【課題】体格の小型化を図るとともに、より確実に半導体チップ間の電位干渉を抑制しつつ製造工程を簡素化することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】各ダイパッド（２１，３１）の一面上に、対応する半導体チップ（２３，３３）を搭載してなる構造体（１１，１２）の準備工程と、ダイパッド（２１，３１）が対向するようにリードフレーム（２０，３０）を保持した状態で、金型（１００，１０１）内に樹脂を注入するモールド成形工程と、モールド成形工程後、タイバー（２５，３５）を除去する除去工程を備える。モールド成形工程では、対向方向において、第１半導体チップ（２３）と第２半導体チップ（３３）の間に電位干渉を生じない間隔を確保すべく所定厚さを有するスペーサ（１４）を介して、第１リードフレーム（２０）及び第２リードフレーム（３０）を積層配置する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のリードフレームにおいて、内部と連結していなく、引く抜きが可能な吊り部を設けているリードフレームを提供し、容易に製造でき、電気的にショートが発生しない、半導体装置の製造方法と半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明のリードフレームは、ダイパッドと、インナーリードと、アウターリードと、タイバーと、外枠体とを備えたリードフレームにおいて、外枠体から突出した吊り部が設けられ、吊り部は樹脂成形後に樹脂封止体の中に埋め込まれ、かつ突出方向に沿って細く形成されていることを特徴とする。また、本発明の半導体装置の製造方法は、樹脂封止体に埋め込まれた、リードフレームの吊り部を垂直方向に変形させ、吊り部を水平方向に移動させ、樹脂封止体から引き抜くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】封止前基板と封止済基板とを容易に取り扱うことによって、高い生産性でＬＥＤパッケージを製造する。
【解決手段】キャリア１４に封止前基板１をはめ込む。次に、そのキャリア１４を上型１８に固定する。次に、下型１７と上型１８とを型締めする。これにより、封止前基板１に装着された複数のＬＥＤチップ１３を、キャビティに満たされた流動性樹脂２６に浸す。次に、流動性樹脂２６を硬化させて硬化樹脂２８を形成する。これにより、複数のＬＥＤチップ１３を一括して樹脂封止する。次に、下型１７と上型１８とを型開きして、封止済基板２９がはめ込まれたキャリア１４を取り出す。次に、キャリア１４から封止済基板２９を突き出す。次に、封止済基板２９を切断する。これにより、封止済基板２９を、各ＬＥＤチップ１３にそれぞれ相当する複数のＬＥＤパッケージに個片化する。 （もっと読む）

【課題】電極間の接続抵抗の低減、電極間の接続距離・接続箇所数の低減、及び十分な薄型化を、工程短縮を図りつつも容易且つ確実に実現することのできる半導体装置を得る。
【解決手段】表面に接続導電膜２４が形成された封止層２０を、リードフレーム１１上に設けられた化合物半導体素子１０の電極１０ａ〜１０ｄと、各リード１０ａ〜１０ｃ及びリードフレーム１１に接続導電膜２４が接触するように当接し、接続導電膜２４により電極と１０ａ〜１０ｄと各リード１０ａ〜１０ｃ及びリードフレーム１１とを電気的に接続すると共に、封止層２０により化合物半導体素子１０を封止する。 （もっと読む）

【課題】応力に弱い回路部を有する半導体素子を基板上に搭載したものを、フィラー入りの樹脂よりなるモールド材で封止するにあたって、簡略化された工程にて、半導体素子の回路部を適切に保護しつつ、フィラー入りの樹脂による半導体素子および基板の封止を行う。
【解決手段】一面２１側に回路部２３を有する半導体素子２０を基板１０上に搭載してなる構造体１を、金型１００内に配置する構造体配置工程の後、絶縁性のフィラー３１を含有する樹脂３０を、金型１００内に充填するモールド工程を行う半導体装置の製造方法において、構造体配置工程では、樹脂３０中のフィラー３１が回路部２３に侵入することなく且つ樹脂３０は侵入する大きさの隙間２００を規定する隙間規定手段１０１を、金型１００内にて回路部２３を囲むように設けた状態とし、その後、モールド工程では、この状態にてフィラー３１を含有する樹脂３０の充填を行う。 （もっと読む）

【課題】パッケージの外面の切削又は研削加工によって放熱部材を露出させるものにあって、切削面における平面度の低下を抑える。
【解決手段】半導体装置２１は、パッケージ２２内に、２組の半導体チップ２３及び金属ブロック体２８を備え、下面に共通の放熱板２４、上面に放熱板２５、２６を備える。放熱板２４の露出面に、前後方向に延びる凹部２４ａを設ける。半導体装置２１の製造にあたっては、半導体チップ２３、金属ブロック体２８、放熱板２４、２５、２６等を接合し、エポキシ樹脂によりモールドしてパッケージ２２を形成する。この後、パッケージ２２の下面を、切削ラインＣまで切削して放熱板２４を露出させる。凹部２４ａによって放熱板２４が分断されるので、放熱板２４が深く切削されることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 比較的大きな厚さ公差を有する絶縁基板であっても、簡単な構造の製造装置で、樹脂モールド成形時に絶縁基板を破損することなく、また樹脂のバリの発生をなくすことができるパワー半導体モジュールの構造を提供する。
【解決手段】
パワー半導体モジュール１は、絶縁層１ａを挟む両面にそれぞれ金属パターン１ｂ、１ｃを設けた絶縁基板１Ａ上に、半導体を実装した状態で、これらを樹脂２にてモールドし、絶縁基板１Ａの半導体を実装した面と反対側の面に設けた金属パターン１ｂをモールドした樹脂２から外側へ露出させる。絶縁基板１Ａ上に、パワー半導体モジュール１のモールド成形時の型１１に設けた押圧棒１１ａを受けるための押圧棒受け部材５を、高温で溶融し常温で凝固する温度変形部材６を介して設けた。 （もっと読む）

【課題】リードフレームを用いたマルチチップ型の半導体装置においては、特性上又は強度上の観点から、少なくとも一部のチップをリードフレームの一部であるダイパッド上に搭載することが一般的である。しかし、サブミリメートル領域のパッケージ厚さが要求されるマルチチップ薄型パッケージにおいては、通常のダイパッド上への搭載では、十分な薄型化を達成することは困難である。
【解決手段】本願発明は、チップ間ワイヤ接続を有する薄型樹脂封止マルチチップ長方形パッケージの半導体装置の製造方法において、少なくとも一つのチップがダイパッドサポートリードよりも薄くされたダイバッド上に固着されており、そのダイパッドは前記長方形の一対の長辺をそれぞれが連結するように配置された複数のダイパッドサポートリードによって支持されており、樹脂モールドの際には、前記一対の長辺の一方の側から封止樹脂を導入するものである。 （もっと読む）

【課題】電子部品の圧縮成形用金型３（上型３ａ、下型３ｂ）を搭載した成形ユニット４を所要複数個、有する電子部品の樹脂成形装置１において、各成形ユニット４における成形温度（成形ユニットの成形温度及び樹脂成形型の成形温度）を効率良く均等にする。
【解決手段】所要複数個の成形ユニット４（４Ａ、４Ｂ、４Ｃ）を一列に配置した電子部品の樹脂成形装置において、各成形ユニット４間に及び一列に配置した成形ユニット群７
の両側に、断熱手段（樹脂板２０、真空断熱部材３０）を設けて構成する。成形ユニット４に断熱手段（樹脂板２０、真空断熱部材３０）を設けた状態で、成形装置１に設けた成形ユニット４の圧縮成形用金型３で基板２に装着した電子部品を圧縮成形する。 （もっと読む）

【課題】金属部材と封止樹脂との密着性に優れた信頼性の高い半導体装置を得る。
【解決手段】銅合金製の金属部材１に半導体素子４を搭載した実装体を封止樹脂６によって封止して形成した半導体装置７であって、酸性かつ還元性を有するガス雰囲気中にて１８０℃以上の温度で前記実装体を５分間以上加熱することによって、金属部材１と封止樹脂６との界面に、膜厚が１００ｎｍ以下で、かつ、酸素および銅の成分濃度が５０ａｔ％以上の酸化膜が介在し、金属部材１を防錆するための防錆皮膜が介在しない。 （もっと読む）

【課題】樹脂バリを容易に除去することができ、かつリードフレームの端子間の放電を抑制することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】パッケージ外部領域５とパッケージ内部領域６を有するリードフレーム１を用いる。リードフレーム１の側面の上端にカエリ面７が設けられ、側面の上端近傍に破断面８が設けられている。パッケージ外部領域５においてリードフレーム１の側面の上端を面取り加工する。パッケージ内部領域６においてリードフレーム１上に半導体素子１０を搭載してモールド樹脂１２で封止する。面取り加工及び樹脂封止の後に、パッケージ外部領域５においてリードフレーム１の側面に設けられた樹脂バリ１３を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの製造工程に使用される耐熱性粘着テープであって、常温における貼り付け時のリワーク性に優れ、且つ高温雰囲気下の樹脂封止工程においては樹脂漏れを防止することが可能な半導体パッケージ製造工程用耐熱性粘着テープを提供すること。
【解決手段】半導体チップを樹脂封止する際に、貼着して使用される耐熱性粘着テープであって、前記耐熱性粘着テープは基材層と粘着剤層とを有し、常温においては微粘着性でありつつも濡れ性に優れ、且つ加熱後の高温雰囲気下においては粘着力が向上する半導体パッケージ製造工程用耐熱性粘着テープ。 （もっと読む）

【課題】 小型化および製造の効率化を図るのに適する半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 主面電極１１を含む半導体チップ１と、方向Ｘａに半導体チップ１に対し離間する実装リード２と、方向Ｘｂに半導体チップ１に対し離間する実装リード３と、主面電極１１、実装リード２，３のいずれとも方向Ｚ視において重なり、且つ、主面電極１１、および実装リード２，３を互いに導通させる連絡リード５１と、半導体チップ１、および実装リード２，３を覆う樹脂部８と、を備え、実装リード２は、方向Ｚｂを向く実装リード底面２２を有し、実装リード３は、方向Ｚｂを向く実装リード底面３２を有し、樹脂部８は、実装リード底面２２，３２のいずれとも面一の樹脂底面８１を有する。 （もっと読む）

【課題】保温性に優れたプリヒータを提供する。
【解決手段】プリヒータ１は、被成形品３ａが載置される下ヒータ部３１と、下ヒータ部３１に対向する位置へ移動可能な上ヒータ部３２と、鉛直方向に下ヒータ部３１を移動させる下駆動部とを有している。被成形品３ａが載置された下ヒータ部３１の上方で対向する位置に移動した上ヒータ部３２に対して、下駆動部によって下ヒータ部３１を近づけて、被成形品３ａを下ヒータ部３１と上ヒータ部３２とで挟んでプリヒートする。 （もっと読む）

【課題】樹脂で封止されている半導体装置の製造装置の構造を簡易化する。
【解決方法】金型２０のキャビティ２３内には、リードフレーム３０が載置可能とされている。可動ピン４１は、キャビティ２３内に挿脱可能とされ、その先端には先端面４１ａが備えられている。コイルバネ４２は、下向きの押さえ力Ｆ１を、可動ピン４１に付勢している。注入手段２４は、樹脂５０に成型圧力Ｐをかけてキャビティ２３内に樹脂５０を充填する。可動ピン４１は、先端側の径に比して後端側の径が大きくなっている。先端面４１ａがリードフレーム３０に接触する状態でキャビティ２３内に樹脂５０が充填されて可動ピン４１が樹脂５０内に浸漬すると、樹脂５０の成型圧力Ｐによって、先端面４１ａがリードフレーム３０から離れる方向（上向き）の第１の離反力Ｆ２が可動ピン４１に発生する。押さえ力Ｆ１に比して第１の離反力Ｆ２が大きくされている。 （もっと読む）

【課題】硬化後の、可視光から近紫外光の反射率が高く、耐熱劣化性やタブレット成形性に優れ、なおかつトランスファー成形時にバリが生じ難い熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料および（Ｆ）カップリング剤を含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、成形温度が１００℃〜２００℃、成型圧力２０ＭＰａ以下、６０〜１２０秒の条件でトランスファー成形した時に生じるバリ長さが５ｍｍ以下であり、かつ熱硬化後の、波長３５０ｎｍ〜８００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のワイヤの検査を行うための装置の処理負担を軽減すること。
【解決手段】配線基板と、配線基板上に載置された半導体素子と、複数の所定形状のワイヤとを有する検査対象半導体装置の封止前後の状態を所定の方向から撮影した２つの２次元画像データを取得する２次元画像取得部１と、２つの２次元画像データを用い、複数のワイヤ各々ごとに、封止前後における２次元的変化量を算出する２次元的変化量算出部２と、複数のワイヤ各々ごとに、所定形状のワイヤの両端を結ぶ直線を回転軸として所定角度回転した場合における回転前後の３次元的変化量を、２次元的変化量から算出するための相関情報を利用し、複数のワイヤ各々ごとに、封止前後における３次元的変化量を算出する３次元的変化量算出部３とを有する検査装置。 （もっと読む）

【課題】トランジスターおよびショットキバリアダイオードが１つのチップ内に形成されている構成において、トランジスターの耐圧を確保しつつ、ショットキバリアダイオードの順方向電圧を低くすることができる半導体装置、ならびにこれを樹脂パッケージで覆った半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、半導体層２２と、半導体層２２に形成され、トランジスター１１を構成するトランジスター領域Ｄと、半導体層２２に形成され、ショットキバリアダイオード１０を構成するダイオード領域Ｃとを含み、ダイオード領域Ｃにおける半導体層２２は、トランジスター領域Ｄにおける半導体層２２よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】モールド金型に複数列に設けられたポット配置に合わせて複数列に整列して樹脂タブレットを迅速に供給する。
【解決手段】送り出し機構１４は、樹脂タブレットｔを順送する送り出し部２４ａ、２４ｂを有している。ホルダ機構１５は、第１および第２列を有して整列して配置され、樹脂タブレットｔを保持する複数の保持穴２３ａ、２３ｂを有している。受け渡し機構１５は、送り出し機構１４から送り出された樹脂タブレットｔを載置して搬送し、送り出し部２４ａ、２４ｂのそれぞれに対応するシフトステージ４４ａ、４４ｂを有している。シフトステージ４４ａ、４４ｂが、送り出し部２４ａ、２４ｂのそれぞれからの樹脂タブレットｔを、送り出し部２４ａ、２４ｂ間のピッチＰ２から保持穴２３ａ、２３ｂ間のピッチＰ１に変換する。 （もっと読む）

【課題】センサ装置を大型化することなく、タイバーが封止されてなるセンサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品２０が実装される実装部１１、外部に接続される接続リード１２、実装部１１と連結されていると共に当該実装部１１の外側に延びるタイバー１３が一体に形成されているリードフレーム１０を用意する。そして、実装部１１に電子部品２０を実装し、タイバー１３を上金型４１と下金型４２との間に挟持することにより、実装部１１を上金型４１と下金型４２との間に構成されるキャビティ４３の内部に保持する。その後、キャビティ４３にモールド樹脂３０を充填し、モールド樹脂３０を硬化する前にタイバー１３を切断すると共に実装部１１に連結されたタイバー１３の切断部をモールド樹脂３０で覆う切断工程と、切断工程後に、モールド樹脂３０を硬化させる工程と、を行う。 （もっと読む）