【課題】 樹脂モールド成形時におけるパイプの変形を抑制できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体モジュール2と、上面に半導体モジュール2が接合され側面20,22に冷媒流通用のパイプ14,15が固定された冷却器3と、半導体モジュール2と冷却器3の外周を覆う樹脂モールド層4と、を備え、冷却器3の側面20,22に、側面20,22から突出しパイプ14,15を囲む凸部25,26を設けた。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ小型で高機能なパワーモジュールを得ること。
【解決手段】実施の形態にかかるパワーモジュール１００は、金属ベース３と、前記金属ベース３の上に搭載されたパワー素子９と、前記パワー素子９を制御する部品７を搭載し、貫通穴６を備えた制御基板４と、前記金属ベース３の一面のみ露出させ、前記金属ベース３、前記パワー素子９、及び前記制御基板４を覆って封止する樹脂５とを備える。 （もっと読む）

【課題】マトリクス状に多数の単位デバイス領域が配置されたリードフレームを用いて、樹脂封止型半導体装置の組み立てが行われるが、パッケージの微細化に伴い、樹脂封止工程に於いて、樹脂未充填不良が増加する傾向にある。通常、リードフレームは、樹脂封止後に、切断金型等により個々の単位デバイス領域に分離される。このときリードフレームに一つでも未充填の単位デバイス領域があると、切断金型等による切断時に、リードはばらばらに飛び散るため、切断金型や製品を傷つける恐れがある。従って、切断金型等によるリードフレームの切断前に、パッケージ充填検査を行い、充填不良があるリードフレームは、その後の処理対象から除外しなければならない。
【解決手段】本願発明は、半導体装置の製造方法における個片モールド方式に於いて、モールド後に、未充填不良が発見された単位デバイス領域に対して、補修処理を施すものである。 （もっと読む）

【課題】封止後の半導体チップの耐圧及びリーク電流の面内分布を均一にすることができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】封止後の半導体チップの耐圧及びリーク電流の面内分布が均一になるような、封止前の半導体チップのＰＮ接合部の不純物濃度の面内分布を求める。この求めた不純物濃度の面内分布を持つＰＮ接合部を半導体チップの裏面側に形成する。このＰＮ接合部を形成した後に、半導体チップを樹脂で封止する。 （もっと読む）

【課題】成形品の製造歩留まりを向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】上テーパプレート２４に対して、そのテーパ面２４ａと対向するテーパ面２５ａを有する下テーパプレート２５を型開閉方向と直交する方向に移動して、テーパ面２４ａおよびテーパ面２５ａでスライドさせると共に、下テーパプレート２５を介してインサートブロック２２を型開閉方向に移動させてクランプ位置を固定させる。次いで、ワークＷが第１クランプ力Ｃ１より高い第２クランプ力Ｃ２でクランプされた状態で、キャビティ１５ａが完全に充填されるまで第１樹脂圧Ｐ１で溶融樹脂２８ａを注入し、ワークＷが第２クランプ力Ｃ２より高い第３クランプ力Ｃ３でクランプされた状態で、キャビティ１５ａで充填された溶融樹脂２８ａに対して第１樹脂圧Ｐ１より高い第２樹脂圧Ｐ２で加圧する。 （もっと読む）

【課題】減圧成形手段を採用した樹脂成形装置に搭載して用いられる樹脂成形用の型を樹脂成形装置に対して簡易に且つ効率良く交換する。
【解決手段】樹脂成形用の型４の外方周囲に、係脱具12を介して外気遮断部材10を係脱可能に装設する。そして、型４の交換時には、まず、各型４・８の型面と各外気遮断部材10・11の接合面とを接合させる型締めを行う。次に、型４の外方周囲に装設した外気遮断部材10を係着する係脱具12を取り外してその両者の係着状態を解除すると共に、係脱具14を介して各外気遮断部材10・11の両者を係着する。次に、各外気遮断部材10・11を係着した状態で、各型４・８の型面を離反させる型開工程を行って各外気遮断部材10・11の両者を同時に移動させることにより、型４の外方周囲に装設した外気遮断部材10を型４の外方周囲から退避させて型４交換用の空間部Ｓを構成する。 （もっと読む）

【課題】モールド成型済みリードフレームの製品部分からランナー部分を適切に切り離すこと。
【解決手段】支持機構１、２は、封止材料により集積回路が封止された製品部分２２がゲート部分２４を介してランナー部分２３に接合されているモールド成型済みリードフレーム２０を、移動方向１２に平行である直線１７に製品部分２２のうちの第１製品部分２６が正射影された点２８が製品部分２２のうちの第１製品部分２６よりゲート部分２４から遠い第２製品部分２７が直線１７に正射影された点２９より移動方向１２の側に配置されるように、支持する。パンチ３は、支持機構１、２に対して移動方向１２に移動することにより、ランナー部分２３を押す。モールド成型済みリードフレーム２０は、ランナー部分２３がパンチ３に押されることにより、製品部分２２がランナー部分２３から切り離される。 （もっと読む）

【課題】形品の成形品質を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】モールド金型２は、対向して設けられ、ワークＷを挟み込んでクランプする上型３および下型４と、上型３に設けられた超音波振動部２１、２２と、上型３３および下型４がワークＷをクランプして形成される内部空間Ｃに設けられ、かつ、超音波振動部２１、２２と接続され、内部空間Ｃ内の溶融樹脂１９ａへ超音波振動部２１、２２の振動を伝搬する伝搬部としてフィルム２３とを備えている。このフィルム２３は、上型３のクランプ面３ａに張設されている。 （もっと読む）

【課題】出射光の色ムラを抑制できる半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１０は、上面側に凹部１５ａを有する基材１５と、凹部１５ａの底面に搭載された半導体発光素子１１とを備える。基材１５に、凹部１５ａ内と基材１５の外面とを連結する少なくとも１つの導入口１７が設けられている。 （もっと読む）

【課題】成形金型を用いた半導体装置の樹脂封止方法としてのトランスファモールド方式においては、キャビティ部の容積に相当する樹脂量だけでなく、ランナ部に充填される樹脂量も含めた樹脂材料を準備しなければならない。なお、ランナ部に形成された樹脂体は、最終的には完成品から切り離されるため、使用する樹脂材料に無駄が生じる。
【解決手段】本願発明は、多数の単位デバイス領域を有する平面状基体をその各単位デバイス領域は、上金型および下金型間に形成される多数のモールドキャビティに対応するように、両金型間に収容して、各単位デバイス領域を樹脂封止する半導体装置の製造方法に於いて、各モールドキャビティに対応する部分に、樹脂タブレット供給して、ポット部を含む各モールドキャビティの少なくとも一部の厚さを減少させることにより、樹脂封止を実行するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を樹脂モールドする際に半導体素子を破壊する恐れが少ない半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
樹脂封止装置１４の下型１８に形成されたポット２０と半導体素子１２との間に第２のリードフレーム３６を配置した状態においてポット２０からタブレット状樹脂２４Ａを注入して半導体素子１２を樹脂で封入（モールド）するようにしたので、キャビティ内に注入される樹脂によって半導体素子１２が破壊される恐れが少なく、歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合材料を微細ピッチで供給し電気的な接続が可能な電子部材を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板に設けられた一つ以上の接続端子に対して、電子部材に設けられた一つ以上の電極が接合層を介して電気的に接合され、前記接合層は焼結銀を主体として構成され、前記接合層と接していない電極表面の全面あるいは一部が酸化銀の粗化層であり、当該酸化銀の粗化層の厚さは４００ｎｍ以上５μｍ以下であり、前記酸化銀の層の最表面は１μｍより小さい曲率半径となっていることを特徴とする電子部品。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの製造歩留まりを向上する。
【解決手段】トランスファモールドによるレンズ８６を含むワークＷから、ワークＷで接続された成形品ランナ９１などの不要樹脂を分離するディゲート方法であって、（ａ）成形品ランナ９１などの不要樹脂が接続されている箇所を除いてワークＷを上下からクランプして、成形品ランナ９１などの不要樹脂を浮かせた状態とする工程と、（ｂ）上下方向の一方から他方へ浮いた状態の成形品ランナ９１などの不要樹脂を押し続けて、ワークＷから成形品ランナ９１などの不要樹脂を引き千切る工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】作業効率の向上や工数削減又は省人化を図りつつ、液状熱硬化性樹脂の硬化姿勢を常に水平に保つことができる液状熱硬化性樹脂の硬化装置を提供すること。
【解決手段】リードフレーム上に搭載された発光素子を封止する液状の熱硬化性樹脂を加熱炉２内で加熱硬化させる硬化装置１は、前記加熱炉２内にドラム３を回転可能に収容し、下部に重錘が設けられたキャリア１５の上端部を軸１６によって前記ドラム３に揺動可能に支持させ、前記ドラム３を回転駆動することによって前記キャリア１５内に前記リードフレームと共に収容された前記発光素子を前記加熱炉２内で水平状態を保って回転させ、該発光素子を封止する前記熱硬化性樹脂を加熱硬化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と実装基板との熱膨張係数の相違により生じる熱応力を半導体装置内で均一に分散させることにより、熱ストレスが加わった際の信頼性を向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、ダイパッド１５とダイパッド１５の周囲に配置された複数のリード部１６とを含むリードフレーム１０と、ダイパッド１５上に載置された半導体素子２１と、リード部１６と半導体素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ２２とを備えている。リードフレーム１０、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂部２３により封止されている。各リード部１６は、封止樹脂部２３の外方に露出する外部端子１８を有し、各リード部１６の外部端子１８は、ダイパッド１５の周囲において平面から見て円周Ｃ_１上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、リードフレーム２００のダイパッド２１０上に半導体チップ１００を搭載する。次いで、リードフレーム２００を金型内に配置して封止樹脂により封止する（モールド工程）。次いで、封止されたリードフレーム２００を金型から取り出す。次いで、封止樹脂の不要部分を除去する（除去工程）。ここで、リードフレーム２００の支持フレーム２４０には、切れ込みが形成されている。これにより、支持フレーム２４０の一部が可動部２６０として、支持フレーム２４０の本体につながりつつ、折畳み可能になっている。また、除去工程において、可動部２６０を除去することにより、不要部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】ポットからの樹脂漏れを防止するとともに、プランジャをスムーズに摺動させることができるトランスファ成形方法及び成形装置を提供すること。
【解決手段】高周波加熱より溶融させた樹脂２０ａをキャビティ１５に加圧、注入してワークＷを樹脂封止するトランスファ成形方法において、金属により形成され上型１１、及び絶縁物により形成された下型１２に備わる金属製のプランジャ１３が高周波発生装置１４に接続されており、ワークＷの一部を、キャビティ１５の外で上型１１に接触させた状態で型締めして、高周波発生装置１４により上型１１及びプランジャ１３に高周波を印加し、ワークＷを高周波電極として機能させてポット１７内に配置した樹脂タブレット２０を高周波加熱する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去する。
【解決手段】リードフレーム２００のダイパッド２１０上に半導体チップ１００を搭載する工程と、リードフレーム２００を金型内に配置して封止樹脂により封止するモールド工程と、封止されたリードフレーム２００を金型から取り出す工程と、封止樹脂の不要部分６００を除去する除去工程と、を有する。まず、モールド工程前において、リードフレーム２００の支持フレーム２４０の少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部２６０を形成する。また、除去工程において、半抜き加工部２６０を除去することにより、不要部分６００を除去する。 （もっと読む）

【課題】リードに熱が印加されてもリードがより抜け落ちにくい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体チップ１４と、半導体チップが搭載されるチップ搭載面１２ａを有するダイパッド１２と、半導体チップ１４に電気的に接続される第１のリード１８と、第１のリード１８の上記端部をダイパッド１２に固定する熱硬化性樹脂部２２と、半導体チップ１４、ダイパッド１２及び熱硬化性樹脂部２２を封止する熱可塑性樹脂部２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上と信頼性の向上とを図ることを可能とするとともにコストの削減をも可能とする樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】第１面に１個の電極が形成され、第２面に２個以上の電極が形成された半導体素子１１１と、半導体素子１１１を搭載する第１ダイパッド１２２及び第１リード１２４を有する第１リードフレーム１２０と、第１リードフレーム１２０とは隔離して配置される第２ダイパッド１３２及び第２リードを有する第２リードフレーム１３０と、接続部１４２及び第３リード１２４４有する第３リードフレーム１４０とを備える樹脂封止型半導体装置１０１であって、第２面に形成された電極のうちの１個の電極は、第１ダイパッド１２２に直接接続され、第２面に形成された他の電極は、第２ダイパッド１３２に直接接続され、第１面に形成された電極は、電気接続子１５０を介して第３リードフレーム１４０の接続部１４２に接続されている。 （もっと読む）