センサ（１００）を製造するための方法を提供する。該方法は、ウェハ上に取り付けられた少なくとも１つのセンサエレメントを備えた該ウェハ上に第１の所定の厚さで犠牲材料（３３０）を堆積させ、該犠牲材料は少なくとも１つのセンサエレメント上の少なくとも一部に堆積され、前記ウェハ上で、堆積された犠牲材料の周りに第１の所定の厚さよりも薄い第２の所定の厚さで封止層（３３２）を形成し、犠牲材料を除去することを有する。上述の方法により製造されたセンサのための装置も提供される。
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【課題】従来の製造方法においてアンダーフィル材料を注入することによる問題を是正することが可能な半導体パッケージ構造とその製造方法とを提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ２００は、基板２０６と、該基板上にフリップチップボンディングで配置された半導体素子２０４とを備える。半導体素子の底部表面の周辺に沿って延び、且つ半導体素子と基板との間に設けられ硬化した接着剤で形成接続構造体２１２を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁樹脂材を効率的に充填しかつ高密度配線化も図る。
【解決手段】多層配線基板２に形成したチップ実装凹部５内に実装したベアチップ６を絶縁樹脂体によって封止する。チップ実装凹部５の内壁に第１主面２ａから深さ方向の途中位置までの高さの樹脂充填用ガイド溝１７を形成し、この樹脂充填ガイド溝１７の開口部から嵌挿されてチップ実装凹部内５に臨ませられる樹脂充填装置のニードル１６から供給される絶縁樹脂材によって絶縁樹脂体が形成される。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体装置を得る半導体素子接着用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、環状オレフィン系樹脂（Ｃ）、及び該環状オレフィン系樹脂（Ｃ）が可溶な溶媒（Ｄ）を主成分とし、かつＢ−ステージ可能である樹脂組成物であり、前記環状オレフィン系樹脂はポリノルボルネン樹脂であることが好ましく、特に下記一般式（１）で表される構造を有するものであることが好ましい。
【化５】


（式（１）中のＸは、−О−，−ＣＨ₂−または−ＣＨ₂ＣＨ₂−を示し、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、およびＲ₄はそれぞれ水素、あるいは、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシシリル基、エステル基、エーテル基および（メタ）アクリル基、エポキシ基から選ばれる基を示し、ｍは１０〜１００００の整数、ｎは０〜５までの整数である。） （もっと読む）

【課題】封止樹脂の衝突により、封止樹脂が電子部品の間隙内に侵入するのを防止すると共に、基板及び電子部品が移動するのを防止して、良好に樹脂封止体を形成する。
【解決手段】凹部(10)及び外部リード(21)を有する支持板(1)と、凹部(10)の底面(10a)に固着された基板(2)と、基板(2)に固着された電子部品(3)と、凹部(10)内で基板(2)及び電子部品(3)を被覆する保護樹脂(4)と、保護樹脂(4)と共に支持板(1)を被覆する樹脂封止体(5)とを備える。電子部品(3)は、基板(2)との間に間隙(13)を有するが、流動化する封止樹脂(15)を支持板(1)上のリブ(11)に当接させ、リブ(11)を乗り越えた封止樹脂(15)により保護樹脂(4)上を被覆して樹脂封止体(5)を形成するため、流動化する封止樹脂(15)が凹部(10)内の電子部品(3)に衝突するを防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と、コアを有さないインターポーザと、プリント基板各々が異なる膨張係数であっても、周囲の温度変化のストレスによる破壊及び破断を、従来例に比較して低減させられる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２と、該半導体素子を実装する線膨張係数が１６ｐｐｍ／℃以上のインターポーザ１とを半田バンプ３により接続し、前記半導体素子及びインターポーザの間と、半田バンプの間隙とに充填樹脂５を充填して硬化させた半導体装置であって、前記充填樹脂のガラス転移点の温度が１００℃〜１２０℃であり、１２５℃における弾性率が０.１ＧＰａ以上であり、かつガラス転移点以下における線膨張係数α1が３０ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、カプセル封入された電気的構成素子およびその製造方法である。チップ構成素子としてパネル上に配置されたＭＥＭＳ構成素子を提示する。チップのための各取付場所は密接にフレーム構造体によって取り囲まれている。ここでこのフレーム構造体はパネル上に載置されている。このフレーム構造体とチップの間の分断隙間はジェットプリント構造体によってシーリングされる。
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多孔性担体（１０１）を用いた集積回路ダイ（４０３）のカプセル化方法。一例において、接着構造体（例えばテープ）が多孔性担体に取り付けられる。次に、集積回路ダイが接着構造体上に設置される。次に、集積回路ダイが、カプセル構造体（５０５）を形成するためにカプセル化される。次に、カプセル構造体から担体を除去すべく接着構造体の接着強度を低下させるために、担体が該担体内を通過する溶剤に曝される。
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