半導体装置の製造方法
【課題】成形金型を用いた半導体装置の樹脂封止方法としてのトランスファモールド方式においては、キャビティ部の容積に相当する樹脂量だけでなく、ランナ部に充填される樹脂量も含めた樹脂材料を準備しなければならない。なお、ランナ部に形成された樹脂体は、最終的には完成品から切り離されるため、使用する樹脂材料に無駄が生じる。
【解決手段】本願発明は、多数の単位デバイス領域を有する平面状基体をその各単位デバイス領域は、上金型および下金型間に形成される多数のモールドキャビティに対応するように、両金型間に収容して、各単位デバイス領域を樹脂封止する半導体装置の製造方法に於いて、各モールドキャビティに対応する部分に、樹脂タブレット供給して、ポット部を含む各モールドキャビティの少なくとも一部の厚さを減少させることにより、樹脂封止を実行するものである。
【解決手段】本願発明は、多数の単位デバイス領域を有する平面状基体をその各単位デバイス領域は、上金型および下金型間に形成される多数のモールドキャビティに対応するように、両金型間に収容して、各単位デバイス領域を樹脂封止する半導体装置の製造方法に於いて、各モールドキャビティに対応する部分に、樹脂タブレット供給して、ポット部を含む各モールドキャビティの少なくとも一部の厚さを減少させることにより、樹脂封止を実行するものである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造方法における樹脂封止技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
日本特開平１０−２５８４４１号公報（特許文献１）には、熱硬化性樹脂を用いた半導体素子等のトランスファモールドに於いて、キャビティ毎に、その近傍にレジンタブレット設置部を設けて、キャビティ毎に、プランジャにより、溶融封止樹脂をキャビティ内に移送する技術が開示されている。
【０００３】
日本特開２００３−１３３３５２号公報（特許文献２）には、一体の樹脂タブレットおよび多数のデバイス領域が形成された配線基板を用いたＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｅ）方式における圧縮モールド技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２５８４４１号公報
【特許文献２】特開２００３−１３３３５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体チップを樹脂で封止した樹脂封止型の半導体装置の封止工程では、一般に、成型金型が使用される。成形金型を用いた樹脂封止方法として、例えば、樹脂の供給源となるポット部に樹脂材料（タブレット）を供給し、このポット部から離れた位置に設けられた複数のキャビティ部（半導体チップが配置される部分）に、ランナ部（ポット部とキャビティ部を繋ぐ通路）を介して樹脂を供給するトランスファモールド方式がある。
【０００６】
しかし、トランスファモールド方式の場合、キャビティ部の容積に相当する樹脂量だけでなく、ランナ部に充填される樹脂量も供えた樹脂材料を準備しなければならない。なお、ランナ部に形成された樹脂体（封止体）は、最終的には完成品（成形品、半導体装置）から切り離されるため、使用する樹脂材料に無駄が生じる。
【０００７】
また、上記の方式の場合、通常、ランナ部を介して多数のキャビティ部に樹脂を供給するため、各キャビティ部における注入条件の均一化が困難である等の問題もある。
【０００８】
そこで、本願発明の一つの目的は、省資源対策（樹脂の使用量を削減）が可能な封止技術（すなわち半導体装置の製造プロセス）を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１１】
すなわち、本願の一つの発明は、多数の単位デバイス領域を有する平面状基体をその各単位デバイス領域は、上金型および下金型間に形成される多数のモールドキャビティに対応するように、両金型間に収容して、各単位デバイス領域を樹脂封止する半導体装置の製造方法に於いて、各モールドキャビティに対応する部分に、樹脂タブレット供給して、ポット部を含む各モールドキャビティの少なくとも一部の厚さを減少させることにより、樹脂封止を実行するものである。
【発明の効果】
【００１２】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００１３】
すなわち、多数の単位デバイス領域を有する平面状基体をその各単位デバイス領域は、上金型および下金型間に形成される多数のモールドキャビティに対応するように、両金型間に収容して、各単位デバイス領域を樹脂封止する半導体装置の製造方法に於いて、各モールドキャビティに対応する部分に、樹脂タブレット供給して、ポット部を含む各モールドキャビティの少なくとも一部の厚さを減少させることにより、樹脂封止を実行することにより、封止樹脂の使用効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂封止後のリードフレームの平面構造の概要を説明するためのリードフレームのチップ搭載面の模式平面図である。
【図２】図１のリードフレーム部分切り出し領域Ｒ１の樹脂封止前のリードフレームのチップ搭載面の平面図である。
【図３】図２の単位デバイス領域５の拡大平面図である。
【図４】図３のＸ−Ｘ’断面の模式断面図である。
【図５】図１のリードフレーム部分切り出し領域Ｒ１の樹脂封止後のリードフレームのチップ搭載面の平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’断面の模式断面図である。
【図７】図５の単位デバイス領域５のリードフレームのチップ搭載面の拡大模式平面図である。
【図８】図７のＢ−Ｂ’断面の模式断面図である。
【図９】図７および図８に対応した完成したパッケージの斜視図である。
【図１０】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスに使用するモールド装置の全体模式上面図である。
【図１１】図１０のモールド装置の下金型の単位デバイス領域５に対応する部分の模式上面図である。
【図１２】図１１において下金型のモールドキャビティ部の一部を構成するポット部と樹脂タブレットの関係を示す樹脂タブレットの斜視図である。
【図１３】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における金型クランプ時（樹脂モールドプロセス）のモールドキャビティ中での樹脂タブレットの位置を説明するための単位デバイス領域５に対応するモールド金型（上金型および下金型）の模式断面図である。
【図１４】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における金型クランプ中のプランジャ最上昇時点（樹脂モールドプロセス）のモールドキャビティの断面形状を説明するための単位デバイス領域５に対応するモールド金型（上金型および下金型）の模式断面図である。
【図１５】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するためのモールドプロセスタイムチャートである。
【図１６】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂タブレットセット時）における金型模式断面図である。
【図１７】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（リードフレームセット時）における金型模式断面図である。
【図１８】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（金型クランプ時）における金型模式断面図である。
【図１９】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（モールドキャビティ内における樹脂移送のためのプランジャ押し上げ開始時）における金型模式断面図である。
【図２０】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂移送完了時）における金型模式断面図である。
【図２１】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（型開き時）における金型模式断面図である。
【図２２】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（エジェクト動作時）における金型模式断面図である。
【図２３】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の変形例に関するモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の全体フローを説明するためのモールドプロセスタイムチャートである。
【図２４】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（リードフレームセット時）における金型模式断面図（順序としては図１６に対応し、処理内容としては図１７に対応）である。
【図２５】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂タブレットセット時）における金型模式断面図（順序としては図１７に対応し、処理内容としては図１６に対応）である。
【図２６】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関する図５の単位デバイス領域５に対応するリードフレームのチップ搭載面の拡大模式平面図である。
【図２７】図２６のＣ−Ｃ’断面の模式断面図である。
【図２８】図２６の裏面の拡大模式平面図である。
【図２９】図２６から図２８に対応した完成したパッケージの斜視図である。
【図３０】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関する金型クランプ時（樹脂モールドプロセス）のモールドキャビティ中での樹脂タブレットの位置を説明するための単位デバイス領域５に対応するモールド金型（上金型および下金型）の模式断面図である。
【図３１】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関する金型クランプ中のプランジャ最上昇時点（樹脂モールドプロセス）のモールドキャビティの断面形状を説明するための単位デバイス領域５に対応するモールド金型（上金型および下金型）の模式断面図である。
【図３２】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂タブレットセット時）における金型模式断面図である。
【図３３】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（リードフレームセット時）における金型模式断面図である。
【図３４】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（金型クランプ時）における金型模式断面図である。
【図３５】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（モールドキャビティ内における樹脂移送のためのプランジャ押し上げ開始時）における金型模式断面図である。
【図３６】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂移送完了時）における金型模式断面図である。
【図３７】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（型開き時）における金型模式断面図である。
【図３８】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（エジェクト動作時）における金型模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
【００１６】
１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）下金型および上金型が開かれた状態に於いて、加熱された前記下金型の多数のモールドキャビティ部の各々に、樹脂タブレットをセットする工程；
（ｂ）多数の単位デバイス領域の各々に半導体チップが搭載された平面状基体を各単位デバイス領域が前記多数のモールドキャビティ部の位置にそれぞれ対応するように、開かれた状態の前記下金型および前記上金型の間にセットする工程；
（ｃ）前記工程（ａ）および（ｂ）の後、前記下金型および前記上金型を閉じてクランプする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記下金型および前記上金型がクランプされた状態に於いて、前記下金型および前記上金型の間に形成されている各モールドキャビティの少なくとも一部の厚さを減少させることにより各モールドキャビティ内に前記樹脂タブレットが溶融した封止樹脂を充填し、前記多数の単位デバイス領域の各々の前記半導体チップを封止する樹脂封止体を形成する工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記下金型および前記上金型を開く工程。
【００１７】
２．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記下金型は、前記多数のモールドキャビティと、前記多数のモールドキャビティの各々の主要部に直接連結したポット部とを有し、各モールドキャビティの最小幅は、その一部であるポット部の径よりも大きい。
【００１８】
３．前記２項の半導体装置の製造方法において、前記樹脂タブレットの水平断面形状は、ほぼ円形であり、その径は、前記ポット部の前記径よりも小さい。
【００１９】
４．前記１から３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、各モールドキャビティの前記厚さの減少は、前記下金型の前記多数のモールドキャビティ部の各々に設けられた前記ポット部に於いてプランジャを押し上げることによって実行される。
【００２０】
５．前記４項の半導体装置の製造方法において、前記プランジャの押し上げは、前記プランジャの上端部がポット部の周辺の前記モールドキャビティ部の底面を越えて行われる。
【００２１】
６．前記１から５項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）において、各モールドキャビティの平面形状は、ほぼ矩形であり、その４コーナ部の外部には、各コーナ部に連結したフローキャビティが形成されている。
【００２２】
７．前記１から６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）において、前記平面状基体は、前記半導体チップが搭載された面を下に向けた状態でセットされる。
【００２３】
８．前記１から７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、前記工程（ａ）よりも先に実行される。
【００２４】
９．前記１から８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記平面状基体の前記半導体チップが搭載されていない面側には、実質的に前記樹脂封止体が形成されていない。
【００２５】
１０．前記１から９項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記平面状基体は、リードフレームである。
【００２６】
１１．前記１から１０項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記平面状基体をその下側に関して離型フィルムを用いることなく離型させる工程。
【００２７】
１２．前記１から６および８から１１項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）において、前記平面状基体は、前記半導体チップが搭載された面を上に向けた状態でセットされる。
【００２８】
１３．前記１から７および９から１２項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、前記工程（ａ）よりも後に実行される。
【００２９】
１４．前記１から８および１０から１３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記平面状基体の前記半導体チップが搭載されていない面側にも、前記樹脂封止体が形成されている。
【００３０】
１５．前記１から１０および１２から１４項の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、離型フィルムを用いることなく前記平面状基体を離型させる工程。
【００３１】
１６．前記１５項の半導体装置の製造方法において、前記平面状基体は、リードフレームである。
【００３２】
〔本願における記載形式、基本的用語、用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００３３】
２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ系合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金メッキ、銅層、ニッケル・メッキ等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、銅、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００３４】
３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。まとえば、「矩形」または「ほぼ矩形」というときは、厳密な正方形又は長方形のみでなく、それらに類似したものを含む。たとえば、四隅を面取りした又は丸みを帯びさせた変形された正方形は矩形である。正方形を例にとれば、一般的に面取り等により、理想的正方形から除外された部分の面積が、前記理想的正方形の面積の１５％未満である場合は、変形された正方形は矩形である。
【００３５】
４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００３６】
５．「ウエハ」というときは、通常は半導体装置（半導体集積回路装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、ＳＯＩウエハ、エピタキシャルウエハ、絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。
【００３７】
６．「半導体チップ」というときは、一般的にはウエハ分割工程(ブレードダイシング、レーザダイシングその他のペレタイズ工程)後の半導体デバイス又は半導体集積回路を形成したダイ等を指す。ここでは主としてシリコン系のチップを、例にとって説明するが、ＧａＡｓ系その他のデバイス・チップであってもよい。
【００３８】
７．本願で主に取り扱う封止方式（「個別圧縮モールド方式」という）は、モールドキャビティと相互に直接連結したポット部、または、モールドキャビティと一体となったポット部を有するモールド金型を用いて、樹脂タブレット（封止樹脂材料）の樹脂を流動状態で、モールドキャビティの本体部分すなわち主要部（縮小後のモールドキャビティ部分）に移送して、縮小したモールドキャビティに溶融樹脂を充填するプロセスと見ることができる。従って、一種のトランスファモールド方式ということが可能かもしれないが、ゲートあるいはランナ等を介して外部から移送するわけではないので、典型的なトランスファモールド方式とは相違する。一方、ＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｅ）方式等の一括モールド方式等で適用されている圧縮モールド方式（「一括圧縮モールド方式」という）とは、形式的には類似しているが、一括圧縮モールド方式（一般的に単に「圧縮モールド方式」と呼ばれることが多い）は、多数の単位デバイス領域を一括して封止するものであるのに対して、個別圧縮モールド方式は、個々の単位デバイス領域毎に封止する点で異なっている。
【００３９】
また、本願に於いては、リードフレーム、配線基板（セラミック系配線基板、有機配線基板等の剛性配線基板、ポリイミド系配線基板等のフレキシブル配線基板等を含む）、その他の扁平な配線基体を「平面状基体」と呼ぶが、「平面状」といっても、リード、ダイパッドサポートバー（いわゆるタブ吊りリード）、ダイパッド、枠部等の相互関係を調整するための多少の凹凸、高さの相違は、平面とみなすことにする。
【００４０】
また、樹脂タブレット等について「水平断面」等というときは、ポット部にセットした状態での水平断面を指すものとする。
【００４１】
更に、本願に於いて、「離形フィルム」等というときは、モールドの際に、多数のキャビティ部を有する金型のキャビティ部が形成されている領域を一括して覆うように敷かれるフィルムであって、主に離型の促進を目的とするものを指し、予めリードフレーム等の一方の面に貼り付けて、一体として組み立てプロセスの多くのプロセスを進行させる、いわゆる「リードフレームテープ」等は、これに含めない。
【００４２】
８．本願に於いて、「片面パッケージ」とは、リードフレーム等の平面状基体の基本的に一方の側にのみ（リードフレーム等の厚さに対応する中心部分には、樹脂封止体が形成されてもよい）、樹脂封止体が形成されるパッケージ形態である。一方、「両面パッケージ」とは、リードフレーム等の平面状基体の基本的に両側に亘って樹脂封止体が形成されるパッケージ形態である。ここで、片面パッケージの典型的な例は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）であり、両面パッケージの典型的な例は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）である。
【００４３】
なお、平面状基体が、有機系配線基板である場合を、リードフレームを用いた「リードフレーム型パッケージ」との対比に於いて、特に「基板型パッケージ」ということとする。ここで、リードフレーム型パッケージの典型的な例は、ＱＦＮ、ＱＦＰ等であり、基板型パッケージの典型的な例は、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）等である。
【００４４】
〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００４５】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するために、ハッチングを付すことがある。
【００４６】
なお、以下の実施の形態に於いては、種々の寸法等を例示するが、これらの数値は、説明をより具体的にするために示すものであり、発明および実施の形態の適用範囲を限定するものではない。
【００４７】
１．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの一例（片面パッケージ）および、関連する主要製造プロセスのアウトライン等の説明（主に図１から図９）
このセクションでは、片面パッケージ、すなわち、基本的にリードフレーム等の平面状基体の一方の側（平面状基体自体の最大厚さ部分を含む）にしか樹脂封止体が形成されないパッケージ形式の一例として、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）について具体的に説明するが、以下の例は、それに限定されるものではなく、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）等にも適用できることは言うまでもない。
【００４８】
図１は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂封止後のリードフレームの平面構造の概要を説明するためのリードフレームのチップ搭載面の模式平面図である。図２は図１のリードフレーム部分切り出し領域Ｒ１の樹脂封止前のリードフレームのチップ搭載面の平面図である。図３は図２の単位デバイス領域５の拡大平面図である。図４は図３のＸ−Ｘ’断面の模式断面図である。図５は図１のリードフレーム部分切り出し領域Ｒ１の樹脂封止後のリードフレームのチップ搭載面の平面図である。図６は図５のＡ−Ａ’断面の模式断面図である。図７は図５の単位デバイス領域５のリードフレームのチップ搭載面の拡大模式平面図である。図８は図７のＢ−Ｂ’断面の模式断面図である。図９は図７および図８に対応した完成したパッケージの斜視図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの一例（片面パッケージ）および、関連する主要製造プロセスのアウトライン等を説明する。
【００４９】
先ず、組み立てに使用するリードフレーム１（平面状基体）を図１に示す。図１に示すものは、樹脂封止が完了した時点のリードフレーム１上の樹脂封止体３（デバイスパッケージ）の配列状況である。図１に示すように、通常、単一のリードフレーム１（たとえば、銅を主要な成分とし、パターニングされた銅系メタル薄膜、厚さは、たとえば、０．１２５ミリメートル程度）上にマトリクス状に多数（たとえば、数十個程度）の樹脂封止体３が配列されている。個々の樹脂封止体３の外面には、たとえば、プランジャによる凹部１４、エジェクタピンによる凹部１５等の凹凸やコーナ部の面取り部があるものの、平面的な外形は、正方形または比較的正方形に近い長方形等の矩形である。なお、立体図形としては、扁平な直方体に類似した構造となっている。
【００５０】
次に、図１のリードフレーム部分切り出し領域Ｒ１の樹脂封止前の上面図（リードフレーム１のチップ搭載面１ａ側から見た図）を図２に示す。図２に示すように、この部分は、単位デバイス領域５の６個分に対応する。各単位デバイス領域５の間は、リードフレーム枠部６によって保持されており、各単位デバイス領域５のチップ搭載面１ａ（表面）には、少なくとも一つの半導体チップ２（たとえば、ほぼ正方形の２．５ミリメートル角、チップ厚さ、たとえば６０マイクロメートル程度）が搭載されている。なお、積層チップでも良い。
【００５１】
次に、一つの単位デバイス領域５の拡大平面図を図３に示す。図３に示すように、中央のダイパッド８上に半導体チップ２が固着されて搭載されており、半導体チップ２のデバイス面２ａ上の多数のボンディングパッド１２と多数のリード４の間に、たとえば金線等のボンディングワイヤ１１（たとえば、径２０マイクロメートル程度）が接続されている。これらの多数のリード４は、その周辺部を、リードフレーム枠部６によって保持されている。ダイパッド８は、たとえば４コーナ部のダイパッドサポートバー９（タブ吊りリード）によって、周辺のリードフレーム枠部６に保持されている。
【００５２】
次に、図３のＸ−Ｘ’断面を図４に示す。図４に示すように、リードフレーム１のチップ搭載面１ａ側に当たるダイパッド８上に半導体チップ２がそのデバイス面２ａを上に向けて（デバイス面２ａとは反対側の裏面がチップ搭載面１ａと対向するように）搭載されており、デバイス面２ａに設けられたボンディングパッド１２とリード４間がボンディングワイヤ１１によって相互接続されている。リード４の裏面側（リードフレーム１の裏面１ｂ側）の一部は、突起状になっており、端子部１０を構成している。なお、端子部１０の先端面とダイパッド８の裏面（リードフレーム１の裏面１ｂ）は、ほぼ同じ高さになっている。なお、ＱＦＮでは、フラッシュバリ防止のため、リードフレーム１の裏面１ｂにリードフレームテープ（離型フィルムとは異なる）を張った状態で、組立工程の処理を行う場合が多いが、ここでは煩雑さを回避するために、図示および説明を省略する。
【００５３】
次に、図２に対応する樹脂封止完了時点（上下金型間から取り出した時点）のチップ搭載面１ａ側から見た平面図を図５に示す。図５に示すように、樹脂封止体３の表面３ａには、先に説明したように、プランジャによる凹部１４およびエジェクタピンによる凹部１５があり、樹脂封止体３の４コーナ外部には、フローキャビティに対応する樹脂片１６がある。
【００５４】
次に、図５のＡ−Ａ’断面を図６に示す。図６に示すように、隣接する樹脂封止体３同士は、相互に分離しており、樹脂封止体３は、半導体チップ２のデバイス面２ａ、ボンディングワイヤ１１およびリードフレームのチップ搭載面１ａ側（リードフレームの厚さ部分を含む）を覆うように形成されている。また、先に説明したように、樹脂封止体３の表面３ａには、プランジャによる凹部１４が形成されている。リードフレーム１の裏面１b側に於いては、樹脂封止体３の裏面３ｂとダイパッド８の裏面、端子部１０、およびリードフレーム枠部６の裏面が同一の平面を形成するように露出している。
【００５５】
次に、図５の単位デバイス領域５の樹脂封止体３の表面３ａ側から見た拡大平面図を図７に示す。図７に示すように、この例では、平面的に見ると、プランジャによる凹部１４の内部に、ダイパッド８があり、更に、ダイパッド８の内部に半導体チップ２がある構造となっている。
【００５６】
次に、図７のＢ−Ｂ’断面を図８に示す。図８に示すように、この断面では、リードフレーム１は、リードフレーム枠部６、半導体チップ２を搭載しているダイパッド８、ダイパッド８をリードフレーム枠部６に繋ぐダイパッドサポートバー９に分かれている。リードフレーム１のチップ搭載面１ａ（表面）上には、半導体チップ２を封止するように樹脂封止体３が形成されており、樹脂封止体３の各コーナ部には、フローキャビティに対応する樹脂片１６が形成されている。また、樹脂封止体３の表面３ａには、プランジャによる凹部１４が形成されている。
【００５７】
次に、デバイス完成時点のデバイスパッケージ３の斜視図を図９に示す。図９に示すように、デバイスパッケージ３の側面３ｓからは、リード４の側端部が露出しており、デバイスパッケージ３の表面３ａには、プランジャによる凹部１４およびエジェクタピンによる凹部１５が見える。ここで、パッケージの厚さは、たとえば、０．５ミリメートル程度である。
【００５８】
図５から図８の状態から図９の状態への移行処理は、通常、たとえば回転ブレード等によるパッケージダイシングによる分離処理、または切断金型による切断処理によって実行される。なお、セクション６から８に説明するようなＱＦＰでは、切断金型による切断処理が一般的である。
【００５９】
２．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスに使用するモールド装置の一例の説明（主に図１０）
このセクションでは、セクション１で説明したデバイスの樹脂モールドのため装置の一例として、樹脂モールド一貫装置を例示する。
【００６０】
図１０は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスに使用するモールド装置の全体模式上面図である。これに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスに使用するモールド装置の一例を説明する。
【００６１】
図１０に本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスに使用するモールド装置５１の一例の装置模式上面図を示す。図１０に示すように、モールド装置５１に導入された図２の状態のリードフレーム１は、まず、リードフレームローダ５２に収容され、続いて、リードフレーム整列部５３に移送され、そこで整列させられる。その後、リードフレーム搬送部５４からリードフレーム搬送機構６０によって、たとえば、複数個（例えば４個）用意されたプレス部５５の一つに移送されて、上金型６１と下金型６２の間にセットされる。
【００６２】
これと相前後して、樹脂タブレット整列部５６において、整列させられた複数の樹脂タブレット７は、樹脂タブレット搬送部５７によって、先のプレス部５５に搬送され、そこにセットされる。
【００６３】
その後、封止が実行され、それが完了すると、リードフレーム搬送機構６０により、上金型６１と下金型６２の間からリードフレーム取り出し部５８へ、多数の樹脂封止体３が形成されたリードフレーム１が取り出されて、その後、リードフレームアンローダ５９に移送される。最終的に、リードフレーム１は、モールド装置５１の外部に排出される。
【００６４】
３．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における要部プロセスの説明（主に図１１から図１４）
前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における要部プロセスである樹脂モールドプロセスは、封止樹脂のソースを、モールドキャビティの一部を構成するか、または、これと一体となって連結したポット部等に投入して、モールドキャビティの一部の厚さを減少させることによって、モールドキャビティ全体に封止樹脂を充填するものである。このセクションでは、この投入される封止樹脂のソースの一例である樹脂タブレットの形状、モールド金型の形状、金型の重要な動作状態等を説明する。
【００６５】
図１１は図１０のモールド装置の下金型の単位デバイス領域５に対応する部分の模式上面図である。図１２は図１１において下金型のモールドキャビティ部の一部を構成するポット部と樹脂タブレットの関係を示す樹脂タブレットの斜視図である。図１３は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における金型クランプ時（樹脂モールドプロセス）のモールドキャビティ中での樹脂タブレットの位置を説明するための単位デバイス領域５に対応するモールド金型（上金型および下金型）の模式断面図である。図１４は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における金型クランプ中のプランジャ最上昇時点（樹脂モールドプロセス）のモールドキャビティの断面形状を説明するための単位デバイス領域５に対応するモールド金型（上金型および下金型）の模式断面図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における要部プロセスを説明する。
【００６６】
図５に示すような樹脂封止体３をリードフレーム１上に形成する際に、図１０に示したプレス部５５において、モールド金型を使用するが、このモールド金型を構成する下金型６２の上面図を図１１（図５の単位デバイス領域５に対応する部分）に示す（この図は、図７と型とそれによる成形物の関係にある）。図１１に示すように、下金型６２のモールドキャビティ部６３内には、エジェクタピン７２が設けられており、モールドキャビティ部６３の中央部は、ポット部６９（平面形状は、たとえば円形）となっている。ポット部６９の外側は、周辺底面６３ｐとなっており、その内側の部分はポットシリンダ６４（平面形状は、たとえば円筒形）となっている。このポット部６９には、たとえば円柱形の樹脂タブレット７（高さは、たとえば３ミリメートル程度、範囲としては、たとえば２ミリメートルから９ミリメートル程度）が収容されるようになっている。下金型６２のモールドキャビティ部６３の各コーナ部には、フローゲート６７を介してフローキャビティ６６が連結されている。フローキャビティ６６は、余剰の封止樹脂をボイド等とともに受け入れる部分であり、その先にはベント７４が設けられている。なお、フローキャビティ６６は、必須ではなく、代わりに、各コーナ部にベントを設けても良い。すなわち、キャビティ形状（図９に示すように樹脂封止体の形状も同じ）は、平面的に矩形（正方形又は長方形）または、ほぼ矩形（コーナ部が面取りされているものも矩形に含む）であり、その全コーナ部にフローキャビティやベント等のボイド吸収機構を設けることができるので、パッケージの充填特性を向上させることができる（なお、半導体チップやダイパッド等の一般に同一配向の矩形またはほぼ矩形である）。言い換えると、この金型には、サイドゲート方式のトランスファモールド用金型と相違して、コーナ部にゲート（樹脂注入ゲート）がないことが構造上の特徴の一つとなっている。また、トップゲート方式のトランスファモールド用金型とも相違して、上金型の中央部等にトップゲート（樹脂注入ゲート）がないことも構造上の特徴の一つとなっている。
【００６７】
ここで、図１１および図１２に示すように、この例では、樹脂タブレット７の径Ｗ１は、ポット部６９の内径Ｗ４（たとえば６ミリメートル程度）よりも小さくされており、ポット部６９の内径Ｗ４は、下金型６２のモールドキャビティ部６３の最小幅Ｗ３（たとえば１０ミリメートル程度）よりも小さくされている。また、ダイパッド８の辺の長さＷ５（長辺の長さ）は、樹脂タブレット７の径Ｗ１（たとえば７ミリメートル程度）よりも小さくされており、半導体チップ２の辺の長さＷ２（長辺の長さ、たとえば２．５ミリメートル程度）は、ダイパッド８の辺の長さＷ５（長辺の長さ、たとえば３．５ミリメートル程度）よりも小さくされている（いわゆる小タブのようにチップよりも面積の小さなダイパッドを使用する方式でもよい）。なお、ポット部６９の内径Ｗ４よりも樹脂タブレット７の内径を小さくすることは、樹脂タブレットのセットの確実性を高めるのに有効である。また、樹脂タブレット７の径Ｗ１は、半導体チップ２の辺の長さＷ２やダイパッド８の辺の長さＷ５と同等又はそれよりも小さくすることもできる。樹脂タブレット７の径Ｗ１を半導体チップ２の辺の長さＷ２やダイパッド８の辺の長さＷ５よりも大きくすることは、充填時の溶融樹脂の流速および流路長を小さくできるメリットがある。
【００６８】
樹脂タブレット７（封止樹脂材料）の形状は、基本的にどのような形状でも良い。すなわち、直方体、球、円柱、角柱、更には、タブレットとは呼べない可能性もあるが、液状、粉末状、ショット状でも良い。しかし、樹脂タブレットの主要な製法を考慮すると、錠剤のように、円柱状または円形の水平断面を有する一体の立体構造を有することが望ましい。これに対して、一括圧縮モールド方式に行われるように、大きなキャビティの矩形形状にほぼ一致する大きさと形状を有する樹脂タブレットのサイズを個別圧縮モールド方式に合うように小さくして、個別圧縮モールド方式に適用することも可能である。しかし、この方式は、封止特性等に於いてはメリットも期待できるが、樹脂タブレットの作製上のデメリットを伴う恐れがある。
【００６９】
次に、図１３に樹脂タブレット７をポット部６９にセットして、上金型６１および下金型６２を閉じてクランプした際（破線の上金型６１が閉じたところに対応）の金型断面（リードフレーム１等は省略）を模式的に示す。図１３に示すように、上金型６１の下面６１ｂと下金型６２の上面６２ａとの間に、下金型６２のモールドキャビティ部６３に対応したモールドキャビティ６８が形成される。この時点では、プランジャ６５が下がっているので、モールドキャビティ６８の一部であるポット部６９のある部分（平面的に見てポット部６９と重なる部分）のある部分のモールドキャビティ６８の厚さＴ１（初期モールドキャビティ厚さ）は、他の部分と比べて最も厚くなっている。
【００７０】
次に、図１４に樹脂充填完了時の金型断面（リードフレーム１等は省略）を模式的に示す。図１４に示すように、この時点に於いては、プランジャ６５が上昇しているので、プランジャ上端部６５ｔは、たとえば、下金型６２のモールドキャビティ部６３の周辺底面６３ｐ（この例では、ポットシリンダ６４の上端部）よりも若干、上にある。従って、この部分（平面的に見てポット部６９と重なる部分）のモールドキャビティ６８の厚さＴ２（樹脂充填完了時モールドキャビティ厚さ）は、モールドキャビティ６８の他の主要部分の厚さよりも薄くなっている。もちろん、樹脂充填完了時モールドキャビティ厚さＴ２は、初期モールドキャビティ厚さＴ１よりも薄くなっている。
【００７１】
このプランジャ６５のオーバドライブ量（充填時の最高上昇時のプランジャ上端部６５ｔとポットシリンダ６４の上端部との高さの差、すなわち、図８の凹部１４の深さ）は、たとえば、０．０５ミリメートル程度を好適なものとして例示することができる。なお、好適な範囲としては、たとえば、０．０１から０．１ミリメートル程度を例示することができる。これは、あまりに浅いと、種々の誤差により凹部（完全フラットまではパッケージ形状としては許容できる）となるべき部分が凸部となると、パッケージ形状上問題があるからである。一方、凹部１４の深さが深くなりすぎると、ボンディングワイヤの露出等の問題があるからである（ＱＦＰの場合には、本来露出すべきでないダイパッドの露出等）。
【００７２】
４．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローの説明（主に図１５から図２２）
このセクションでは、リードフレーム１を準備してからリードフレーム１を個片化することで半導体装置を取得するまでの全体フローを、セクション１から３で説明したモールドプロセスを金型等の動作とともにプロセスの流れに従って順に説明する。
【００７３】
まず、図２で示した複数の単位デバイス領域５を有するリードフレーム１を準備する。
【００７４】
次に、リードフレーム１の各単位デバイス領域５に設けられたダイパッド８上に半導体チップ２を搭載する。
【００７５】
次に、半導体チップ２のデバイス面２ａに形成された複数のボンディングパッド（電極パッド）とダイパッド８の周囲に設けられた複数のリード４とを、複数のボンディングワイヤ１１を介してそれぞれ電気的に接続する。
【００７６】
次に、複数の半導体チップ２が搭載されたリードフレーム１を金型内にセットし、モールド（封止工程）を行う。
【００７７】
ここで、図１５は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するためのモールドプロセスタイムチャートである。図１６は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂タブレットセット時）における金型模式断面図である。図１７は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（リードフレームセット時）における金型模式断面図である。図１８は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（金型クランプ時）における金型模式断面図である。図１９は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（モールドキャビティ内における樹脂移送のためのプランジャ押し上げ開始時）における金型模式断面図である。図２０は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂移送完了時）における金型模式断面図である。図２１は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（型開き時）における金型模式断面図である。図２２は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（エジェクト動作時）における金型模式断面図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明する。
【００７８】
まず、図１５の時点ｔ０（処理準備時）において、金型（上金型６１、下金型６２）をあらかじめ摂氏１７５度程度に加熱しておき、その後も、処理中は同温度に保持しておく。そして、図１６に示すように、上金型６１および下金型６２が開かれた状態で（間隔は、たとえば２０センチメートル程度）、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）が樹脂タブレット７を保持した状態で、上金型６１および下金型６２の間に侵入を開始する。
【００７９】
次に、図１５の時点ｔ１において、プランジャ６５が、後退を開始し、時点ｔ２において、プランジャ６５が、樹脂タブレット７を受け入れる位置まで後退する。ここで、図１６に示すように、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）により、加熱されたポット部６９に、樹脂タブレット７をセットする動作を開始し、時点ｔ３において、樹脂タブレット７のセットを完了し、時点ｔ４において、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）は上金型６１および下金型６２の間から外部の元の位置に戻る。
【００８０】
次に、図１７に示すように、図１５の時点ｔ５において、リードフレーム搬送機構６０（図１０）がリードフレーム１を保持して、上金型６１および下金型６２の間に侵入を開始する。図１５の時点ｔ６において、リードフレーム１のセットを開始し、時点ｔ７に於いて、リードフレーム１の下金型６２の上面６２ａへのセットを完了する。このとき、各チップ２の取り付け位置（または単位デバイス領域５）が下金型６２の各モールドキャビティ部６３に対応するように、リードフレーム１のチップ搭載面１ａ（表面）を下向きにしてセットされる。
【００８１】
図１５の時点ｔ７に於いて、リードフレーム１のセットが完了すると、リードフレーム搬送機構６０（図１０）は退避を開始し、図１５の時点ｔ８において、上金型６１および下金型６２の間から外部の元の位置に戻る。
【００８２】
次に、図１８に示すように、図１５の時点ｔ９において、プレス機構が動作して、上金型６１および下金型６２を閉じる動作を開始し、時点ｔ１０において、クランプを完了する。これにより、上金型６１および下金型６２の間にモールドキャビティ６８が形成される。クランプ圧は、たとえば、５５０ＭＰａ程度を好適なものとして例示することができる。
【００８３】
次に、図１９に示すように、図１５の時点ｔ１１において、上金型６１および下金型６２をクランプした状態で、プランジャ６５の上昇が開始される。この時点で、樹脂タブレット７はすでに溶融樹脂７ｍに状態にある。
【００８４】
次に、図２０に示すように、図１５の時点ｔ１２において、樹脂の移送が完了すると注入圧力（充填圧力）は急速に上昇する（好適な充填圧力は、たとえば、１２ＭＰａ程度）。この時点で、溶融樹脂７ｍは、モールドキャビティ６８を満たし、フローキャビティ６６にまで入り込み、そこで、フローキャビティに対応する樹脂片１６を形成しつつある。
【００８５】
次に、図２１に示すように、図１５の時点ｔ１３において、プランジャ６５の下降が開始されると、注入圧力（充填圧力）が急速に低下するとともに、クランプの解除および上金型６１および下金型６２を開く動作が開始し、図１５の時点ｔ１４において、型開きが完了する。
【００８６】
次に、図２２に示すように、図１５の時点ｔ１５において、再びプランジャ６５の上昇が開始され、エジェクト動作が開始する。このとき、下金型６２に設けられたエジェクタピンもプランジャ６５と同様に上昇する。図１５の時点ｔ１６において、プランジャ６５の再上昇が完了して、リードフレーム１の下金型６２からの離型が完了すると、時点ｔ１７において、プランジャ６５の再降下が開始され、時点t１８に於いて、下金型６２のモールドキャビティ部６３の周辺底面６３ｐとほぼ同じ、スタンバイ高さに戻る。これにより、モールドサイクルを一巡したことになる。
【００８７】
その後、図１０に於いて説明したリードフレーム搬送機構６０によるリードフレーム取り出し部５８へのリードフレーム１の取り出しが行われることにより、次のモールドサイクルへ入る。
【００８８】
ここで、時点ｔ２から時点ｔ１１は、タブレット予熱時間（たとえば１０秒程度）であり、時点ｔ１１から時点ｔ１２は、注入動作時間（たとえば１０秒程度）であり、時点ｔ１１から時点ｔ１３は、キュア時間（たとえば９０秒程度）であり、時点t１５型時点t１８はイジェクト動作時間（たとえば１５秒程度）である。また、時点t０から時点t１８は、モールドサイクル時間（たとえば１２０秒程度）である。
【００８９】
この例で示したように、リードフレームのチップ搭載面を下に向けてセットするメリットは、リードの反対側から溶融樹脂を供給する場合に懸念される供給経路の多岐化によるボイド発生を防止するためである。リードの反対側から溶融樹脂を供給すると、必然的に樹脂は、リードフレームに開いた多数の開口を介して供給されることになり、ボイド発生を助長する恐れがあるからである。一方、リードフレームのチップ搭載面を上に向けてセットするメリットは（セクション８に於いて同じ）、溶融樹脂の流れによるワイヤ流れを回避できるメリットがある。
【００９０】
また、このような問題がない場合においても、リードフレームのチップ搭載面を下に向けてセットすることにより、ボンディングワイヤの自重による倒れを防止することができる。
【００９１】
次に、リードフレーム１（リード４）のうち、形成された樹脂封止体３から露出する部分にメッキ膜を形成する。
【００９２】
その後、各単位デバイス領域５に樹脂封止体３が形成されたリードフレームのうち、互いに隣り合う単位デバイス領域５間に位置するリードフレーム枠部６を切断することで、リードフレーム１から樹脂封止体３が形成された単位デバイス領域５（すなわち半導体装置）を取得（個片化）する。
【００９３】
５．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の変形例の説明（主に図２３から図２５）
セクション４で説明したモールドプロセスでは、リードフレームのセットよりも、樹脂タブレットのセットの方を先行させたが、このセクションで説明したものは、セクション４で説明したモールドプロセスの初段部分（図１６および図１７）の変形例であり、図１８以降は、プロセス的には同一であるので、同一部分の説明は繰り返さない。なお、図２３も変形部分を除き、基本的に図１５と同一である。
【００９４】
なお、上金型にリードフレーム部分を吸着する真空吸引孔７１（図２４参照）等を設ける等の対応によって、この例は、このセクションで説明する片面パッケージのみでなく、後にセクション６で説明するような両面パッケージにも適用できることは言うまでもない。
【００９５】
図２３は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の変形例に関するモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の全体フローを説明するためのモールドプロセスタイムチャートである。図２４は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（リードフレームセット時）における金型模式断面図（順序としては図１６に対応し、処理内容としては図１７に対応）である。図２５は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂タブレットセット時）における金型模式断面図（順序としては図１７に対応し、処理内容としては図１６に対応）である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の変形例を説明する。
【００９６】
まず、先と同様に、図２３の時点ｔ０（処理準備時）において、金型（上金型６１、下金型６２）をあらかじめ摂氏１７５度程度に加熱しておき、その後も、処理中は同温度に保持しておく。
【００９７】
この状態に於いて、図２４に示すように、図２３の時点ｔ０において、リードフレーム搬送機構６０（図１０）がリードフレーム１を保持して、上金型６１および下金型６２の間に侵入を開始する。図２３の時点ｔ１において、リードフレーム１のセットを開始し、時点ｔ２に於いて、リードフレーム１の上金型６１の下面６１ｂへの真空吸引孔７１によるセットを完了する。このとき、各チップ２の取り付け位置（または単位デバイス領域５）が下金型６２の各モールドキャビティ部６３に対応するように、リードフレーム１のチップ搭載面１ａ（表面）を下向きにしてセットされる。
【００９８】
図２３の時点ｔ２に於いて、リードフレーム１のセットが完了すると、リードフレーム搬送機構６０（図１０）は退避を開始し、図２３の時点ｔ３において、上金型６１および下金型６２の間から外部の元の位置に戻る。
【００９９】
次に、図２５に示すように、図２３の時点ｔ４において、上金型６１および下金型６２が開かれた状態で、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）が樹脂タブレット７を保持した状態で、上金型６１および下金型６２の間に侵入を開始する。
【０１００】
次に、図２３の時点ｔ５において、プランジャ６５が、後退を開始し、時点ｔ６において、プランジャ６５が、樹脂タブレット７を受け入れる位置まで後退する。ここで、図２５に示すように、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）により、加熱されたポット部６９に、樹脂タブレット７をセットする動作を開始し、時点ｔ７において、樹脂タブレット７のセットを完了し、時点ｔ８において、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）は上金型６１および下金型６２の間から外部の元の位置に戻る。
【０１０１】
これ以降は、セクション４における図１８以降と基本的に同じである。なお、真空吸引孔７１による吸着は、通常、図１８の状態に至ってオフされる。
【０１０２】
ここで、時点ｔ６から時点ｔ１１は、タブレット予熱時間（たとえば１０秒程度）であり、時点ｔ１１から時点ｔ１２は、注入動作時間（たとえば１０秒程度）であり、時点ｔ１１から時点ｔ１３は、キュア時間（たとえば９０秒程度）であり、時点t１５型時点t１８はイジェクト動作時間（たとえば１５秒程度）である。また、時点t０から時点t１８は、モールドサイクル時間（たとえば１２５秒程度）である
このセクションで、説明したように、リードフレームのセットを先行して、後に、樹脂タブレットのセットをすることは、後の注入時間の選択の自由度が増すメリットがある。たとえば、樹脂タブレットのセットを先行した場合に起こるような、リードフレームのセットの遅れによる不所望な樹脂の硬化の進行等を回避することができる。
【０１０３】
６．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）、関連する主要製造プロセスのアウトライン等の説明（主に図２６から図２９）
このセクションでは、セクション１から４のモールドプロセスの対象デバイスの変形例として、対象デバイスが両面パッケージ（具体的にはＱＦＰ）の場合について説明する。
【０１０４】
図２６は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関する図５の単位デバイス領域５に対応するリードフレームのチップ搭載面の拡大模式平面図である。図２７は図２６のＣ−Ｃ’断面の模式断面図である。図２８は図２６の裏面の拡大模式平面図である。図２９は図２６から図２８に対応した完成したパッケージの斜視図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）、関連する主要製造プロセスのアウトライン等を説明する。
【０１０５】
次に、図５の単位デバイス領域５の樹脂封止体３の表面３ａ側から見た拡大平面図を図２６に示す。図２６に示すように、この例では、平面的に見ると、図７と異なり、外観的にはエジェクタピンによる凹部１５のみが見えており、プランジャによる凹部１４は、反対側にあって見えない状態であり（破線で示す）、内部にダイパッド８がある。更に、ダイパッド８の内部に半導体チップ２がある構造となっている。
【０１０６】
次に、図２６のＣ−Ｃ’断面を図２７に示す。図２７に示すように、この断面では、リードフレーム１は、リードフレーム枠部６、半導体チップ２を搭載しているダイパッド８、ダイパッド８をリードフレーム枠部６に繋ぐダイパッドサポートバー９に分かれている。リードフレーム１のチップ搭載面１ａ（表面）上およびその反対の面１ｂ（リードフレームの裏面）には、半導体チップ２を封止するように樹脂封止体３が形成されており、樹脂封止体３の各コーナ部には、フローキャビティに対応する樹脂片１６が形成されている。また、図８と異なり、図２８にも示すように、樹脂封止体３の裏面３ｂには、プランジャによる凹部１４が形成されている（図８では、表面３ａ側である）。
【０１０７】
次に、デバイス完成時点のデバイスパッケージ３の斜視図を図２９に示す。図２９に示すように、デバイスパッケージ３の側面３ｓからは、リード４が突出しており、デバイスパッケージ３の表面３ａには、エジェクタピンによる凹部１５が見える。
【０１０８】
７．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関する要部プロセスの説明（主に図３０および図３１）
このセクションでは、両面パッケージの場合に於いて、セクション３に対応するモールド金型の特徴と主要なその働きを説明する。モールド金型の構造は、図１３および１４の例では、上金型の底面はほぼ平坦であったが、この例では、キャビティ等に対応して凹凸を有している点等が異なっている。なお、図１１（この例では、上下の金型がほぼこの構造を呈している）および図１２については、構造的に本質的相違はないので、説明は繰り返さない。
【０１０９】
図３０は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関する金型クランプ時（樹脂モールドプロセス）のモールドキャビティ中での樹脂タブレットの位置を説明するための単位デバイス領域５に対応するモールド金型（上金型および下金型）の模式断面図である。図３１は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関する金型クランプ中のプランジャ最上昇時点（樹脂モールドプロセス）のモールドキャビティの断面形状を説明するための単位デバイス領域５に対応するモールド金型（上金型および下金型）の模式断面図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関する要部プロセスを説明する。
【０１１０】
図３０に樹脂タブレット７をポット部６９にセットして、上金型６１および下金型６２を閉じてクランプした際（破線の上金型６１が閉じたところに対応）の金型断面（リードフレーム１等は省略）を模式的に示す。図３０に示すように、上金型６１の下面６１ｂと下金型６２の上面６２ａとの間に、上金型６１のモールドキャビティ部７３および下金型６２のモールドキャビティ部６３に対応したモールドキャビティ６８が形成される。この時点では、プランジャ６５が下がっているので、モールドキャビティ６８の一部であるポット部６９のある部分のある部分のモールドキャビティ６８の厚さＴ１（初期モールドキャビティ厚さ）は、他の部分と比べて最も厚くなっている。この例の場合、上金型６１にエジェクタピン７２が設けられている。
【０１１１】
次に、図３１に樹脂充填完了時の金型断面（リードフレーム１等は省略）を模式的に示す。図３１に示すように、この時点に於いては、プランジャ６５が上昇しているので、プランジャ上端部６５ｔは、たとえば、下金型６２のモールドキャビティ部６３の周辺底面６３ｐ（この例では、ポットシリンダ６４の上端部）よりも若干、上にある。従って、この部分のモールドキャビティ６８の厚さＴ２（樹脂充填完了時モールドキャビティ厚さ）は、モールドキャビティ６８の他の主要部分の厚さよりも薄くなっている。もちろん、樹脂充填完了時モールドキャビティ厚さＴ２は、初期モールドキャビティ厚さＴ１よりも薄くなっている。
【０１１２】
８．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセスの全体フローの説明（主に図３２から図３８）
タイムチャートは、図１５と同じであり、以下に示す各ステップにおける各断面図、すなわち図２６から図２９は、それぞれ図３２から図３８に対応している。
【０１１３】
なお、この例では、リードフレーム等のチップ搭載面を上向きにして、モールド金型にセットする例を具体的に説明するが、以下の実施の形態は、それに限定されるものではなく、チップ搭載面を下向きにして、モールド金型にセットする場合にも同様に適用できることは言うまでもない。
【０１１４】
図３２は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂タブレットセット時）における金型模式断面図である。図３３は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（リードフレームセット時）における金型模式断面図である。図３４は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（金型クランプ時）における金型模式断面図である。図３５は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（モールドキャビティ内における樹脂移送のためのプランジャ押し上げ開始時）における金型模式断面図である。図３６は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂移送完了時）における金型模式断面図である。図３７は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（型開き時）における金型模式断面図である。図３８は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（エジェクト動作時）における金型模式断面図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセスの全体フローを説明する。
【０１１５】
セクション４と同様に、まず、図１５の時点ｔ０（処理準備時）において、金型（上金型６１、下金型６２）をあらかじめ摂氏１７５度程度に加熱しておき、その後も、処理中は同温度に保持しておく。そして、図３２に示すように、上金型６１および下金型６２が開かれた状態で、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）が樹脂タブレット７を保持した状態で、上金型６１および下金型６２の間に侵入を開始する。
【０１１６】
次に、図１５の時点ｔ１において、プランジャ６５が、後退を開始し、時点ｔ２において、プランジャ６５が、樹脂タブレット７を受け入れる位置まで後退する。ここで、図３２に示すように、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）により、加熱されたポット部６９に、樹脂タブレット７をセットする動作を開始し、時点ｔ３において、樹脂タブレット７のセットを完了し、時点ｔ４において、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）は上金型６１および下金型６２の間から外部の元の位置に戻る。
【０１１７】
次に、図３３に示すように、図１５の時点ｔ５において、リードフレーム搬送機構６０（図１０）がリードフレーム１を保持して、上金型６１および下金型６２の間に侵入を開始する。図１５の時点ｔ６において、リードフレーム１のセットを開始し、時点ｔ７に於いて、リードフレーム１の下金型６２の上面６２ａへのセットを完了する。このとき、各チップ２の取り付け位置（または単位デバイス領域５）が上金型６１のモールドキャビティ部７３および下金型６２の各モールドキャビティ部６３に対応するように、リードフレーム１のチップ搭載面１ａ（表面）をたとえば上向きにしてセットされる。
【０１１８】
図１５の時点ｔ７に於いて、リードフレーム１のセットが完了すると、リードフレーム搬送機構６０（図１０）は退避を開始し、図１５の時点ｔ８において、上金型６１および下金型６２の間から外部の元の位置に戻る。
【０１１９】
次に、図３４に示すように、図１５の時点ｔ９において、プレス機構が動作して、上金型６１および下金型６２を閉じる動作を開始し、時点ｔ１０において、クランプを完了する。これにより、上金型６１および下金型６２の間にモールドキャビティ６８が形成される。このとき、エジェクタピン７２は、突出していない状態（後退位置）にある。
【０１２０】
次に、図３５に示すように、図１５の時点ｔ１１において、上金型６１および下金型６２をクランプした状態で、プランジャ６５の上昇が開始される。この時点で、樹脂タブレット７はすでに溶融樹脂７ｍに状態にある。
【０１２１】
次に、図３６に示すように、図１５の時点ｔ１２において、樹脂の移送が完了すると注入圧力（充填圧力）は急速に上昇する。この時点で、溶融樹脂７ｍは、モールドキャビティ６８を満たし、フローキャビティ６６にまで入り込み、そこで、フローキャビティに対応する樹脂片１６を形成しつつある。
【０１２２】
次に、図３７に示すように、図１５の時点ｔ１３において、プランジャ６５の下降が開始されると、注入圧力（充填圧力）が急速に低下するとともに、クランプの解除および上金型６１および下金型６２を開く動作が開始し（これと連動して、上金型６１のエジェクタピン７２が突出する）、図１５の時点ｔ１４において、型開きが完了する。
【０１２３】
次に、図３８に示すように、図１５の時点ｔ１５において、再びプランジャ６５の上昇が開始され、エジェクト動作が開始する。このとき、下金型６２にエジェクタピンがある場合は、エジェクタピンもプランジャ６５と同様に上昇する。図１５の時点ｔ１６において、プランジャ６５の再上昇が完了して、リードフレーム１の下金型６２からの離型が完了すると、時点ｔ１７において、プランジャ６５の再降下が開始され、時点t１８に於いて、下金型６２のモールドキャビティ部６３の周辺底面６３ｐとほぼ同じ、スタンバイ高さに戻る。これにより、モールドサイクルを一巡したことになる。
【０１２４】
ここで説明したように、リードフレーム１のチップ搭載面１ａ（表面）を上向きにしてセットするメリットは、両面パッケージでは、個々の面（表面又は裏面）における樹脂厚さは片面パッケージに比べて、より薄くなっているので、チップ搭載面を下にすると、プランジャのオーバドライブの結果生成する凹部１４において、ワイヤ等が露出する恐れが高くなることによる。
【０１２５】
９．本願の全般に関する考察並びに各実施の形態に関する補足的説明
典型的なトランスファモールド方式は、金型内のモールドキャビティから離れた位置に樹脂タブレットをセットして、樹脂タブレットが熱により溶融した溶融樹脂をカル、ランナおよびゲートを介してモールドキャビティ内に移送して充填する有力な樹脂モールド方法である。しかしながら、一つのリードフレームに配置される単位デバイス領域の数は、年々増加する傾向にあり、マトリクス状に配置された列および行の数は増える一方であり、移送流路長は従来の２から３倍に急増する傾向にある。
【０１２６】
このような問題に対して、前記各実施の形態（変形例を含む）では、個別圧縮モールド方式に於いて、個々のキャビティに対応する部分の各々に、樹脂タブレット（封止樹脂材料）を供給することにより、ゲート等を介することなく、直接、リードフレーム（平面状基体）の被封止部分（単位デバイス領域）に、溶融樹脂を供給することにより、樹脂材料の無駄等を省くものである。
【０１２７】
また、前記各実施の形態（変形例を含む）で説明した個別圧縮モールド方式に於いては、どのキャビティに於いても樹脂条件は、ほぼ同一であるので、トランスファモールドの場合のように、特に高速で注入する必要がないので、粘度を大幅に下げる必要もなく、ワイヤ流れの問題もそれほど厳しいものではない。すなわち、比較的低速の充填（移送）が可能であれる。
【０１２８】
更に、パッケージの中央部から外部に向けて放射状に樹脂面が広がるので、ボイドの巻き込みも比較的少ないと考えられる。
【０１２９】
また、典型的なトランスファモールド方式において、マトリクス状に配置された単位デバイス領域を有するリードフレームを封止する場合、必然的に、単位デバイス領域がどの位置にあるかによって、ポット部からの樹脂経路が異なることから全キャビティの樹脂充填条件をそろえることが困難となる。一方、前記各実施の形態（変形例を含む）で説明した個別圧縮モールド方式に於いては、ポット部自体が各キャビティ内にあるので、全てのキャビティの樹脂充填条件が基本的に同一とすることが容易に達成できる。
【０１３０】
また、一括圧縮モールド方式における巨大な樹脂タブレットにありがちな樹脂の端部や中央部といった位置による非均等性も排除することが可能となる。
【０１３１】
なお、一括圧縮モールド方式に図１２に示したような円形の樹脂タブレットを使用することも可能であるが、一方に、樹脂の充填特性が不均一になる恐れが高い。
【０１３２】
１０．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１３３】
例えば、前記実施の形態では、主に単位デバイス領域ひとつについて、単一チップを搭載したデバイスを例に取り具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、一つの単位デバイス領域に単層で又は積層して、複数のチップを搭載したものにも適用できることは言うまでもない。
【０１３４】
また、前記実施の形態では、主に平面状基体としてリードフレームを用いたデバイスおよびデバイス製法を具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、平面状基体として有機配線基板（より広く絶縁性配線基板）等を用いたものにも適用できることは言うまでもない。
【０１３５】
更に、前記実施の形態では、主に下金型側にポット部を設けた金型を説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、上金型にポット部を設けても良いことはいうまでもない。
【０１３６】
また、前記実施の形態では、下金型の一部がポット部に対応している例を示したが、本発明はそれに限定されるものではなく、下金型のほぼ全部がポット部に対応していてもよいことはいうまでもない。
【０１３７】
また、前記実施の形態では、下金型の一部に設けられたポット部に樹脂タブレットをセットする例を主に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、ポット部外の下金型のモールドキャビティ部に樹脂タブレットをセットしてもよい。更には、下金型の一部に設けられたポット部に樹脂タブレットをセットする場合に於いても、当該部分をはみ出して、樹脂タブレットをセットしてもよい。
【０１３８】
更に、前記実施の形態では、片面モールドの例として、下金型にのみキャビティ対応凹部がある金型を例示したが、本発明はそれに限定されるものではなく、上金型にのみキャビティ対応凹部がある金型を用いてもよいことはいうまでもない。
【０１３９】
また、前記実施の形態では、主にダイパッドよりも半導体チップが小さい例を具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、ダイパッドの方が、半導体チップよりもサイズが小さくても良いことはいうまでもない。
【０１４０】
また、前記実施の形態では、主にワイヤボンディングによる外部接続方式のデバイスについて、具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その他の接続方式（ワイヤボンディングとの混合方式を含む）のものでも良いことはいうまでもない。
また、前記実施の形態では、プランジャだけでなく、エジェクタピンも設けられた金型を使用して樹脂封止体を形成する例を具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、エジェクタピンが設けられていない金型を使用しても良い。なお、このような金型を使用する場合は、プランジャのみを使用してリードフレームの離型を行う。
【０１４１】
また、前記実施の形態では、主に離型フィルムやリードフレームテープを使用していない例を具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、離型フィルムやリードフレームテープを使用した例にも適用できることはいうまでもない。
【０１４２】
なお、前記実施の形態では、封止樹脂材料として、樹脂タブレットを用いる例を具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、ショット状封止樹脂材料、粉末状樹脂材料、液状樹脂材料等を用いてもよいことはいうまでもない。
【符号の説明】
【０１４３】
１ リードフレーム（平面状基体）
１ａ リードフレームのチップ搭載面（表面）
１ｂ リードフレームの裏面
２ 半導体チップ
２ａ チップのデバイス面
３ 樹脂封止体またはデバイスパッケージ
３ａ 樹脂封止体の表面
３ｂ 樹脂封止体の裏面
３ｓ 樹脂封止体の側面
４ リード
５ 単位デバイス領域
６ リードフレーム枠部
７ 樹脂タブレット
７ｍ 溶融樹脂
８ ダイパッド
９ ダイパッドサポートバー
１０ 端子部
１１ ボンディングワイヤ
１２ ボンディングパッド
１４ プランジャによる凹部
１５ エジェクタピンによる凹部
１６ フローキャビティに対応する樹脂片
５１ 樹脂モールド装置
５２ リードフレームローダ
５３ リードフレーム整列部
５４ リードフレーム搬入部
５５ プレス部
５６ 樹脂タブレット整列部
５７ 樹脂タブレット搬送部
５８ リードフレーム取り出し部
５９ リードフレームアンローダ
６０ リードフレーム搬送機構
６１ 上金型
６１ｂ 上金型の下面
６１ｃ 閉じた上金型
６２ 下金型
６２ａ 下金型の上面
６３ 下金型のモールドキャビティ部
６３ｐ 下金型のモールドキャビティ部の周辺底面
６４ ポットシリンダ
６５ プランジャ
６５ｔ プランジャ上端部
６６ フローキャビティ
６７ フローゲート
６８ モールドキャビティ
６９ ポット部
７１ 真空吸引孔
７２ エジェクタピン
７３ 上金型のモールドキャビティ部
７４ ベント
Ｒ１ リードフレーム部分切り出し領域
Ｔ１ 初期モールドキャビティ厚さ
Ｔ２ 樹脂充填完了時モールドキャビティ厚さ
Ｗ１ 樹脂タブレットの直径
Ｗ２ 半導体チップの辺の長さ（長辺の長さ）
Ｗ３ 下金型のモールドキャビティ部の最小幅
Ｗ４ ポット部の内径
Ｗ５ ダイパッドの辺の長さ（長辺の長さ）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造方法における樹脂封止技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
日本特開平１０−２５８４４１号公報（特許文献１）には、熱硬化性樹脂を用いた半導体素子等のトランスファモールドに於いて、キャビティ毎に、その近傍にレジンタブレット設置部を設けて、キャビティ毎に、プランジャにより、溶融封止樹脂をキャビティ内に移送する技術が開示されている。
【０００３】
日本特開２００３−１３３３５２号公報（特許文献２）には、一体の樹脂タブレットおよび多数のデバイス領域が形成された配線基板を用いたＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｅ）方式における圧縮モールド技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２５８４４１号公報
【特許文献２】特開２００３−１３３３５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体チップを樹脂で封止した樹脂封止型の半導体装置の封止工程では、一般に、成型金型が使用される。成形金型を用いた樹脂封止方法として、例えば、樹脂の供給源となるポット部に樹脂材料（タブレット）を供給し、このポット部から離れた位置に設けられた複数のキャビティ部（半導体チップが配置される部分）に、ランナ部（ポット部とキャビティ部を繋ぐ通路）を介して樹脂を供給するトランスファモールド方式がある。
【０００６】
しかし、トランスファモールド方式の場合、キャビティ部の容積に相当する樹脂量だけでなく、ランナ部に充填される樹脂量も供えた樹脂材料を準備しなければならない。なお、ランナ部に形成された樹脂体（封止体）は、最終的には完成品（成形品、半導体装置）から切り離されるため、使用する樹脂材料に無駄が生じる。
【０００７】
また、上記の方式の場合、通常、ランナ部を介して多数のキャビティ部に樹脂を供給するため、各キャビティ部における注入条件の均一化が困難である等の問題もある。
【０００８】
そこで、本願発明の一つの目的は、省資源対策（樹脂の使用量を削減）が可能な封止技術（すなわち半導体装置の製造プロセス）を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１１】
すなわち、本願の一つの発明は、多数の単位デバイス領域を有する平面状基体をその各単位デバイス領域は、上金型および下金型間に形成される多数のモールドキャビティに対応するように、両金型間に収容して、各単位デバイス領域を樹脂封止する半導体装置の製造方法に於いて、各モールドキャビティに対応する部分に、樹脂タブレット供給して、ポット部を含む各モールドキャビティの少なくとも一部の厚さを減少させることにより、樹脂封止を実行するものである。
【発明の効果】
【００１２】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００１３】
すなわち、多数の単位デバイス領域を有する平面状基体をその各単位デバイス領域は、上金型および下金型間に形成される多数のモールドキャビティに対応するように、両金型間に収容して、各単位デバイス領域を樹脂封止する半導体装置の製造方法に於いて、各モールドキャビティに対応する部分に、樹脂タブレット供給して、ポット部を含む各モールドキャビティの少なくとも一部の厚さを減少させることにより、樹脂封止を実行することにより、封止樹脂の使用効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂封止後のリードフレームの平面構造の概要を説明するためのリードフレームのチップ搭載面の模式平面図である。
【図２】図１のリードフレーム部分切り出し領域Ｒ１の樹脂封止前のリードフレームのチップ搭載面の平面図である。
【図３】図２の単位デバイス領域５の拡大平面図である。
【図４】図３のＸ−Ｘ’断面の模式断面図である。
【図５】図１のリードフレーム部分切り出し領域Ｒ１の樹脂封止後のリードフレームのチップ搭載面の平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’断面の模式断面図である。
【図７】図５の単位デバイス領域５のリードフレームのチップ搭載面の拡大模式平面図である。
【図８】図７のＢ−Ｂ’断面の模式断面図である。
【図９】図７および図８に対応した完成したパッケージの斜視図である。
【図１０】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスに使用するモールド装置の全体模式上面図である。
【図１１】図１０のモールド装置の下金型の単位デバイス領域５に対応する部分の模式上面図である。
【図１２】図１１において下金型のモールドキャビティ部の一部を構成するポット部と樹脂タブレットの関係を示す樹脂タブレットの斜視図である。
【図１３】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における金型クランプ時（樹脂モールドプロセス）のモールドキャビティ中での樹脂タブレットの位置を説明するための単位デバイス領域５に対応するモールド金型（上金型および下金型）の模式断面図である。
【図１４】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における金型クランプ中のプランジャ最上昇時点（樹脂モールドプロセス）のモールドキャビティの断面形状を説明するための単位デバイス領域５に対応するモールド金型（上金型および下金型）の模式断面図である。
【図１５】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するためのモールドプロセスタイムチャートである。
【図１６】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂タブレットセット時）における金型模式断面図である。
【図１７】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（リードフレームセット時）における金型模式断面図である。
【図１８】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（金型クランプ時）における金型模式断面図である。
【図１９】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（モールドキャビティ内における樹脂移送のためのプランジャ押し上げ開始時）における金型模式断面図である。
【図２０】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂移送完了時）における金型模式断面図である。
【図２１】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（型開き時）における金型模式断面図である。
【図２２】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（エジェクト動作時）における金型模式断面図である。
【図２３】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の変形例に関するモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の全体フローを説明するためのモールドプロセスタイムチャートである。
【図２４】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（リードフレームセット時）における金型模式断面図（順序としては図１６に対応し、処理内容としては図１７に対応）である。
【図２５】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂タブレットセット時）における金型模式断面図（順序としては図１７に対応し、処理内容としては図１６に対応）である。
【図２６】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関する図５の単位デバイス領域５に対応するリードフレームのチップ搭載面の拡大模式平面図である。
【図２７】図２６のＣ−Ｃ’断面の模式断面図である。
【図２８】図２６の裏面の拡大模式平面図である。
【図２９】図２６から図２８に対応した完成したパッケージの斜視図である。
【図３０】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関する金型クランプ時（樹脂モールドプロセス）のモールドキャビティ中での樹脂タブレットの位置を説明するための単位デバイス領域５に対応するモールド金型（上金型および下金型）の模式断面図である。
【図３１】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関する金型クランプ中のプランジャ最上昇時点（樹脂モールドプロセス）のモールドキャビティの断面形状を説明するための単位デバイス領域５に対応するモールド金型（上金型および下金型）の模式断面図である。
【図３２】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂タブレットセット時）における金型模式断面図である。
【図３３】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（リードフレームセット時）における金型模式断面図である。
【図３４】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（金型クランプ時）における金型模式断面図である。
【図３５】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（モールドキャビティ内における樹脂移送のためのプランジャ押し上げ開始時）における金型模式断面図である。
【図３６】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂移送完了時）における金型模式断面図である。
【図３７】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（型開き時）における金型模式断面図である。
【図３８】本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（エジェクト動作時）における金型模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
【００１６】
１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）下金型および上金型が開かれた状態に於いて、加熱された前記下金型の多数のモールドキャビティ部の各々に、樹脂タブレットをセットする工程；
（ｂ）多数の単位デバイス領域の各々に半導体チップが搭載された平面状基体を各単位デバイス領域が前記多数のモールドキャビティ部の位置にそれぞれ対応するように、開かれた状態の前記下金型および前記上金型の間にセットする工程；
（ｃ）前記工程（ａ）および（ｂ）の後、前記下金型および前記上金型を閉じてクランプする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記下金型および前記上金型がクランプされた状態に於いて、前記下金型および前記上金型の間に形成されている各モールドキャビティの少なくとも一部の厚さを減少させることにより各モールドキャビティ内に前記樹脂タブレットが溶融した封止樹脂を充填し、前記多数の単位デバイス領域の各々の前記半導体チップを封止する樹脂封止体を形成する工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記下金型および前記上金型を開く工程。
【００１７】
２．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記下金型は、前記多数のモールドキャビティと、前記多数のモールドキャビティの各々の主要部に直接連結したポット部とを有し、各モールドキャビティの最小幅は、その一部であるポット部の径よりも大きい。
【００１８】
３．前記２項の半導体装置の製造方法において、前記樹脂タブレットの水平断面形状は、ほぼ円形であり、その径は、前記ポット部の前記径よりも小さい。
【００１９】
４．前記１から３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、各モールドキャビティの前記厚さの減少は、前記下金型の前記多数のモールドキャビティ部の各々に設けられた前記ポット部に於いてプランジャを押し上げることによって実行される。
【００２０】
５．前記４項の半導体装置の製造方法において、前記プランジャの押し上げは、前記プランジャの上端部がポット部の周辺の前記モールドキャビティ部の底面を越えて行われる。
【００２１】
６．前記１から５項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）において、各モールドキャビティの平面形状は、ほぼ矩形であり、その４コーナ部の外部には、各コーナ部に連結したフローキャビティが形成されている。
【００２２】
７．前記１から６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）において、前記平面状基体は、前記半導体チップが搭載された面を下に向けた状態でセットされる。
【００２３】
８．前記１から７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、前記工程（ａ）よりも先に実行される。
【００２４】
９．前記１から８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記平面状基体の前記半導体チップが搭載されていない面側には、実質的に前記樹脂封止体が形成されていない。
【００２５】
１０．前記１から９項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記平面状基体は、リードフレームである。
【００２６】
１１．前記１から１０項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記平面状基体をその下側に関して離型フィルムを用いることなく離型させる工程。
【００２７】
１２．前記１から６および８から１１項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）において、前記平面状基体は、前記半導体チップが搭載された面を上に向けた状態でセットされる。
【００２８】
１３．前記１から７および９から１２項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、前記工程（ａ）よりも後に実行される。
【００２９】
１４．前記１から８および１０から１３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記平面状基体の前記半導体チップが搭載されていない面側にも、前記樹脂封止体が形成されている。
【００３０】
１５．前記１から１０および１２から１４項の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、離型フィルムを用いることなく前記平面状基体を離型させる工程。
【００３１】
１６．前記１５項の半導体装置の製造方法において、前記平面状基体は、リードフレームである。
【００３２】
〔本願における記載形式、基本的用語、用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００３３】
２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ系合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金メッキ、銅層、ニッケル・メッキ等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、銅、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００３４】
３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。まとえば、「矩形」または「ほぼ矩形」というときは、厳密な正方形又は長方形のみでなく、それらに類似したものを含む。たとえば、四隅を面取りした又は丸みを帯びさせた変形された正方形は矩形である。正方形を例にとれば、一般的に面取り等により、理想的正方形から除外された部分の面積が、前記理想的正方形の面積の１５％未満である場合は、変形された正方形は矩形である。
【００３５】
４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００３６】
５．「ウエハ」というときは、通常は半導体装置（半導体集積回路装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、ＳＯＩウエハ、エピタキシャルウエハ、絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。
【００３７】
６．「半導体チップ」というときは、一般的にはウエハ分割工程(ブレードダイシング、レーザダイシングその他のペレタイズ工程)後の半導体デバイス又は半導体集積回路を形成したダイ等を指す。ここでは主としてシリコン系のチップを、例にとって説明するが、ＧａＡｓ系その他のデバイス・チップであってもよい。
【００３８】
７．本願で主に取り扱う封止方式（「個別圧縮モールド方式」という）は、モールドキャビティと相互に直接連結したポット部、または、モールドキャビティと一体となったポット部を有するモールド金型を用いて、樹脂タブレット（封止樹脂材料）の樹脂を流動状態で、モールドキャビティの本体部分すなわち主要部（縮小後のモールドキャビティ部分）に移送して、縮小したモールドキャビティに溶融樹脂を充填するプロセスと見ることができる。従って、一種のトランスファモールド方式ということが可能かもしれないが、ゲートあるいはランナ等を介して外部から移送するわけではないので、典型的なトランスファモールド方式とは相違する。一方、ＭＡＰ（Ｍｏｌｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｅ）方式等の一括モールド方式等で適用されている圧縮モールド方式（「一括圧縮モールド方式」という）とは、形式的には類似しているが、一括圧縮モールド方式（一般的に単に「圧縮モールド方式」と呼ばれることが多い）は、多数の単位デバイス領域を一括して封止するものであるのに対して、個別圧縮モールド方式は、個々の単位デバイス領域毎に封止する点で異なっている。
【００３９】
また、本願に於いては、リードフレーム、配線基板（セラミック系配線基板、有機配線基板等の剛性配線基板、ポリイミド系配線基板等のフレキシブル配線基板等を含む）、その他の扁平な配線基体を「平面状基体」と呼ぶが、「平面状」といっても、リード、ダイパッドサポートバー（いわゆるタブ吊りリード）、ダイパッド、枠部等の相互関係を調整するための多少の凹凸、高さの相違は、平面とみなすことにする。
【００４０】
また、樹脂タブレット等について「水平断面」等というときは、ポット部にセットした状態での水平断面を指すものとする。
【００４１】
更に、本願に於いて、「離形フィルム」等というときは、モールドの際に、多数のキャビティ部を有する金型のキャビティ部が形成されている領域を一括して覆うように敷かれるフィルムであって、主に離型の促進を目的とするものを指し、予めリードフレーム等の一方の面に貼り付けて、一体として組み立てプロセスの多くのプロセスを進行させる、いわゆる「リードフレームテープ」等は、これに含めない。
【００４２】
８．本願に於いて、「片面パッケージ」とは、リードフレーム等の平面状基体の基本的に一方の側にのみ（リードフレーム等の厚さに対応する中心部分には、樹脂封止体が形成されてもよい）、樹脂封止体が形成されるパッケージ形態である。一方、「両面パッケージ」とは、リードフレーム等の平面状基体の基本的に両側に亘って樹脂封止体が形成されるパッケージ形態である。ここで、片面パッケージの典型的な例は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）であり、両面パッケージの典型的な例は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）である。
【００４３】
なお、平面状基体が、有機系配線基板である場合を、リードフレームを用いた「リードフレーム型パッケージ」との対比に於いて、特に「基板型パッケージ」ということとする。ここで、リードフレーム型パッケージの典型的な例は、ＱＦＮ、ＱＦＰ等であり、基板型パッケージの典型的な例は、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）等である。
【００４４】
〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００４５】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するために、ハッチングを付すことがある。
【００４６】
なお、以下の実施の形態に於いては、種々の寸法等を例示するが、これらの数値は、説明をより具体的にするために示すものであり、発明および実施の形態の適用範囲を限定するものではない。
【００４７】
１．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの一例（片面パッケージ）および、関連する主要製造プロセスのアウトライン等の説明（主に図１から図９）
このセクションでは、片面パッケージ、すなわち、基本的にリードフレーム等の平面状基体の一方の側（平面状基体自体の最大厚さ部分を含む）にしか樹脂封止体が形成されないパッケージ形式の一例として、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）について具体的に説明するが、以下の例は、それに限定されるものではなく、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）等にも適用できることは言うまでもない。
【００４８】
図１は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂封止後のリードフレームの平面構造の概要を説明するためのリードフレームのチップ搭載面の模式平面図である。図２は図１のリードフレーム部分切り出し領域Ｒ１の樹脂封止前のリードフレームのチップ搭載面の平面図である。図３は図２の単位デバイス領域５の拡大平面図である。図４は図３のＸ−Ｘ’断面の模式断面図である。図５は図１のリードフレーム部分切り出し領域Ｒ１の樹脂封止後のリードフレームのチップ搭載面の平面図である。図６は図５のＡ−Ａ’断面の模式断面図である。図７は図５の単位デバイス領域５のリードフレームのチップ搭載面の拡大模式平面図である。図８は図７のＢ−Ｂ’断面の模式断面図である。図９は図７および図８に対応した完成したパッケージの斜視図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの一例（片面パッケージ）および、関連する主要製造プロセスのアウトライン等を説明する。
【００４９】
先ず、組み立てに使用するリードフレーム１（平面状基体）を図１に示す。図１に示すものは、樹脂封止が完了した時点のリードフレーム１上の樹脂封止体３（デバイスパッケージ）の配列状況である。図１に示すように、通常、単一のリードフレーム１（たとえば、銅を主要な成分とし、パターニングされた銅系メタル薄膜、厚さは、たとえば、０．１２５ミリメートル程度）上にマトリクス状に多数（たとえば、数十個程度）の樹脂封止体３が配列されている。個々の樹脂封止体３の外面には、たとえば、プランジャによる凹部１４、エジェクタピンによる凹部１５等の凹凸やコーナ部の面取り部があるものの、平面的な外形は、正方形または比較的正方形に近い長方形等の矩形である。なお、立体図形としては、扁平な直方体に類似した構造となっている。
【００５０】
次に、図１のリードフレーム部分切り出し領域Ｒ１の樹脂封止前の上面図（リードフレーム１のチップ搭載面１ａ側から見た図）を図２に示す。図２に示すように、この部分は、単位デバイス領域５の６個分に対応する。各単位デバイス領域５の間は、リードフレーム枠部６によって保持されており、各単位デバイス領域５のチップ搭載面１ａ（表面）には、少なくとも一つの半導体チップ２（たとえば、ほぼ正方形の２．５ミリメートル角、チップ厚さ、たとえば６０マイクロメートル程度）が搭載されている。なお、積層チップでも良い。
【００５１】
次に、一つの単位デバイス領域５の拡大平面図を図３に示す。図３に示すように、中央のダイパッド８上に半導体チップ２が固着されて搭載されており、半導体チップ２のデバイス面２ａ上の多数のボンディングパッド１２と多数のリード４の間に、たとえば金線等のボンディングワイヤ１１（たとえば、径２０マイクロメートル程度）が接続されている。これらの多数のリード４は、その周辺部を、リードフレーム枠部６によって保持されている。ダイパッド８は、たとえば４コーナ部のダイパッドサポートバー９（タブ吊りリード）によって、周辺のリードフレーム枠部６に保持されている。
【００５２】
次に、図３のＸ−Ｘ’断面を図４に示す。図４に示すように、リードフレーム１のチップ搭載面１ａ側に当たるダイパッド８上に半導体チップ２がそのデバイス面２ａを上に向けて（デバイス面２ａとは反対側の裏面がチップ搭載面１ａと対向するように）搭載されており、デバイス面２ａに設けられたボンディングパッド１２とリード４間がボンディングワイヤ１１によって相互接続されている。リード４の裏面側（リードフレーム１の裏面１ｂ側）の一部は、突起状になっており、端子部１０を構成している。なお、端子部１０の先端面とダイパッド８の裏面（リードフレーム１の裏面１ｂ）は、ほぼ同じ高さになっている。なお、ＱＦＮでは、フラッシュバリ防止のため、リードフレーム１の裏面１ｂにリードフレームテープ（離型フィルムとは異なる）を張った状態で、組立工程の処理を行う場合が多いが、ここでは煩雑さを回避するために、図示および説明を省略する。
【００５３】
次に、図２に対応する樹脂封止完了時点（上下金型間から取り出した時点）のチップ搭載面１ａ側から見た平面図を図５に示す。図５に示すように、樹脂封止体３の表面３ａには、先に説明したように、プランジャによる凹部１４およびエジェクタピンによる凹部１５があり、樹脂封止体３の４コーナ外部には、フローキャビティに対応する樹脂片１６がある。
【００５４】
次に、図５のＡ−Ａ’断面を図６に示す。図６に示すように、隣接する樹脂封止体３同士は、相互に分離しており、樹脂封止体３は、半導体チップ２のデバイス面２ａ、ボンディングワイヤ１１およびリードフレームのチップ搭載面１ａ側（リードフレームの厚さ部分を含む）を覆うように形成されている。また、先に説明したように、樹脂封止体３の表面３ａには、プランジャによる凹部１４が形成されている。リードフレーム１の裏面１b側に於いては、樹脂封止体３の裏面３ｂとダイパッド８の裏面、端子部１０、およびリードフレーム枠部６の裏面が同一の平面を形成するように露出している。
【００５５】
次に、図５の単位デバイス領域５の樹脂封止体３の表面３ａ側から見た拡大平面図を図７に示す。図７に示すように、この例では、平面的に見ると、プランジャによる凹部１４の内部に、ダイパッド８があり、更に、ダイパッド８の内部に半導体チップ２がある構造となっている。
【００５６】
次に、図７のＢ−Ｂ’断面を図８に示す。図８に示すように、この断面では、リードフレーム１は、リードフレーム枠部６、半導体チップ２を搭載しているダイパッド８、ダイパッド８をリードフレーム枠部６に繋ぐダイパッドサポートバー９に分かれている。リードフレーム１のチップ搭載面１ａ（表面）上には、半導体チップ２を封止するように樹脂封止体３が形成されており、樹脂封止体３の各コーナ部には、フローキャビティに対応する樹脂片１６が形成されている。また、樹脂封止体３の表面３ａには、プランジャによる凹部１４が形成されている。
【００５７】
次に、デバイス完成時点のデバイスパッケージ３の斜視図を図９に示す。図９に示すように、デバイスパッケージ３の側面３ｓからは、リード４の側端部が露出しており、デバイスパッケージ３の表面３ａには、プランジャによる凹部１４およびエジェクタピンによる凹部１５が見える。ここで、パッケージの厚さは、たとえば、０．５ミリメートル程度である。
【００５８】
図５から図８の状態から図９の状態への移行処理は、通常、たとえば回転ブレード等によるパッケージダイシングによる分離処理、または切断金型による切断処理によって実行される。なお、セクション６から８に説明するようなＱＦＰでは、切断金型による切断処理が一般的である。
【００５９】
２．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスに使用するモールド装置の一例の説明（主に図１０）
このセクションでは、セクション１で説明したデバイスの樹脂モールドのため装置の一例として、樹脂モールド一貫装置を例示する。
【００６０】
図１０は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスに使用するモールド装置の全体模式上面図である。これに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスに使用するモールド装置の一例を説明する。
【００６１】
図１０に本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂モールドプロセスに使用するモールド装置５１の一例の装置模式上面図を示す。図１０に示すように、モールド装置５１に導入された図２の状態のリードフレーム１は、まず、リードフレームローダ５２に収容され、続いて、リードフレーム整列部５３に移送され、そこで整列させられる。その後、リードフレーム搬送部５４からリードフレーム搬送機構６０によって、たとえば、複数個（例えば４個）用意されたプレス部５５の一つに移送されて、上金型６１と下金型６２の間にセットされる。
【００６２】
これと相前後して、樹脂タブレット整列部５６において、整列させられた複数の樹脂タブレット７は、樹脂タブレット搬送部５７によって、先のプレス部５５に搬送され、そこにセットされる。
【００６３】
その後、封止が実行され、それが完了すると、リードフレーム搬送機構６０により、上金型６１と下金型６２の間からリードフレーム取り出し部５８へ、多数の樹脂封止体３が形成されたリードフレーム１が取り出されて、その後、リードフレームアンローダ５９に移送される。最終的に、リードフレーム１は、モールド装置５１の外部に排出される。
【００６４】
３．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における要部プロセスの説明（主に図１１から図１４）
前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における要部プロセスである樹脂モールドプロセスは、封止樹脂のソースを、モールドキャビティの一部を構成するか、または、これと一体となって連結したポット部等に投入して、モールドキャビティの一部の厚さを減少させることによって、モールドキャビティ全体に封止樹脂を充填するものである。このセクションでは、この投入される封止樹脂のソースの一例である樹脂タブレットの形状、モールド金型の形状、金型の重要な動作状態等を説明する。
【００６５】
図１１は図１０のモールド装置の下金型の単位デバイス領域５に対応する部分の模式上面図である。図１２は図１１において下金型のモールドキャビティ部の一部を構成するポット部と樹脂タブレットの関係を示す樹脂タブレットの斜視図である。図１３は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における金型クランプ時（樹脂モールドプロセス）のモールドキャビティ中での樹脂タブレットの位置を説明するための単位デバイス領域５に対応するモールド金型（上金型および下金型）の模式断面図である。図１４は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における金型クランプ中のプランジャ最上昇時点（樹脂モールドプロセス）のモールドキャビティの断面形状を説明するための単位デバイス領域５に対応するモールド金型（上金型および下金型）の模式断面図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における要部プロセスを説明する。
【００６６】
図５に示すような樹脂封止体３をリードフレーム１上に形成する際に、図１０に示したプレス部５５において、モールド金型を使用するが、このモールド金型を構成する下金型６２の上面図を図１１（図５の単位デバイス領域５に対応する部分）に示す（この図は、図７と型とそれによる成形物の関係にある）。図１１に示すように、下金型６２のモールドキャビティ部６３内には、エジェクタピン７２が設けられており、モールドキャビティ部６３の中央部は、ポット部６９（平面形状は、たとえば円形）となっている。ポット部６９の外側は、周辺底面６３ｐとなっており、その内側の部分はポットシリンダ６４（平面形状は、たとえば円筒形）となっている。このポット部６９には、たとえば円柱形の樹脂タブレット７（高さは、たとえば３ミリメートル程度、範囲としては、たとえば２ミリメートルから９ミリメートル程度）が収容されるようになっている。下金型６２のモールドキャビティ部６３の各コーナ部には、フローゲート６７を介してフローキャビティ６６が連結されている。フローキャビティ６６は、余剰の封止樹脂をボイド等とともに受け入れる部分であり、その先にはベント７４が設けられている。なお、フローキャビティ６６は、必須ではなく、代わりに、各コーナ部にベントを設けても良い。すなわち、キャビティ形状（図９に示すように樹脂封止体の形状も同じ）は、平面的に矩形（正方形又は長方形）または、ほぼ矩形（コーナ部が面取りされているものも矩形に含む）であり、その全コーナ部にフローキャビティやベント等のボイド吸収機構を設けることができるので、パッケージの充填特性を向上させることができる（なお、半導体チップやダイパッド等の一般に同一配向の矩形またはほぼ矩形である）。言い換えると、この金型には、サイドゲート方式のトランスファモールド用金型と相違して、コーナ部にゲート（樹脂注入ゲート）がないことが構造上の特徴の一つとなっている。また、トップゲート方式のトランスファモールド用金型とも相違して、上金型の中央部等にトップゲート（樹脂注入ゲート）がないことも構造上の特徴の一つとなっている。
【００６７】
ここで、図１１および図１２に示すように、この例では、樹脂タブレット７の径Ｗ１は、ポット部６９の内径Ｗ４（たとえば６ミリメートル程度）よりも小さくされており、ポット部６９の内径Ｗ４は、下金型６２のモールドキャビティ部６３の最小幅Ｗ３（たとえば１０ミリメートル程度）よりも小さくされている。また、ダイパッド８の辺の長さＷ５（長辺の長さ）は、樹脂タブレット７の径Ｗ１（たとえば７ミリメートル程度）よりも小さくされており、半導体チップ２の辺の長さＷ２（長辺の長さ、たとえば２．５ミリメートル程度）は、ダイパッド８の辺の長さＷ５（長辺の長さ、たとえば３．５ミリメートル程度）よりも小さくされている（いわゆる小タブのようにチップよりも面積の小さなダイパッドを使用する方式でもよい）。なお、ポット部６９の内径Ｗ４よりも樹脂タブレット７の内径を小さくすることは、樹脂タブレットのセットの確実性を高めるのに有効である。また、樹脂タブレット７の径Ｗ１は、半導体チップ２の辺の長さＷ２やダイパッド８の辺の長さＷ５と同等又はそれよりも小さくすることもできる。樹脂タブレット７の径Ｗ１を半導体チップ２の辺の長さＷ２やダイパッド８の辺の長さＷ５よりも大きくすることは、充填時の溶融樹脂の流速および流路長を小さくできるメリットがある。
【００６８】
樹脂タブレット７（封止樹脂材料）の形状は、基本的にどのような形状でも良い。すなわち、直方体、球、円柱、角柱、更には、タブレットとは呼べない可能性もあるが、液状、粉末状、ショット状でも良い。しかし、樹脂タブレットの主要な製法を考慮すると、錠剤のように、円柱状または円形の水平断面を有する一体の立体構造を有することが望ましい。これに対して、一括圧縮モールド方式に行われるように、大きなキャビティの矩形形状にほぼ一致する大きさと形状を有する樹脂タブレットのサイズを個別圧縮モールド方式に合うように小さくして、個別圧縮モールド方式に適用することも可能である。しかし、この方式は、封止特性等に於いてはメリットも期待できるが、樹脂タブレットの作製上のデメリットを伴う恐れがある。
【００６９】
次に、図１３に樹脂タブレット７をポット部６９にセットして、上金型６１および下金型６２を閉じてクランプした際（破線の上金型６１が閉じたところに対応）の金型断面（リードフレーム１等は省略）を模式的に示す。図１３に示すように、上金型６１の下面６１ｂと下金型６２の上面６２ａとの間に、下金型６２のモールドキャビティ部６３に対応したモールドキャビティ６８が形成される。この時点では、プランジャ６５が下がっているので、モールドキャビティ６８の一部であるポット部６９のある部分（平面的に見てポット部６９と重なる部分）のある部分のモールドキャビティ６８の厚さＴ１（初期モールドキャビティ厚さ）は、他の部分と比べて最も厚くなっている。
【００７０】
次に、図１４に樹脂充填完了時の金型断面（リードフレーム１等は省略）を模式的に示す。図１４に示すように、この時点に於いては、プランジャ６５が上昇しているので、プランジャ上端部６５ｔは、たとえば、下金型６２のモールドキャビティ部６３の周辺底面６３ｐ（この例では、ポットシリンダ６４の上端部）よりも若干、上にある。従って、この部分（平面的に見てポット部６９と重なる部分）のモールドキャビティ６８の厚さＴ２（樹脂充填完了時モールドキャビティ厚さ）は、モールドキャビティ６８の他の主要部分の厚さよりも薄くなっている。もちろん、樹脂充填完了時モールドキャビティ厚さＴ２は、初期モールドキャビティ厚さＴ１よりも薄くなっている。
【００７１】
このプランジャ６５のオーバドライブ量（充填時の最高上昇時のプランジャ上端部６５ｔとポットシリンダ６４の上端部との高さの差、すなわち、図８の凹部１４の深さ）は、たとえば、０．０５ミリメートル程度を好適なものとして例示することができる。なお、好適な範囲としては、たとえば、０．０１から０．１ミリメートル程度を例示することができる。これは、あまりに浅いと、種々の誤差により凹部（完全フラットまではパッケージ形状としては許容できる）となるべき部分が凸部となると、パッケージ形状上問題があるからである。一方、凹部１４の深さが深くなりすぎると、ボンディングワイヤの露出等の問題があるからである（ＱＦＰの場合には、本来露出すべきでないダイパッドの露出等）。
【００７２】
４．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローの説明（主に図１５から図２２）
このセクションでは、リードフレーム１を準備してからリードフレーム１を個片化することで半導体装置を取得するまでの全体フローを、セクション１から３で説明したモールドプロセスを金型等の動作とともにプロセスの流れに従って順に説明する。
【００７３】
まず、図２で示した複数の単位デバイス領域５を有するリードフレーム１を準備する。
【００７４】
次に、リードフレーム１の各単位デバイス領域５に設けられたダイパッド８上に半導体チップ２を搭載する。
【００７５】
次に、半導体チップ２のデバイス面２ａに形成された複数のボンディングパッド（電極パッド）とダイパッド８の周囲に設けられた複数のリード４とを、複数のボンディングワイヤ１１を介してそれぞれ電気的に接続する。
【００７６】
次に、複数の半導体チップ２が搭載されたリードフレーム１を金型内にセットし、モールド（封止工程）を行う。
【００７７】
ここで、図１５は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するためのモールドプロセスタイムチャートである。図１６は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂タブレットセット時）における金型模式断面図である。図１７は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（リードフレームセット時）における金型模式断面図である。図１８は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（金型クランプ時）における金型模式断面図である。図１９は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（モールドキャビティ内における樹脂移送のためのプランジャ押し上げ開始時）における金型模式断面図である。図２０は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂移送完了時）における金型模式断面図である。図２１は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（型開き時）における金型模式断面図である。図２２は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（エジェクト動作時）における金型模式断面図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関する基本プロセス）の全体フローを説明する。
【００７８】
まず、図１５の時点ｔ０（処理準備時）において、金型（上金型６１、下金型６２）をあらかじめ摂氏１７５度程度に加熱しておき、その後も、処理中は同温度に保持しておく。そして、図１６に示すように、上金型６１および下金型６２が開かれた状態で（間隔は、たとえば２０センチメートル程度）、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）が樹脂タブレット７を保持した状態で、上金型６１および下金型６２の間に侵入を開始する。
【００７９】
次に、図１５の時点ｔ１において、プランジャ６５が、後退を開始し、時点ｔ２において、プランジャ６５が、樹脂タブレット７を受け入れる位置まで後退する。ここで、図１６に示すように、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）により、加熱されたポット部６９に、樹脂タブレット７をセットする動作を開始し、時点ｔ３において、樹脂タブレット７のセットを完了し、時点ｔ４において、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）は上金型６１および下金型６２の間から外部の元の位置に戻る。
【００８０】
次に、図１７に示すように、図１５の時点ｔ５において、リードフレーム搬送機構６０（図１０）がリードフレーム１を保持して、上金型６１および下金型６２の間に侵入を開始する。図１５の時点ｔ６において、リードフレーム１のセットを開始し、時点ｔ７に於いて、リードフレーム１の下金型６２の上面６２ａへのセットを完了する。このとき、各チップ２の取り付け位置（または単位デバイス領域５）が下金型６２の各モールドキャビティ部６３に対応するように、リードフレーム１のチップ搭載面１ａ（表面）を下向きにしてセットされる。
【００８１】
図１５の時点ｔ７に於いて、リードフレーム１のセットが完了すると、リードフレーム搬送機構６０（図１０）は退避を開始し、図１５の時点ｔ８において、上金型６１および下金型６２の間から外部の元の位置に戻る。
【００８２】
次に、図１８に示すように、図１５の時点ｔ９において、プレス機構が動作して、上金型６１および下金型６２を閉じる動作を開始し、時点ｔ１０において、クランプを完了する。これにより、上金型６１および下金型６２の間にモールドキャビティ６８が形成される。クランプ圧は、たとえば、５５０ＭＰａ程度を好適なものとして例示することができる。
【００８３】
次に、図１９に示すように、図１５の時点ｔ１１において、上金型６１および下金型６２をクランプした状態で、プランジャ６５の上昇が開始される。この時点で、樹脂タブレット７はすでに溶融樹脂７ｍに状態にある。
【００８４】
次に、図２０に示すように、図１５の時点ｔ１２において、樹脂の移送が完了すると注入圧力（充填圧力）は急速に上昇する（好適な充填圧力は、たとえば、１２ＭＰａ程度）。この時点で、溶融樹脂７ｍは、モールドキャビティ６８を満たし、フローキャビティ６６にまで入り込み、そこで、フローキャビティに対応する樹脂片１６を形成しつつある。
【００８５】
次に、図２１に示すように、図１５の時点ｔ１３において、プランジャ６５の下降が開始されると、注入圧力（充填圧力）が急速に低下するとともに、クランプの解除および上金型６１および下金型６２を開く動作が開始し、図１５の時点ｔ１４において、型開きが完了する。
【００８６】
次に、図２２に示すように、図１５の時点ｔ１５において、再びプランジャ６５の上昇が開始され、エジェクト動作が開始する。このとき、下金型６２に設けられたエジェクタピンもプランジャ６５と同様に上昇する。図１５の時点ｔ１６において、プランジャ６５の再上昇が完了して、リードフレーム１の下金型６２からの離型が完了すると、時点ｔ１７において、プランジャ６５の再降下が開始され、時点t１８に於いて、下金型６２のモールドキャビティ部６３の周辺底面６３ｐとほぼ同じ、スタンバイ高さに戻る。これにより、モールドサイクルを一巡したことになる。
【００８７】
その後、図１０に於いて説明したリードフレーム搬送機構６０によるリードフレーム取り出し部５８へのリードフレーム１の取り出しが行われることにより、次のモールドサイクルへ入る。
【００８８】
ここで、時点ｔ２から時点ｔ１１は、タブレット予熱時間（たとえば１０秒程度）であり、時点ｔ１１から時点ｔ１２は、注入動作時間（たとえば１０秒程度）であり、時点ｔ１１から時点ｔ１３は、キュア時間（たとえば９０秒程度）であり、時点t１５型時点t１８はイジェクト動作時間（たとえば１５秒程度）である。また、時点t０から時点t１８は、モールドサイクル時間（たとえば１２０秒程度）である。
【００８９】
この例で示したように、リードフレームのチップ搭載面を下に向けてセットするメリットは、リードの反対側から溶融樹脂を供給する場合に懸念される供給経路の多岐化によるボイド発生を防止するためである。リードの反対側から溶融樹脂を供給すると、必然的に樹脂は、リードフレームに開いた多数の開口を介して供給されることになり、ボイド発生を助長する恐れがあるからである。一方、リードフレームのチップ搭載面を上に向けてセットするメリットは（セクション８に於いて同じ）、溶融樹脂の流れによるワイヤ流れを回避できるメリットがある。
【００９０】
また、このような問題がない場合においても、リードフレームのチップ搭載面を下に向けてセットすることにより、ボンディングワイヤの自重による倒れを防止することができる。
【００９１】
次に、リードフレーム１（リード４）のうち、形成された樹脂封止体３から露出する部分にメッキ膜を形成する。
【００９２】
その後、各単位デバイス領域５に樹脂封止体３が形成されたリードフレームのうち、互いに隣り合う単位デバイス領域５間に位置するリードフレーム枠部６を切断することで、リードフレーム１から樹脂封止体３が形成された単位デバイス領域５（すなわち半導体装置）を取得（個片化）する。
【００９３】
５．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の変形例の説明（主に図２３から図２５）
セクション４で説明したモールドプロセスでは、リードフレームのセットよりも、樹脂タブレットのセットの方を先行させたが、このセクションで説明したものは、セクション４で説明したモールドプロセスの初段部分（図１６および図１７）の変形例であり、図１８以降は、プロセス的には同一であるので、同一部分の説明は繰り返さない。なお、図２３も変形部分を除き、基本的に図１５と同一である。
【００９４】
なお、上金型にリードフレーム部分を吸着する真空吸引孔７１（図２４参照）等を設ける等の対応によって、この例は、このセクションで説明する片面パッケージのみでなく、後にセクション６で説明するような両面パッケージにも適用できることは言うまでもない。
【００９５】
図２３は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の変形例に関するモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の全体フローを説明するためのモールドプロセスタイムチャートである。図２４は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（リードフレームセット時）における金型模式断面図（順序としては図１６に対応し、処理内容としては図１７に対応）である。図２５は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂タブレットセット時）における金型模式断面図（順序としては図１７に対応し、処理内容としては図１６に対応）である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセス（片面パッケージに関するリードフレーム先行プロセス）の変形例を説明する。
【００９６】
まず、先と同様に、図２３の時点ｔ０（処理準備時）において、金型（上金型６１、下金型６２）をあらかじめ摂氏１７５度程度に加熱しておき、その後も、処理中は同温度に保持しておく。
【００９７】
この状態に於いて、図２４に示すように、図２３の時点ｔ０において、リードフレーム搬送機構６０（図１０）がリードフレーム１を保持して、上金型６１および下金型６２の間に侵入を開始する。図２３の時点ｔ１において、リードフレーム１のセットを開始し、時点ｔ２に於いて、リードフレーム１の上金型６１の下面６１ｂへの真空吸引孔７１によるセットを完了する。このとき、各チップ２の取り付け位置（または単位デバイス領域５）が下金型６２の各モールドキャビティ部６３に対応するように、リードフレーム１のチップ搭載面１ａ（表面）を下向きにしてセットされる。
【００９８】
図２３の時点ｔ２に於いて、リードフレーム１のセットが完了すると、リードフレーム搬送機構６０（図１０）は退避を開始し、図２３の時点ｔ３において、上金型６１および下金型６２の間から外部の元の位置に戻る。
【００９９】
次に、図２５に示すように、図２３の時点ｔ４において、上金型６１および下金型６２が開かれた状態で、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）が樹脂タブレット７を保持した状態で、上金型６１および下金型６２の間に侵入を開始する。
【０１００】
次に、図２３の時点ｔ５において、プランジャ６５が、後退を開始し、時点ｔ６において、プランジャ６５が、樹脂タブレット７を受け入れる位置まで後退する。ここで、図２５に示すように、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）により、加熱されたポット部６９に、樹脂タブレット７をセットする動作を開始し、時点ｔ７において、樹脂タブレット７のセットを完了し、時点ｔ８において、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）は上金型６１および下金型６２の間から外部の元の位置に戻る。
【０１０１】
これ以降は、セクション４における図１８以降と基本的に同じである。なお、真空吸引孔７１による吸着は、通常、図１８の状態に至ってオフされる。
【０１０２】
ここで、時点ｔ６から時点ｔ１１は、タブレット予熱時間（たとえば１０秒程度）であり、時点ｔ１１から時点ｔ１２は、注入動作時間（たとえば１０秒程度）であり、時点ｔ１１から時点ｔ１３は、キュア時間（たとえば９０秒程度）であり、時点t１５型時点t１８はイジェクト動作時間（たとえば１５秒程度）である。また、時点t０から時点t１８は、モールドサイクル時間（たとえば１２５秒程度）である
このセクションで、説明したように、リードフレームのセットを先行して、後に、樹脂タブレットのセットをすることは、後の注入時間の選択の自由度が増すメリットがある。たとえば、樹脂タブレットのセットを先行した場合に起こるような、リードフレームのセットの遅れによる不所望な樹脂の硬化の進行等を回避することができる。
【０１０３】
６．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）、関連する主要製造プロセスのアウトライン等の説明（主に図２６から図２９）
このセクションでは、セクション１から４のモールドプロセスの対象デバイスの変形例として、対象デバイスが両面パッケージ（具体的にはＱＦＰ）の場合について説明する。
【０１０４】
図２６は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関する図５の単位デバイス領域５に対応するリードフレームのチップ搭載面の拡大模式平面図である。図２７は図２６のＣ−Ｃ’断面の模式断面図である。図２８は図２６の裏面の拡大模式平面図である。図２９は図２６から図２８に対応した完成したパッケージの斜視図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）、関連する主要製造プロセスのアウトライン等を説明する。
【０１０５】
次に、図５の単位デバイス領域５の樹脂封止体３の表面３ａ側から見た拡大平面図を図２６に示す。図２６に示すように、この例では、平面的に見ると、図７と異なり、外観的にはエジェクタピンによる凹部１５のみが見えており、プランジャによる凹部１４は、反対側にあって見えない状態であり（破線で示す）、内部にダイパッド８がある。更に、ダイパッド８の内部に半導体チップ２がある構造となっている。
【０１０６】
次に、図２６のＣ−Ｃ’断面を図２７に示す。図２７に示すように、この断面では、リードフレーム１は、リードフレーム枠部６、半導体チップ２を搭載しているダイパッド８、ダイパッド８をリードフレーム枠部６に繋ぐダイパッドサポートバー９に分かれている。リードフレーム１のチップ搭載面１ａ（表面）上およびその反対の面１ｂ（リードフレームの裏面）には、半導体チップ２を封止するように樹脂封止体３が形成されており、樹脂封止体３の各コーナ部には、フローキャビティに対応する樹脂片１６が形成されている。また、図８と異なり、図２８にも示すように、樹脂封止体３の裏面３ｂには、プランジャによる凹部１４が形成されている（図８では、表面３ａ側である）。
【０１０７】
次に、デバイス完成時点のデバイスパッケージ３の斜視図を図２９に示す。図２９に示すように、デバイスパッケージ３の側面３ｓからは、リード４が突出しており、デバイスパッケージ３の表面３ａには、エジェクタピンによる凹部１５が見える。
【０１０８】
７．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関する要部プロセスの説明（主に図３０および図３１）
このセクションでは、両面パッケージの場合に於いて、セクション３に対応するモールド金型の特徴と主要なその働きを説明する。モールド金型の構造は、図１３および１４の例では、上金型の底面はほぼ平坦であったが、この例では、キャビティ等に対応して凹凸を有している点等が異なっている。なお、図１１（この例では、上下の金型がほぼこの構造を呈している）および図１２については、構造的に本質的相違はないので、説明は繰り返さない。
【０１０９】
図３０は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関する金型クランプ時（樹脂モールドプロセス）のモールドキャビティ中での樹脂タブレットの位置を説明するための単位デバイス領域５に対応するモールド金型（上金型および下金型）の模式断面図である。図３１は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関する金型クランプ中のプランジャ最上昇時点（樹脂モールドプロセス）のモールドキャビティの断面形状を説明するための単位デバイス領域５に対応するモールド金型（上金型および下金型）の模式断面図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関する要部プロセスを説明する。
【０１１０】
図３０に樹脂タブレット７をポット部６９にセットして、上金型６１および下金型６２を閉じてクランプした際（破線の上金型６１が閉じたところに対応）の金型断面（リードフレーム１等は省略）を模式的に示す。図３０に示すように、上金型６１の下面６１ｂと下金型６２の上面６２ａとの間に、上金型６１のモールドキャビティ部７３および下金型６２のモールドキャビティ部６３に対応したモールドキャビティ６８が形成される。この時点では、プランジャ６５が下がっているので、モールドキャビティ６８の一部であるポット部６９のある部分のある部分のモールドキャビティ６８の厚さＴ１（初期モールドキャビティ厚さ）は、他の部分と比べて最も厚くなっている。この例の場合、上金型６１にエジェクタピン７２が設けられている。
【０１１１】
次に、図３１に樹脂充填完了時の金型断面（リードフレーム１等は省略）を模式的に示す。図３１に示すように、この時点に於いては、プランジャ６５が上昇しているので、プランジャ上端部６５ｔは、たとえば、下金型６２のモールドキャビティ部６３の周辺底面６３ｐ（この例では、ポットシリンダ６４の上端部）よりも若干、上にある。従って、この部分のモールドキャビティ６８の厚さＴ２（樹脂充填完了時モールドキャビティ厚さ）は、モールドキャビティ６８の他の主要部分の厚さよりも薄くなっている。もちろん、樹脂充填完了時モールドキャビティ厚さＴ２は、初期モールドキャビティ厚さＴ１よりも薄くなっている。
【０１１２】
８．本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセスの全体フローの説明（主に図３２から図３８）
タイムチャートは、図１５と同じであり、以下に示す各ステップにおける各断面図、すなわち図２６から図２９は、それぞれ図３２から図３８に対応している。
【０１１３】
なお、この例では、リードフレーム等のチップ搭載面を上向きにして、モールド金型にセットする例を具体的に説明するが、以下の実施の形態は、それに限定されるものではなく、チップ搭載面を下向きにして、モールド金型にセットする場合にも同様に適用できることは言うまでもない。
【０１１４】
図３２は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂タブレットセット時）における金型模式断面図である。図３３は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（リードフレームセット時）における金型模式断面図である。図３４は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（金型クランプ時）における金型模式断面図である。図３５は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（モールドキャビティ内における樹脂移送のためのプランジャ押し上げ開始時）における金型模式断面図である。図３６は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（樹脂移送完了時）における金型模式断面図である。図３７は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（型開き時）における金型模式断面図である。図３８は本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセス（両面パッケージプロセス）の全体フローを説明するための単位デバイス領域二つ分に相当する図７のＢ−Ｂ’断面に対応する各モールドプロセスステップ（エジェクト動作時）における金型模式断面図である。これらに基づいて、本願の前記一実施の形態の半導体装置の製造方法における対象デバイスの変形例（両面パッケージ）に関するモールドプロセスの全体フローを説明する。
【０１１５】
セクション４と同様に、まず、図１５の時点ｔ０（処理準備時）において、金型（上金型６１、下金型６２）をあらかじめ摂氏１７５度程度に加熱しておき、その後も、処理中は同温度に保持しておく。そして、図３２に示すように、上金型６１および下金型６２が開かれた状態で、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）が樹脂タブレット７を保持した状態で、上金型６１および下金型６２の間に侵入を開始する。
【０１１６】
次に、図１５の時点ｔ１において、プランジャ６５が、後退を開始し、時点ｔ２において、プランジャ６５が、樹脂タブレット７を受け入れる位置まで後退する。ここで、図３２に示すように、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）により、加熱されたポット部６９に、樹脂タブレット７をセットする動作を開始し、時点ｔ３において、樹脂タブレット７のセットを完了し、時点ｔ４において、樹脂タブレット搬送部５７（図１０）は上金型６１および下金型６２の間から外部の元の位置に戻る。
【０１１７】
次に、図３３に示すように、図１５の時点ｔ５において、リードフレーム搬送機構６０（図１０）がリードフレーム１を保持して、上金型６１および下金型６２の間に侵入を開始する。図１５の時点ｔ６において、リードフレーム１のセットを開始し、時点ｔ７に於いて、リードフレーム１の下金型６２の上面６２ａへのセットを完了する。このとき、各チップ２の取り付け位置（または単位デバイス領域５）が上金型６１のモールドキャビティ部７３および下金型６２の各モールドキャビティ部６３に対応するように、リードフレーム１のチップ搭載面１ａ（表面）をたとえば上向きにしてセットされる。
【０１１８】
図１５の時点ｔ７に於いて、リードフレーム１のセットが完了すると、リードフレーム搬送機構６０（図１０）は退避を開始し、図１５の時点ｔ８において、上金型６１および下金型６２の間から外部の元の位置に戻る。
【０１１９】
次に、図３４に示すように、図１５の時点ｔ９において、プレス機構が動作して、上金型６１および下金型６２を閉じる動作を開始し、時点ｔ１０において、クランプを完了する。これにより、上金型６１および下金型６２の間にモールドキャビティ６８が形成される。このとき、エジェクタピン７２は、突出していない状態（後退位置）にある。
【０１２０】
次に、図３５に示すように、図１５の時点ｔ１１において、上金型６１および下金型６２をクランプした状態で、プランジャ６５の上昇が開始される。この時点で、樹脂タブレット７はすでに溶融樹脂７ｍに状態にある。
【０１２１】
次に、図３６に示すように、図１５の時点ｔ１２において、樹脂の移送が完了すると注入圧力（充填圧力）は急速に上昇する。この時点で、溶融樹脂７ｍは、モールドキャビティ６８を満たし、フローキャビティ６６にまで入り込み、そこで、フローキャビティに対応する樹脂片１６を形成しつつある。
【０１２２】
次に、図３７に示すように、図１５の時点ｔ１３において、プランジャ６５の下降が開始されると、注入圧力（充填圧力）が急速に低下するとともに、クランプの解除および上金型６１および下金型６２を開く動作が開始し（これと連動して、上金型６１のエジェクタピン７２が突出する）、図１５の時点ｔ１４において、型開きが完了する。
【０１２３】
次に、図３８に示すように、図１５の時点ｔ１５において、再びプランジャ６５の上昇が開始され、エジェクト動作が開始する。このとき、下金型６２にエジェクタピンがある場合は、エジェクタピンもプランジャ６５と同様に上昇する。図１５の時点ｔ１６において、プランジャ６５の再上昇が完了して、リードフレーム１の下金型６２からの離型が完了すると、時点ｔ１７において、プランジャ６５の再降下が開始され、時点t１８に於いて、下金型６２のモールドキャビティ部６３の周辺底面６３ｐとほぼ同じ、スタンバイ高さに戻る。これにより、モールドサイクルを一巡したことになる。
【０１２４】
ここで説明したように、リードフレーム１のチップ搭載面１ａ（表面）を上向きにしてセットするメリットは、両面パッケージでは、個々の面（表面又は裏面）における樹脂厚さは片面パッケージに比べて、より薄くなっているので、チップ搭載面を下にすると、プランジャのオーバドライブの結果生成する凹部１４において、ワイヤ等が露出する恐れが高くなることによる。
【０１２５】
９．本願の全般に関する考察並びに各実施の形態に関する補足的説明
典型的なトランスファモールド方式は、金型内のモールドキャビティから離れた位置に樹脂タブレットをセットして、樹脂タブレットが熱により溶融した溶融樹脂をカル、ランナおよびゲートを介してモールドキャビティ内に移送して充填する有力な樹脂モールド方法である。しかしながら、一つのリードフレームに配置される単位デバイス領域の数は、年々増加する傾向にあり、マトリクス状に配置された列および行の数は増える一方であり、移送流路長は従来の２から３倍に急増する傾向にある。
【０１２６】
このような問題に対して、前記各実施の形態（変形例を含む）では、個別圧縮モールド方式に於いて、個々のキャビティに対応する部分の各々に、樹脂タブレット（封止樹脂材料）を供給することにより、ゲート等を介することなく、直接、リードフレーム（平面状基体）の被封止部分（単位デバイス領域）に、溶融樹脂を供給することにより、樹脂材料の無駄等を省くものである。
【０１２７】
また、前記各実施の形態（変形例を含む）で説明した個別圧縮モールド方式に於いては、どのキャビティに於いても樹脂条件は、ほぼ同一であるので、トランスファモールドの場合のように、特に高速で注入する必要がないので、粘度を大幅に下げる必要もなく、ワイヤ流れの問題もそれほど厳しいものではない。すなわち、比較的低速の充填（移送）が可能であれる。
【０１２８】
更に、パッケージの中央部から外部に向けて放射状に樹脂面が広がるので、ボイドの巻き込みも比較的少ないと考えられる。
【０１２９】
また、典型的なトランスファモールド方式において、マトリクス状に配置された単位デバイス領域を有するリードフレームを封止する場合、必然的に、単位デバイス領域がどの位置にあるかによって、ポット部からの樹脂経路が異なることから全キャビティの樹脂充填条件をそろえることが困難となる。一方、前記各実施の形態（変形例を含む）で説明した個別圧縮モールド方式に於いては、ポット部自体が各キャビティ内にあるので、全てのキャビティの樹脂充填条件が基本的に同一とすることが容易に達成できる。
【０１３０】
また、一括圧縮モールド方式における巨大な樹脂タブレットにありがちな樹脂の端部や中央部といった位置による非均等性も排除することが可能となる。
【０１３１】
なお、一括圧縮モールド方式に図１２に示したような円形の樹脂タブレットを使用することも可能であるが、一方に、樹脂の充填特性が不均一になる恐れが高い。
【０１３２】
１０．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１３３】
例えば、前記実施の形態では、主に単位デバイス領域ひとつについて、単一チップを搭載したデバイスを例に取り具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、一つの単位デバイス領域に単層で又は積層して、複数のチップを搭載したものにも適用できることは言うまでもない。
【０１３４】
また、前記実施の形態では、主に平面状基体としてリードフレームを用いたデバイスおよびデバイス製法を具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、平面状基体として有機配線基板（より広く絶縁性配線基板）等を用いたものにも適用できることは言うまでもない。
【０１３５】
更に、前記実施の形態では、主に下金型側にポット部を設けた金型を説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、上金型にポット部を設けても良いことはいうまでもない。
【０１３６】
また、前記実施の形態では、下金型の一部がポット部に対応している例を示したが、本発明はそれに限定されるものではなく、下金型のほぼ全部がポット部に対応していてもよいことはいうまでもない。
【０１３７】
また、前記実施の形態では、下金型の一部に設けられたポット部に樹脂タブレットをセットする例を主に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、ポット部外の下金型のモールドキャビティ部に樹脂タブレットをセットしてもよい。更には、下金型の一部に設けられたポット部に樹脂タブレットをセットする場合に於いても、当該部分をはみ出して、樹脂タブレットをセットしてもよい。
【０１３８】
更に、前記実施の形態では、片面モールドの例として、下金型にのみキャビティ対応凹部がある金型を例示したが、本発明はそれに限定されるものではなく、上金型にのみキャビティ対応凹部がある金型を用いてもよいことはいうまでもない。
【０１３９】
また、前記実施の形態では、主にダイパッドよりも半導体チップが小さい例を具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、ダイパッドの方が、半導体チップよりもサイズが小さくても良いことはいうまでもない。
【０１４０】
また、前記実施の形態では、主にワイヤボンディングによる外部接続方式のデバイスについて、具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その他の接続方式（ワイヤボンディングとの混合方式を含む）のものでも良いことはいうまでもない。
また、前記実施の形態では、プランジャだけでなく、エジェクタピンも設けられた金型を使用して樹脂封止体を形成する例を具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、エジェクタピンが設けられていない金型を使用しても良い。なお、このような金型を使用する場合は、プランジャのみを使用してリードフレームの離型を行う。
【０１４１】
また、前記実施の形態では、主に離型フィルムやリードフレームテープを使用していない例を具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、離型フィルムやリードフレームテープを使用した例にも適用できることはいうまでもない。
【０１４２】
なお、前記実施の形態では、封止樹脂材料として、樹脂タブレットを用いる例を具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、ショット状封止樹脂材料、粉末状樹脂材料、液状樹脂材料等を用いてもよいことはいうまでもない。
【符号の説明】
【０１４３】
１ リードフレーム（平面状基体）
１ａ リードフレームのチップ搭載面（表面）
１ｂ リードフレームの裏面
２ 半導体チップ
２ａ チップのデバイス面
３ 樹脂封止体またはデバイスパッケージ
３ａ 樹脂封止体の表面
３ｂ 樹脂封止体の裏面
３ｓ 樹脂封止体の側面
４ リード
５ 単位デバイス領域
６ リードフレーム枠部
７ 樹脂タブレット
７ｍ 溶融樹脂
８ ダイパッド
９ ダイパッドサポートバー
１０ 端子部
１１ ボンディングワイヤ
１２ ボンディングパッド
１４ プランジャによる凹部
１５ エジェクタピンによる凹部
１６ フローキャビティに対応する樹脂片
５１ 樹脂モールド装置
５２ リードフレームローダ
５３ リードフレーム整列部
５４ リードフレーム搬入部
５５ プレス部
５６ 樹脂タブレット整列部
５７ 樹脂タブレット搬送部
５８ リードフレーム取り出し部
５９ リードフレームアンローダ
６０ リードフレーム搬送機構
６１ 上金型
６１ｂ 上金型の下面
６１ｃ 閉じた上金型
６２ 下金型
６２ａ 下金型の上面
６３ 下金型のモールドキャビティ部
６３ｐ 下金型のモールドキャビティ部の周辺底面
６４ ポットシリンダ
６５ プランジャ
６５ｔ プランジャ上端部
６６ フローキャビティ
６７ フローゲート
６８ モールドキャビティ
６９ ポット部
７１ 真空吸引孔
７２ エジェクタピン
７３ 上金型のモールドキャビティ部
７４ ベント
Ｒ１ リードフレーム部分切り出し領域
Ｔ１ 初期モールドキャビティ厚さ
Ｔ２ 樹脂充填完了時モールドキャビティ厚さ
Ｗ１ 樹脂タブレットの直径
Ｗ２ 半導体チップの辺の長さ（長辺の長さ）
Ｗ３ 下金型のモールドキャビティ部の最小幅
Ｗ４ ポット部の内径
Ｗ５ ダイパッドの辺の長さ（長辺の長さ）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）下金型および上金型が開かれた状態に於いて、加熱された前記下金型の多数のモールドキャビティ部の各々に、樹脂タブレットをセットする工程；
（ｂ）多数の単位デバイス領域の各々に半導体チップが搭載された平面状基体を各単位デバイス領域が前記多数のモールドキャビティ部の位置にそれぞれ対応するように、開かれた状態の前記下金型および前記上金型の間にセットする工程；
（ｃ）前記工程（ａ）および（ｂ）の後、前記下金型および前記上金型を閉じてクランプする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記下金型および前記上金型がクランプされた状態に於いて、前記下金型および前記上金型の間に形成されている各モールドキャビティの少なくとも一部の厚さを減少させることにより各モールドキャビティ内に前記樹脂タブレットが溶融した封止樹脂を充填し、前記多数の単位デバイス領域の各々の前記半導体チップを封止する樹脂封止体を形成する工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記下金型および前記上金型を開く工程。
【請求項２】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記下金型は、前記多数のモールドキャビティと、前記多数のモールドキャビティの各々の主要部に直接連結したポット部とを有し、各モールドキャビティの最小幅は、前記ポット部の径よりも大きい。
【請求項３】
前記２項の半導体装置の製造方法において、前記樹脂タブレットの水平断面形状は、ほぼ円形であり、その径は、前記ポット部の前記径よりも小さい。
【請求項４】
前記３項の半導体装置の製造方法において、各モールドキャビティの前記厚さの減少は、前記下金型の前記多数のモールドキャビティ部の各々に設けられた前記ポット部に於いてプランジャを押し上げることによって実行される。
【請求項５】
前記４項の半導体装置の製造方法において、前記プランジャの押し上げは、前記プランジャの上端部がポット部の周辺の前記モールドキャビティ部の底面を越えて行われる。
【請求項６】
前記５項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）において、各モールドキャビティの平面形状は、ほぼ矩形であり、その４コーナ部の外部には、各コーナ部に連結したフローキャビティが形成されている。
【請求項７】
前記６項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）において、前記平面状基体は、前記半導体チップが搭載された面を下に向けた状態でセットされる。
【請求項８】
前記７項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、前記工程（ａ）よりも先に実行される。
【請求項９】
前記８項の半導体装置の製造方法において、前記平面状基体の前記半導体チップが搭載されていない面側には、実質的に前記樹脂封止体が形成されていない。
【請求項１０】
前記９項の半導体装置の製造方法において、前記平面状基体は、リードフレームである。
【請求項１１】
前記１０項の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記平面状基体をその下側に関して離型フィルムを用いることなく離型させる工程。
【請求項１２】
前記６項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）において、前記平面状基体は、前記半導体チップが搭載された面を上に向けた状態でセットされる。
【請求項１３】
前記１２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、前記工程（ａ）よりも後に実行される。
【請求項１４】
前記１３項の半導体装置の製造方法において、前記平面状基体の前記半導体チップが搭載されていない面側にも、前記樹脂封止体が形成されている。
【請求項１５】
前記１４項の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、離型フィルムを用いることなく前記平面状基体を離型させる工程。
【請求項１６】
前記１５項の半導体装置の製造方法において、前記平面状基体は、リードフレームである。
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）下金型および上金型が開かれた状態に於いて、加熱された前記下金型の多数のモールドキャビティ部の各々に、樹脂タブレットをセットする工程；
（ｂ）多数の単位デバイス領域の各々に半導体チップが搭載された平面状基体を各単位デバイス領域が前記多数のモールドキャビティ部の位置にそれぞれ対応するように、開かれた状態の前記下金型および前記上金型の間にセットする工程；
（ｃ）前記工程（ａ）および（ｂ）の後、前記下金型および前記上金型を閉じてクランプする工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記下金型および前記上金型がクランプされた状態に於いて、前記下金型および前記上金型の間に形成されている各モールドキャビティの少なくとも一部の厚さを減少させることにより各モールドキャビティ内に前記樹脂タブレットが溶融した封止樹脂を充填し、前記多数の単位デバイス領域の各々の前記半導体チップを封止する樹脂封止体を形成する工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記下金型および前記上金型を開く工程。
【請求項２】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記下金型は、前記多数のモールドキャビティと、前記多数のモールドキャビティの各々の主要部に直接連結したポット部とを有し、各モールドキャビティの最小幅は、前記ポット部の径よりも大きい。
【請求項３】
前記２項の半導体装置の製造方法において、前記樹脂タブレットの水平断面形状は、ほぼ円形であり、その径は、前記ポット部の前記径よりも小さい。
【請求項４】
前記３項の半導体装置の製造方法において、各モールドキャビティの前記厚さの減少は、前記下金型の前記多数のモールドキャビティ部の各々に設けられた前記ポット部に於いてプランジャを押し上げることによって実行される。
【請求項５】
前記４項の半導体装置の製造方法において、前記プランジャの押し上げは、前記プランジャの上端部がポット部の周辺の前記モールドキャビティ部の底面を越えて行われる。
【請求項６】
前記５項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）において、各モールドキャビティの平面形状は、ほぼ矩形であり、その４コーナ部の外部には、各コーナ部に連結したフローキャビティが形成されている。
【請求項７】
前記６項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）において、前記平面状基体は、前記半導体チップが搭載された面を下に向けた状態でセットされる。
【請求項８】
前記７項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、前記工程（ａ）よりも先に実行される。
【請求項９】
前記８項の半導体装置の製造方法において、前記平面状基体の前記半導体チップが搭載されていない面側には、実質的に前記樹脂封止体が形成されていない。
【請求項１０】
前記９項の半導体装置の製造方法において、前記平面状基体は、リードフレームである。
【請求項１１】
前記１０項の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記平面状基体をその下側に関して離型フィルムを用いることなく離型させる工程。
【請求項１２】
前記６項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）において、前記平面状基体は、前記半導体チップが搭載された面を上に向けた状態でセットされる。
【請求項１３】
前記１２項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、前記工程（ａ）よりも後に実行される。
【請求項１４】
前記１３項の半導体装置の製造方法において、前記平面状基体の前記半導体チップが搭載されていない面側にも、前記樹脂封止体が形成されている。
【請求項１５】
前記１４項の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、離型フィルムを用いることなく前記平面状基体を離型させる工程。
【請求項１６】
前記１５項の半導体装置の製造方法において、前記平面状基体は、リードフレームである。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【公開番号】特開２０１２−２３８７４０（Ｐ２０１２−２３８７４０Ａ）
【公開日】平成２４年１２月６日（２０１２．１２．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１０７１２７（Ｐ２０１１−１０７１２７）
【出願日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月６日（２０１２．１２．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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