＬＱＦＰ（Ｌｏｗ Ｐｒｏｆｉｌｅ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ ｗｉｔｈ Ｈｅａｔ−ｓｉｎｋ）等にも適用できることは言うまでもない。
【０１０９】
更に、前記実施の形態においては、有機配線基板等を用いた方式について、ＭＡＰ方式のＢＧＡ型素子を例にとり具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その以外の方式のＢＧＡ型素子等にも適用できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１１０】
１ 半導体チップ
１ａ チップの表面（デバイス面）
１ｂ チップの裏面
２ リードフレーム（基体）
３ ダイ・パッド
４ リード
５ 接着剤層
６ ボンディング・パッド
７ ボンディング・ワイヤ
８ レジン封止体
９ 配線基板（単層又は多層有機配線基板）
１１ 半田ボール（半田バンプ）
２１ レジン・モールド装置
２２ リードフレーム・ローダ
２３ リードフレーム整列部
２４ タブレット整列部
２５ 搬入用搬送機構
２６ クリーナおよび搬出用搬送機構
２６ａ 搬出用搬送機構
２６ｂ クリーナ・ヘッド
２７ ゲート・ブレーク部
２８ 外観検査部（未充填等検査部）
２９ リードフレーム・アンローダ
３０ 外壁
３１ モールド金型
３１ａ 上金型（第２の金型）
３１ｂ 下金型（第1の金型）
３２ キャビティ部（キャビティ・ブロック領域）
３３ ポット部（ポット・ブロック領域）
３４ モールド・キャビティ
３５ ポット
３６ プランジャ
３７ レジン・タブレット
３８ カル
３９ ランナ
４１ ゲート
４２ リング状レジン溜め溝
５１ プレス部
５２ プレス・ユニット
５３ エジェクタ・ピン
５４ 集塵配管
５４ａ，５４ｂ キャビティ部集塵配管
５４ｃ ポット部集塵配管
５５ 搬送アーム
５６ リードフレーム・チャック爪
５７ａ キャビティ部集塵フィルタ
５７ｃ ポット部集塵フィルタ
５８ａ キャビティ部集塵チューブ（ダクト）
５８ｃ ポット部集塵チューブ（ダクト）
５９ａ キャビティ部集塵コンプレッサ（吸引排気ファンまたは第1の集塵ファン）
５９ｃ ポット部集塵コンプレッサ（吸引排気ファンまたは第２の集塵ファン）
６１ａ キャビティ部リップ・ゴム
６１ｃ ポット部リップ・ゴム
６２、６２ａ 上部吸引口（第３の吸引口）
６２ｃ 上部カル吸引口（第４の吸引口）
６３ 上部先端面（第２の先端面）
６４ 下部先端面（第1の先端面）
６５ａ 下部キャビティ部吸引口（第1の吸引口）
６５ｃ 下部ポット部吸引口（第２の吸引口）
６６ 内部隔壁
６７ プランジャ通過用ゲート（外壁切欠き部）
６８ シャッタ板
６９ アクチュエータ
７１ ３方切り替えバルブ（吸引ダクト切替機構）
７２ バタフライ・バルブ（コンダクタンス調整装置）
７３ 合流点
７４ クランプ・プレート（金型駆動板）
７５ エジェクタ・ロッド
７６ リターン・ピン
７７ サポート・ピラー
７８ エジェクタ駆動バネ
７９ エジェクタ駆動板
８１ エジェクタ保持板
８２ 位置決めピン
８３ 位置決め穴
８４ エジェクタピン・ストッパ
８５ 基板収納部（下部キャビティ部）
１０１ リードフレーム導入
１０２ フレーム整列
１０３ タブレット・チャージ
１０４ リードフレームおよびタブレット搬送準備
１０５ リードフレームおよびタブレット搬送
１０６ レジン・モールド
１０７ リードフレーム取り出し
１０８ 金型クリーニング
１０９ ゲート・ブレーク
１１０ 外観検査
１１１ アンローダへ収納
ＴＣ クリアランス
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド金型を開くことによって、第１の金型内面および第２の金型内面を分離させる工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記第１の金型内面のキャビティ部およびポット部に対して、クリーニング処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、半導体チップが取り付けられた第1の基体を前記第１の金型内面および第２の金型内面間にセットする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド金型を閉じて、前記基体上の前記半導体チップを封止レジンにより封止することによって、前記基体上にレジン封止体を形成する工程、
ここで、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）前記第１の金型内面にクリーナヘッドの第１の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
更に、ここで前記クリーナヘッドは以下を含む：
（ｘ１）前記第１の先端面において、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第１の吸引口；
（ｘ２）前記第１の先端面において、前記ポット部に対応する位置に開口した第２の吸引口；
（ｘ３）前記第１の吸引口を吸引する第１の集塵ファン；
（ｘ４）前記第２の吸引口を吸引する第２の集塵ファン。
【請求項２】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記第２の吸引口は、前記クリーナヘッド内の隔壁により前記第１の吸引口から分離されている。
【請求項３】
前記２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ５）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部および前記ポット部に対応する位置に開口した第３の吸引口。
【請求項４】
前記３項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、レジン封止体が形成された第２の基体を、前記クリーナヘッドと一体的に移動する基体搬送機構により保持した状態で実行される。
【請求項５】
前記４項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−１）前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【請求項６】
前記５項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、更に以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−２）前記最下位工程（ｂ１−１）の後、前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させない状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【請求項７】
前記６項の半導体装置の製造方法において、前記基体は、リードフレームである。
【請求項８】
前記６項の半導体装置の製造方法において、前記基体は、有機配線基板である。
【請求項９】
前記２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ６）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第３の吸引口；
（ｘ７）前記第２の先端面において、前記第２の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記ポット部に対応する位置に開口した第４の吸引口。
【請求項１０】
前記５項の半導体装置の製造方法において、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の外周部には、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の周囲を囲むようにリップ状の弾性体が設けられている。
【請求項１１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド金型を開くことによって、第１の金型内面および第２の金型内面を分離させる工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記第１の金型内面のキャビティ部およびポット部に対して、クリーニング処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、半導体チップが取り付けられた基体を前記第１の金型内面および第２の金型内面間にセットする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド金型を閉じて、前記基体上の前記半導体チップを封止レジンにより封止することによって、前記基体上にレジン封止体を形成する工程、
ここで、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）第１の金型内面にクリーナヘッドの第１の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
更に、ここで前記クリーナヘッドは以下を含む：
（ｘ１）前記第１の先端面において、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第１の吸引口；
（ｘ２）前記第１の先端面において、前記ポット部に対応する位置に開口した第２の吸引口；
（ｘ３）前記第１の吸引口に連結された第１の吸引ダクト；
（ｘ４）前記第２の吸引口に連結された第２の吸引ダクト；
（ｘ５）前記第１の吸引ダクトおよび前記第２の吸引ダクトを吸引する第１の集塵ファンまたは、真空ソースまたは減圧ソース。
【請求項１２】
前記１１項の半導体装置の製造方法において、前記第２の吸引口は、前記クリーナヘッド内の隔壁により前記第１の吸引口から分離されている。
【請求項１３】
前記１２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ５）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部および前記ポット部に対応する位置に開口した第３の吸引口。
【請求項１４】
前記１３項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、レジン封止体が形成された第２の基体を、前記クリーナヘッドと一体的に移動する基体搬送機構により保持した状態で実行される。
【請求項１５】
前記１４項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−１）前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【請求項１６】
前記１５項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、更に以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−２）前記最下位工程（ｂ１−１）の後、前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させない状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【請求項１７】
前記１６項の半導体装置の製造方法において、前記基体は、リードフレームである。
【請求項１８】
前記１７項の半導体装置の製造方法において、前記基体は、有機配線基板である。
【請求項１９】
前記１２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ６）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第３の吸引口；
（ｘ７）前記第２の先端面において、前記第２の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記ポット部に対応する位置に開口した第４の吸引口。
【請求項２０】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド金型を開くことによって、第１の金型内面および第２の金型内面を分離させる工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記第１の金型内面のキャビティ部およびポット部に対して、クリーニング処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、半導体チップが取り付けられた基体を前記第１の金型内面および第２の金型内面間にセットする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド金型を閉じて、前記基体上の前記半導体チップを封止レジンにより封止することによって、前記基体上にレジン封止体を形成する工程、
ここで、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）第１の金型内面にクリーナヘッドの第１の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
更に、ここで前記クリーナヘッドは以下を含む：
（ｘ１）前記第１の先端面において、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第１の吸引口；
（ｘ２）前記第１の先端面において、前記ポット部に対応する位置に開口した第２の吸引口；
（ｘ３）前記第１の吸引口に連結された第１の吸引ダクト；
（ｘ４）前記第２の吸引口に連結された第２の吸引ダクト；
（ｘ５）前記第１の吸引ダクトまたは前記第２の吸引ダクトを吸引する第１の集塵ファン、真空ソースまたは減圧ソース；
（ｘ６）前記第１の集塵ファンまたは前記真空ソースまたは減圧ソースが吸引するダクトを切り替える吸引ダクト切替機構。
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド金型を開くことによって、第１の金型内面および第２の金型内面を分離させる工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記第１の金型内面のキャビティ部およびポット部に対して、クリーニング処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、半導体チップが取り付けられた第1の基体を前記第１の金型内面および第２の金型内面間にセットする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド金型を閉じて、前記基体上の前記半導体チップを封止レジンにより封止することによって、前記基体上にレジン封止体を形成する工程、
ここで、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）前記第１の金型内面にクリーナヘッドの第１の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
更に、ここで前記クリーナヘッドは以下を含む：
（ｘ１）前記第１の先端面において、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第１の吸引口；
（ｘ２）前記第１の先端面において、前記ポット部に対応する位置に開口した第２の吸引口；
（ｘ３）前記第１の吸引口を吸引する第１の集塵ファン；
（ｘ４）前記第２の吸引口を吸引する第２の集塵ファン。
【請求項２】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記第２の吸引口は、前記クリーナヘッド内の隔壁により前記第１の吸引口から分離されている。
【請求項３】
前記２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ５）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部および前記ポット部に対応する位置に開口した第３の吸引口。
【請求項４】
前記３項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、レジン封止体が形成された第２の基体を、前記クリーナヘッドと一体的に移動する基体搬送機構により保持した状態で実行される。
【請求項５】
前記４項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−１）前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【請求項６】
前記５項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、更に以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−２）前記最下位工程（ｂ１−１）の後、前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させない状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【請求項７】
前記６項の半導体装置の製造方法において、前記基体は、リードフレームである。
【請求項８】
前記６項の半導体装置の製造方法において、前記基体は、有機配線基板である。
【請求項９】
前記２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ６）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第３の吸引口；
（ｘ７）前記第２の先端面において、前記第２の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記ポット部に対応する位置に開口した第４の吸引口。
【請求項１０】
前記５項の半導体装置の製造方法において、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の外周部には、前記第１の吸引口および前記第２の吸引口の周囲を囲むようにリップ状の弾性体が設けられている。
【請求項１１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド金型を開くことによって、第１の金型内面および第２の金型内面を分離させる工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記第１の金型内面のキャビティ部およびポット部に対して、クリーニング処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、半導体チップが取り付けられた基体を前記第１の金型内面および第２の金型内面間にセットする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド金型を閉じて、前記基体上の前記半導体チップを封止レジンにより封止することによって、前記基体上にレジン封止体を形成する工程、
ここで、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）第１の金型内面にクリーナヘッドの第１の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
更に、ここで前記クリーナヘッドは以下を含む：
（ｘ１）前記第１の先端面において、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第１の吸引口；
（ｘ２）前記第１の先端面において、前記ポット部に対応する位置に開口した第２の吸引口；
（ｘ３）前記第１の吸引口に連結された第１の吸引ダクト；
（ｘ４）前記第２の吸引口に連結された第２の吸引ダクト；
（ｘ５）前記第１の吸引ダクトおよび前記第２の吸引ダクトを吸引する第１の集塵ファンまたは、真空ソースまたは減圧ソース。
【請求項１２】
前記１１項の半導体装置の製造方法において、前記第２の吸引口は、前記クリーナヘッド内の隔壁により前記第１の吸引口から分離されている。
【請求項１３】
前記１２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ５）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部および前記ポット部に対応する位置に開口した第３の吸引口。
【請求項１４】
前記１３項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、レジン封止体が形成された第２の基体を、前記クリーナヘッドと一体的に移動する基体搬送機構により保持した状態で実行される。
【請求項１５】
前記１４項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−１）前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【請求項１６】
前記１５項の半導体装置の製造方法において、前記下位工程（ｂ１）は、更に以下の最下位工程を含む：
（ｂ１−２）前記最下位工程（ｂ１−１）の後、前記第１の金型内面に前記クリーナヘッドの前記第１の先端面を近接させ、プランジャの上端部を前記第１の金型内面から突出させない状態で、吸引しながら平行移動させる工程。
【請求項１７】
前記１６項の半導体装置の製造方法において、前記基体は、リードフレームである。
【請求項１８】
前記１７項の半導体装置の製造方法において、前記基体は、有機配線基板である。
【請求項１９】
前記１２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、更に以下の下位工程を含む：
（ｂ２）前記第２の金型内面にクリーナヘッドの第２の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
ここで、前記クリーナヘッドは更に以下を含む：
（ｘ６）前記第２の先端面において、前記第１の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第３の吸引口；
（ｘ７）前記第２の先端面において、前記第２の吸引口と前記クリーナヘッド内において連結し、前記ポット部に対応する位置に開口した第４の吸引口。
【請求項２０】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド金型を開くことによって、第１の金型内面および第２の金型内面を分離させる工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記第１の金型内面のキャビティ部およびポット部に対して、クリーニング処理を実行する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、半導体チップが取り付けられた基体を前記第１の金型内面および第２の金型内面間にセットする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド金型を閉じて、前記基体上の前記半導体チップを封止レジンにより封止することによって、前記基体上にレジン封止体を形成する工程、
ここで、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）第１の金型内面にクリーナヘッドの第１の先端面を近接させた状態で、吸引しながら平行移動させる工程、
更に、ここで前記クリーナヘッドは以下を含む：
（ｘ１）前記第１の先端面において、前記キャビティ部に対応する位置に開口した第１の吸引口；
（ｘ２）前記第１の先端面において、前記ポット部に対応する位置に開口した第２の吸引口；
（ｘ３）前記第１の吸引口に連結された第１の吸引ダクト；
（ｘ４）前記第２の吸引口に連結された第２の吸引ダクト；
（ｘ５）前記第１の吸引ダクトまたは前記第２の吸引ダクトを吸引する第１の集塵ファン、真空ソースまたは減圧ソース；
（ｘ６）前記第１の集塵ファンまたは前記真空ソースまたは減圧ソースが吸引するダクトを切り替える吸引ダクト切替機構。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【公開番号】特開２０１１−８２３８１（Ｐ２０１１−８２３８１Ａ）
【公開日】平成２３年４月２１日（２０１１．４．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２３４１３２（Ｐ２００９−２３４１３２）
【出願日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年４月２１日（２０１１．４．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１０月８日（２００９．１０．８）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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