【課題】小型で、信頼性の高い電力用半導体装置を得ることを目的としている。
【解決手段】電力用半導体素子２１、２２を接合するダイパッド１１ｄと、ダイパッド１１ｄに対して段差を付けられた制御素子２３を接合するダイパッド１２ｄが、並列する複数の端子１１、１２を形成するリードパターンとともに、端子の延在方向におけるそれぞれ一端側の領域と他端側の領域で連なり、かつ、一端側の領域から他端側の領域にかけて延在する延在パターン１３、１５が形成された１枚のリードフレーム１０を用い、リードフレーム１０の面を保ったまま、延在パターン１３、１５の所定部分Ｒｂに屈曲部１３ｂ、１５ｂを形成することにより、制御素子２３が、電力用半導体素子２１、２２にオーバーラップするようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の破損や電極板の変形を回避できるように考慮されたモールド装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２と、その表裏両面側の電極板４，５と、枠状の絶縁体６とからなる中間組立体Ｗを、それらの電極板４，５を当接部とする上型８と下型９との型締め状態をもって形成されるモールド室Ｒ内に配置する。中間組立体Ｗをインサートとしてモールド室Ｒに樹脂材料を充填して、中間組立体Ｗをモールドして半導体装置１とする装置である。上側の電極板４の一部を直接挟持部４ａとして上下型８，９同士の型合わせ面１０で直接的に挟持するとともに、上下型８，９のうち直接挟持部４ａ以外で電極板４，５に当接する部分を揺動可能なフローティング型８ｂ，９ｂとしてある。 （もっと読む）

【課題】本発明は、樹脂成形において、ダイパッドの変形が起こり難いアルミニウム素材のリードフレームと、軽量で製造コストの安い半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明のリードフレームは、アルミニウム素材を使用し、ダイパッド部に切欠き部を設けることにより、樹脂成形時におけるリードフレームの変形を抑制している。また、このリードフレームを使用して、製造したフルモールド型の樹脂封止型半導体装置とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ノンリード型の半導体装置の品質の向上を図る。
【解決手段】半導体チップ２を樹脂封止する封止体と、前記封止体の内部に配置されたタブ１ｂと、タブ１ｂを支持する吊りリード１ｅと、それぞれの被接続面が前記封止体の裏面の周縁部に露出した複数のリードと、半導体チップ２のパッドと前記リードとをそれぞれ接続する複数のワイヤとからなり、吊りリード１ｅにおける前記封止体の外周部に配置された端部は、前記封止体の裏面側において露出せずに前記封止体によって覆われており、したがって、樹脂成形による吊りリード１ｅのスタンドオフは形成されないため、吊りリード切断時に、前記封止体の裏面の角部を切断金型の受け部の吊りリード１ｅの切断しろより十分に広い面積の平坦部によって支持することができ、レジン欠けの発生を防止してＱＦＮ（半導体装置）の品質の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のパッケージを成形するにあたり、成形金型のキャビティ内からエアーを外部に確実に送り出し、樹脂の充填不足による成形不良の発生を防止して歩留まりを向上させる。
【解決手段】端子リード１３を有するリードフレーム１を成形金型に設置して樹脂成形を行うことにより樹脂成形体が一体となったパッケージ２を成形するにあたり、リードフレーム１に樹脂成形体の周辺部に連結して支持する複数の吊りリード１４、１４を設け、この吊りリード１４、１４の表面に複数のベント溝１４ａを形成し、キャビティ内のエアーをベント溝１４ａから外部へと送り出す。 （もっと読む）

【課題】個片化の際に露出するリードフレームの変質によるハンダ付け性の劣化を防止することが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】パッド部１２の表面と段差を有し、パッド部に囲まれた凹部１７が備えられた実装電極部１１が形成され、表面に金属膜１３が形成されたリードフレーム２０を用意し、パッド部１２の表面および凹部を露出するように、樹脂による封止部としてのモールド樹脂１６Ｍを形成し、パッド部と凹部および封止部１６を切断して個片の半導体装置１０を得る電子デバイスとしての半導体装置１０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】センサチップの一端側をモールド樹脂で封止してモールド樹脂で片持ち支持するようにしたモールドパッケージの製造方法において、モールド樹脂による封止前におけるセンサチップのぐらつきを防止して、工程中のワークの取り扱い性に優れた製造方法を実現する。
【解決手段】センサチップ２０の一端２３側をモールド樹脂５０で封止してモールド樹脂５０で片持ち支持するようにしたモールドパッケージＳ１の製造方法においてリードフレーム３０として、センサチップ２０の他端２４側を支持する支持部３３を有するものを用意し、センサチップ２０の他端２３側を支持部３３で受けて支持するようにし、支持部３３による支持を維持した状態にてモールド樹脂５０による封止を行った後に、リードフレーム３０から支持部３３をカットして、センサチップ２０の他端２４側から支持部３３を除去する。 （もっと読む）

【課題】ダイパッド露出型の半導体装置においてダイパッドを封止体から露出させる。
【解決手段】ダイパッド１ｃと、ダイパッド１ｃの周囲に配置されたバスバー１ｄと、バスバー１ｄの周囲に配置された複数のインナリード１ａと、ダイパッド１ｃの上面１ｃａ上に搭載された半導体チップ２と、半導体チップ２の複数の電極パッド２ｃと複数のインナリード１ａとを電気的に接続する複数のワイヤ４と、ダイパッド１ｃの下面１ｃｂが露出するように半導体チップ２を封止する封止体３と、封止体３から露出する複数のアウタリード１ｂとを有し、封止体３の厚さ方向において、バスバー１ｄは、インナリード１ａとバスバー１ｄとの間隔がバスバー１ｄと封止体３の実装面３ｂとの間隔と同じ、又はバスバー１ｄと封止体３の実装面３ｂとの間隔より大きくなるように、インナリード１ａと封止体３の実装面３ｂとの間の高さに配置されている。 （もっと読む）

【課題】センシング精度を向上させることのできるセンサ装置を提供する。
【解決手段】このセンサ装置は、リードフレーム３０のチップ搭載部３１に実装された半導体チップ１０を封止した第１の樹脂部材２０からリードフレーム３０のリード部３２ａ〜３２ｃが導出された半導体パッケージ１を有する。そして、このセンサ装置では、半導体パッケージ１が第２の樹脂部材２１によって覆われている。ここでは、リード部３２ａ，３２ｃの第１の樹脂部材２０によって覆われていない部分に、リードフレーム３０及び半導体パッケージ１のそれぞれの位置決めに利用される貫通孔３３ａ，３３ｂをそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】より優れる側面電磁遮蔽効果を有する半導体パッケージ及びその実装方法を提供する。
【解決手段】半導体実装方法により、基板ユニット２１３を有するマザー基板を提供し、基板ユニット２１３の角隅に接地連結の位置合わせマーク２１５を設置する。基板ユニット２１３の上にチップ２２０を設置する。マザー基板の上表面２１１に封止体２３０を形成して基板ユニット２１３と分割ラインとを連続被覆する。マザー基板の下表面２１２に分割ラインに沿って少なくともマザー基板を貫通する複数の半切断溝２４０を形成する。位置合わせマーク２１５を被覆連結するようにマザー基板の下表面２１２と半切断溝群２４０とに第一電磁遮蔽層２５１をパターン化形成する。封止体２３０を個片化分割した後、封止体２３０の頂面２３１と分割側面２３２とに第一電磁遮蔽層２５１と連結する第二電磁遮蔽層２５２を形成する。 （もっと読む）

【課題】成形金型を用いた半導体装置の樹脂封止方法としてのトランスファモールド方式においては、キャビティ部の容積に相当する樹脂量だけでなく、ランナ部に充填される樹脂量も含めた樹脂材料を準備しなければならない。なお、ランナ部に形成された樹脂体は、最終的には完成品から切り離されるため、使用する樹脂材料に無駄が生じる。
【解決手段】本願発明は、多数の単位デバイス領域を有する平面状基体をその各単位デバイス領域は、上金型および下金型間に形成される多数のモールドキャビティに対応するように、両金型間に収容して、各単位デバイス領域を樹脂封止する半導体装置の製造方法に於いて、各モールドキャビティに対応する部分に、樹脂タブレット供給して、ポット部を含む各モールドキャビティの少なくとも一部の厚さを減少させることにより、樹脂封止を実行するものである。 （もっと読む）

【課題】内蔵した異なるスイッチング素子に接続された制御端子同士が互いに接触することを防ぐことができる半導体モジュール及びこれを用いた電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換回路の一部を構成する複数のスイッチング素子１１を樹脂部１２によって一体的にモールドしてなる半導体モジュール１。複数のスイッチング素子１１には、それぞれ複数の制御端子１３からなる制御端子群１３０が接続されている。複数の制御端子群１３０は、樹脂部１２から同一方向に突出している。一つの制御端子群１３０に属する制御端子１３は、同一方向に屈曲するベンド部１３１を備えている。隣り合う制御端子群１３０は、互いの並び方向と直交する方向に屈曲するベンド部１３１を制御端子１３に設けてなる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と実装基板との熱膨張係数の相違により生じる熱応力を半導体装置内で均一に分散させることにより、熱ストレスが加わった際の信頼性を向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、ダイパッド１５とダイパッド１５の周囲に配置された複数のリード部１６とを含むリードフレーム１０と、ダイパッド１５上に載置された半導体素子２１と、リード部１６と半導体素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ２２とを備えている。リードフレーム１０、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂部２３により封止されている。各リード部１６は、封止樹脂部２３の外方に露出する外部端子１８を有し、各リード部１６の外部端子１８は、ダイパッド１５の周囲において平面から見て円周Ｃ_１上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去する。
【解決手段】リードフレーム２００のダイパッド２１０上に半導体チップ１００を搭載する工程と、リードフレーム２００を金型内に配置して封止樹脂により封止するモールド工程と、封止されたリードフレーム２００を金型から取り出す工程と、封止樹脂の不要部分６００を除去する除去工程と、を有する。まず、モールド工程前において、リードフレーム２００の支持フレーム２４０の少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部２６０を形成する。また、除去工程において、半抜き加工部２６０を除去することにより、不要部分６００を除去する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、リードフレーム２００のダイパッド２１０上に半導体チップ１００を搭載する。次いで、リードフレーム２００を金型内に配置して封止樹脂により封止する（モールド工程）。次いで、封止されたリードフレーム２００を金型から取り出す。次いで、封止樹脂の不要部分を除去する（除去工程）。ここで、リードフレーム２００の支持フレーム２４０には、切れ込みが形成されている。これにより、支持フレーム２４０の一部が可動部２６０として、支持フレーム２４０の本体につながりつつ、折畳み可能になっている。また、除去工程において、可動部２６０を除去することにより、不要部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】マルチチップモジュールを金型に固定することなく、当該モジュールのインサート部の周囲を成形材料によって覆うことのできるグロープラグ制御装置及びグロープラグ制御装置の製造方法の提供。
【解決手段】金型２０内のキャビティ２７にゲート２５を通じて充填される成形材料によって周囲を覆われた板状の一次成型部と、一次成型部７０に収容されてグロープラグの発熱を制御する制御部４０とを備えるＧＣＵ１００である。一次成型部７０においてキャビティ２７に開口するゲート２５の開口部２５ａと対向する対向縁部７１は、開口部２５ａに近接するほど板厚の減少する形状である。キャビティ２７に充填される成形材料を、対向縁部７１に沿って円滑に流動させることにより、成形材料から一次成型部７０に作用する抵抗力は、低減される。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの製造工程に使用される耐熱性粘着テープであって、常温における貼り付け時のリワーク性に優れ、且つ高温雰囲気下の樹脂封止工程においては樹脂漏れを防止することが可能な半導体パッケージ製造工程用耐熱性粘着テープを提供すること。
【解決手段】半導体チップを樹脂封止する際に、貼着して使用される耐熱性粘着テープであって、前記耐熱性粘着テープは基材層と粘着剤層とを有し、常温においては微粘着性でありつつも濡れ性に優れ、且つ加熱後の高温雰囲気下においては粘着力が向上する半導体パッケージ製造工程用耐熱性粘着テープ。 （もっと読む）

【課題】 小型化および製造の効率化を図るのに適する半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 主面電極１１を含む半導体チップ１と、方向Ｘａに半導体チップ１に対し離間する実装リード２と、方向Ｘｂに半導体チップ１に対し離間する実装リード３と、主面電極１１、実装リード２，３のいずれとも方向Ｚ視において重なり、且つ、主面電極１１、および実装リード２，３を互いに導通させる連絡リード５１と、半導体チップ１、および実装リード２，３を覆う樹脂部８と、を備え、実装リード２は、方向Ｚｂを向く実装リード底面２２を有し、実装リード３は、方向Ｚｂを向く実装リード底面３２を有し、樹脂部８は、実装リード底面２２，３２のいずれとも面一の樹脂底面８１を有する。 （もっと読む）

【課題】センサ装置を大型化することなく、タイバーが封止されてなるセンサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品２０が実装される実装部１１、外部に接続される接続リード１２、実装部１１と連結されていると共に当該実装部１１の外側に延びるタイバー１３が一体に形成されているリードフレーム１０を用意する。そして、実装部１１に電子部品２０を実装し、タイバー１３を上金型４１と下金型４２との間に挟持することにより、実装部１１を上金型４１と下金型４２との間に構成されるキャビティ４３の内部に保持する。その後、キャビティ４３にモールド樹脂３０を充填し、モールド樹脂３０を硬化する前にタイバー１３を切断すると共に実装部１１に連結されたタイバー１３の切断部をモールド樹脂３０で覆う切断工程と、切断工程後に、モールド樹脂３０を硬化させる工程と、を行う。 （もっと読む）

【課題】電子部品の両端面の外側にヒートシンクを設けたものを、トランスファーモールド法によって樹脂で封止してなる電子装置において、樹脂封止時における電子部品へのダメージを適切に低減できるようにする。
【解決手段】電子部品１０の両端面１１、１２の外側にヒートシンク２０、３０を設けてなる一体化部材１１０を金型１００に投入し、樹脂４０で封止するようにした電子装置の製造方法において、第１のヒートシンク２０の外面２２にて、当該外面２２の内周部から端面２３まで連続して形成された凹部１を設け、樹脂封止工程では、樹脂４０を、両ヒートシンク２０、３０の内面２１、３１間だけでなく、第１のヒートシンク２０の外面２２側にも流すことにより、樹脂４０を凹部１に充填する。 （もっと読む）