半導体メモリカード及びその製造方法
【課題】リードフレームに実装された半導体メモリに格納されたデータの破損を防止した半導体メモリカード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態のｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０は、チップ実装部と、電源端子及び信号端子を含む複数の端子部１ｂと、端子部１ｂよりも幅狭であり、各端子部１ｂからカード先端部まで延びる複数の接続部１ｃとが形成されたリードフレーム１と、チップ実装部に搭載されたＮＡＮＤ２と、電源端子が信号端子よりもカード先端面に近い部位まで露出され、かつカード先端部で複数の接続部１ｃが露出されるように、ＮＡＮＤ２が搭載されたリードフレーム１を封止する封止樹脂８とを備える。ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０は、複数の接続部１ｃのカード先端部での露出位置が、信号端子の各々をカード先端面側へ延長した領域からカード先端面の長手方向に外れるように、複数の接続部１ｃを各端子部１ｂから延在させている。
【解決手段】実施の形態のｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０は、チップ実装部と、電源端子及び信号端子を含む複数の端子部１ｂと、端子部１ｂよりも幅狭であり、各端子部１ｂからカード先端部まで延びる複数の接続部１ｃとが形成されたリードフレーム１と、チップ実装部に搭載されたＮＡＮＤ２と、電源端子が信号端子よりもカード先端面に近い部位まで露出され、かつカード先端部で複数の接続部１ｃが露出されるように、ＮＡＮＤ２が搭載されたリードフレーム１を封止する封止樹脂８とを備える。ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０は、複数の接続部１ｃのカード先端部での露出位置が、信号端子の各々をカード先端面側へ延長した領域からカード先端面の長手方向に外れるように、複数の接続部１ｃを各端子部１ｂから延在させている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体メモリカード及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、リードフレームにフラッシュメモリなどの半導体メモリを実装し、封止樹脂で封止した半導体メモリカードが知られている。この構造の半導体メモリカードでは、データの読み書き用の外部端子は、リードフレームの一部（端子部）を封止樹脂から部分的に露出させることによって形成される。
【０００３】
上記構造の半導体メモリカードを製造するに当たっては、リードフレームの端子部は、樹脂封止前はリードフレームの枠部に連結されて支持されている。そして、樹脂封止後に、半導体メモリカードとしての外形となるようにリードフレームの端子部と枠部とが切断される。したがって、半導体メモリカードが完成した状態において、リードフレームの端子部からリードフレームの一部が樹脂に覆われずに露出する可能性がある。その結果、半導体メモリに格納されたデータが破損する可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１３７３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体メモリをリードフレームに実装し封止樹脂で封止した半導体メモリカードにおいては、半導体メモリに格納されたデータの破損を防止することが求められている。
【０００６】
本発明の一つの実施形態は、リードフレームに実装された半導体メモリに格納されたデータの破損を防止した半導体メモリカード及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの実施形態によれば、半導体メモリカードは、メモリ搭載部と、電源端子及び信号端子を含む複数の端子と、該端子よりも幅狭であり、端子の各々からカード先端部まで延びる複数の接続部とが形成されたリードフレームと、リードフレームのメモリ搭載部に搭載された半導体メモリと、電源端子が信号端子よりもカード先端面に近い部位まで露出され、かつカード先端部で複数の接続部が露出されるように、半導体メモリが搭載されたリードフレームを封止する樹脂と、を備える。半導体メモリカードは、複数の接続部のカード先端部での露出位置が、信号端子の各々をカード先端面側へ延長した領域からカード先端面の長手方向に外れるように、複数の接続部を各端子から延在させている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１−１】図１−１は、第１の実施形態に係る半導体メモリカードとしてのｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの底面図。
【図１−２】図１−２は、第１の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの上面透過図。
【図１−３】図１−３は、第１の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの側面透過図。
【図２】図２は、第１の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの製造に用いられるリードフレームの構成を示す図。
【図３】図３は、第１の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの製造に用いられるリードフレームの樹脂封止後の状態を示す図。
【図４】図４は、封止樹脂に埋設したリードフレームを事後的に露出させる手順を示す工程図。
【図５】図５は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカードにデータを読み書きするコネクタの内部を模式的に示す図。
【図６】図６は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカードとコネクタ端子との位置関係を模式的に示す図。
【図７】図７は、第２の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの底面図。
【図８】図８は、第２の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの製造に用いられるリードフレームの構成を示す図。
【図９】図９は、第２の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの製造に用いられるリードフレームの樹脂封止後の状態を示す図。
【図１０】図１０は、第３の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの製造に用いられるリードフレームの樹脂封止後の状態を示す図。
【図１１】図１１は、第３の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの先端部分の拡大図。
【図１２】図１２は、第４の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの底面図。
【図１３】図１３は、第４の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの製造に用いられるリードフレームの構成を示す図。
【図１４】図１４は、第４の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの製造に用いられるリードフレームの樹脂封止後の状態を示す図。
【図１５】図１５は、信号端子の接続部のみがカード側面側へ向かって端子部から突出する部分と、端子部よりも幅狭でカード先端面側へ延びてカード先端部に達する部分とを有するｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの構成を示す図。
【図１６−１】図１６−１は、平置き型の半導体メモリカードとしてのｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの上面透過図。
【図１６−２】図１６−２は、平置き型のｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの側面透過図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体メモリカード及びその製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【００１０】
（第１の実施形態）
第１の実施形態に係る半導体メモリカードについて説明する。第１の実施形態に係る半導体メモリカードとして、ｍｉｃｒｏＳＤＴＭメモリカード（以下、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード）を例に挙げて説明する。図１−１は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の底面図、図１−２は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の上面透過図、図１−３は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の側面透過図である。なお、図１−２（ａ）はｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の全体を示しており、図１−２（ｂ）は、図１−２（ａ）の一部分（Ｉ−ＩＩｂ部）を拡大して示している。また、図１−３は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０を図１−２における右側から見た状態を示している。ここで、図１−１〜１−３の紙面上方向はコネクタへの差し込み側であり、この方向の端を「先端」と定義する。また、図１−１での視点方向、図１−２での紙面奥行き方向、図１−３での紙面右方向を「下（底面側）」、逆方向を「上」と定義する。また、図１−１、図１−２での紙面左右方向を「横（側面側）」と定義する。
【００１１】
リードフレーム１の上には半導体メモリとしてのＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（以下、ＮＡＮＤ）２に加え、受動部品３（コンデンサやヒューズなど）が実装されている。ＮＡＮＤ２の上には再配線層が形成されており、再配線層の上にはＮＡＮＤ２を制御するコントローラ４が実装されている。なお、ここではＮＡＮＤ型フラッシュメモリを用いる構成を例として説明するが、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに限定されることはない。例えば、ＮＯＲ型フラッシュメモリを適用することもできる。再配線層にはコントローラ４とリードフレーム１とを接続するための配線２ａが形成されている。コントローラ４の端子と再配線層上の配線２ａとの間、及び再配線層上の配線２ａとリードフレーム１との間、並びに再配線層上の配線２ａ同士はボンディングワイヤ５によって接続されている。ＮＡＮＤ２や受動部品３、コントローラ４が実装され、これらがボンディングワイヤ５によって接続されたリードフレーム１は、封止樹脂８によって封止されている。ただし、リードフレーム１の一部分（後述する端子部１ｂ）はカード先端近傍で底面側に露出しており、コネクタとの電気的な接続のための外部端子６を形成している。
【００１２】
外部端子６のうち、それぞれ電源（ＶＤＤ）及び接地電位（ＶＳＳ）が割り当てられた電源端子６ｄ、６ｆは、信号が割り当てられた信号端子６ａ〜６ｃ、６ｅ、６ｇ、６ｈよりもカード先端面に近い部位まで露出されている。
【００１３】
ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の先端部（カード先端面の近傍）には、外部端子６が形成された底面側へコネクタピンを導くためのガイド面として、テーパ部７が設けられている。テーパ部７は、カード先端面と底面とに跨って、カード先端面側ほどカード厚さが小さくなるように形成されている。なお、ここではガイド面としてテーパ面を備えた構成を例としているが、テーパ面の代わりにＲ面などの曲面をガイド面として設けても良い。
【００１４】
図２は、第１の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の製造に用いられるリードフレーム１の構成を示す図である。図２中の破線は樹脂封止後にｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される範囲を示しており、リードフレーム１は破線が横断する部分で切断される。リードフレーム１は、ＮＡＮＤ２や受動部品３などの電子部品が実装されるメモリ搭載部としてのチップ実装部１ａと、樹脂封止後に外部端子６として露出する端子部１ｂとを含んでいる。端子部１ｂは、接続部１ｃによって枠部１ｄと連結されて支持されている。リードフレーム１は、４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）やＣｕなどの金属材料を用いて形成することが可能であるが、これらの材料に限定されることはない。また、それぞれの外部端子６となるリードフレーム１は絶縁性テープ１２で固定されている。
【００１５】
接続部１ｃは、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の完成後にはコネクタへの差込方向となる方向（カード先端面側）と交差する方向（カード側面側）へ向かって端子部１ｂから突出する部分（突出部１ｇ）と、この部分から端子部１ｂよりも幅狭でカード先端面側へ延びてカード先端部に達する部分（延在部１ｈ）とを備えた構造となっている。また、接続部１ｃは外枠連絡部１ｉと接続されている。外枠連絡部１ｉは、その幅が接続部１ｃの幅よりも広い。この外枠連絡部１ｉによって、外部端子１ｂと外枠１ｄを安定して固定することができる。したがって、図１−２に示すように、接続部１ｃのカード完成後にｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される部分は、端子部１ｂをカード先端面側へ延長した領域には存在していない。よって、リードフレーム１を用いて製造したｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０においては、図１−１に示すように、封止樹脂８による樹脂封止後に切断された接続部１ｃの切断面１１（１１ａ〜１１ｈ）は、外部端子６ａ〜６ｈをカード先端面側へ延長した領域（以降、「外部端子延長領域」と称する場合がある）から横方向（カード先端面の長手方向）に外れた領域で露出する。なお、切断面１１ａ〜１１ｈは、外部端子６ａ〜６ｈに対応する各接続部１ｃの切断面である。なお、ここでは接続部１ｃがコネクタへの差込方向と直交する方向に突出する構成を示したが、接続部１ｃが突出する方向とコネクタへの差込方向とがなす角度は必ずしも直角である必要はない。なお、外枠連絡部１ｉは外部端子延長領域に存在していなくても良い。
【００１６】
図３は、第１の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の製造に用いられるリードフレーム１の樹脂封止後の状態を示す図である。ここでは説明の簡略化のため、リードフレーム１に実装済みのＮＡＮＤ２や受動部品３、コントローラ４、ボンディングワイヤ５などの図示は省略している。また、封止樹脂８についてもｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される部分のみ示しているが、実際には、封止樹脂８は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の外形（図２の破線で囲まれた部分）よりも広い範囲にモールドされる。端子部１ｂは樹脂封止の際に不図示の金型と密着するようになっており、端子部１ｂの底面側には封止樹脂８が流れ込まないようになっている。接続部１ｃのｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される範囲内（延在部１ｈ）に曲げ部１ｅが設けられており、リードフレーム１の枠部１ｄは樹脂封止の際に用いる金型のパーティションラインとほぼ同じ高さに配置されるようになっている。
【００１７】
樹脂封止後に、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０としての外形形状に倣って接続部１ｃは切断され、端子部１ｂと枠部１ｄとが分離される。ここではｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０としての外形形状よりも大きい範囲に封止樹脂８をモールドし、封止樹脂８及び接続部１ｃをｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の外形形状に沿って切断してｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０を切り出す方法について説明した。しかし、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０としての外形形状に合わせた金型を用いて封止樹脂８をモールドして（図２の破線で囲まれた部分のみに封止樹脂８をモールドして）接続部１ｃのみを切断するようにしても良い。接続部１ｃは、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される部分に曲げ部１ｅが設けられているため、封止樹脂８の中に入り込んでいる。このため、図１−１や図１−３に示したように、接続部１ｃの各々の切断面１１はテーパ部７の上端（カード上面側におけるテーパ部７の端部）付近において露出する。接続部１ｃが封止樹脂８によって覆われているため、切断面１１から接続部１ｃがめくれ上がることが防止される。これにより、めくれ上がった接続部１ｃが隣接する外部端子６に接触して短絡するなどの不具合の発生を抑えることができる。
【００１８】
なお、突出部１ｇは、端子部１ｂから側面方向へ向かって延びている。そのため、突出部１ｇと突出部１ｇに隣接する端子部１ｂとの間は狭くなっている。さらに、突出部１ｇはカードの底面から露出している。その結果、封止樹脂８の材料によっては、突出部１ｇと突出部１ｇに隣接する端子部１ｂとの間に封止樹脂８が入り込まない場合がある。また、接続部１ｃにおいて、曲げ部１ｅからカード先端部までの距離が短く、かつ、接続部１ｃの底面（カードの底面側の面）からカード底面までの距離が短い場合、接続部１ｃの底面側に入り込んで固まった封止樹脂８がカード完成後に剥離したりする可能性がある。このため、端子部１ｂが封止樹脂８に埋まるように封止し、端子部１ｂの底面側の封止樹脂８を後から除去して外部端子６を形成しても良い。
【００１９】
図４は、封止樹脂８に埋設したリードフレーム１を事後的に露出させる手順を示す工程図である。まず、外部端子６として露出させる大きさよりも大き目に端子部１ｂが形成されたリードフレーム１を封止樹脂８に埋没させるように樹脂封止する（図４（ａ））。そして、外部端子６として露出させる形状に合わせて封止樹脂８にレーザパターニングを施してリードフレーム１まで達する溝９を形成する（図４（ｂ））。その後、溝９で囲われた領域の封止樹脂８をウォータージェットや研摩で除去し、端子部１ｂを露出させて外部端子６とする。このように封止樹脂８にリードフレーム１を埋設し、端子部１ｂを事後的に露出させれば、突出部１ｇと突出部１ｇに隣接する端子部１ｂとの間が狭くても、突出部１ｇを封止樹脂８で埋没させるため、突出部１ｇと突出部１ｇに隣接する端子部１ｂとの間を封止樹脂８で埋めることができる。また、接続部１ｃの底面とカード底面との間の封止樹脂８の厚さを厚くできる。その結果、封止樹脂８の剥離を防止することができる。
【００２０】
図５は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０にデータを読み書きするコネクタ２０の内部を模式的に示す図である。図６は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０とコネクタ端子２１との位置関係を模式的に示す図である。図５（ａ）は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０を挿入していない状態でのコネクタ２０の断面を示している。ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の接続部１ｃは、カード側面側へ向かって端子部１ｂから突出する突出部１ｇと、この部分から端子部１ｂよりも幅狭でカード先端面側に延びる延在部１ｈとを備えた構造となっているため、外部端子６をカード先端面側へ延長した領域では露出していない。すなわち、各接続部１ｃのカード先端部での露出位置（切断面１１の位置）は、コネクタ２０への挿入時にコネクタピン２１が当接する領域から、カード先端面の長手方向に外れた領域にある。各接続部１ｃのカード先端部での露出位置は、コネクタピン２１が当接しない位置である。このため、コネクタ２０へ挿入する際にｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の先端部がコネクタピン２１と接しても、コネクタピン２１は接続部１ｃとは接触しない。すなわち、コネクタピン２１は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の先端部と当接した時点（図５（ｂ）、図６（ａ））ではＮＡＮＤ２と電気的に接続されず、テーパ部７に沿って底面側へ導かれ、外部端子６と当接した時点（図５（ｃ）、図６（ｂ））でＮＡＮＤ２と電気的に接続される。したがって、カード先端面に近い部位まで露出されている電源端子６ｄ、６ｆは、信号端子６ａ〜６ｃ、６ｅ、６ｇ、６ｈよりも先にコネクタピン２１と当接する。
【００２１】
半導体メモリカードの半導体メモリに格納されているデータを保護するためには、電源（ＶＤＤ）やＧＮＤ用の外部端子を信号用の外部端子よりも先にコネクタピンと接触させた方が好ましい。しかしながら、従来の半導体メモリカードでは、コネクタへの差込方向の先端近傍に外部端子を配列させる場合、端子部からコネクタへの差込方向の先端面側に向かってまっすぐ延びるように接続部を設けている。すなわち、接続部の切断面は外部端子を先端面側へ延長した領域に整列した状態で露出してしまう。このため、コネクタへの挿入時に電源やＧＮＤ用の接続部よりも先に信号用の接続部がコネクタピンと接触してしまう可能性があり、半導体メモリ内のデータが破損する懸念がある。
【００２２】
このように、本実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０は、コネクタ２０への挿入時に、電源端子６ｄ、６ｆが先にコネクタピン２１と接触し、信号端子６ａ〜６ｃ、６ｅ、６ｇ、６ｈが後からコネクタピン２１と接触する。したがって、ＮＡＮＤ２に格納されたデータが破損することを防止できる。
また、コネクタ２０のカード側端部２２にｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０が挿入されたかどうかを判断するスイッチ２３及び端子２４が配置されている場合がある。ここで、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の最先端部（先端面１３）がスイッチ２３を押して、スイッチ２３がコネクタ２０のカード側端部２２に配置された端子２４と接触した場合に、検知信号を出す方式がある。ここで、最先端部から接続部１ｃが露出してしまうと、スイッチ２３と接続部１ｃとが接触して誤検知をしてしまう場合がある。一方、テーパ部７から接続部１ｃの端部を露出させることにより、接続部１ｃとスイッチとが接することはない。そのため、誤検知を防ぐことができる。
【００２３】
（第２の実施形態）
第２の実施形態に係る半導体メモリカードとしてのｍｉｃｒｏＳＤメモリカードは、第１の実施形態と同様に、リードフレームに実装されたＮＡＮＤや受動部品、及びＮＡＮＤ上の再配線層に実装されたコントローラがボンディングワイヤで接続され、樹脂で封止された構成である。このため、第１の実施形態と相違する点についてのみ説明する。
【００２４】
図７は、第２の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の底面図である。本実施形態においては、接続部１ｃが封止樹脂８によって封止されておらず、底面に露出したままカード先端部まで達している点で第１の実施形態と相違する。接続部１ｃは、端子部１ｂ（外部端子６）と略同一面に配設されているため、接続部１ｃ及びその切断面１１は、テーパ部７の下端（カード底面側におけるテーパ部７の端部）において露出している。
【００２５】
図８は、第２の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の製造に用いられるリードフレーム１の構成を示す図である。図８中の破線はｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される範囲を示しており、リードフレーム１は破線が横断する部分で切断される。第１の実施形態と同様に、リードフレーム１は、電子部品が実装されるメモリ搭載部としてのチップ実装部１ａと、樹脂封止後に外部端子６として露出する端子部１ｂとを含んでいる。端子部１ｂは、接続部１ｃ、及び、外枠連絡部１ｉによって枠部１ｄと連結されている。樹脂封止後に、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０としての外形形状に倣って接続部１ｃは切断され、端子部１ｂと枠部１ｄとが分離される。
【００２６】
図９は、第２の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の製造に用いられるリードフレーム１の樹脂封止後の状態を示す図である。ここでは説明の簡略化のため、リードフレーム１に実装済みのＮＡＮＤや受動部品、コントローラ、ボンディングワイヤなどの図示は省略している。また、封止樹脂８についてもｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出す部分のみ示しているが、実際には、封止樹脂８は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の外形（図８の破線で囲まれた部分）よりも広い範囲にモールドされ、封止樹脂８及び接続部１ｃがｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の外形形状に沿って切断されてｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０が切り出される。本実施形態においては、曲げ部１ｅは、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される範囲の外（外枠連絡部１ｉ）に設けられている。フレーム幅の広い部分に曲げ部１ｅを設けることにより、曲げ部１ｅの加工が容易となり、リードフレーム１の固定位置が安定する。その結果、樹脂封止工程において、コントローラ４などが封止樹脂から露出する可能性を減らすことができる。
【００２７】
本実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードも、コネクタへの挿入時に、電源端子が先にコネクタピンと接触し、信号端子が後からコネクタピンと接触する。したがって、ＮＡＮＤに格納されたデータが破損することを防止できる。
【００２８】
この他については第１の実施形態と同様であるため、重複する説明は割愛する。
【００２９】
（第３の実施形態）
第３の実施形態に係る半導体メモリカードとしてのｍｉｃｒｏＳＤメモリカードは、第２の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードと同様に、リードフレームに実装されたＮＡＮＤや受動部品、及びＮＡＮＤ上の再配線層に実装されたコントローラがボンディングワイヤで接続され、樹脂で封止された構成である。このため、第２の実施形態と相違する点についてのみ説明する。
【００３０】
図１０は、第３の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の製造に用いられるリードフレーム１の樹脂封止後の状態を示す図である。ここでは説明の簡略化のため、リードフレーム１に実装済みのＮＡＮＤや受動部品、コントローラ、ボンディングワイヤなどの図示は省略している。また、封止樹脂８についてもｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出す部分のみ示しているが、実際には、封止樹脂８は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の外形よりも広い範囲にモールドされ、封止樹脂８及び接続部１ｃがｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の外形形状に沿って切断されてｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０が切り出される。図１１は、第３の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の先端部分の拡大図である。第２の実施形態と同様に、曲げ部１ｅは外枠連結部１ｉに設けられている。ただし、本実施形態においては、端子部１ｂと曲げ部１ｅとの間に、接続部１ｃにハーフエッチングが施されて薄肉化されたハーフエッチング部１ｆを備えている。すなわち、接続部１ｃは、カード先端部での露出位置と端子部１ｂとの間の部分は、ハーフエッチング部１ｆによって薄肉化されている。ハーフエッチング部１ｆの底面側には封止樹脂８が入り込んでおり、ハーフエッチング部１ｆはｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の底面に露出していない。このため、接続部１ｃの切断面１１は、テーパ部７の下端よりも上側で露出している。
【００３１】
本実施形態においては、ハーフエッチング部１ｆが封止樹脂８で覆われているため、接続部１ｃが切断面１１からめくれ上がることが防止される。これにより、めくれ上がった接続部１ｃが隣接する外部端子に接触して短絡するなどの不具合の発生を抑えることができる。
また、突出部１ｇにもハーフエッチング部１ｆを設けることにより、突出部１ｇと突出部１ｇに隣接する端子部１ｂとの間が狭くても、突出部１ｇと突出部１ｇに隣接する端子部１ｂとの間を封止樹脂８で埋めることができる。
【００３２】
本実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードも、コネクタへの挿入時に、電源端子が先にコネクタピンと接触し、信号端子が後からコネクタピンと接触する。したがって、ＮＡＮＤに格納されたデータが破損することを防止できる。
【００３３】
この他については第２の実施形態と同様であるため、重複する説明は割愛する。
【００３４】
（第４の実施形態）
第４の実施形態に係る半導体メモリカードとしてのｍｉｃｒｏＳＤメモリカードは、第１の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードと同様に、リードフレームに実装されたＮＡＮＤや受動部品、及びＮＡＮＤ上の再配線層に実装されたコントローラがボンディングワイヤで接続され、樹脂で封止された構成である。このため、第１の実施形態と相違する点についてのみ説明する。
【００３５】
図１２は、第４の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の底面図である。本実施形態においては、第１の実施形態と同様に接続部１ｃが封止樹脂８の中に入り込んでいる。ただし、封止樹脂８の中に入り込んだ接続部１ｃは、端子部１ｂと略同一面で封止樹脂８から抜け出ており、接続部１ｃの切断面１１がテーパ部７の下端部において露出している点で、第１の実施形態と相違している。
【００３６】
図１３は、第４の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の製造に用いられるリードフレーム１の構成を示す図である。図１３中の破線はｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される範囲を示しており、リードフレーム１は破線が横断する部分で切断される。リードフレーム１は、ＮＡＮＤや受動部品などの電子部品が実装されるメモリ搭載部としてのチップ実装部１ａと、樹脂封止後に外部端子６として露出する端子部１ｂとを含んでいる。端子部１ｂは、接続部１ｃ、及び、外枠連絡部１ｉによって枠部１ｄと連結されている。樹脂封止後に、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０としての外形形状に倣って接続部１ｃは切断され、端子部１ｂと枠部１ｄとが分離される。
【００３７】
接続部１ｃは、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の完成後にはカード側面側へ向かって端子部１ｂから突出する部分（突出部１ｇ）と、この部分から端子部１ｂよりも幅狭でカード先端面側へ延びる部分（延在部１ｈ）とを備えた構造である。したがって、接続部１ｃのｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される部分は、端子部１ｂをカード先端面側へ延長した領域には存在していない。よって、図１２に示したように、本実施形態にかかるｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０において、接続部１ｃの切断面１１は、外部端子６をカード先端面側へ延長した領域では露出していない。
【００３８】
図１４は、第４の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の製造に用いられるリードフレーム１の樹脂封止後の状態を示す図である。ここでは説明の簡略化のため、リードフレーム１に実装済みのＮＡＮＤや受動部品、コントローラ、ボンディングワイヤなどの図示は省略している。また、封止樹脂８についてもｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出す部分のみ示しているが、実際には、封止樹脂８は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の外形（図１３の破線で囲まれた部分）よりも広い範囲にモールドされ、封止樹脂８及び接続部１ｃがｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の外形形状に沿って切断されてｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０が切り出される。接続部１ｃのｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される部分には曲げ部１ｅが二箇所に設けられている。このため、図１２に示したように、接続部１ｃは、封止樹脂８の中に入り込んだのちに、端子部１ｂと略同一面上（テーパ部７の下端部）において封止樹脂８から抜け出ている。曲げ部１ｅは接続部１ｃに加えて、外枠連結部１ｉにも設けられている。すなわち、曲げ部１ｅは端子部１ｂと枠部１ｄの間に３ヶ所設けられている。その結果、リードフレーム１の枠部１ｄは樹脂封止の際に用いる金型のパーティションラインとほぼ同じ高さに配置されるようになっている。また、接続部１ｃに設けられた二つの曲げ部１ｅに挟まれた埋め込み領域１ｋも、金型のパーティションラインと同じほぼ高さに位置することになる。
【００３９】
本実施形態においては、接続部１ｃのうち埋め込み領域１ｋが封止樹脂８によって覆われているため、切断面１１から接続部１ｃがめくれ上がることが防止される。これにより、めくれ上がった接続部１ｃが隣接する外部端子６に接触して短絡するなどの不具合の発生を抑えることができる。
【００４０】
本実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードも、コネクタへの挿入時に、電源端子が先にコネクタピンと接触し、信号端子が後からコネクタピンと接触する。したがって、ＮＡＮＤに格納されたデータが破損することを防止できる。
【００４１】
この他については、第１の実施形態と同様であるため、重複する説明は割愛する。
【００４２】
上記各実施形態においては、全ての外部端子の接続部がカード側面側へ向かって端子部から突出する部分と、この部分から端子部よりも幅狭でカード先端面方向へ曲がって延びる部分とを備える構造である場合を例としたが、電源端子や接地端子を除く信号端子の接続部のみがカード側面側へ向かって端子部から突出する部分と、この部分から端子部よりも幅狭でカード先端面側に曲がって延びる部分とを有するようにしても良い。図１５は、電源端子及び接地端子６ｄ、６ｆを除く信号端子６ａ〜６ｃ、６ｅ、６ｇ、６ｈの接続部１ｃのみがカード側面側へ向かって端子部１ｂから突出する部分と、この部分から端子部１ｂよりも幅狭でカード先端面側に曲がって延びる部分とを有するｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の構成を示す図である。すなわち、電源端子及び接地端子の接続部１ｃには突出部１ｇが設けられていない。これは、電源端子６ｄ、６ｆの接続部１ｃの切断面１１ｄ、１１ｆのみが、外部端子６ｄ、６ｆをカード先端面側に延長した領域で露出しているならば、コネクタピンがｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の先端部に当接した時点（図５（ｂ））で電源端子６ｄ、６ｆの接続部１ｃの切断面１１ｄ、１１ｆと接触しても、ＮＡＮＤのデータが破損する恐れは無いためである。その結果、電源端子及び接地端子６ｄ、６ｆと、電源端子及び接地端子６ｄ、６ｆに隣接する端子間の幅が広くなる。そのため、電源端子及び接地端子６ｄ、６ｆと、電源端子及び接地端子６ｄ、６ｆに隣接する端子間を封止樹脂８で容易に埋めることができる。
【００４３】
また、上記各実施形態においては、半導体メモリ上にコントローラが実装された積層型の半導体メモリカードを例としたが、コントローラをリードフレーム上に実装した平置き型の半導体メモリカードであっても同様の効果が得られることは言うまでもない。図１６−１は、平置き型の半導体メモリカードとしてのｍｉｃｒｏＳＤメモリカード３０の上面透過図、図１６−２は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード３０の側面透過図である。なお、図１６−２は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０を図１６−１における右側から見た状態を示している。図１−１〜図１−３に示した積層型のｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０と同じ構成要素については同じ符号を付している。リードフレーム１の上には半導体メモリとしてのＮＡＮＤ２に加え、受動部品３（コンデンサやヒューズなど）やＮＡＮＤ２の動作を制御するコントローラ４が実装されている。このような平置き型のｍｉｃｒｏＳＤメモリカード３０であっても、ＮＡＮＤ２に格納されたデータの破損を防止する効果は同様に得られる。
【００４４】
さらに、上記各実施形態においては、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカードを例として説明したが、特定の規格に限定されることはなく、コネクタへの差込方向の先端近傍に外部端子が整列した半導体メモリカードであれば同様に適用可能である。
【００４５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４６】
１ リードフレーム、１ｂ 端子部、１ｃ 接続部、１ｆ ハーフエッチング部、２ ＮＡＮＤ、６ 外部端子、８ 封止樹脂、１０ ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード、２０ コネクタ、２１ コネクタピン。
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体メモリカード及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、リードフレームにフラッシュメモリなどの半導体メモリを実装し、封止樹脂で封止した半導体メモリカードが知られている。この構造の半導体メモリカードでは、データの読み書き用の外部端子は、リードフレームの一部（端子部）を封止樹脂から部分的に露出させることによって形成される。
【０００３】
上記構造の半導体メモリカードを製造するに当たっては、リードフレームの端子部は、樹脂封止前はリードフレームの枠部に連結されて支持されている。そして、樹脂封止後に、半導体メモリカードとしての外形となるようにリードフレームの端子部と枠部とが切断される。したがって、半導体メモリカードが完成した状態において、リードフレームの端子部からリードフレームの一部が樹脂に覆われずに露出する可能性がある。その結果、半導体メモリに格納されたデータが破損する可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１３７３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体メモリをリードフレームに実装し封止樹脂で封止した半導体メモリカードにおいては、半導体メモリに格納されたデータの破損を防止することが求められている。
【０００６】
本発明の一つの実施形態は、リードフレームに実装された半導体メモリに格納されたデータの破損を防止した半導体メモリカード及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの実施形態によれば、半導体メモリカードは、メモリ搭載部と、電源端子及び信号端子を含む複数の端子と、該端子よりも幅狭であり、端子の各々からカード先端部まで延びる複数の接続部とが形成されたリードフレームと、リードフレームのメモリ搭載部に搭載された半導体メモリと、電源端子が信号端子よりもカード先端面に近い部位まで露出され、かつカード先端部で複数の接続部が露出されるように、半導体メモリが搭載されたリードフレームを封止する樹脂と、を備える。半導体メモリカードは、複数の接続部のカード先端部での露出位置が、信号端子の各々をカード先端面側へ延長した領域からカード先端面の長手方向に外れるように、複数の接続部を各端子から延在させている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１−１】図１−１は、第１の実施形態に係る半導体メモリカードとしてのｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの底面図。
【図１−２】図１−２は、第１の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの上面透過図。
【図１−３】図１−３は、第１の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの側面透過図。
【図２】図２は、第１の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの製造に用いられるリードフレームの構成を示す図。
【図３】図３は、第１の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの製造に用いられるリードフレームの樹脂封止後の状態を示す図。
【図４】図４は、封止樹脂に埋設したリードフレームを事後的に露出させる手順を示す工程図。
【図５】図５は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカードにデータを読み書きするコネクタの内部を模式的に示す図。
【図６】図６は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカードとコネクタ端子との位置関係を模式的に示す図。
【図７】図７は、第２の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの底面図。
【図８】図８は、第２の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの製造に用いられるリードフレームの構成を示す図。
【図９】図９は、第２の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの製造に用いられるリードフレームの樹脂封止後の状態を示す図。
【図１０】図１０は、第３の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの製造に用いられるリードフレームの樹脂封止後の状態を示す図。
【図１１】図１１は、第３の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの先端部分の拡大図。
【図１２】図１２は、第４の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの底面図。
【図１３】図１３は、第４の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの製造に用いられるリードフレームの構成を示す図。
【図１４】図１４は、第４の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの製造に用いられるリードフレームの樹脂封止後の状態を示す図。
【図１５】図１５は、信号端子の接続部のみがカード側面側へ向かって端子部から突出する部分と、端子部よりも幅狭でカード先端面側へ延びてカード先端部に達する部分とを有するｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの構成を示す図。
【図１６−１】図１６−１は、平置き型の半導体メモリカードとしてのｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの上面透過図。
【図１６−２】図１６−２は、平置き型のｍｉｃｒｏＳＤメモリカードの側面透過図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体メモリカード及びその製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【００１０】
（第１の実施形態）
第１の実施形態に係る半導体メモリカードについて説明する。第１の実施形態に係る半導体メモリカードとして、ｍｉｃｒｏＳＤＴＭメモリカード（以下、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード）を例に挙げて説明する。図１−１は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の底面図、図１−２は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の上面透過図、図１−３は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の側面透過図である。なお、図１−２（ａ）はｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の全体を示しており、図１−２（ｂ）は、図１−２（ａ）の一部分（Ｉ−ＩＩｂ部）を拡大して示している。また、図１−３は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０を図１−２における右側から見た状態を示している。ここで、図１−１〜１−３の紙面上方向はコネクタへの差し込み側であり、この方向の端を「先端」と定義する。また、図１−１での視点方向、図１−２での紙面奥行き方向、図１−３での紙面右方向を「下（底面側）」、逆方向を「上」と定義する。また、図１−１、図１−２での紙面左右方向を「横（側面側）」と定義する。
【００１１】
リードフレーム１の上には半導体メモリとしてのＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（以下、ＮＡＮＤ）２に加え、受動部品３（コンデンサやヒューズなど）が実装されている。ＮＡＮＤ２の上には再配線層が形成されており、再配線層の上にはＮＡＮＤ２を制御するコントローラ４が実装されている。なお、ここではＮＡＮＤ型フラッシュメモリを用いる構成を例として説明するが、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに限定されることはない。例えば、ＮＯＲ型フラッシュメモリを適用することもできる。再配線層にはコントローラ４とリードフレーム１とを接続するための配線２ａが形成されている。コントローラ４の端子と再配線層上の配線２ａとの間、及び再配線層上の配線２ａとリードフレーム１との間、並びに再配線層上の配線２ａ同士はボンディングワイヤ５によって接続されている。ＮＡＮＤ２や受動部品３、コントローラ４が実装され、これらがボンディングワイヤ５によって接続されたリードフレーム１は、封止樹脂８によって封止されている。ただし、リードフレーム１の一部分（後述する端子部１ｂ）はカード先端近傍で底面側に露出しており、コネクタとの電気的な接続のための外部端子６を形成している。
【００１２】
外部端子６のうち、それぞれ電源（ＶＤＤ）及び接地電位（ＶＳＳ）が割り当てられた電源端子６ｄ、６ｆは、信号が割り当てられた信号端子６ａ〜６ｃ、６ｅ、６ｇ、６ｈよりもカード先端面に近い部位まで露出されている。
【００１３】
ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の先端部（カード先端面の近傍）には、外部端子６が形成された底面側へコネクタピンを導くためのガイド面として、テーパ部７が設けられている。テーパ部７は、カード先端面と底面とに跨って、カード先端面側ほどカード厚さが小さくなるように形成されている。なお、ここではガイド面としてテーパ面を備えた構成を例としているが、テーパ面の代わりにＲ面などの曲面をガイド面として設けても良い。
【００１４】
図２は、第１の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の製造に用いられるリードフレーム１の構成を示す図である。図２中の破線は樹脂封止後にｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される範囲を示しており、リードフレーム１は破線が横断する部分で切断される。リードフレーム１は、ＮＡＮＤ２や受動部品３などの電子部品が実装されるメモリ搭載部としてのチップ実装部１ａと、樹脂封止後に外部端子６として露出する端子部１ｂとを含んでいる。端子部１ｂは、接続部１ｃによって枠部１ｄと連結されて支持されている。リードフレーム１は、４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）やＣｕなどの金属材料を用いて形成することが可能であるが、これらの材料に限定されることはない。また、それぞれの外部端子６となるリードフレーム１は絶縁性テープ１２で固定されている。
【００１５】
接続部１ｃは、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の完成後にはコネクタへの差込方向となる方向（カード先端面側）と交差する方向（カード側面側）へ向かって端子部１ｂから突出する部分（突出部１ｇ）と、この部分から端子部１ｂよりも幅狭でカード先端面側へ延びてカード先端部に達する部分（延在部１ｈ）とを備えた構造となっている。また、接続部１ｃは外枠連絡部１ｉと接続されている。外枠連絡部１ｉは、その幅が接続部１ｃの幅よりも広い。この外枠連絡部１ｉによって、外部端子１ｂと外枠１ｄを安定して固定することができる。したがって、図１−２に示すように、接続部１ｃのカード完成後にｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される部分は、端子部１ｂをカード先端面側へ延長した領域には存在していない。よって、リードフレーム１を用いて製造したｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０においては、図１−１に示すように、封止樹脂８による樹脂封止後に切断された接続部１ｃの切断面１１（１１ａ〜１１ｈ）は、外部端子６ａ〜６ｈをカード先端面側へ延長した領域（以降、「外部端子延長領域」と称する場合がある）から横方向（カード先端面の長手方向）に外れた領域で露出する。なお、切断面１１ａ〜１１ｈは、外部端子６ａ〜６ｈに対応する各接続部１ｃの切断面である。なお、ここでは接続部１ｃがコネクタへの差込方向と直交する方向に突出する構成を示したが、接続部１ｃが突出する方向とコネクタへの差込方向とがなす角度は必ずしも直角である必要はない。なお、外枠連絡部１ｉは外部端子延長領域に存在していなくても良い。
【００１６】
図３は、第１の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の製造に用いられるリードフレーム１の樹脂封止後の状態を示す図である。ここでは説明の簡略化のため、リードフレーム１に実装済みのＮＡＮＤ２や受動部品３、コントローラ４、ボンディングワイヤ５などの図示は省略している。また、封止樹脂８についてもｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される部分のみ示しているが、実際には、封止樹脂８は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の外形（図２の破線で囲まれた部分）よりも広い範囲にモールドされる。端子部１ｂは樹脂封止の際に不図示の金型と密着するようになっており、端子部１ｂの底面側には封止樹脂８が流れ込まないようになっている。接続部１ｃのｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される範囲内（延在部１ｈ）に曲げ部１ｅが設けられており、リードフレーム１の枠部１ｄは樹脂封止の際に用いる金型のパーティションラインとほぼ同じ高さに配置されるようになっている。
【００１７】
樹脂封止後に、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０としての外形形状に倣って接続部１ｃは切断され、端子部１ｂと枠部１ｄとが分離される。ここではｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０としての外形形状よりも大きい範囲に封止樹脂８をモールドし、封止樹脂８及び接続部１ｃをｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の外形形状に沿って切断してｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０を切り出す方法について説明した。しかし、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０としての外形形状に合わせた金型を用いて封止樹脂８をモールドして（図２の破線で囲まれた部分のみに封止樹脂８をモールドして）接続部１ｃのみを切断するようにしても良い。接続部１ｃは、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される部分に曲げ部１ｅが設けられているため、封止樹脂８の中に入り込んでいる。このため、図１−１や図１−３に示したように、接続部１ｃの各々の切断面１１はテーパ部７の上端（カード上面側におけるテーパ部７の端部）付近において露出する。接続部１ｃが封止樹脂８によって覆われているため、切断面１１から接続部１ｃがめくれ上がることが防止される。これにより、めくれ上がった接続部１ｃが隣接する外部端子６に接触して短絡するなどの不具合の発生を抑えることができる。
【００１８】
なお、突出部１ｇは、端子部１ｂから側面方向へ向かって延びている。そのため、突出部１ｇと突出部１ｇに隣接する端子部１ｂとの間は狭くなっている。さらに、突出部１ｇはカードの底面から露出している。その結果、封止樹脂８の材料によっては、突出部１ｇと突出部１ｇに隣接する端子部１ｂとの間に封止樹脂８が入り込まない場合がある。また、接続部１ｃにおいて、曲げ部１ｅからカード先端部までの距離が短く、かつ、接続部１ｃの底面（カードの底面側の面）からカード底面までの距離が短い場合、接続部１ｃの底面側に入り込んで固まった封止樹脂８がカード完成後に剥離したりする可能性がある。このため、端子部１ｂが封止樹脂８に埋まるように封止し、端子部１ｂの底面側の封止樹脂８を後から除去して外部端子６を形成しても良い。
【００１９】
図４は、封止樹脂８に埋設したリードフレーム１を事後的に露出させる手順を示す工程図である。まず、外部端子６として露出させる大きさよりも大き目に端子部１ｂが形成されたリードフレーム１を封止樹脂８に埋没させるように樹脂封止する（図４（ａ））。そして、外部端子６として露出させる形状に合わせて封止樹脂８にレーザパターニングを施してリードフレーム１まで達する溝９を形成する（図４（ｂ））。その後、溝９で囲われた領域の封止樹脂８をウォータージェットや研摩で除去し、端子部１ｂを露出させて外部端子６とする。このように封止樹脂８にリードフレーム１を埋設し、端子部１ｂを事後的に露出させれば、突出部１ｇと突出部１ｇに隣接する端子部１ｂとの間が狭くても、突出部１ｇを封止樹脂８で埋没させるため、突出部１ｇと突出部１ｇに隣接する端子部１ｂとの間を封止樹脂８で埋めることができる。また、接続部１ｃの底面とカード底面との間の封止樹脂８の厚さを厚くできる。その結果、封止樹脂８の剥離を防止することができる。
【００２０】
図５は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０にデータを読み書きするコネクタ２０の内部を模式的に示す図である。図６は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０とコネクタ端子２１との位置関係を模式的に示す図である。図５（ａ）は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０を挿入していない状態でのコネクタ２０の断面を示している。ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の接続部１ｃは、カード側面側へ向かって端子部１ｂから突出する突出部１ｇと、この部分から端子部１ｂよりも幅狭でカード先端面側に延びる延在部１ｈとを備えた構造となっているため、外部端子６をカード先端面側へ延長した領域では露出していない。すなわち、各接続部１ｃのカード先端部での露出位置（切断面１１の位置）は、コネクタ２０への挿入時にコネクタピン２１が当接する領域から、カード先端面の長手方向に外れた領域にある。各接続部１ｃのカード先端部での露出位置は、コネクタピン２１が当接しない位置である。このため、コネクタ２０へ挿入する際にｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の先端部がコネクタピン２１と接しても、コネクタピン２１は接続部１ｃとは接触しない。すなわち、コネクタピン２１は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の先端部と当接した時点（図５（ｂ）、図６（ａ））ではＮＡＮＤ２と電気的に接続されず、テーパ部７に沿って底面側へ導かれ、外部端子６と当接した時点（図５（ｃ）、図６（ｂ））でＮＡＮＤ２と電気的に接続される。したがって、カード先端面に近い部位まで露出されている電源端子６ｄ、６ｆは、信号端子６ａ〜６ｃ、６ｅ、６ｇ、６ｈよりも先にコネクタピン２１と当接する。
【００２１】
半導体メモリカードの半導体メモリに格納されているデータを保護するためには、電源（ＶＤＤ）やＧＮＤ用の外部端子を信号用の外部端子よりも先にコネクタピンと接触させた方が好ましい。しかしながら、従来の半導体メモリカードでは、コネクタへの差込方向の先端近傍に外部端子を配列させる場合、端子部からコネクタへの差込方向の先端面側に向かってまっすぐ延びるように接続部を設けている。すなわち、接続部の切断面は外部端子を先端面側へ延長した領域に整列した状態で露出してしまう。このため、コネクタへの挿入時に電源やＧＮＤ用の接続部よりも先に信号用の接続部がコネクタピンと接触してしまう可能性があり、半導体メモリ内のデータが破損する懸念がある。
【００２２】
このように、本実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０は、コネクタ２０への挿入時に、電源端子６ｄ、６ｆが先にコネクタピン２１と接触し、信号端子６ａ〜６ｃ、６ｅ、６ｇ、６ｈが後からコネクタピン２１と接触する。したがって、ＮＡＮＤ２に格納されたデータが破損することを防止できる。
また、コネクタ２０のカード側端部２２にｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０が挿入されたかどうかを判断するスイッチ２３及び端子２４が配置されている場合がある。ここで、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の最先端部（先端面１３）がスイッチ２３を押して、スイッチ２３がコネクタ２０のカード側端部２２に配置された端子２４と接触した場合に、検知信号を出す方式がある。ここで、最先端部から接続部１ｃが露出してしまうと、スイッチ２３と接続部１ｃとが接触して誤検知をしてしまう場合がある。一方、テーパ部７から接続部１ｃの端部を露出させることにより、接続部１ｃとスイッチとが接することはない。そのため、誤検知を防ぐことができる。
【００２３】
（第２の実施形態）
第２の実施形態に係る半導体メモリカードとしてのｍｉｃｒｏＳＤメモリカードは、第１の実施形態と同様に、リードフレームに実装されたＮＡＮＤや受動部品、及びＮＡＮＤ上の再配線層に実装されたコントローラがボンディングワイヤで接続され、樹脂で封止された構成である。このため、第１の実施形態と相違する点についてのみ説明する。
【００２４】
図７は、第２の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の底面図である。本実施形態においては、接続部１ｃが封止樹脂８によって封止されておらず、底面に露出したままカード先端部まで達している点で第１の実施形態と相違する。接続部１ｃは、端子部１ｂ（外部端子６）と略同一面に配設されているため、接続部１ｃ及びその切断面１１は、テーパ部７の下端（カード底面側におけるテーパ部７の端部）において露出している。
【００２５】
図８は、第２の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の製造に用いられるリードフレーム１の構成を示す図である。図８中の破線はｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される範囲を示しており、リードフレーム１は破線が横断する部分で切断される。第１の実施形態と同様に、リードフレーム１は、電子部品が実装されるメモリ搭載部としてのチップ実装部１ａと、樹脂封止後に外部端子６として露出する端子部１ｂとを含んでいる。端子部１ｂは、接続部１ｃ、及び、外枠連絡部１ｉによって枠部１ｄと連結されている。樹脂封止後に、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０としての外形形状に倣って接続部１ｃは切断され、端子部１ｂと枠部１ｄとが分離される。
【００２６】
図９は、第２の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の製造に用いられるリードフレーム１の樹脂封止後の状態を示す図である。ここでは説明の簡略化のため、リードフレーム１に実装済みのＮＡＮＤや受動部品、コントローラ、ボンディングワイヤなどの図示は省略している。また、封止樹脂８についてもｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出す部分のみ示しているが、実際には、封止樹脂８は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の外形（図８の破線で囲まれた部分）よりも広い範囲にモールドされ、封止樹脂８及び接続部１ｃがｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の外形形状に沿って切断されてｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０が切り出される。本実施形態においては、曲げ部１ｅは、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される範囲の外（外枠連絡部１ｉ）に設けられている。フレーム幅の広い部分に曲げ部１ｅを設けることにより、曲げ部１ｅの加工が容易となり、リードフレーム１の固定位置が安定する。その結果、樹脂封止工程において、コントローラ４などが封止樹脂から露出する可能性を減らすことができる。
【００２７】
本実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードも、コネクタへの挿入時に、電源端子が先にコネクタピンと接触し、信号端子が後からコネクタピンと接触する。したがって、ＮＡＮＤに格納されたデータが破損することを防止できる。
【００２８】
この他については第１の実施形態と同様であるため、重複する説明は割愛する。
【００２９】
（第３の実施形態）
第３の実施形態に係る半導体メモリカードとしてのｍｉｃｒｏＳＤメモリカードは、第２の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードと同様に、リードフレームに実装されたＮＡＮＤや受動部品、及びＮＡＮＤ上の再配線層に実装されたコントローラがボンディングワイヤで接続され、樹脂で封止された構成である。このため、第２の実施形態と相違する点についてのみ説明する。
【００３０】
図１０は、第３の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の製造に用いられるリードフレーム１の樹脂封止後の状態を示す図である。ここでは説明の簡略化のため、リードフレーム１に実装済みのＮＡＮＤや受動部品、コントローラ、ボンディングワイヤなどの図示は省略している。また、封止樹脂８についてもｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出す部分のみ示しているが、実際には、封止樹脂８は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の外形よりも広い範囲にモールドされ、封止樹脂８及び接続部１ｃがｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の外形形状に沿って切断されてｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０が切り出される。図１１は、第３の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の先端部分の拡大図である。第２の実施形態と同様に、曲げ部１ｅは外枠連結部１ｉに設けられている。ただし、本実施形態においては、端子部１ｂと曲げ部１ｅとの間に、接続部１ｃにハーフエッチングが施されて薄肉化されたハーフエッチング部１ｆを備えている。すなわち、接続部１ｃは、カード先端部での露出位置と端子部１ｂとの間の部分は、ハーフエッチング部１ｆによって薄肉化されている。ハーフエッチング部１ｆの底面側には封止樹脂８が入り込んでおり、ハーフエッチング部１ｆはｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の底面に露出していない。このため、接続部１ｃの切断面１１は、テーパ部７の下端よりも上側で露出している。
【００３１】
本実施形態においては、ハーフエッチング部１ｆが封止樹脂８で覆われているため、接続部１ｃが切断面１１からめくれ上がることが防止される。これにより、めくれ上がった接続部１ｃが隣接する外部端子に接触して短絡するなどの不具合の発生を抑えることができる。
また、突出部１ｇにもハーフエッチング部１ｆを設けることにより、突出部１ｇと突出部１ｇに隣接する端子部１ｂとの間が狭くても、突出部１ｇと突出部１ｇに隣接する端子部１ｂとの間を封止樹脂８で埋めることができる。
【００３２】
本実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードも、コネクタへの挿入時に、電源端子が先にコネクタピンと接触し、信号端子が後からコネクタピンと接触する。したがって、ＮＡＮＤに格納されたデータが破損することを防止できる。
【００３３】
この他については第２の実施形態と同様であるため、重複する説明は割愛する。
【００３４】
（第４の実施形態）
第４の実施形態に係る半導体メモリカードとしてのｍｉｃｒｏＳＤメモリカードは、第１の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードと同様に、リードフレームに実装されたＮＡＮＤや受動部品、及びＮＡＮＤ上の再配線層に実装されたコントローラがボンディングワイヤで接続され、樹脂で封止された構成である。このため、第１の実施形態と相違する点についてのみ説明する。
【００３５】
図１２は、第４の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の底面図である。本実施形態においては、第１の実施形態と同様に接続部１ｃが封止樹脂８の中に入り込んでいる。ただし、封止樹脂８の中に入り込んだ接続部１ｃは、端子部１ｂと略同一面で封止樹脂８から抜け出ており、接続部１ｃの切断面１１がテーパ部７の下端部において露出している点で、第１の実施形態と相違している。
【００３６】
図１３は、第４の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の製造に用いられるリードフレーム１の構成を示す図である。図１３中の破線はｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される範囲を示しており、リードフレーム１は破線が横断する部分で切断される。リードフレーム１は、ＮＡＮＤや受動部品などの電子部品が実装されるメモリ搭載部としてのチップ実装部１ａと、樹脂封止後に外部端子６として露出する端子部１ｂとを含んでいる。端子部１ｂは、接続部１ｃ、及び、外枠連絡部１ｉによって枠部１ｄと連結されている。樹脂封止後に、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０としての外形形状に倣って接続部１ｃは切断され、端子部１ｂと枠部１ｄとが分離される。
【００３７】
接続部１ｃは、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の完成後にはカード側面側へ向かって端子部１ｂから突出する部分（突出部１ｇ）と、この部分から端子部１ｂよりも幅狭でカード先端面側へ延びる部分（延在部１ｈ）とを備えた構造である。したがって、接続部１ｃのｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される部分は、端子部１ｂをカード先端面側へ延長した領域には存在していない。よって、図１２に示したように、本実施形態にかかるｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０において、接続部１ｃの切断面１１は、外部端子６をカード先端面側へ延長した領域では露出していない。
【００３８】
図１４は、第４の実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の製造に用いられるリードフレーム１の樹脂封止後の状態を示す図である。ここでは説明の簡略化のため、リードフレーム１に実装済みのＮＡＮＤや受動部品、コントローラ、ボンディングワイヤなどの図示は省略している。また、封止樹脂８についてもｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出す部分のみ示しているが、実際には、封止樹脂８は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の外形（図１３の破線で囲まれた部分）よりも広い範囲にモールドされ、封止樹脂８及び接続部１ｃがｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の外形形状に沿って切断されてｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０が切り出される。接続部１ｃのｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０として切り出される部分には曲げ部１ｅが二箇所に設けられている。このため、図１２に示したように、接続部１ｃは、封止樹脂８の中に入り込んだのちに、端子部１ｂと略同一面上（テーパ部７の下端部）において封止樹脂８から抜け出ている。曲げ部１ｅは接続部１ｃに加えて、外枠連結部１ｉにも設けられている。すなわち、曲げ部１ｅは端子部１ｂと枠部１ｄの間に３ヶ所設けられている。その結果、リードフレーム１の枠部１ｄは樹脂封止の際に用いる金型のパーティションラインとほぼ同じ高さに配置されるようになっている。また、接続部１ｃに設けられた二つの曲げ部１ｅに挟まれた埋め込み領域１ｋも、金型のパーティションラインと同じほぼ高さに位置することになる。
【００３９】
本実施形態においては、接続部１ｃのうち埋め込み領域１ｋが封止樹脂８によって覆われているため、切断面１１から接続部１ｃがめくれ上がることが防止される。これにより、めくれ上がった接続部１ｃが隣接する外部端子６に接触して短絡するなどの不具合の発生を抑えることができる。
【００４０】
本実施形態に係るｍｉｃｒｏＳＤメモリカードも、コネクタへの挿入時に、電源端子が先にコネクタピンと接触し、信号端子が後からコネクタピンと接触する。したがって、ＮＡＮＤに格納されたデータが破損することを防止できる。
【００４１】
この他については、第１の実施形態と同様であるため、重複する説明は割愛する。
【００４２】
上記各実施形態においては、全ての外部端子の接続部がカード側面側へ向かって端子部から突出する部分と、この部分から端子部よりも幅狭でカード先端面方向へ曲がって延びる部分とを備える構造である場合を例としたが、電源端子や接地端子を除く信号端子の接続部のみがカード側面側へ向かって端子部から突出する部分と、この部分から端子部よりも幅狭でカード先端面側に曲がって延びる部分とを有するようにしても良い。図１５は、電源端子及び接地端子６ｄ、６ｆを除く信号端子６ａ〜６ｃ、６ｅ、６ｇ、６ｈの接続部１ｃのみがカード側面側へ向かって端子部１ｂから突出する部分と、この部分から端子部１ｂよりも幅狭でカード先端面側に曲がって延びる部分とを有するｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の構成を示す図である。すなわち、電源端子及び接地端子の接続部１ｃには突出部１ｇが設けられていない。これは、電源端子６ｄ、６ｆの接続部１ｃの切断面１１ｄ、１１ｆのみが、外部端子６ｄ、６ｆをカード先端面側に延長した領域で露出しているならば、コネクタピンがｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０の先端部に当接した時点（図５（ｂ））で電源端子６ｄ、６ｆの接続部１ｃの切断面１１ｄ、１１ｆと接触しても、ＮＡＮＤのデータが破損する恐れは無いためである。その結果、電源端子及び接地端子６ｄ、６ｆと、電源端子及び接地端子６ｄ、６ｆに隣接する端子間の幅が広くなる。そのため、電源端子及び接地端子６ｄ、６ｆと、電源端子及び接地端子６ｄ、６ｆに隣接する端子間を封止樹脂８で容易に埋めることができる。
【００４３】
また、上記各実施形態においては、半導体メモリ上にコントローラが実装された積層型の半導体メモリカードを例としたが、コントローラをリードフレーム上に実装した平置き型の半導体メモリカードであっても同様の効果が得られることは言うまでもない。図１６−１は、平置き型の半導体メモリカードとしてのｍｉｃｒｏＳＤメモリカード３０の上面透過図、図１６−２は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード３０の側面透過図である。なお、図１６−２は、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０を図１６−１における右側から見た状態を示している。図１−１〜図１−３に示した積層型のｍｉｃｒｏＳＤメモリカード１０と同じ構成要素については同じ符号を付している。リードフレーム１の上には半導体メモリとしてのＮＡＮＤ２に加え、受動部品３（コンデンサやヒューズなど）やＮＡＮＤ２の動作を制御するコントローラ４が実装されている。このような平置き型のｍｉｃｒｏＳＤメモリカード３０であっても、ＮＡＮＤ２に格納されたデータの破損を防止する効果は同様に得られる。
【００４４】
さらに、上記各実施形態においては、ｍｉｃｒｏＳＤメモリカードを例として説明したが、特定の規格に限定されることはなく、コネクタへの差込方向の先端近傍に外部端子が整列した半導体メモリカードであれば同様に適用可能である。
【００４５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４６】
１ リードフレーム、１ｂ 端子部、１ｃ 接続部、１ｆ ハーフエッチング部、２ ＮＡＮＤ、６ 外部端子、８ 封止樹脂、１０ ｍｉｃｒｏＳＤメモリカード、２０ コネクタ、２１ コネクタピン。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ搭載部と、電源端子及び信号端子を含む複数の端子と、該端子よりも幅狭であり、前記端子の各々からカード先端部まで延びる複数の接続部とが形成されたリードフレームと、
前記リードフレームの前記メモリ搭載部に搭載された半導体メモリと、
前記電源端子が前記信号端子よりもカード先端面に近い部位まで露出され、かつ前記カード先端部で前記複数の接続部が露出されるように、前記半導体メモリが搭載されたリードフレームを封止する樹脂と、
を備える半導体メモリカードであって、
前記複数の接続部のカード先端部での露出位置が、前記信号端子の各々を前記カード先端面側へ延長した領域から前記カード先端面の長手方向に外れるように、前記各接続部を前記各端子から延在させたことを特徴とする半導体メモリカード。
【請求項２】
前記複数の接続部のカード先端部での露出位置は、半導体メモリカードが挿抜されるコネクタのピンが当接しない位置であることを特徴とする請求項１記載の半導体メモリカード。
【請求項３】
前記カード先端部に、該カード先端面側ほどカード厚さが小さくなるガイド面を備え、
前記複数の接続部の前記カード先端部での露出位置は、前記ガイド面上にあることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体メモリカード。
【請求項４】
前記複数の接続部は、前記カード先端部での露出位置が、前記ガイド面の前記カード先端面側の端部となるように、カード厚さ方向に曲げられていることを特徴とする請求項３記載の半導体メモリカード。
【請求項５】
前記複数の接続部のうち少なくとも一つは、前記カード先端部での露出位置が、前記ガイド面の前記カード先端面と反対側の端部となるように、カード厚さ方向に曲げられていることを特徴とする請求項３記載の半導体メモリカード。
【請求項６】
前記複数の接続部のうち少なくとも一つは、前記カード先端部での露出位置が、前記端子部と略同一面上にあることを特徴とする請求項３記載の半導体メモリカード。
【請求項７】
前記複数の接続部のうち少なくとも一つは、前記カード先端部での露出位置と前記端子との間が部分的に薄肉化されており、前記接続部の前記薄肉化された部分は、前記封止樹脂によって覆われていることを特徴とする請求項６記載の半導体メモリカード。
【請求項８】
前記複数の接続部の各々は、カード側面側へ向かって前記端子部から突出する突出部と、該突出部から前記カード先端面側に延びて前記カード先端部へ達する延在部とを含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項記載の半導体メモリカード。
【請求項９】
メモリ搭載部と、電源端子及び信号端子を含む複数の端子と、該端子を支持する枠部と、前記複数の端子に接続される複数の接続部とが形成されたリードフレームの前記メモリ搭載部に前記半導体メモリを搭載し、
前記半導体メモリが搭載された前記リードフレームを、前記電源端子が前記信号端子よりもカード先端面に近い部位まで露出するように封止樹脂で樹脂封止し、
予め定められたカード外形に倣って前記封止樹脂及び前記接続部を切断することにより、前記端子と前記枠部とを分離するとともにカード先端部で前記複数の接続部を露出させ、
前記複数の接続部の前記カード先端部での露出位置が、前記信号端子の各々を前記カード先端面側へ延長した領域から前記カード先端面の長手方向に外れるように、前記複数の接続部を前記各端子から延在させたことを特徴とする半導体メモリカードの製造方法。
【請求項１】
メモリ搭載部と、電源端子及び信号端子を含む複数の端子と、該端子よりも幅狭であり、前記端子の各々からカード先端部まで延びる複数の接続部とが形成されたリードフレームと、
前記リードフレームの前記メモリ搭載部に搭載された半導体メモリと、
前記電源端子が前記信号端子よりもカード先端面に近い部位まで露出され、かつ前記カード先端部で前記複数の接続部が露出されるように、前記半導体メモリが搭載されたリードフレームを封止する樹脂と、
を備える半導体メモリカードであって、
前記複数の接続部のカード先端部での露出位置が、前記信号端子の各々を前記カード先端面側へ延長した領域から前記カード先端面の長手方向に外れるように、前記各接続部を前記各端子から延在させたことを特徴とする半導体メモリカード。
【請求項２】
前記複数の接続部のカード先端部での露出位置は、半導体メモリカードが挿抜されるコネクタのピンが当接しない位置であることを特徴とする請求項１記載の半導体メモリカード。
【請求項３】
前記カード先端部に、該カード先端面側ほどカード厚さが小さくなるガイド面を備え、
前記複数の接続部の前記カード先端部での露出位置は、前記ガイド面上にあることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体メモリカード。
【請求項４】
前記複数の接続部は、前記カード先端部での露出位置が、前記ガイド面の前記カード先端面側の端部となるように、カード厚さ方向に曲げられていることを特徴とする請求項３記載の半導体メモリカード。
【請求項５】
前記複数の接続部のうち少なくとも一つは、前記カード先端部での露出位置が、前記ガイド面の前記カード先端面と反対側の端部となるように、カード厚さ方向に曲げられていることを特徴とする請求項３記載の半導体メモリカード。
【請求項６】
前記複数の接続部のうち少なくとも一つは、前記カード先端部での露出位置が、前記端子部と略同一面上にあることを特徴とする請求項３記載の半導体メモリカード。
【請求項７】
前記複数の接続部のうち少なくとも一つは、前記カード先端部での露出位置と前記端子との間が部分的に薄肉化されており、前記接続部の前記薄肉化された部分は、前記封止樹脂によって覆われていることを特徴とする請求項６記載の半導体メモリカード。
【請求項８】
前記複数の接続部の各々は、カード側面側へ向かって前記端子部から突出する突出部と、該突出部から前記カード先端面側に延びて前記カード先端部へ達する延在部とを含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項記載の半導体メモリカード。
【請求項９】
メモリ搭載部と、電源端子及び信号端子を含む複数の端子と、該端子を支持する枠部と、前記複数の端子に接続される複数の接続部とが形成されたリードフレームの前記メモリ搭載部に前記半導体メモリを搭載し、
前記半導体メモリが搭載された前記リードフレームを、前記電源端子が前記信号端子よりもカード先端面に近い部位まで露出するように封止樹脂で樹脂封止し、
予め定められたカード外形に倣って前記封止樹脂及び前記接続部を切断することにより、前記端子と前記枠部とを分離するとともにカード先端部で前記複数の接続部を露出させ、
前記複数の接続部の前記カード先端部での露出位置が、前記信号端子の各々を前記カード先端面側へ延長した領域から前記カード先端面の長手方向に外れるように、前記複数の接続部を前記各端子から延在させたことを特徴とする半導体メモリカードの製造方法。
【図１−１】
【図１−２】
【図１−３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６−１】
【図１６−２】
【図１−２】
【図１−３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６−１】
【図１６−２】
【公開番号】特開２０１２−５３５５５（Ｐ２０１２−５３５５５Ａ）
【公開日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１９４０９０（Ｐ２０１０−１９４０９０）
【出願日】平成２２年８月３１日（２０１０．８．３１）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月３１日（２０１０．８．３１）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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