【課題】回路基板の一面上に配列された複数本のワイヤをワイヤボンディングにより形成してなる構造体を、２個のゲートを有する金型を用いたトランスファーモールド法により、矩形板状のモールド樹脂で封止するようにした電子装置の製造方法において、ワイヤ間におけるボイドの発生やワイヤの断線等を抑制する。
【解決手段】金型１００において、矩形板状の空間形状をなすキャビティ１０１の一辺側の一方のコーナー部に第１のゲート１１０を設け、他方のコーナー部に第２のゲート１２０を設け、第１のゲート１１０の注入流量を第２のゲート１２０の注入流量よりも大きいものとして、両ゲートからのモールド樹脂８０の合流部の位置を第２のゲート１２０側に偏らせるものであり、構造体１として、回路基板１０の一面１１のうち第１のゲート１１０の下流側となる位置に、複数本のワイヤ２０を設けたものを用意する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、硬化後の、可視光から近紫外光の反射率が高く、耐熱劣化性やタブレット成型性に優れ、なおかつトランスファー成型時にバリが生じ難い熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】熱硬化性成分と白色顔料とを含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、成型温度１００℃〜２００℃、成型圧力２０ＭＰａ以下、成型時間６０〜１２０秒の条件下でトランスファー成型した時に生じるバリ長さが５ｍｍ以下であり、かつ熱硬化後の、波長３５０ｎｍ〜８００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物を調製し、そのような樹脂組成物を使用して光半導体素子搭載用基板および光半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性がより向上した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】封止金型５内で、第一の半導体素子１が搭載された第一の金属基板２の一部に、第二の半導体素子３が搭載された第二の金属基板４の一部を、接合材料６を介して押圧しつつ、封止金型５内にモールド樹脂１０を充填させる充填工程と、モールド樹脂１０を硬化するとともに、接合材料６を用いて第一の金属基板２の一部２０と第二の金属基板４の一部４１の間を接合する硬化接合工程とを備えた、半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と実装基板との熱膨張係数の相違により生じる熱応力を半導体装置内で均一に分散させることにより、熱ストレスが加わった際の信頼性を向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、ダイパッド１５とダイパッド１５の周囲に配置された複数のリード部１６とを含むリードフレーム１０と、ダイパッド１５上に載置された半導体素子２１と、リード部１６と半導体素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ２２とを備えている。リードフレーム１０、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂部２３により封止されている。各リード部１６は、封止樹脂部２３の外方に露出する外部端子１８を有し、各リード部１６の外部端子１８は、ダイパッド１５の周囲において平面から見て円周Ｃ_１上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップへの熱の影響を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１０となる部分が複数並んで形成された半導体基板１０Ａの面上に、複数の半導体チップ１１ａ〜１１ｄを半導体チップ１０となる部分毎に積層する工程と、半導体基板１０Ａ及び複数の半導体チップ１１ａ〜１１ｃの各隙間に第１の封止体４を充填しながら、複数の半導体チップ１１ａ〜１１ｃを第１の封止体４で封止する工程と、半導体基板１０Ａを半導体チップ１０となる部分毎に切断することによって個々のチップ積層体３Ａに分割する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電子部品９の樹脂封止成形装置の大型化を抑え、樹脂成形品の品質向上と生産性を向上させ、更に、樹脂材料１６の歩留まりを向上させる。
【解決手段】成形装置を上型６と下型７及び中間型５とを含む三型構造とし、上型６と中間型５との接合面に複数枚の樹脂封止前基板８を同時に並設してセットさせる基板セット部５ｄを構成する。また、上型に上型キャビティ６ａを設け、中間型５に下型キャビティ５ｂを設け、下型キャビティ５ｂに中間型５の下面に連通するゲート５ｃを穿設する。更に、下型７の外周に下型嵌合ブロック１１を嵌装させて下型７の上面と下型嵌合ブロック１１の内周面とにより樹脂材料供給部１２を構成する。樹脂材料供給部１２内の溶融樹脂材料はゲート５ｃを通して上下両キャビティ５ｂ・６ａ内に、直接、加圧移送する。 （もっと読む）

【課題】前処理時に媒体にダメージを与えることを防止するとともに良好な印刷品質が得られる印刷方法及び印刷装置を提供する。
【解決手段】樹脂でモールドされた半導体装置３に対し、低圧水銀ランプの光を照射して表面処理を行う表面処理部９と、半導体装置３の表面に活性光線で硬化する液体の液滴を吐出するノズルを有する吐出ヘッドと、半導体装置３上の液滴に活性光線を照射する照射部と、を備える印刷装置に関する。 （もっと読む）

【課題】ワークをクランプする際に、キャビティ駒がワーク当接面の傾斜に追従してクランプしてワークを破損することなくクランプすることが可能なモールド金型を提供する。
【解決手段】上型キャビティ凹部３の底部を形成するスイベル駒４が昇降かつ傾動可能に支持されており、スイベル駒４は、ワーク当接面と反対面に凸状球面部４ｃが形成されており、対向するガイド駒１６の凹状球面部１６ｃにガイドされて傾動する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、リードフレーム２００のダイパッド２１０上に半導体チップ１００を搭載する。次いで、リードフレーム２００を金型内に配置して封止樹脂により封止する（モールド工程）。次いで、封止されたリードフレーム２００を金型から取り出す。次いで、封止樹脂の不要部分を除去する（除去工程）。ここで、リードフレーム２００の支持フレーム２４０には、切れ込みが形成されている。これにより、支持フレーム２４０の一部が可動部２６０として、支持フレーム２４０の本体につながりつつ、折畳み可能になっている。また、除去工程において、可動部２６０を除去することにより、不要部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】ポットからの樹脂漏れを防止するとともに、プランジャをスムーズに摺動させることができるトランスファ成形方法及び成形装置を提供すること。
【解決手段】高周波加熱より溶融させた樹脂２０ａをキャビティ１５に加圧、注入してワークＷを樹脂封止するトランスファ成形方法において、金属により形成され上型１１、及び絶縁物により形成された下型１２に備わる金属製のプランジャ１３が高周波発生装置１４に接続されており、ワークＷの一部を、キャビティ１５の外で上型１１に接触させた状態で型締めして、高周波発生装置１４により上型１１及びプランジャ１３に高周波を印加し、ワークＷを高周波電極として機能させてポット１７内に配置した樹脂タブレット２０を高周波加熱する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去する。
【解決手段】リードフレーム２００のダイパッド２１０上に半導体チップ１００を搭載する工程と、リードフレーム２００を金型内に配置して封止樹脂により封止するモールド工程と、封止されたリードフレーム２００を金型から取り出す工程と、封止樹脂の不要部分６００を除去する除去工程と、を有する。まず、モールド工程前において、リードフレーム２００の支持フレーム２４０の少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部２６０を形成する。また、除去工程において、半抜き加工部２６０を除去することにより、不要部分６００を除去する。 （もっと読む）

【課題】リードに熱が印加されてもリードがより抜け落ちにくい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体チップ１４と、半導体チップが搭載されるチップ搭載面１２ａを有するダイパッド１２と、半導体チップ１４に電気的に接続される第１のリード１８と、第１のリード１８の上記端部をダイパッド１２に固定する熱硬化性樹脂部２２と、半導体チップ１４、ダイパッド１２及び熱硬化性樹脂部２２を封止する熱可塑性樹脂部２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】封止体が形成された基板（組み立て体）の反りを抑制する。
【解決手段】多数個取り基板１０に貫通孔１０ｅ，１０ｆを形成し、かつ成形金型の下型に下面ゲート側キャビティや下面エアベント側キャビティが形成されたことで、多数個取り基板１０の上面１０ａ側の本体封止部１７ａやゲート側周辺封止部１７ｂだけでなく、下面１０ｂ側にもゲート側下面封止部１８ａやエアベント側下面封止部１８ｂが形成され、これにより、基板の下面１０ｂ側にも熱膨張または熱収縮による応力を発生させることができ、基板の両面において発生する応力のバランスを取って多数個取り基板１０の反りを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】アンテナ部の変形や外部露出を防いでアンテナ部を定位置に樹脂封止することで、高性能なＲＦＩＤタグを提供する。
【解決手段】無線通信を行うＲＦＩＤタグであって、リードフレームで形成されたアンテナ部と、リードフレームの上に搭載された半導体デバイスと、リードフレームの両面に射出成形されて半導体デバイスを覆い、凸部５２を備えた第１の熱可塑性樹脂５０と、第１の熱可塑性樹脂５０の凸部５２を基準位置として、リードフレームの両面に射出成形された第２の熱可塑性樹脂５６とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの成形品質を向上する。
【解決手段】まず、型開きしたモールド金型２にワークＷを供給する。また、大きさが均一の粒体樹脂１２を計数する。キャビティ凹部１１に対応する位置であって、計数した複数の粒体樹脂１２を配分して、複数の供給領域Ａ１のそれぞれに供給する。ここで、供給領域Ａ１とその周囲を仕切る段差部Ｂ１によって、供給領域Ａ１に供給された粒体樹脂１２の動きを規制する。次いで、供給された複数の粒体樹脂１２を溶融する。モールド金型２を型締めしてワークＷを保持し、溶融した樹脂１２が充填されたキャビティ凹部１１で、ワークＷを樹脂封止する。 （もっと読む）

【課題】電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂の帯電を防止する電子部品の製造方法およびその方法により製造された電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品の製造方法は、実装基板１０上に弾性表面波素子２０を実装する工程と、実装基板１０上に実装された弾性表面波素子２０を覆うように封止樹脂４０を形成する工程と、封止樹脂４０の表面にプラズマ処理を行なう工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上と信頼性の向上とを図ることを可能とするとともにコストの削減をも可能とする樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】第１面に１個の電極が形成され、第２面に２個以上の電極が形成された半導体素子１１１と、半導体素子１１１を搭載する第１ダイパッド１２２及び第１リード１２４を有する第１リードフレーム１２０と、第１リードフレーム１２０とは隔離して配置される第２ダイパッド１３２及び第２リードを有する第２リードフレーム１３０と、接続部１４２及び第３リード１２４４有する第３リードフレーム１４０とを備える樹脂封止型半導体装置１０１であって、第２面に形成された電極のうちの１個の電極は、第１ダイパッド１２２に直接接続され、第２面に形成された他の電極は、第２ダイパッド１３２に直接接続され、第１面に形成された電極は、電気接続子１５０を介して第３リードフレーム１４０の接続部１４２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】体格の小型化を図るとともに、より確実に半導体チップ間の電位干渉を抑制しつつ製造工程を簡素化することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】各ダイパッド（２１，３１）の一面上に、対応する半導体チップ（２３，３３）を搭載してなる構造体（１１，１２）の準備工程と、ダイパッド（２１，３１）が対向するようにリードフレーム（２０，３０）を保持した状態で、金型（１００，１０１）内に樹脂を注入するモールド成形工程と、モールド成形工程後、タイバー（２５，３５）を除去する除去工程を備える。モールド成形工程では、対向方向において、第１半導体チップ（２３）と第２半導体チップ（３３）の間に電位干渉を生じない間隔を確保すべく所定厚さを有するスペーサ（１４）を介して、第１リードフレーム（２０）及び第２リードフレーム（３０）を積層配置する。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの成形装置を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージの成形装置は、少なくとも１つの第１半導体チップが安定して支持される下金型、前記下金型の上部に位置して少なくとも１つの第２半導体チップが安定して支持され、前記下金型と対向する面に前記第１半導体チップの成形空間のための第１キャビティを有する中金型、前記中金型の上部に位置して前記中金型と対向する面に前記第２半導体チップの成形空間のための第２キャビティを有する上金型、前記下金型を貫通して前記第１キャビティと連結される第１供給ポート、前記下金型と前記中金型とを貫通して前記第２キャビティと連結される第２供給ポート、及び前記下金型の下部に位置して前記第１及び第２供給ポートに各々備わり、前記第１及び第２供給ポート内の成形樹脂を加圧して前記第１及び第２キャビティに供給する第１及び第２トランスファー・ラムを有する加圧ユニットを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体部品を実装する基板自体の反りを低減させると共に、効果的にシールド機能を実現させることができる安価なモジュール部品を提供する。
【解決手段】本発明に係るモジュール部品１００は、ランド・配線パターン３が形成された基板２に半導体部品１が実装され、基板２の表面に半導体部品１を被覆して設けられた樹脂５と、樹脂５の表面に積層された金属プレート７と、基板２のランド・配線パターン３と金属プレート７とを電気的に接続する導電性ペースト８と、を備えるものである。 （もっと読む）