半導体製造用粘着フィルム及びその製造方法
【課題】ＱＦＮ等の半導体パッケージを封止する際に、リードフレームのアウターリード部を保護する粘着フィルムにおいて、リードフレームから粘着フィルムを剥離するときの糊残りを防止する。
【解決手段】半導体製造工程においてリードフレームに貼り付けて使用される、少なくとも耐熱性フィルムと粘着剤層からなる半導体製造用粘着フィルムであって、耐熱性フィルムの接触角法により求められる表面自由エネルギーが、９０〜１６０ｍＮ／ｍであることを特徴とする半導体製造用粘着フィルムにより、上解決できる。粘着フィルムは、ポリイミド等の耐熱性フィルムをプラズマ処理又はコロナ処理し、その後、粘着剤層を積層することにより得られる。
【解決手段】半導体製造工程においてリードフレームに貼り付けて使用される、少なくとも耐熱性フィルムと粘着剤層からなる半導体製造用粘着フィルムであって、耐熱性フィルムの接触角法により求められる表面自由エネルギーが、９０〜１６０ｍＮ／ｍであることを特徴とする半導体製造用粘着フィルムにより、上解決できる。粘着フィルムは、ポリイミド等の耐熱性フィルムをプラズマ処理又はコロナ処理し、その後、粘着剤層を積層することにより得られる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体パッケージを製造する際にリードフレームに貼り付け使用する剥離可能な半導体製造用粘着フィルム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化・軽量化のニーズに伴い、そこに内蔵される電子部品についても小型化、高密度実装化が求められている。それを受けて、従来使用されてきた周辺端子型パッケージのＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）に変わって、エリアアレイ実装型パッケージＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）そしてシステム実装型のＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）と発展している。ＣＳＰの中でＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏ Ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）はＱＦＰの小型化、低背化を目的として開発されたパッケージであり、ＱＦＰと同等の製造技術が使用でき、携帯電話を始めとする携帯用電子機器で広く採用されている。ＱＦＮはアウターリードを封止領域配置することにより、パッケージの裏面にて外部接続でき、ＱＦＰに比べて小型化できる。一方、封止領域にアウターリード部があることから、封止樹脂がまわり込む、いわゆるモールドフラッシュという不具合を起こす。これを防ぐために封止時にリードフレームのアウターリード部を粘着フィルムにて保護することが有効である。
【０００３】
係る観点から、ＱＦＮ等の半導体パッケージに使用される各種粘着シートが提案されている。例えば、耐熱性フィルム上にシリコーン系粘着剤よりなる接着剤層を設けてなり、１８０℃で１時間加熱したときの重量減少が５％以下である半導体装置組立用マスクシートが提案されている（特許文献１）。しかしながら、そこに開示されたマスクシートでは、ダイアタッチ、ワイヤボンディング、樹脂封止等の加熱工程で高温に加熱された後、リードフレームから引き剥がされる際に接着剤がリードフレームに残るという糊残りの問題が起こりやすく、そのため、これらの加熱工程での加熱温度や時間に制約が生じるという問題があった。
【０００４】
また、モールドフラッシュを起こさず、糊残りを防止する試みとして、基材層と、離型剤を含有する粘着剤層から構成される耐熱性粘着テープ及びそれを用いた半導体装置の製造方法が提案されている（特許文献２）。しかしながら、そこに開示された粘着テープでも、基材層の表面自由エネルギーには何ら関心が払われておらず、そのためモールドフラッシュを完全に防止することが困難であると同時に、離型剤によるリードフレームの汚染という問題があった。
【０００５】
また、これらの問題を解決する試みとして、接着剤層に熱可塑性ポリイミドを含有する半導体装置製造用接着シートが提案されている（特許文献３）。しかしながら、そこに開示された接着シートは、リードフレームに貼りつける際に加熱圧着が必要であり、そのため、特殊な貼り合わせ装置が必要となるとともに、貼り合わせ後の寸法ずれや反り等の問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２７５４３５号公報
【特許文献２】特開２００５−２０９９３６号公報
【特許文献３】特開２００３−１８８３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記従来の技術における問題点を鑑みなされたもので、すなわち半導体の組立工程に際して、室温で貼り付けが可能で、モールドフラッシュを防止し、剥離時の糊残りのない半導体製造用粘着フィルムとその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、以下の半導体製造用粘着フィルムが提供される。
［１］半導体製造工程においてリードフレームに貼り付けて使用される、少なくとも耐熱性フィルムと粘着剤層からなる半導体製造用粘着フィルムであって、
前記耐熱性フィルムの接触角法により求められる表面自由エネルギーが、９０〜１６０ｍＮ／ｍであることを特徴とする半導体製造用粘着フィルム。
【０００９】
［２］水、ジヨードメタン及びエチレングリコールを用いた接触角法により求められる、前記耐熱性フィルムの表面自由エネルギーの分散成分が１０〜３０ｍＮ／ｍ、双極子成分が４０〜１１０ｍＮ／ｍ、水素結合成分が２０〜４０ｍＮ／ｍであることを特徴とする［１］記載の半導体製造用粘着フィルム。
【００１０】
［３］前記耐熱性フィルムが、５０℃〜２００℃の平均の線膨張係数が１０〜５０ｐｐｍ／Ｋで、厚さ５〜１００μｍの芳香族ポリイミドフィルムであることを特徴とする［１］又は［２］に記載の半導体製造用粘着フィルム。
【００１１】
［４］前記耐熱性フィルムが、プラズマ処理もしくはコロナ処理の少なくとも一つの表面処理を施したものであることを特徴とする［１］ないし［３］のいずれかに記載の半導体製造用粘着フィルム。
【００１２】
［５］前記粘着剤層が、厚さ１〜５０μｍの過酸化物硬化型または付加反応硬化型のいずれかのシリコーン系粘着剤組成物からなる粘着剤層であることを特徴とする［１］ないし［４］のいずれかに記載の半導体製造用粘着フィルム。
【００１３】
［６］前記粘着剤層が、５０〜２００℃の間の熱重量減少率が５％以下であることを特徴とする［１］ないし［５］のいずれかに記載の半導体製造用粘着フィルム。
【００１４】
［７］接触角法により求められる表面自由エネルギーが９０〜１６０ｍＮ／ｍである耐熱性フィルム上に、プライマー層を介して粘着剤層が形成されていることを特徴とする［１］ないし［６］のいずれかに記載の半導体製造用粘着フィルム。
【００１５】
［８］前記プライマー層がポリオルガノシロキサンを含み、付加反応または縮合反応のいずれかにより硬化させたものであることを特徴とする［７］に記載の半導体製造用粘着フィルム。
【００１６】
［９］前記プライマー層の厚みが０．０１〜５．０μｍであることを特徴とする［７］又は［８］に記載の半導体製造用粘着フィルム。
【００１７】
また、以下の半導体製造用粘着フィルムの製造方法も本発明の一つである。
［１０］半導体製造工程においてリードフレームに貼り付けて使用される、耐熱性フィルムと粘着剤層から少なくともなる半導体製造用粘着フィルムの製造方法であって、
前記耐熱性フィルムの、接触角法により求められる表面自由エネルギーを、予め９０〜１６０ｍＮ／ｍとし、
その後に粘着剤層を形成させることを特徴とする半導体製造用粘着フィルムの製造方法。
【００１８】
［１１］耐熱性フィルムにプラズマ処理もしくはコロナ処理を施すことにより、接触角法により求められる表面自由エネルギーを９０〜１６０ｍＮ／ｍとすることを特徴とする［１０］に記載の半導体製造用粘着フィルムの製造方法。
【００１９】
［１２］表面自由エネルギーを予め９０〜１６０ｍＮ／ｍとした耐熱性フィルム上に、プライマー層を形成後、更に粘着剤層を形成することを特徴とする［１０］又は［１１］に記載の半導体製造用粘着フィルムの製造方法。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の［１］、［２］によれば、耐熱性フィルムの表面自由エネルギーおよびその分散成分、双極子成分、水素結合成分を、適正な範囲にコントロールすることにより、室温でリードフレームに貼り付け可能な粘着剤を用いても、モールドフラッシュや糊残り等の不具合の虞のない半導体製造用粘着フィルムを与える。
【００２１】
本発明の［３］によれば、耐熱性フィルムに、５０℃〜２００℃の平均線膨張係数が１０〜５０ｐｐｍ／Ｋであり、厚さ５〜１００μｍの芳香族ポリイミドフィルムを用いることにより、本発明の半導体製造用粘着フィルムをリードフレームに貼り付けて半導体を製造する際の、ワイヤボンディングや樹脂封止等の熱工程における反りや変形といった不具合が発生する虞が少なくなる。
【００２２】
本発明の［４］によれば、プラズマ処理もしくはコロナ処理した耐熱性フィルムを用いることにより、耐熱性フィルムの表面自由エネルギーを容易に適正な範囲にコントロールすることができ、モールドフラッシュや糊残りといった不具合の虞のない半導体製造用粘着フィルムを容易に得ることができる。
【００２３】
本発明の［５］によれば、粘着剤層として、厚さ１〜５０μｍの、過酸化物硬化型または付加反応硬化型のいずれかのシリコーン系粘着剤組成物からなる粘着剤層を用いており、モールドフラッシュや糊残り防止に効果のある粘着剤層の形成を容易に行うことができる。
【００２４】
本発明の［６］によれば、５０〜２００℃の間の熱重量減少率が５％以下である粘着剤層を用いており、本発明の半導体製造用粘着フィルムの耐熱性が向上し、モールドフラッシュや糊残りといった不具合の虞がなく、より信頼性の高い、半導体を製造することが可能となる。
【００２５】
本発明の［７］によれば、表面自由エネルギーが適正な範囲にコントロールされた耐熱性フィルムに、プライマー層を形成し、更に粘着剤層を形成しており、粘着剤層の耐熱性フィルムへの接着力が向上し、糊残りの虞がなく、粘着剤層形成の際のはじきやピンホールといった欠陥の発生の虞が少ない、半導体製造用粘着フィルムを得ることができる。
【００２６】
本発明の［８］によれば、プライマー層が付加反応または縮合反応により硬化するポリオルガノシロキサンを含んでおり、粘着剤層の耐熱性フィルムへの接着力がより向上する。
【００２７】
本発明の［９］によれば、プライマー層の厚みを０．０１〜５μｍとしており、はじきや塗りムラのない均一な厚みのプライマー層の形成が容易となる。
【００２８】
本発明の［１０」から［１２］によれば、モールドフラッシュや糊残り防止に効果のある半導体製造用粘着フィルムを容易に製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の半導体製造用粘着フィルムについて、詳細に説明する。
本発明の半導体製造用粘着フィルム（以下、単に「粘着フィルム」とも記す）は、半導体製造工程においてリードフレームに貼り付けて使用される、少なくとも耐熱性フィルムと粘着剤層からなる半導体製造用粘着フィルムであって、前記耐熱性フィルムの接触角法により求められる表面自由エネルギーが、９０〜１６０ｍＮ／ｍとされているものである。
【００３０】
本発明の粘着フィルムに使用される耐熱性フィルムの厚みは特に制限されないが、５〜２００μｍの範囲にあることが好ましく、より好ましくは１０〜１００μｍであり、更に好ましくは１５〜７５μｍである。耐熱性フィルムの厚みが５μｍ未満であると、耐熱性フィルム上に粘着剤層を形成するのが困難となるとともに、本発明の粘着フィルムをリードフレームに貼り付けて、更にモールド樹脂で封止した際に、粘着フィルムのしわや伸びといった問題が発生するおそれがある。また、耐熱性フィルムの厚みが２００μｍ超の場合、剛性が高くなり、リードフレームへの貼り付けを行い難くなり、また経済的にも不利となるおそれがある。
【００３１】
また、半導体製造工程において、粘着フィルムはダイアタッチ工程、ワイヤボンディング工程および樹脂封止工程等で高温雰囲気に曝されるが、耐熱性フィルムの線膨張係数がリードフレームと大きく異なると、このような高温雰囲気に曝された後室温に戻した場合、反りが発生し、モールド金型の位置決めピンにリードフレームをセットできず、位置ずれ不良を起こすという問題が生じるおそれがある。従って、本発明に使用される耐熱性フィルムの５０〜２００℃における平均の線膨張係数は、１０〜５０ｐｐｍ／Ｋであることが好ましく、より好ましくは１２〜３０ｐｐｍ／Ｋである。
【００３２】
なお、本発明の粘着フィルムに使用される耐熱性フィルムとは、そのガラス転移温度が１００℃以上もしくはガラス転移温度を有さないプラスチックフィルムであり、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステル、ポリフェニレンサルファイド、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン等のプラスチックフィルムが挙げられ、耐熱性の観点から、ポリイミドフィルムが好ましい。
【００３３】
本発明に使用される耐熱性フィルムは、接触角法により求められる表面自由エネルギーが、９０〜１６０ｍＮ／ｍであることを特徴としており、好ましくは１００〜１６０ｍＮ／ｍである。
【００３４】
フィルムの表面自由エネルギーは、以下の原理及び方法で求めることができる。
本発明において、耐熱性フィルムの固体表面自由エネルギーγSは、表面自由エネルギーの分散成分γSd、双極子成分γSp及び水素結合成分γShの和、γSd＋γSp＋γShとして表わされる。液滴が固体表面上で接触角
を保って平衡に達しているとすると、非特許文献１にある拡張Ｆｏｗｋｅｓ理論によれば数式１が成り立つ。ここでγLは液体の表面自由エネルギーであり、表面自由エネルギーの分散成分γLd、双極子成分γLp及び水素結合成分γLhの和、γLd＋γLp＋γLhとして表わされる。
【００３５】
【数１】
【００３６】
γL、γLd、γLp、γLhが既知の３種の液体に対し接触角を測定した場合、固体の表面自由エネルギーγSは３元連立方程式から求めることができる。非特許文献1には標準液体の表面自由エネルギーが記載されており、本発明における耐熱性フィルムの表面自由エネルギーは、水の接触角
、ジヨードメタンの接触角
及びエチレングリコールの接触角
を測定し、それぞれの液体のγL、γLd、γLp、γLhの値を代入した数式２〜４を用いて表面自由エネルギーの各成分を計算した。
【００３７】
【数２】
【００３８】
【数３】
【００３９】
【数４】
【００４０】
なお、非特許文献１によると、水の表面エネルギーの分散成分、双極子成分、水素結合成分及びそれらの総和で表される表面自由エネルギーはそれぞれ、２９．１ｍＮ／ｍ、１．３ｍＮ／ｍ、４２．４ｍＮ／ｍ及び７２．８ｍＮ／ｍであり、ジヨードメタンの場合はそれぞれ、４６．８ｍＮ／ｍ、４．０ｍＮ／ｍ、０、５０．８ｍＮ／ｍであり、エチレングリコールの場合は、３０．１ｍＮ／ｍ、０、１７．６ｍＮ／ｍ、４７．７ｍＮ／ｍである。
【００４１】
【非特許文献１】日本接着協会誌８（３）、１３１−１４１（１９７２）
【００４２】
本発明では耐熱フィルムの表面自由エネルギーを９０〜１６０ｍＮ／ｍにすることにより、耐熱フィルムと粘着剤層の高い接着性が得られ、モールドフラッシュと呼ばれる半導体の封止樹脂の漏れを防ぐために粘着剤とリードフレームの密着性を高くしても、再剥離時の糊残りを防ぐことができる。耐熱フィルムの表面自由エネルギーが９０ｍＮ／ｍ未満の場合は、耐熱フィルムと粘着剤層の間での接着性が得難くなり、粘着フィルムをリードフレームから引き剥がす際の糊残りが起こりやすくなる。一方で、１６０ｍＮ／ｍ以上の表面自由エネルギーを得るにはプラズマのエネルギーを極端に強くする必要があり、そのため、耐熱性フィルム表面がダメージを受け、脆弱な層を作成する要因となり好ましくない。また経済的にも不利となる。
【００４３】
また、本発明においては、耐熱フィルムの表面自由エネルギーの構成因子である、双極子成分及び水素結合成分が、それぞれ４０〜１１０ｍＮ／ｍ、２０〜４０ｍＮ／ｍであることが好ましい。
表面自由エネルギーの双極子成分、水素結合成分がそれぞれ４０ｍＮ／ｍ、２０ｍＮ／ｍ以下の場合、その表面自由エネルギーが十分で無く、耐熱性フィルムと粘着剤層の間での接着性が得られない。また、表面自由エネルギーの双極子成分、水素結合成分がそれぞれ１１０ｍＮ／ｍ以上、４０ｍＮ／ｍ以上である場合は、耐熱性フィルム表面の摩擦が大きくなり、製造工程において、しわ、静電気などの問題が生じやすくなる。
【００４４】
耐熱性フィルムの表面自由エネルギーは、耐熱性フィルムにプラズマ処理もしくはコロナ処理等の表面処理を行うことにより、適宜調整することができる。特に減圧可能な低温プラズマ処理装置を用い、装置内に圧力１．０Ｐａ〜１５０Ｐａになるようにプラズマガスを導入し、０．１〜１０ｋＶの電圧を印加してグロー放電してプラズマを発生させ、発生したプラズマを耐熱フィルムに照射することで、耐熱性フィルムの表面が改質され、表面自由エネルギーを９０〜１６０ｍＮ／ｍに容易にコントロールすることができる。プラズマガスとしては酸素、窒素、水、炭酸ガス、アルゴンや、それらの混合物などが使用できる。
【００４５】
本発明の粘着フィルムは、表面自由エネルギーが９０〜１６０ｍＮ／ｍの耐熱性フィルム上に、直接またはプライマー層を介して、粘着剤層を形成することにより得られる。
【００４６】
粘着剤層は、シリコーン系、アクリル系、オレフィン系等任意の粘着剤を使用することができるが、リードフレームへの室温での貼り付けが可能であり、かつ半導体製造工程における、ダイアタッチ工程、ワイヤボンディング工程もしくは樹脂封止工程等での熱履歴に対して、分解、劣化等の変化が少なく、安定した接着力を示し、更には封止後にリードフレームから剥離した際にリードフレーム面に糊残りが起こらないようにする観点から、シリコーン系粘着剤が特に好ましい。
【００４７】
シリコーン系粘着剤には架橋反応の種類により主に付加硬化型、過酸化物硬化型があり、本発明には何れのタイプも使用することができる。そのうち、ポリオルガノシロキサンにアルケニル基を導入し、架橋剤としてＳｉＨ基を導入したシロキサンを用いる付加硬化型は、硬化温度が低く、ラジカルを形成し反応する過酸化物反応型に比べ安定的に架橋しやすく有利であり、好ましい。
【００４８】
粘着剤層は、５０℃から２００℃まで昇温した際の重量減少率が５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、２％以下であることが更に好ましい。重量減少率が５％よりも大きいと、半導体製造工程においてリードフレームを汚染し、ワイヤの接合不良等の問題が生じやすくなる。
【００４９】
また、粘着剤層には可塑剤、充填剤、酸化防止剤等の各種添加剤を添加することができる。
【００５０】
粘着剤層の厚さは１〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは３〜３０μｍであり、更に好ましくは５〜２０μｍである。粘着剤層の厚みが１μｍ未満の場合、リードフレーム表面の凹凸に追従することが困難となり、そのため、粘着剤とリードフレーム間で充填が出来ず、モールドフラッシュが起こりやすくなる。一方で、粘着剤層が５０μｍ超の場合、ワイヤボンディング時の接合エネルギー損失が大きくなり、ワイヤ接合不良の原因となるとともに、リードフレームや封止樹脂への粘着力が上昇し、再剥離工程での作業性が悪くなるおそれがあり、また、経済的にも不利となる。
【００５１】
耐熱性フィルムへの粘着剤層の形成は、表面自由エネルギーが９０〜１６０ｍＮ／ｍの耐熱性フィルム上に直接粘着剤層を形成しても良く、またはプライマー層等を介して粘着剤層を形成しても良い。特に、表面自由エネルギーが９０〜１６０ｍＮ／ｍの耐熱性フィルム上にプライマー層を形成し、その上に粘着剤層を形成することで、耐熱性フィルムと粘着剤層をより強固に接着することができ、リードフレームへの糊残りという問題をより確実に防止することができ、好ましい。
【００５２】
プライマー層としてはオルガノポリシロキサンを主成分とするプライマー層を好適に用いることができる。本発明において、オルガノポリシロキサンを主成分とするプライマー層を使用する場合、例えばオルガノポリシロキサン組成物を含む溶液を耐熱性フィルムに塗布し、溶剤を乾燥後、更に加熱硬化して作成する。プライマー層の厚みは、好ましくは０．０１μｍ〜５μｍ、より好ましくは０．１μｍ〜１μｍである。プライマー層の厚みが０．０１μｍよりも小さいと、プライマー層を安定的に形成することが困難となるとともに、プライマー層としての接着性向上の効果を得難くなる。また、プライマー層の厚みが５μｍよりも大きくなると、プライマー層の厚みが不均一となりやすく、得られる粘着フィルムの厚みムラが生じやすくなるとともに、経済的にも不利となる。
【００５３】
プライマー層として好適に使用できるオルガノポリシロキサン組成物の例としては、縮合硬化型として、式（１）、式（２）の化学構造を有するオルガノポリシロキサンと、式（３）の構造を有するアルコキシシリル基とラジカル重合性不飽和基の双方を持つ単量体とメタクリル酸メチル等のラジカル重合性単量体の共重合体の混合物等が挙げられ、付加硬化型として式（４）〜式（６）の化学構造を有するオルガノポリシロキサンの混合物が挙げられる。
【００５４】
【化１】
【００５５】
【化２】
【００５６】
【化３】
【００５７】
【化４】
【００５８】
【化５】
【００５９】
【化６】
【００６０】
本発明の粘着フィルムは、粘着剤層の保護やブロッキングの防止のために、剥離可能な保護フィルムをラミネートしておくことも可能である。この場合、保護フィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチックフィルム、アルミ箔、銅箔等の金属箔や、プラスチックフィルムと金属箔の積層フィルム等、任意の保護フィルム（セパレータ）を使用できる。また、保護フィルムの剥離を容易にするために、シリコーン系やフッ素系等の離型剤で保護フィルムの表面を処理しておいても良い。
【実施例】
【００６１】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。
【００６２】
本発明における耐熱性フィルムの線膨張係数、粘着剤の重量減少率は次のように測定される。
耐熱性フィルムの線膨張係数は熱機械分析装置（株式会社島津製作所製、ＴＭＡ−６０）を用いて、室温から２５０℃まで昇温し、更にその温度で５分間保持した後、１０℃/分の速度で冷却して、降温時の２００℃から５０℃までの平均の線膨張率として求める。
【００６３】
粘着剤の重量減少率は耐熱フィルム上に塗布し作成した粘着フィルムから、粘着剤層のみを削り取り、示差熱・熱重量同時測定装置（株式会社島津製作所製、ＤＴＧ−６０）を用いて、室温から２５０℃まで速度１０／ｍｉｎ．で昇温し、５０℃〜２００℃までの間の重量減少率を求める。
【００６４】
また、接触角は、測定温度２５℃±２℃、装置 接触角計Model：Simage02V（（株）エキシマ製）を用い、ＡＴＡＮ１／２角法により測定した。
【００６５】
［実施例１］
２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン株式会社製：カプトン１００ＥＮ、５０〜２００℃の平均線膨張係数１５ｐｐｍ／Ｋ）を、真空チャンバー付きのプラズマ処理装置に仕込み、４．５Ｐａの圧力の酸素雰囲気下で、印加電圧４．５ｋＶで減圧プラズマ処理を実施した。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの水、ジヨードメタン及びエチレングリコールの接触角から求められる表面自由エネルギーの分散成分、双極子成分及び水素結合成分は、それぞれ１７ｍＮ／ｍ、８５ｍＮ／ｍ、３６ｍＮ／ｍであり、表面自由エネルギーは１３８ｍＮ／ｍであった。
【００６６】
前記ポリイミドフィルム上に、プライマー層としてシリコーン系縮合硬化型プライマーを乾燥後厚さ０．２〜１μｍとなるように塗布し１３０℃で３０秒熱処理した。次にプライマー層を形成したポリイミドフィルムの上に付加硬化型のシリコーン系粘着剤を乾燥後厚さ６μｍとなるように塗布し、７０℃で３０秒、１００℃で３０秒、１３０℃で６０秒熱処理を行い、更にＰＥＴセパレータを粘着剤塗布面にラミネートして、ＰＥＴセパレータ付の粘着フィルムを作成した。本粘着フィルムのシリコーン系粘着剤の、５０〜２００℃の重量減少率は０．８ｗｔ％であった。
【００６７】
次に得られた粘着フィルムを、ラミネータを用いて、パラジウムで被覆された厚さ２００μｍの銅板に２５℃で貼り合わせ、その後、１７５℃で１．５時間、２００℃で０．５時間、更に１７５℃で６時間の熱処理を実施した。熱処理後、パラジウムを被覆した銅板から粘着フィルムを９０°方向に剥離し粘着力を測定したところ、粘着力は１．８Ｎ／ｃｍであり、粘着力測定後のパラジウムで被覆された銅板への粘着フィルムからの粘着剤の移行（糊残り）は確認されなかった。
【００６８】
さらに、この粘着フィルムをパラジウムめっきで被覆した銅リードフレームに２５℃で貼り合わせ、１７５℃で１．５時間及び２００℃で０．５時間の熱処理を施した後、エポキシ系封止樹脂で温度１７５℃、圧力 ８ＭＰａ、時間２分間の条件でトランスファーモールドした。モールド後、粘着フィルムを貼り付けたアウターリード部に対するモールド樹脂の漏れを目視にて確認したところ、樹脂漏れ（モールドフラッシュ）の発生は認められなかった。
【００６９】
［実施例２］
２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン製：カプトン１００ＥＮ）を炭酸ガス圧力２０Ｐａ下、印加電圧５．０ｋＶの条件にて減圧プラズマ処理を実施した。プラズマ処理を実施したポリイミドフィルムの水の接触角、ジヨードメタンの接触角、エチレングリコールの接触角から求められる表面自由エネルギーの分散成分は２２ｍＮ／ｍ、双極子成分は５３ｍＮ／ｍ及び水素結合成分は２７ｍＮ／ｍであり、表面自由エネルギーは１０２ｍＮ／ｍであった。
【００７０】
以下、実施例１と同様に実施したところ、熱処理後のパラジウムを被覆した銅板と粘着フィルムとの９０°方向に引き剥がした際の粘着力は１．８Ｎ／ｃｍであり、粘着力測定後のパラジウムを被覆した銅板上での糊残りは確認されなかった。また、上記、粘着フィルムを接着したリードフレームを、１７５℃で１．５時間及び２００℃で０．５時間の熱処理を施した後、エポキシ系封止樹脂で温度１７５℃、圧力 ８ＭＰａ、時間２分間の条件でトランスファーモールドした。モールド後、粘着フィルムを貼り付けたアウターリード部に対するモールド樹脂の漏れを目視にて確認したところ、樹脂漏れ（モールドフラッシュ）の発生は認められなかった。
【００７１】
［実施例３］
プライマーを付加硬化型に変更した以外は実施例１と同様に実施した。
熱処理後、パラジウムを被覆した銅板と粘着フィルムとの９０°方向に剥離し粘着力を測定したところ、１．８Ｎ／ｃｍであり、粘着力測定後のパラジウムを被覆した銅板上での糊残りは確認されなかった。また、粘着フィルムを接着したリードフレームを、１７５℃で１．５時間及び２００℃で０．５時間の熱処理を施した後、エポキシ系封止樹脂で温度１７５℃、圧力 ８ＭＰａ、時間２分間の条件でトランスファーモールドした。モールド後、粘着フィルムを貼り付けたアウターリード部に対するモールド樹脂の漏れを目視にて確認したところ、樹脂漏れ（モールドフラッシュ）の発生は認められなかった。
【００７２】
［実施例４］
プライマーを塗布しなかった以外は実施例１と同様に実施した。
熱処理後、パラジウムを被覆した銅板と粘着フィルムとの９０°方向に剥離し粘着力を測定したところ、１．５Ｎ／ｃｍであり、粘着力測定後のパラジウムを被覆した銅板上での糊残りは確認されなかった。また、粘着フィルムを接着したリードフレームを、１７５℃で１．５時間及び２００℃で０．５時間の熱処理を施した後、エポキシ系封止樹脂で温度１７５℃、圧力 ８ＭＰａ、時間２分間の条件でトランスファーモールドした。モールド後、粘着フィルムを貼り付けたアウターリード部に対するモールド樹脂の漏れを目視にて確認したところ、樹脂漏れ（モールドフラッシュ）の発生は認められなかった。
【００７３】
［実施例５］
耐熱性フィルムを５０μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン株式会社製：Ｋａｐｔｏｎ２００ＥＮ）に変更した以外は実施例２と同様に実施した。このポリイミドフィルムの線膨張係数は１７ｐｐｍ／Ｋであった。ポリイミドフィルムの水の接触角、ジヨードメタンの接触角、エチレングリコールの接触角から求められる表面自由エネルギーの分散成分は１６ｍＮ／ｍ、双極子成分は９８ｍＮ／ｍ及び水素結合成分は３７ｍＮ／ｍであり、表面自由エネルギーは１５１ｍＮ／ｍであった。
【００７４】
熱処理後、パラジウムを被覆した銅板と粘着フィルムとの９０°方向に剥離し粘着力を測定したところ、１．６Ｎ／ｃｍであり、粘着力測定後のパラジウムを被覆した銅板上での糊残りは確認されなかった。また、粘着フィルムを接着したリードフレームを、１７５℃で１．５時間及び２００℃で０．５時間の熱処理を施した後、エポキシ系封止樹脂で温度１７５℃、圧力 ８ＭＰａ、時間２分間の条件でトランスファーモールドした。モールド後、粘着フィルムを貼り付けたアウターリード部に対するモールド樹脂の漏れを目視にて確認したところ、樹脂漏れ（モールドフラッシュ）の発生は認められなかった。
【００７５】
［実施例６］
耐熱性フィルムを別の２５μｍ厚のポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製：Ｕｐｉｌｅｘ２５Ｓ）をに変更した以外は実施例２と同様に実施した。このポリイミドフィルムの線膨張係数は１６ｐｐｍ／Ｋであった。ポリイミドフィルムの水の接触角、ジヨードメタンの接触角、エチレングリコールの接触角から求められる表面自由エネルギーの分散成分は１７ｍＮ／ｍ、双極子成分は１０７ｍＮ／ｍ及び水素結合成分は３４ｍＮ／ｍであり、表面自由エネルギーは１５８ｍＮ／ｍであった。
【００７６】
熱処理後、パラジウムを被覆した銅板と粘着フィルムとの９０°方向に剥離し粘着力を測定したところ、１．６Ｎ／ｃｍであり、粘着力測定後のパラジウムを被覆した銅板上での糊残りは確認されなかった。また、粘着フィルムを接着したリードフレームを、１７５℃で１．５時間及び２００℃で０．５時間の熱処理を施した後、エポキシ系封止樹脂で温度１７５℃、圧力 ８ＭＰａ、時間２分間の条件でトランスファーモールドした。モールド後、粘着フィルムを貼り付けたアウターリード部に対するモールド樹脂の漏れを目視にて確認したところ、樹脂漏れ（モールドフラッシュ）の発生は認められなかった。
【００７７】
［比較例１］
プラズマ処理を施していない２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン株式会社製、カプトン１００ＥＮ）の水の接触角、ジヨードメタンの接触角、エチレングリコールの接触角から求められる表面自由エネルギーの分散成分は３４ｍＮ／ｍ、双極子成分は２７ｍＮ／ｍ及び水素結合成分は７ｍＮ／ｍであり、表面自由エネルギーは６７ｍＮ／ｍであった。
次にポリイミドフィルムの上に付加硬化型のシリコーン系粘着剤を乾燥後厚さ６μｍとなるように塗布し、７０℃で３０秒、１００℃で３０秒、１３０℃で６０秒熱処理を行い、更にＰＥＴセパレータを粘着剤塗布面にラミネートして、ＰＥＴセパレータ付の粘着フィルムを作成した。
この粘着フィルムをパラジウムを被覆した銅板に２５℃で接着し、実施例1と同様に熱処理後粘着力を測定したところ、粘着力は１．１Ｎ／ｃｍであり、ポリイミドフィルム上に形成した粘着剤層すべてが、パラジウムを被覆した銅板に移行していた。
【００７８】
［比較例２］
２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン株式会社製、カプトン１００ＥＮ）を酸素ガス圧力４．５Ｐａ下、印加電圧２．０ｋＶの条件にて減圧プラズマ処理を実施した。プラズマ処理を実施したポリイミドフィルムの水の接触角、ジヨードメタンの接触角、エチレングリコールの接触角から求められる表面自由エネルギーの分散成分は２５ｍＮ／ｍ、双極子成分は３０ｍＮ／ｍ、水素結合成分は１９ｍＮ／ｍであり、表面自由エネルギーは７４ｍＮ／ｍであった。
次にポリイミドフィルムの上に付加硬化型のシリコーン系粘着剤を乾燥後厚さ６μｍとなるように塗布し、７０℃で３０秒、１００℃で３０秒、１３０℃で６０秒熱処理を行い、更にＰＥＴセパレータを粘着剤塗布面にラミネートして、ＰＥＴセパレータ付の粘着フィルムを作成した。
この粘着フィルムをパラジウムで被覆した銅板に２５℃で接着し、実施例１と同様に熱処理後粘着力を測定したところ、粘着力は１．１Ｎ／ｃｍであり、ポリイミドフィルム上に形成した粘着剤層すべてが、パラジウムを被覆した銅板に移行していた。
【００７９】
［比較例３］
プラズマ処理をしていない２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン製：カプトン１００ＥＮ）上に低粘着タイプのシリコーン系粘着剤（付加硬化型）を乾燥後厚さ６μｍとなるように塗布し、７０℃で３０秒、１００℃で３０秒、１３０℃で６０秒熱処理を行い、更にＰＥＴセパレータを粘着剤塗布面にラミネートして、ＰＥＴセパレータ付の粘着フィルムを作成した。この粘着剤の重量減少率は０．８ｗｔ％であった。
この粘着フィルムをパラジウムで被覆した銅板に２５℃で接着し、実施例1と同様に熱処理後粘着力を測定したところ、０．２６Ｎ／ｃｍであり、粘着力測定後のパラジウムを被覆した銅板に粘着フィルムの糊が移行することは無かった。しかしながら、粘着フィルムを接着したリードフレームを、１７５℃で１．５時間及び２００℃で０．５時間の熱処理を施した後、エポキシ系封止樹脂で温度１７５℃、圧力 ８ＭＰａ、時間２分間の条件でトランスファーモールドし、モールド後、粘着フィルムを貼り付けたアウターリード部に対するモールド樹脂の漏れを目視にて確認したところ、樹脂漏れ（モールドフラッシュ）の発生が認められた。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明は、ＱＦＮ等の半導体パッケージの封止時に、リードフレームのアウターリード部を保護するための粘着フィルムであり、モールドフラッシュやリードフレームから再剥離する際の糊残りが起きないという優れた効果があり、産業上有用である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体パッケージを製造する際にリードフレームに貼り付け使用する剥離可能な半導体製造用粘着フィルム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化・軽量化のニーズに伴い、そこに内蔵される電子部品についても小型化、高密度実装化が求められている。それを受けて、従来使用されてきた周辺端子型パッケージのＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）に変わって、エリアアレイ実装型パッケージＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）そしてシステム実装型のＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）と発展している。ＣＳＰの中でＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏ Ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）はＱＦＰの小型化、低背化を目的として開発されたパッケージであり、ＱＦＰと同等の製造技術が使用でき、携帯電話を始めとする携帯用電子機器で広く採用されている。ＱＦＮはアウターリードを封止領域配置することにより、パッケージの裏面にて外部接続でき、ＱＦＰに比べて小型化できる。一方、封止領域にアウターリード部があることから、封止樹脂がまわり込む、いわゆるモールドフラッシュという不具合を起こす。これを防ぐために封止時にリードフレームのアウターリード部を粘着フィルムにて保護することが有効である。
【０００３】
係る観点から、ＱＦＮ等の半導体パッケージに使用される各種粘着シートが提案されている。例えば、耐熱性フィルム上にシリコーン系粘着剤よりなる接着剤層を設けてなり、１８０℃で１時間加熱したときの重量減少が５％以下である半導体装置組立用マスクシートが提案されている（特許文献１）。しかしながら、そこに開示されたマスクシートでは、ダイアタッチ、ワイヤボンディング、樹脂封止等の加熱工程で高温に加熱された後、リードフレームから引き剥がされる際に接着剤がリードフレームに残るという糊残りの問題が起こりやすく、そのため、これらの加熱工程での加熱温度や時間に制約が生じるという問題があった。
【０００４】
また、モールドフラッシュを起こさず、糊残りを防止する試みとして、基材層と、離型剤を含有する粘着剤層から構成される耐熱性粘着テープ及びそれを用いた半導体装置の製造方法が提案されている（特許文献２）。しかしながら、そこに開示された粘着テープでも、基材層の表面自由エネルギーには何ら関心が払われておらず、そのためモールドフラッシュを完全に防止することが困難であると同時に、離型剤によるリードフレームの汚染という問題があった。
【０００５】
また、これらの問題を解決する試みとして、接着剤層に熱可塑性ポリイミドを含有する半導体装置製造用接着シートが提案されている（特許文献３）。しかしながら、そこに開示された接着シートは、リードフレームに貼りつける際に加熱圧着が必要であり、そのため、特殊な貼り合わせ装置が必要となるとともに、貼り合わせ後の寸法ずれや反り等の問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２７５４３５号公報
【特許文献２】特開２００５−２０９９３６号公報
【特許文献３】特開２００３−１８８３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記従来の技術における問題点を鑑みなされたもので、すなわち半導体の組立工程に際して、室温で貼り付けが可能で、モールドフラッシュを防止し、剥離時の糊残りのない半導体製造用粘着フィルムとその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、以下の半導体製造用粘着フィルムが提供される。
［１］半導体製造工程においてリードフレームに貼り付けて使用される、少なくとも耐熱性フィルムと粘着剤層からなる半導体製造用粘着フィルムであって、
前記耐熱性フィルムの接触角法により求められる表面自由エネルギーが、９０〜１６０ｍＮ／ｍであることを特徴とする半導体製造用粘着フィルム。
【０００９】
［２］水、ジヨードメタン及びエチレングリコールを用いた接触角法により求められる、前記耐熱性フィルムの表面自由エネルギーの分散成分が１０〜３０ｍＮ／ｍ、双極子成分が４０〜１１０ｍＮ／ｍ、水素結合成分が２０〜４０ｍＮ／ｍであることを特徴とする［１］記載の半導体製造用粘着フィルム。
【００１０】
［３］前記耐熱性フィルムが、５０℃〜２００℃の平均の線膨張係数が１０〜５０ｐｐｍ／Ｋで、厚さ５〜１００μｍの芳香族ポリイミドフィルムであることを特徴とする［１］又は［２］に記載の半導体製造用粘着フィルム。
【００１１】
［４］前記耐熱性フィルムが、プラズマ処理もしくはコロナ処理の少なくとも一つの表面処理を施したものであることを特徴とする［１］ないし［３］のいずれかに記載の半導体製造用粘着フィルム。
【００１２】
［５］前記粘着剤層が、厚さ１〜５０μｍの過酸化物硬化型または付加反応硬化型のいずれかのシリコーン系粘着剤組成物からなる粘着剤層であることを特徴とする［１］ないし［４］のいずれかに記載の半導体製造用粘着フィルム。
【００１３】
［６］前記粘着剤層が、５０〜２００℃の間の熱重量減少率が５％以下であることを特徴とする［１］ないし［５］のいずれかに記載の半導体製造用粘着フィルム。
【００１４】
［７］接触角法により求められる表面自由エネルギーが９０〜１６０ｍＮ／ｍである耐熱性フィルム上に、プライマー層を介して粘着剤層が形成されていることを特徴とする［１］ないし［６］のいずれかに記載の半導体製造用粘着フィルム。
【００１５】
［８］前記プライマー層がポリオルガノシロキサンを含み、付加反応または縮合反応のいずれかにより硬化させたものであることを特徴とする［７］に記載の半導体製造用粘着フィルム。
【００１６】
［９］前記プライマー層の厚みが０．０１〜５．０μｍであることを特徴とする［７］又は［８］に記載の半導体製造用粘着フィルム。
【００１７】
また、以下の半導体製造用粘着フィルムの製造方法も本発明の一つである。
［１０］半導体製造工程においてリードフレームに貼り付けて使用される、耐熱性フィルムと粘着剤層から少なくともなる半導体製造用粘着フィルムの製造方法であって、
前記耐熱性フィルムの、接触角法により求められる表面自由エネルギーを、予め９０〜１６０ｍＮ／ｍとし、
その後に粘着剤層を形成させることを特徴とする半導体製造用粘着フィルムの製造方法。
【００１８】
［１１］耐熱性フィルムにプラズマ処理もしくはコロナ処理を施すことにより、接触角法により求められる表面自由エネルギーを９０〜１６０ｍＮ／ｍとすることを特徴とする［１０］に記載の半導体製造用粘着フィルムの製造方法。
【００１９】
［１２］表面自由エネルギーを予め９０〜１６０ｍＮ／ｍとした耐熱性フィルム上に、プライマー層を形成後、更に粘着剤層を形成することを特徴とする［１０］又は［１１］に記載の半導体製造用粘着フィルムの製造方法。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の［１］、［２］によれば、耐熱性フィルムの表面自由エネルギーおよびその分散成分、双極子成分、水素結合成分を、適正な範囲にコントロールすることにより、室温でリードフレームに貼り付け可能な粘着剤を用いても、モールドフラッシュや糊残り等の不具合の虞のない半導体製造用粘着フィルムを与える。
【００２１】
本発明の［３］によれば、耐熱性フィルムに、５０℃〜２００℃の平均線膨張係数が１０〜５０ｐｐｍ／Ｋであり、厚さ５〜１００μｍの芳香族ポリイミドフィルムを用いることにより、本発明の半導体製造用粘着フィルムをリードフレームに貼り付けて半導体を製造する際の、ワイヤボンディングや樹脂封止等の熱工程における反りや変形といった不具合が発生する虞が少なくなる。
【００２２】
本発明の［４］によれば、プラズマ処理もしくはコロナ処理した耐熱性フィルムを用いることにより、耐熱性フィルムの表面自由エネルギーを容易に適正な範囲にコントロールすることができ、モールドフラッシュや糊残りといった不具合の虞のない半導体製造用粘着フィルムを容易に得ることができる。
【００２３】
本発明の［５］によれば、粘着剤層として、厚さ１〜５０μｍの、過酸化物硬化型または付加反応硬化型のいずれかのシリコーン系粘着剤組成物からなる粘着剤層を用いており、モールドフラッシュや糊残り防止に効果のある粘着剤層の形成を容易に行うことができる。
【００２４】
本発明の［６］によれば、５０〜２００℃の間の熱重量減少率が５％以下である粘着剤層を用いており、本発明の半導体製造用粘着フィルムの耐熱性が向上し、モールドフラッシュや糊残りといった不具合の虞がなく、より信頼性の高い、半導体を製造することが可能となる。
【００２５】
本発明の［７］によれば、表面自由エネルギーが適正な範囲にコントロールされた耐熱性フィルムに、プライマー層を形成し、更に粘着剤層を形成しており、粘着剤層の耐熱性フィルムへの接着力が向上し、糊残りの虞がなく、粘着剤層形成の際のはじきやピンホールといった欠陥の発生の虞が少ない、半導体製造用粘着フィルムを得ることができる。
【００２６】
本発明の［８］によれば、プライマー層が付加反応または縮合反応により硬化するポリオルガノシロキサンを含んでおり、粘着剤層の耐熱性フィルムへの接着力がより向上する。
【００２７】
本発明の［９］によれば、プライマー層の厚みを０．０１〜５μｍとしており、はじきや塗りムラのない均一な厚みのプライマー層の形成が容易となる。
【００２８】
本発明の［１０」から［１２］によれば、モールドフラッシュや糊残り防止に効果のある半導体製造用粘着フィルムを容易に製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の半導体製造用粘着フィルムについて、詳細に説明する。
本発明の半導体製造用粘着フィルム（以下、単に「粘着フィルム」とも記す）は、半導体製造工程においてリードフレームに貼り付けて使用される、少なくとも耐熱性フィルムと粘着剤層からなる半導体製造用粘着フィルムであって、前記耐熱性フィルムの接触角法により求められる表面自由エネルギーが、９０〜１６０ｍＮ／ｍとされているものである。
【００３０】
本発明の粘着フィルムに使用される耐熱性フィルムの厚みは特に制限されないが、５〜２００μｍの範囲にあることが好ましく、より好ましくは１０〜１００μｍであり、更に好ましくは１５〜７５μｍである。耐熱性フィルムの厚みが５μｍ未満であると、耐熱性フィルム上に粘着剤層を形成するのが困難となるとともに、本発明の粘着フィルムをリードフレームに貼り付けて、更にモールド樹脂で封止した際に、粘着フィルムのしわや伸びといった問題が発生するおそれがある。また、耐熱性フィルムの厚みが２００μｍ超の場合、剛性が高くなり、リードフレームへの貼り付けを行い難くなり、また経済的にも不利となるおそれがある。
【００３１】
また、半導体製造工程において、粘着フィルムはダイアタッチ工程、ワイヤボンディング工程および樹脂封止工程等で高温雰囲気に曝されるが、耐熱性フィルムの線膨張係数がリードフレームと大きく異なると、このような高温雰囲気に曝された後室温に戻した場合、反りが発生し、モールド金型の位置決めピンにリードフレームをセットできず、位置ずれ不良を起こすという問題が生じるおそれがある。従って、本発明に使用される耐熱性フィルムの５０〜２００℃における平均の線膨張係数は、１０〜５０ｐｐｍ／Ｋであることが好ましく、より好ましくは１２〜３０ｐｐｍ／Ｋである。
【００３２】
なお、本発明の粘着フィルムに使用される耐熱性フィルムとは、そのガラス転移温度が１００℃以上もしくはガラス転移温度を有さないプラスチックフィルムであり、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステル、ポリフェニレンサルファイド、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン等のプラスチックフィルムが挙げられ、耐熱性の観点から、ポリイミドフィルムが好ましい。
【００３３】
本発明に使用される耐熱性フィルムは、接触角法により求められる表面自由エネルギーが、９０〜１６０ｍＮ／ｍであることを特徴としており、好ましくは１００〜１６０ｍＮ／ｍである。
【００３４】
フィルムの表面自由エネルギーは、以下の原理及び方法で求めることができる。
本発明において、耐熱性フィルムの固体表面自由エネルギーγSは、表面自由エネルギーの分散成分γSd、双極子成分γSp及び水素結合成分γShの和、γSd＋γSp＋γShとして表わされる。液滴が固体表面上で接触角
を保って平衡に達しているとすると、非特許文献１にある拡張Ｆｏｗｋｅｓ理論によれば数式１が成り立つ。ここでγLは液体の表面自由エネルギーであり、表面自由エネルギーの分散成分γLd、双極子成分γLp及び水素結合成分γLhの和、γLd＋γLp＋γLhとして表わされる。
【００３５】
【数１】
【００３６】
γL、γLd、γLp、γLhが既知の３種の液体に対し接触角を測定した場合、固体の表面自由エネルギーγSは３元連立方程式から求めることができる。非特許文献1には標準液体の表面自由エネルギーが記載されており、本発明における耐熱性フィルムの表面自由エネルギーは、水の接触角
、ジヨードメタンの接触角
及びエチレングリコールの接触角
を測定し、それぞれの液体のγL、γLd、γLp、γLhの値を代入した数式２〜４を用いて表面自由エネルギーの各成分を計算した。
【００３７】
【数２】
【００３８】
【数３】
【００３９】
【数４】
【００４０】
なお、非特許文献１によると、水の表面エネルギーの分散成分、双極子成分、水素結合成分及びそれらの総和で表される表面自由エネルギーはそれぞれ、２９．１ｍＮ／ｍ、１．３ｍＮ／ｍ、４２．４ｍＮ／ｍ及び７２．８ｍＮ／ｍであり、ジヨードメタンの場合はそれぞれ、４６．８ｍＮ／ｍ、４．０ｍＮ／ｍ、０、５０．８ｍＮ／ｍであり、エチレングリコールの場合は、３０．１ｍＮ／ｍ、０、１７．６ｍＮ／ｍ、４７．７ｍＮ／ｍである。
【００４１】
【非特許文献１】日本接着協会誌８（３）、１３１−１４１（１９７２）
【００４２】
本発明では耐熱フィルムの表面自由エネルギーを９０〜１６０ｍＮ／ｍにすることにより、耐熱フィルムと粘着剤層の高い接着性が得られ、モールドフラッシュと呼ばれる半導体の封止樹脂の漏れを防ぐために粘着剤とリードフレームの密着性を高くしても、再剥離時の糊残りを防ぐことができる。耐熱フィルムの表面自由エネルギーが９０ｍＮ／ｍ未満の場合は、耐熱フィルムと粘着剤層の間での接着性が得難くなり、粘着フィルムをリードフレームから引き剥がす際の糊残りが起こりやすくなる。一方で、１６０ｍＮ／ｍ以上の表面自由エネルギーを得るにはプラズマのエネルギーを極端に強くする必要があり、そのため、耐熱性フィルム表面がダメージを受け、脆弱な層を作成する要因となり好ましくない。また経済的にも不利となる。
【００４３】
また、本発明においては、耐熱フィルムの表面自由エネルギーの構成因子である、双極子成分及び水素結合成分が、それぞれ４０〜１１０ｍＮ／ｍ、２０〜４０ｍＮ／ｍであることが好ましい。
表面自由エネルギーの双極子成分、水素結合成分がそれぞれ４０ｍＮ／ｍ、２０ｍＮ／ｍ以下の場合、その表面自由エネルギーが十分で無く、耐熱性フィルムと粘着剤層の間での接着性が得られない。また、表面自由エネルギーの双極子成分、水素結合成分がそれぞれ１１０ｍＮ／ｍ以上、４０ｍＮ／ｍ以上である場合は、耐熱性フィルム表面の摩擦が大きくなり、製造工程において、しわ、静電気などの問題が生じやすくなる。
【００４４】
耐熱性フィルムの表面自由エネルギーは、耐熱性フィルムにプラズマ処理もしくはコロナ処理等の表面処理を行うことにより、適宜調整することができる。特に減圧可能な低温プラズマ処理装置を用い、装置内に圧力１．０Ｐａ〜１５０Ｐａになるようにプラズマガスを導入し、０．１〜１０ｋＶの電圧を印加してグロー放電してプラズマを発生させ、発生したプラズマを耐熱フィルムに照射することで、耐熱性フィルムの表面が改質され、表面自由エネルギーを９０〜１６０ｍＮ／ｍに容易にコントロールすることができる。プラズマガスとしては酸素、窒素、水、炭酸ガス、アルゴンや、それらの混合物などが使用できる。
【００４５】
本発明の粘着フィルムは、表面自由エネルギーが９０〜１６０ｍＮ／ｍの耐熱性フィルム上に、直接またはプライマー層を介して、粘着剤層を形成することにより得られる。
【００４６】
粘着剤層は、シリコーン系、アクリル系、オレフィン系等任意の粘着剤を使用することができるが、リードフレームへの室温での貼り付けが可能であり、かつ半導体製造工程における、ダイアタッチ工程、ワイヤボンディング工程もしくは樹脂封止工程等での熱履歴に対して、分解、劣化等の変化が少なく、安定した接着力を示し、更には封止後にリードフレームから剥離した際にリードフレーム面に糊残りが起こらないようにする観点から、シリコーン系粘着剤が特に好ましい。
【００４７】
シリコーン系粘着剤には架橋反応の種類により主に付加硬化型、過酸化物硬化型があり、本発明には何れのタイプも使用することができる。そのうち、ポリオルガノシロキサンにアルケニル基を導入し、架橋剤としてＳｉＨ基を導入したシロキサンを用いる付加硬化型は、硬化温度が低く、ラジカルを形成し反応する過酸化物反応型に比べ安定的に架橋しやすく有利であり、好ましい。
【００４８】
粘着剤層は、５０℃から２００℃まで昇温した際の重量減少率が５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下であり、２％以下であることが更に好ましい。重量減少率が５％よりも大きいと、半導体製造工程においてリードフレームを汚染し、ワイヤの接合不良等の問題が生じやすくなる。
【００４９】
また、粘着剤層には可塑剤、充填剤、酸化防止剤等の各種添加剤を添加することができる。
【００５０】
粘着剤層の厚さは１〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは３〜３０μｍであり、更に好ましくは５〜２０μｍである。粘着剤層の厚みが１μｍ未満の場合、リードフレーム表面の凹凸に追従することが困難となり、そのため、粘着剤とリードフレーム間で充填が出来ず、モールドフラッシュが起こりやすくなる。一方で、粘着剤層が５０μｍ超の場合、ワイヤボンディング時の接合エネルギー損失が大きくなり、ワイヤ接合不良の原因となるとともに、リードフレームや封止樹脂への粘着力が上昇し、再剥離工程での作業性が悪くなるおそれがあり、また、経済的にも不利となる。
【００５１】
耐熱性フィルムへの粘着剤層の形成は、表面自由エネルギーが９０〜１６０ｍＮ／ｍの耐熱性フィルム上に直接粘着剤層を形成しても良く、またはプライマー層等を介して粘着剤層を形成しても良い。特に、表面自由エネルギーが９０〜１６０ｍＮ／ｍの耐熱性フィルム上にプライマー層を形成し、その上に粘着剤層を形成することで、耐熱性フィルムと粘着剤層をより強固に接着することができ、リードフレームへの糊残りという問題をより確実に防止することができ、好ましい。
【００５２】
プライマー層としてはオルガノポリシロキサンを主成分とするプライマー層を好適に用いることができる。本発明において、オルガノポリシロキサンを主成分とするプライマー層を使用する場合、例えばオルガノポリシロキサン組成物を含む溶液を耐熱性フィルムに塗布し、溶剤を乾燥後、更に加熱硬化して作成する。プライマー層の厚みは、好ましくは０．０１μｍ〜５μｍ、より好ましくは０．１μｍ〜１μｍである。プライマー層の厚みが０．０１μｍよりも小さいと、プライマー層を安定的に形成することが困難となるとともに、プライマー層としての接着性向上の効果を得難くなる。また、プライマー層の厚みが５μｍよりも大きくなると、プライマー層の厚みが不均一となりやすく、得られる粘着フィルムの厚みムラが生じやすくなるとともに、経済的にも不利となる。
【００５３】
プライマー層として好適に使用できるオルガノポリシロキサン組成物の例としては、縮合硬化型として、式（１）、式（２）の化学構造を有するオルガノポリシロキサンと、式（３）の構造を有するアルコキシシリル基とラジカル重合性不飽和基の双方を持つ単量体とメタクリル酸メチル等のラジカル重合性単量体の共重合体の混合物等が挙げられ、付加硬化型として式（４）〜式（６）の化学構造を有するオルガノポリシロキサンの混合物が挙げられる。
【００５４】
【化１】
【００５５】
【化２】
【００５６】
【化３】
【００５７】
【化４】
【００５８】
【化５】
【００５９】
【化６】
【００６０】
本発明の粘着フィルムは、粘着剤層の保護やブロッキングの防止のために、剥離可能な保護フィルムをラミネートしておくことも可能である。この場合、保護フィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチックフィルム、アルミ箔、銅箔等の金属箔や、プラスチックフィルムと金属箔の積層フィルム等、任意の保護フィルム（セパレータ）を使用できる。また、保護フィルムの剥離を容易にするために、シリコーン系やフッ素系等の離型剤で保護フィルムの表面を処理しておいても良い。
【実施例】
【００６１】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。
【００６２】
本発明における耐熱性フィルムの線膨張係数、粘着剤の重量減少率は次のように測定される。
耐熱性フィルムの線膨張係数は熱機械分析装置（株式会社島津製作所製、ＴＭＡ−６０）を用いて、室温から２５０℃まで昇温し、更にその温度で５分間保持した後、１０℃/分の速度で冷却して、降温時の２００℃から５０℃までの平均の線膨張率として求める。
【００６３】
粘着剤の重量減少率は耐熱フィルム上に塗布し作成した粘着フィルムから、粘着剤層のみを削り取り、示差熱・熱重量同時測定装置（株式会社島津製作所製、ＤＴＧ−６０）を用いて、室温から２５０℃まで速度１０／ｍｉｎ．で昇温し、５０℃〜２００℃までの間の重量減少率を求める。
【００６４】
また、接触角は、測定温度２５℃±２℃、装置 接触角計Model：Simage02V（（株）エキシマ製）を用い、ＡＴＡＮ１／２角法により測定した。
【００６５】
［実施例１］
２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン株式会社製：カプトン１００ＥＮ、５０〜２００℃の平均線膨張係数１５ｐｐｍ／Ｋ）を、真空チャンバー付きのプラズマ処理装置に仕込み、４．５Ｐａの圧力の酸素雰囲気下で、印加電圧４．５ｋＶで減圧プラズマ処理を実施した。プラズマ処理後のポリイミドフィルムの水、ジヨードメタン及びエチレングリコールの接触角から求められる表面自由エネルギーの分散成分、双極子成分及び水素結合成分は、それぞれ１７ｍＮ／ｍ、８５ｍＮ／ｍ、３６ｍＮ／ｍであり、表面自由エネルギーは１３８ｍＮ／ｍであった。
【００６６】
前記ポリイミドフィルム上に、プライマー層としてシリコーン系縮合硬化型プライマーを乾燥後厚さ０．２〜１μｍとなるように塗布し１３０℃で３０秒熱処理した。次にプライマー層を形成したポリイミドフィルムの上に付加硬化型のシリコーン系粘着剤を乾燥後厚さ６μｍとなるように塗布し、７０℃で３０秒、１００℃で３０秒、１３０℃で６０秒熱処理を行い、更にＰＥＴセパレータを粘着剤塗布面にラミネートして、ＰＥＴセパレータ付の粘着フィルムを作成した。本粘着フィルムのシリコーン系粘着剤の、５０〜２００℃の重量減少率は０．８ｗｔ％であった。
【００６７】
次に得られた粘着フィルムを、ラミネータを用いて、パラジウムで被覆された厚さ２００μｍの銅板に２５℃で貼り合わせ、その後、１７５℃で１．５時間、２００℃で０．５時間、更に１７５℃で６時間の熱処理を実施した。熱処理後、パラジウムを被覆した銅板から粘着フィルムを９０°方向に剥離し粘着力を測定したところ、粘着力は１．８Ｎ／ｃｍであり、粘着力測定後のパラジウムで被覆された銅板への粘着フィルムからの粘着剤の移行（糊残り）は確認されなかった。
【００６８】
さらに、この粘着フィルムをパラジウムめっきで被覆した銅リードフレームに２５℃で貼り合わせ、１７５℃で１．５時間及び２００℃で０．５時間の熱処理を施した後、エポキシ系封止樹脂で温度１７５℃、圧力 ８ＭＰａ、時間２分間の条件でトランスファーモールドした。モールド後、粘着フィルムを貼り付けたアウターリード部に対するモールド樹脂の漏れを目視にて確認したところ、樹脂漏れ（モールドフラッシュ）の発生は認められなかった。
【００６９】
［実施例２］
２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン製：カプトン１００ＥＮ）を炭酸ガス圧力２０Ｐａ下、印加電圧５．０ｋＶの条件にて減圧プラズマ処理を実施した。プラズマ処理を実施したポリイミドフィルムの水の接触角、ジヨードメタンの接触角、エチレングリコールの接触角から求められる表面自由エネルギーの分散成分は２２ｍＮ／ｍ、双極子成分は５３ｍＮ／ｍ及び水素結合成分は２７ｍＮ／ｍであり、表面自由エネルギーは１０２ｍＮ／ｍであった。
【００７０】
以下、実施例１と同様に実施したところ、熱処理後のパラジウムを被覆した銅板と粘着フィルムとの９０°方向に引き剥がした際の粘着力は１．８Ｎ／ｃｍであり、粘着力測定後のパラジウムを被覆した銅板上での糊残りは確認されなかった。また、上記、粘着フィルムを接着したリードフレームを、１７５℃で１．５時間及び２００℃で０．５時間の熱処理を施した後、エポキシ系封止樹脂で温度１７５℃、圧力 ８ＭＰａ、時間２分間の条件でトランスファーモールドした。モールド後、粘着フィルムを貼り付けたアウターリード部に対するモールド樹脂の漏れを目視にて確認したところ、樹脂漏れ（モールドフラッシュ）の発生は認められなかった。
【００７１】
［実施例３］
プライマーを付加硬化型に変更した以外は実施例１と同様に実施した。
熱処理後、パラジウムを被覆した銅板と粘着フィルムとの９０°方向に剥離し粘着力を測定したところ、１．８Ｎ／ｃｍであり、粘着力測定後のパラジウムを被覆した銅板上での糊残りは確認されなかった。また、粘着フィルムを接着したリードフレームを、１７５℃で１．５時間及び２００℃で０．５時間の熱処理を施した後、エポキシ系封止樹脂で温度１７５℃、圧力 ８ＭＰａ、時間２分間の条件でトランスファーモールドした。モールド後、粘着フィルムを貼り付けたアウターリード部に対するモールド樹脂の漏れを目視にて確認したところ、樹脂漏れ（モールドフラッシュ）の発生は認められなかった。
【００７２】
［実施例４］
プライマーを塗布しなかった以外は実施例１と同様に実施した。
熱処理後、パラジウムを被覆した銅板と粘着フィルムとの９０°方向に剥離し粘着力を測定したところ、１．５Ｎ／ｃｍであり、粘着力測定後のパラジウムを被覆した銅板上での糊残りは確認されなかった。また、粘着フィルムを接着したリードフレームを、１７５℃で１．５時間及び２００℃で０．５時間の熱処理を施した後、エポキシ系封止樹脂で温度１７５℃、圧力 ８ＭＰａ、時間２分間の条件でトランスファーモールドした。モールド後、粘着フィルムを貼り付けたアウターリード部に対するモールド樹脂の漏れを目視にて確認したところ、樹脂漏れ（モールドフラッシュ）の発生は認められなかった。
【００７３】
［実施例５］
耐熱性フィルムを５０μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン株式会社製：Ｋａｐｔｏｎ２００ＥＮ）に変更した以外は実施例２と同様に実施した。このポリイミドフィルムの線膨張係数は１７ｐｐｍ／Ｋであった。ポリイミドフィルムの水の接触角、ジヨードメタンの接触角、エチレングリコールの接触角から求められる表面自由エネルギーの分散成分は１６ｍＮ／ｍ、双極子成分は９８ｍＮ／ｍ及び水素結合成分は３７ｍＮ／ｍであり、表面自由エネルギーは１５１ｍＮ／ｍであった。
【００７４】
熱処理後、パラジウムを被覆した銅板と粘着フィルムとの９０°方向に剥離し粘着力を測定したところ、１．６Ｎ／ｃｍであり、粘着力測定後のパラジウムを被覆した銅板上での糊残りは確認されなかった。また、粘着フィルムを接着したリードフレームを、１７５℃で１．５時間及び２００℃で０．５時間の熱処理を施した後、エポキシ系封止樹脂で温度１７５℃、圧力 ８ＭＰａ、時間２分間の条件でトランスファーモールドした。モールド後、粘着フィルムを貼り付けたアウターリード部に対するモールド樹脂の漏れを目視にて確認したところ、樹脂漏れ（モールドフラッシュ）の発生は認められなかった。
【００７５】
［実施例６］
耐熱性フィルムを別の２５μｍ厚のポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製：Ｕｐｉｌｅｘ２５Ｓ）をに変更した以外は実施例２と同様に実施した。このポリイミドフィルムの線膨張係数は１６ｐｐｍ／Ｋであった。ポリイミドフィルムの水の接触角、ジヨードメタンの接触角、エチレングリコールの接触角から求められる表面自由エネルギーの分散成分は１７ｍＮ／ｍ、双極子成分は１０７ｍＮ／ｍ及び水素結合成分は３４ｍＮ／ｍであり、表面自由エネルギーは１５８ｍＮ／ｍであった。
【００７６】
熱処理後、パラジウムを被覆した銅板と粘着フィルムとの９０°方向に剥離し粘着力を測定したところ、１．６Ｎ／ｃｍであり、粘着力測定後のパラジウムを被覆した銅板上での糊残りは確認されなかった。また、粘着フィルムを接着したリードフレームを、１７５℃で１．５時間及び２００℃で０．５時間の熱処理を施した後、エポキシ系封止樹脂で温度１７５℃、圧力 ８ＭＰａ、時間２分間の条件でトランスファーモールドした。モールド後、粘着フィルムを貼り付けたアウターリード部に対するモールド樹脂の漏れを目視にて確認したところ、樹脂漏れ（モールドフラッシュ）の発生は認められなかった。
【００７７】
［比較例１］
プラズマ処理を施していない２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン株式会社製、カプトン１００ＥＮ）の水の接触角、ジヨードメタンの接触角、エチレングリコールの接触角から求められる表面自由エネルギーの分散成分は３４ｍＮ／ｍ、双極子成分は２７ｍＮ／ｍ及び水素結合成分は７ｍＮ／ｍであり、表面自由エネルギーは６７ｍＮ／ｍであった。
次にポリイミドフィルムの上に付加硬化型のシリコーン系粘着剤を乾燥後厚さ６μｍとなるように塗布し、７０℃で３０秒、１００℃で３０秒、１３０℃で６０秒熱処理を行い、更にＰＥＴセパレータを粘着剤塗布面にラミネートして、ＰＥＴセパレータ付の粘着フィルムを作成した。
この粘着フィルムをパラジウムを被覆した銅板に２５℃で接着し、実施例1と同様に熱処理後粘着力を測定したところ、粘着力は１．１Ｎ／ｃｍであり、ポリイミドフィルム上に形成した粘着剤層すべてが、パラジウムを被覆した銅板に移行していた。
【００７８】
［比較例２］
２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン株式会社製、カプトン１００ＥＮ）を酸素ガス圧力４．５Ｐａ下、印加電圧２．０ｋＶの条件にて減圧プラズマ処理を実施した。プラズマ処理を実施したポリイミドフィルムの水の接触角、ジヨードメタンの接触角、エチレングリコールの接触角から求められる表面自由エネルギーの分散成分は２５ｍＮ／ｍ、双極子成分は３０ｍＮ／ｍ、水素結合成分は１９ｍＮ／ｍであり、表面自由エネルギーは７４ｍＮ／ｍであった。
次にポリイミドフィルムの上に付加硬化型のシリコーン系粘着剤を乾燥後厚さ６μｍとなるように塗布し、７０℃で３０秒、１００℃で３０秒、１３０℃で６０秒熱処理を行い、更にＰＥＴセパレータを粘着剤塗布面にラミネートして、ＰＥＴセパレータ付の粘着フィルムを作成した。
この粘着フィルムをパラジウムで被覆した銅板に２５℃で接着し、実施例１と同様に熱処理後粘着力を測定したところ、粘着力は１．１Ｎ／ｃｍであり、ポリイミドフィルム上に形成した粘着剤層すべてが、パラジウムを被覆した銅板に移行していた。
【００７９】
［比較例３］
プラズマ処理をしていない２５μｍ厚のポリイミドフィルム（東レデュポン製：カプトン１００ＥＮ）上に低粘着タイプのシリコーン系粘着剤（付加硬化型）を乾燥後厚さ６μｍとなるように塗布し、７０℃で３０秒、１００℃で３０秒、１３０℃で６０秒熱処理を行い、更にＰＥＴセパレータを粘着剤塗布面にラミネートして、ＰＥＴセパレータ付の粘着フィルムを作成した。この粘着剤の重量減少率は０．８ｗｔ％であった。
この粘着フィルムをパラジウムで被覆した銅板に２５℃で接着し、実施例1と同様に熱処理後粘着力を測定したところ、０．２６Ｎ／ｃｍであり、粘着力測定後のパラジウムを被覆した銅板に粘着フィルムの糊が移行することは無かった。しかしながら、粘着フィルムを接着したリードフレームを、１７５℃で１．５時間及び２００℃で０．５時間の熱処理を施した後、エポキシ系封止樹脂で温度１７５℃、圧力 ８ＭＰａ、時間２分間の条件でトランスファーモールドし、モールド後、粘着フィルムを貼り付けたアウターリード部に対するモールド樹脂の漏れを目視にて確認したところ、樹脂漏れ（モールドフラッシュ）の発生が認められた。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明は、ＱＦＮ等の半導体パッケージの封止時に、リードフレームのアウターリード部を保護するための粘着フィルムであり、モールドフラッシュやリードフレームから再剥離する際の糊残りが起きないという優れた効果があり、産業上有用である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造工程においてリードフレームに貼り付けて使用される、少なくとも耐熱性フィルムと粘着剤層からなる半導体製造用粘着フィルムであって、
前記耐熱性フィルムの接触角法により求められる表面自由エネルギーが、９０〜１６０ｍＮ／ｍであることを特徴とする半導体製造用粘着フィルム。
【請求項２】
水、ジヨードメタン及びエチレングリコールを用いた接触角法により求められる、前記耐熱性フィルムの表面自由エネルギーの分散成分が１０〜３０ｍＮ／ｍ、双極子成分が４０〜１１０ｍＮ／ｍ、水素結合成分が２０〜４０ｍＮ／ｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造用粘着フィルム。
【請求項３】
前記耐熱性フィルムが、５０℃〜２００℃の平均の線膨張係数が１０〜５０ｐｐｍ／Ｋで、厚さ５〜１００μｍの芳香族ポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体製造用粘着フィルム。
【請求項４】
前記耐熱性フィルムが、プラズマ処理もしくはコロナ処理の少なくとも一つの表面処理を施したものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体製造用粘着フィルム。
【請求項５】
前記粘着剤層が、厚さ１〜５０μｍの過酸化物硬化型または付加反応硬化型のいずれかのシリコーン系粘着剤組成物からなる粘着剤層であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体製造用粘着フィルム。
【請求項６】
前記粘着剤層が、５０〜２００℃の間の熱重量減少率が５％以下であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体製造用粘着フィルム。
【請求項７】
接触角法により求められる表面自由エネルギーが９０〜１６０ｍＮ／ｍである耐熱性フィルム上に、プライマー層を介して粘着剤層が形成されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体製造用粘着フィルム。
【請求項８】
前記プライマー層がポリオルガノシロキサンを含み、付加反応または縮合反応のいずれかにより硬化させたものであることを特徴とする請求項７に記載の半導体製造用粘着フィルム。
【請求項９】
前記プライマー層の厚みが０．０１〜５．０μｍであることを特徴とする請求項７又は８に記載の半導体製造用粘着フィルム。
【請求項１０】
半導体製造工程においてリードフレームに貼り付けて使用される、耐熱性フィルムと粘着剤層から少なくともなる半導体製造用粘着フィルムの製造方法であって、
前記耐熱性フィルムの、接触角法により求められる表面自由エネルギーを、予め９０〜１６０ｍＮ／ｍとし、
その後に粘着剤層を形成させることを特徴とする半導体製造用粘着フィルムの製造方法。
【請求項１１】
耐熱性フィルムにプラズマ処理もしくはコロナ処理を施すことにより、接触角法により求められる表面自由エネルギーを９０〜１６０ｍＮ／ｍとすることを特徴とする請求項１０に記載の半導体製造用粘着フィルムの製造方法。
【請求項１２】
表面自由エネルギーを予め９０〜１６０ｍＮ／ｍとした耐熱性フィルム上に、プライマー層を形成後、更に粘着剤層を形成することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の半導体製造用粘着フィルムの製造方法。
【請求項１】
半導体製造工程においてリードフレームに貼り付けて使用される、少なくとも耐熱性フィルムと粘着剤層からなる半導体製造用粘着フィルムであって、
前記耐熱性フィルムの接触角法により求められる表面自由エネルギーが、９０〜１６０ｍＮ／ｍであることを特徴とする半導体製造用粘着フィルム。
【請求項２】
水、ジヨードメタン及びエチレングリコールを用いた接触角法により求められる、前記耐熱性フィルムの表面自由エネルギーの分散成分が１０〜３０ｍＮ／ｍ、双極子成分が４０〜１１０ｍＮ／ｍ、水素結合成分が２０〜４０ｍＮ／ｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造用粘着フィルム。
【請求項３】
前記耐熱性フィルムが、５０℃〜２００℃の平均の線膨張係数が１０〜５０ｐｐｍ／Ｋで、厚さ５〜１００μｍの芳香族ポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体製造用粘着フィルム。
【請求項４】
前記耐熱性フィルムが、プラズマ処理もしくはコロナ処理の少なくとも一つの表面処理を施したものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体製造用粘着フィルム。
【請求項５】
前記粘着剤層が、厚さ１〜５０μｍの過酸化物硬化型または付加反応硬化型のいずれかのシリコーン系粘着剤組成物からなる粘着剤層であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体製造用粘着フィルム。
【請求項６】
前記粘着剤層が、５０〜２００℃の間の熱重量減少率が５％以下であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体製造用粘着フィルム。
【請求項７】
接触角法により求められる表面自由エネルギーが９０〜１６０ｍＮ／ｍである耐熱性フィルム上に、プライマー層を介して粘着剤層が形成されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体製造用粘着フィルム。
【請求項８】
前記プライマー層がポリオルガノシロキサンを含み、付加反応または縮合反応のいずれかにより硬化させたものであることを特徴とする請求項７に記載の半導体製造用粘着フィルム。
【請求項９】
前記プライマー層の厚みが０．０１〜５．０μｍであることを特徴とする請求項７又は８に記載の半導体製造用粘着フィルム。
【請求項１０】
半導体製造工程においてリードフレームに貼り付けて使用される、耐熱性フィルムと粘着剤層から少なくともなる半導体製造用粘着フィルムの製造方法であって、
前記耐熱性フィルムの、接触角法により求められる表面自由エネルギーを、予め９０〜１６０ｍＮ／ｍとし、
その後に粘着剤層を形成させることを特徴とする半導体製造用粘着フィルムの製造方法。
【請求項１１】
耐熱性フィルムにプラズマ処理もしくはコロナ処理を施すことにより、接触角法により求められる表面自由エネルギーを９０〜１６０ｍＮ／ｍとすることを特徴とする請求項１０に記載の半導体製造用粘着フィルムの製造方法。
【請求項１２】
表面自由エネルギーを予め９０〜１６０ｍＮ／ｍとした耐熱性フィルム上に、プライマー層を形成後、更に粘着剤層を形成することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の半導体製造用粘着フィルムの製造方法。
【公開番号】特開２０１２−５９８４６（Ｐ２０１２−５９８４６Ａ）
【公開日】平成２４年３月２２日（２０１２．３．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２００３７５（Ｐ２０１０−２００３７５）
【出願日】平成２２年９月７日（２０１０．９．７）
【出願人】（５９２１６６１３７）河村産業株式会社 (31)
【出願人】（５９７０６６４１８）シーマ電子株式会社 (7)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月２２日（２０１２．３．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月７日（２０１０．９．７）
【出願人】（５９２１６６１３７）河村産業株式会社 (31)
【出願人】（５９７０６６４１８）シーマ電子株式会社 (7)
【Ｆターム（参考）】
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