【課題】ＱＦＮ等の半導体パッケージを封止する際に、リードフレームのアウターリード部を保護する粘着フィルムにおいて、リードフレームから粘着フィルムを剥離するときの糊残りを防止する。
【解決手段】半導体製造工程においてリードフレームに貼り付けて使用される、少なくとも耐熱性フィルムと粘着剤層からなる半導体製造用粘着フィルムであって、耐熱性フィルムの接触角法により求められる表面自由エネルギーが、９０〜１６０ｍＮ／ｍであることを特徴とする半導体製造用粘着フィルムにより、上解決できる。粘着フィルムは、ポリイミド等の耐熱性フィルムをプラズマ処理又はコロナ処理し、その後、粘着剤層を積層することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】樹脂モールド部を外部に露出させて、部品点数の削減や製造コストの削減を図ることのできる半導体記憶装置を提供すること。
【解決手段】実施の形態の半導体記憶装置１０は、半導体メモリチップ１５を樹脂モールド部１８でモールドした半導体記憶装置であって、樹脂モールド部にモールドされて半導体メモリチップが載置されるプレート２１と、半導体記憶装置の外周面に露出される外部接続端子１９と、を備え、プレートは、樹脂モールド部の外周面に露出する複数の露出部２１ｂを有し、複数の露出部同士は、樹脂モールド部の内部で互いに電気的に絶縁される。 （もっと読む）

【課題】発光素子パッケージが開示される。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る発光素子パッケージは、放熱パッドおよび前記放熱パッドと離隔して形成される少なくとも２つの電極パッドを含むリードフレーム、放熱パッド上に実装され、ワイヤを介して少なくとも２つの電極パッドと電気的に接続する少なくとも１つの発光素子、放熱パッドおよび少なくとも２つの電極パッドが挿入され、少なくとも１つの発光素子が実装された第１面に放熱パッド、および少なくとも２つの電極パッドの一部を露出させる第１キャビティを含み、第１面の反対面である第２面と同じ平面上に放熱パッドおよび少なくとも２つの電極パッドが露出するパッケージモールドおよび第１キャビティ内に形成される成型部を含む。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに実装された半導体メモリに格納されたデータの破損を防止した半導体メモリカード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態のｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０は、チップ実装部と、電源端子及び信号端子を含む複数の端子部１ｂと、端子部１ｂよりも幅狭であり、各端子部１ｂからカード先端部まで延びる複数の接続部１ｃとが形成されたリードフレーム１と、チップ実装部に搭載されたＮＡＮＤ２と、電源端子が信号端子よりもカード先端面に近い部位まで露出され、かつカード先端部で複数の接続部１ｃが露出されるように、ＮＡＮＤ２が搭載されたリードフレーム１を封止する封止樹脂８とを備える。ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０は、複数の接続部１ｃのカード先端部での露出位置が、信号端子の各々をカード先端面側へ延長した領域からカード先端面の長手方向に外れるように、複数の接続部１ｃを各端子部１ｂから延在させている。 （もっと読む）

【課題】絶縁層へのダメージを防ぎつつヒートシンクを容易に搬送することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】側面に溝１２又は突起３４を有するヒートシンク１０を形成する。ヒートシンク１０の上面に絶縁層１４を形成する。絶縁層１４を形成したヒートシンク１０の溝１２又は突起３４にメカチャック２４のツメ２６を引っ掛けて、メカチャック２４によりヒートシンク１０を加熱された下金型２８内に搬送する。下金型２８内に搬送したヒートシンク１０の絶縁層１４上に、電力半導体素子１８が実装されたフレーム１６を実装する。下金型２８及び上金型３０内にモールド樹脂２２を流し込んで、ヒートシンク１０の一部、フレーム１６の一部、及び電力半導体素子１８をモールド樹脂２２で封止する。 （もっと読む）

【課題】 耐熱性粘着テープにより封止工程での樹脂漏れを好適に防止すると共に、該耐熱性粘着テープの剥離の際には、モールドした封止樹脂の剥がれや破損、或いは糊残りを防止して、歩留まりの向上が図れる耐熱性粘着テープを提供する。
【解決手段】 本発明の耐熱性粘着テープは、基材層と、該基材層上に設けられた粘着剤層を備え、前記粘着剤層は、紫外線硬化性化合物を含む紫外線硬化型粘着剤により構成され、前記粘着剤層に紫外線を照射し、更に２００℃で１時間加熱した後にＪＩＳ Ｚ０２３７に準拠して測定した前記粘着剤層の粘着力が１Ｎ／１９ｍｍ幅以下である。 （もっと読む）

【課題】成形品を十分に冷却した上でゲートブレーク工程に入ることを可能とすることで樹脂封止装置のサイクルタイムを短縮しつつ、正確なゲートブレークが可能な樹脂封止装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ等の被成形品を樹脂にて封止するための封止手段３００と、封止手段３００により樹脂封止された成形品の不要樹脂を取り除くゲートブレーク手段４００と、を備え、且つ、成形品がゲートブレークされる前に当該成形品を冷却するための冷却手段１００と、冷却後の成形品を、冷却手段１００からゲートブレーク手段４００へと搬送する搬送手段６００と、を備えて樹脂封止装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】パッケージ部の両側に接続する不要樹脂を効率よく分離できるディゲート装置を提供する。
【解決手段】ディゲートパレット２７に載置された成形品１８に対してディゲートハンド２８の１回目の上下動で第１不要樹脂１８ｄを切断刃４４ｄにより分離し、２回目の上下動とディゲートパレット２７の回動軸３１を中心とする回転との組み合わせで第２不要樹脂１８ｃを分離する。 （もっと読む）

【課題】回路基板の一方の板面に電子部品を搭載し、他方の板面側に回路基板用のアイランドを接着したものを、モールド樹脂で封止してなる電子装置において、アイランドによって回路基板を支持しつつ、モールド樹脂の成型圧力による回路基板の割れを抑制できる構成を提供する。
【解決手段】回路基板用のアイランド４０は、回路基板１０の他方の板面１２よりも平面サイズの小さな複数個のものであり、各アイランド４０を回路基板１０の他方の板面１２の周辺部に分散して設けて、接着剤３０により接着するとともに、回路基板１０の他方の板面１２の中央部は、アイランド４０が設けられていない露出部とされており、この露出部は、アイランド４０を介することなくモールド樹脂５０に直接接触した状態でモールド樹脂５０により封止されている。 （もっと読む）

【課題】大きなアース面によるアースシーリングを備えたモジュールを提供すること。
【解決手段】内側ハウジンと外側ハウジングの間に設けられたバスタブ状の合成構成部分を有しており、当該合成構成部分内に、前記内側ハウジングが背面以って組み込まれており、前記合成構成部分は絶縁バスタブと、絶縁バスタブの内面に、少なくともバスタブ底面に形成されたアース面とを有しており、当該アース面は前記電気的構成部分の背面のシーリングを形成する、ことを特徴とするモジュール。 （もっと読む）

【課題】リードフレームと樹脂との隙間からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分の侵入を抑制することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置用パッケージは、樹脂部３の開口内に露出する部分において、リードフレーム１，２と保持樹脂６との界面を被覆することにより、リードフレーム１，２と樹脂との間の隙間１８を塞ぎ、リードフレーム１，２と保持樹脂６との隙間１８からの封止樹脂漏れや、外気あるいは水分の侵入を抑制することができる。特に、水分の浸入を防ぐことで水分の膨張および収縮によるパッケージの破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 樹脂封止されるために成形型に配置される封止前基板を、適切に予熱する。
【解決手段】 封止前基板５に装着されたチップを樹脂封止する樹脂封止装置１に、成形モジュール３Ａ〜３Ｄと、各成形モジュール３Ａ〜３Ｄに各々設けられた下型１０と、下型１０に相対向して各々設けられた上型と、各下型１０に設けられ流動性樹脂によって満たされるキャビティ１１と、各成形モジュール３Ａ〜３Ｄまで封止前基板５を搬送する搬送機構９と、搬送機構９に設けられた第１のヒータと、搬送機構９から受け取った封止前基板５をキャビティ１１の上方まで移送して上型の型面に引き渡す移送機構１３と、移送機構１３に設けられた第２のヒータとを備える。第１のヒータは封止前基板５を各成形モジュール３Ａ〜３Ｄまで搬送する過程において、第２のヒータは受け取った封止前基板５を上型の型面に引き渡すまでの過程において、各々封止前基板５を面的に加熱する。 （もっと読む）

【課題】バリ抑制構造を簡略化できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】内側樹脂部５ａの外側を囲むように外側樹脂部５ｂを配置し、外側樹脂部５ｂが内側樹脂部５ａを成形する際の型の一部となるようにする。そして、内側樹脂部５ａと外側樹脂部５ｂとの境界部が同一平面となるようにする。これにより、これらの境界部に隙間が発生しないようにでき、バリが発生することを抑制することができる。したがって、バリ抑制構造を簡略化できる半導体装置の製造方法とすることができる。 （もっと読む）

【課題】プリヒート部に隣接する装置に熱拡散するのを低減するとともに、短時間で効率良くプリヒート温度まで昇温することができる樹脂モールド装置を提供する。
【解決手段】プリヒート装置２８は、被成形品１を載置したヒータブロック１３が移送機構２９により受取位置Ｐから引渡し位置Ｑへ移送される間にプリヒート位置Ｒに設けられたトンネルカバー１４内で停止させて被成形品１を集中的に予備加熱する。 （もっと読む）

【課題】ＱＦＰで、個片モールド方式を採用すると、各キャビティ毎にランナ部が必要となり、半導体装置の取得数が低下する。取得数の問題は、ＭＡＰ方式を採用することで解決できるが、ラミネートテープを使用する分、製造コストが増加する。一方、スルーモールド方式では、各キャビティ毎にエジェクタピンを設ける必要があり、そのようにすると、サポートピラーの配置が困難となる。
【解決手段】本願発明は、スルーゲートを介してモールドキャビティを直列に連結したキャビティ列を複数行配置したマトリクス状キャビティ群を有する金型間にリードフレームを挟んだ状態で、各キャビティに封止樹脂を充填して、半導体チップを封止する半導体装置の製造方法において、平面的に見て、マトリクス状キャビティ群のキャビティコーナ部には、そのキャビティコーナ部が隣接する全てのキャビティを跨ぐような断面を有するサポートピラーが配置されている。 （もっと読む）

【課題】樹脂シート上にリードフレーム、導電性接合部材、半導体チップを順次積層したものを、モールド樹脂で封止してなる半導体装置において、樹脂シートとリードフレームとの間にモールド樹脂や気泡が入り込むのを防止して、これら両者の安定した接合を実現する。
【解決手段】熱硬化性樹脂よりなる樹脂シート１０を用い、導電性接合部材として加熱・硬化する銀ペースト３０を用い、未硬化状態にある樹脂シート１０上にリードフレーム２０、未硬化状態にある銀ペースト３０、半導体チップ４０を順次積層し、これら４部材１０〜４０が重なり合っている積層部にて、半導体チップ４０の上面から当該積層部に荷重を加えて加圧して樹脂シート１０を積層方向に押し潰すように変形させた後、樹脂シート１０および銀ペースト３０を加熱して、これらの硬化を完了させて積層部における各部材間の接合を行い、続いて、モールド樹脂５０による封止を行う。 （もっと読む）

【課題】現在、製品コストを下げるため、リードフレーム形状は、シングルフレーム（単列型多連）からマトリクスフレーム（多列多連）に移行する製品が多くを占めるようになってきている。これに伴い、モールド金型の流路も複雑になるため、モールド後のタイバー内のレジン未充填不良が多発している。
【解決手段】本願発明は、ダイパッド、前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリード、前記複数のリードを連結するタイバー、および、これらの周辺にあって、これらを支持する枠部を有する複数の単位デバイス領域を備えたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法において、レジンモールド（たとえば、トランスファ・モールド）後のレジン封止体の外周のダム内樹脂部材（タイバー内樹脂体）の状態をタイバーの切断より前に、透過照明の下でカメラによって観測するものである。 （もっと読む）

【課題】環状オレフィンモノマーを開環メタセシス重合して得られる熱硬化性架橋環状オレフィン樹脂を含み、封止材、プリプレグ、接着剤に使用される樹脂との十分な離型性を有するフィルムを提供する。
【解決手段】熱硬化性架橋環状オレフィン樹脂フィルムを、環状オレフィンモノマー、極性基変性ハロゲン化炭化水素、必要に応じて熱可塑性環状オレフィン重合体水素添加物を含む重合性組成物を開環メタセシス重合して得る。重合性組成物は、環状オレフィンモノマー及び熱可塑性環状オレフィン重合体水素添加物の合計質量１００質量部に対して０．１〜６質量部の極性基変性ハロゲン化炭化水素を含むと共に、４０質量部以下の熱可塑性環状オレフィン重合体水素添加物を含む。 （もっと読む）

【課題】樹脂バリを除去する作業を行わずとも、半導体パッケージの外観が損なわれることを抑制し、かつ半導体パッケージの薄型化を図る。
【解決手段】半導体パッケージ１００は、半導体チップ６０と、半導体チップ６０をダイパッド５２に搭載したリードフレーム５０と、半導体チップ６０、及びダイパッド５２を上面及び下面から封止した樹脂１０と、を備え、樹脂１０は、表面に設けられた凹部３０と、裏面に設けられ、平面視で凹部３０の内側に位置する凹部４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止不良の発生を抑制する。
【解決手段】モールド工程において、成形金型の上型に形成されたキャビティ内の気体をキャビティの外部に排出する複数のエアベント部３２が形成されたリードフレーム３０を用いて行う。ここで、複数のエアベント部３２は、キャビティが有する４つの角部のうち、ゲート部の内側に配置される第１角部以外の３つの角部と重なる位置に配置される。また、複数のエアベント部３２は、それぞれ、キャビティの角部からクランプ領域３５の外側まで引き出され、クランプ領域３５内ではキャビティの各辺に沿って延びているものである。 （もっと読む）