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Fターム[5F061CA21]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆の形成 (9,309) | 封止方法、装置(付属装置を含む) (2,139) | 射出、トランスファ成形 (1,045)

Fターム[5F061CA21]に分類される特許

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【課題】半導体チップがモールド樹脂で覆われた封止体の反りが抑制される半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】支持体23の表面に、第1の剥離層24、第2の剥離層25をこの順で形成する工程と、第2の剥離層25の表面上に、配線パターン17を含む配線層12を形成する工程と、配線層12の表面上に、複数の半導体チップ11A乃至11Dを積層載置する工程と、複数の半導体チップ11A乃至11Dを含む配線層12の表面上にモールド樹脂体22を塗布する工程と、モールド樹脂体22を半硬化させる工程と、この状態で、配線層12、複数の半導体チップ11A乃至11D、モールド樹脂体22を具備する封止体29と、支持体23と、を分離する工程と、封止体29と支持体23との分離工程の後に、モールド樹脂体22を完全硬化させる工程と、を具備する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】リードフレームへの貼り付け及びリードフレームからの剥離を確実に制御することができる粘着テープおよび、この粘着テープを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材層と該基材層上に積層された粘着剤層とを備え、0℃雰囲気下での180°剥離でのリードフレーム11への粘着力が0.01〜10.0N/19mm幅である樹脂封止型半導体装置21の製造における樹脂封止用粘着テープ20。このような粘着テープ20は、具体的には、リードフレーム11表面に搭載された半導体チップ15を樹脂封止する際に前記リードフレーム11裏面に貼着され、封止後に剥離するために用いられる。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置の製造に際し、封止体形成後の配線基板の反りを低減できるようにする。
【解決手段】 1つ以上の製品形成部101からなる製品エリア102a、102bを持つ配線基板であって、前記製品エリアを含むように該配線基板に設定されたモールドエリア109a、109bが樹脂で封止される配線基板100において、前記製品エリアを、その平面的な中心位置が前記モールドエリアの平面的な中心位置から外れるように、偏心させて前記モールドエリア内に配置、形成した。 (もっと読む)


【課題】金属製のリードフレームを用いない基板レス半導体パッケージの製造方法(例えばWLPの製造方法等)に使用されるチップ仮固定用の粘着テープであって、樹脂封止工程中チップが移動しないように保持して、指定の位置からのずれが小さく、且つ、粘着剤層への埋りこみによるスタンドオフが小さく、且つ、使用後に軽剥離可能な半導体装置製造用耐熱性粘着テープを提供する。
【解決手段】金属製のリードフレームを用いない基板レス半導体チップ1を樹脂封止する際に、貼着して使用される半導体装置製造用耐熱性粘着テープ2であって、ガラス転移温度が180℃を超える基材3層の片面、または、両面に、180℃での弾性率が1.0×10Pa以上の粘着剤層を設けてなることを特徴とする半導体装置製造用耐熱性粘着テープ。 (もっと読む)


【課題】基板に表面実装した半導体素子を樹脂封止した成形品を、金型から離型する際に生じ得る基板の破損を防止し、歩留まりの高い樹脂封止金型装置および樹脂封止方法を提供する。
【解決手段】キャビティブロック63の上面に設けたキャビティ部68に樹脂封止材料を注入するとともに、プリント基板1に表面実装した半導体素子を投入して樹脂封止する樹脂封止装置である。特に、前記キャビティブロック63と保持装置90の下面に設けた当接部材98とで挟持した前記プリント基板1を、前記キャビティブロック63からトランスファーピン66で突き出し、離型する。 (もっと読む)


【課題】簡易な手順でダイパッドの裏面に樹脂バリが形成されるのを防ぐ。
【解決手段】ダイパッド114の一面と反対側の裏面は、封止樹脂130の一面から露出して形成されている。また、封止樹脂130の一面には、中央部構造体109の最外縁の少なくとも一の第1の辺および当該第1の辺に隣接する第2の辺にそれぞれ並んで配置された凹部126が設けられている。ここで、凹部126の深さは、当該中央部構造体の最外縁の高さ以上である。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を実装したアイランドに固定される固定部材の露出面を封止部材から確実に露出させ得る半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】アイランド21,31が形成されたリードフレーム20,30を用意し、アイランド21,31の他側面21b,31bに固定部材50を固定し、アイランド21,31の一側面21a,31aにパワー素子11,12を実装し、固定部材50およびパワー素子11,12が取り付けられたアイランド21,31を金型70内に配置して、型締時にこの金型70に設けられる押圧部(73,74)により露出面50aが金型70の内壁面72aに面接触するように固定部材50を内壁面72aに向けて押圧し、金型70内にモールド樹脂60を構成する封止用材料を注入して固定部材50の露出面50aが露出するように半導体素子およびアイランドを封止する。 (もっと読む)


【課題】耐熱性粘着テープにより封止工程での樹脂漏れが好適に防止され、しかも貼着したテープが一連の工程で支障をきたしにくく、かつ樹脂封止後の剥離性に優れる樹脂封止型半導体装置の製造における樹脂封止用の粘着テープを提供するとともに、この粘着テープを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】260℃以下の温度領域にガラス転移温度を有さない基材層と、当該基材層上に積層された粘着剤層とを備える樹脂封止型半導体装置の製造における樹脂封止用の粘着テープ20。 (もっと読む)


【課題】QFN等の半導体パッケージを封止する際に、リードフレームのアウターリード部を保護する粘着フィルムにおいて、リードフレームから粘着フィルムを剥離するときの糊残りを防止する。
【解決手段】半導体製造工程においてリードフレームに貼り付けて使用される、少なくとも耐熱性フィルムと粘着剤層からなる半導体製造用粘着フィルムであって、耐熱性フィルムの接触角法により求められる表面自由エネルギーが、90〜160mN/mであることを特徴とする半導体製造用粘着フィルムにより、上解決できる。粘着フィルムは、ポリイミド等の耐熱性フィルムをプラズマ処理又はコロナ処理し、その後、粘着剤層を積層することにより得られる。 (もっと読む)


【課題】配線基板に封止部を形成する工程で、配線基板のクランプエリアに歪みが生じるのを防ぐ。
【解決手段】半導体チップが実装される複数の製品形成部5が配置された製品形成エリア6と、製品形成エリア6の外周側に設けられ製品形成部5に実装された半導体チップを覆う封止部が形成される成形エリア12と、成形エリア12の外周側に設けられ封止部を形成するための成形金型によって保持されるクランプエリア13と、製品形成エリア6に設けられ半導体チップと電気的に接続される配線と、成形エリア12に設けられ複数のドットが配列されてなる第1のベタパターン16と、クランプエリア13に設けられ第1のベタパターン16のドットよりも大きい複数のドットが配列されてなる第2のベタパターン17と、を備える。 (もっと読む)


【課題】樹脂モールド部を外部に露出させて、部品点数の削減や製造コストの削減を図ることのできる半導体記憶装置を提供すること。
【解決手段】実施の形態の半導体記憶装置10は、半導体メモリチップ15を樹脂モールド部18でモールドした半導体記憶装置であって、樹脂モールド部にモールドされて半導体メモリチップが載置されるプレート21と、半導体記憶装置の外周面に露出される外部接続端子19と、を備え、プレートは、樹脂モールド部の外周面に露出する複数の露出部21bを有し、複数の露出部同士は、樹脂モールド部の内部で互いに電気的に絶縁される。 (もっと読む)


【課題】絶縁層へのダメージを防ぎつつヒートシンクを容易に搬送することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】側面に溝12又は突起34を有するヒートシンク10を形成する。ヒートシンク10の上面に絶縁層14を形成する。絶縁層14を形成したヒートシンク10の溝12又は突起34にメカチャック24のツメ26を引っ掛けて、メカチャック24によりヒートシンク10を加熱された下金型28内に搬送する。下金型28内に搬送したヒートシンク10の絶縁層14上に、電力半導体素子18が実装されたフレーム16を実装する。下金型28及び上金型30内にモールド樹脂22を流し込んで、ヒートシンク10の一部、フレーム16の一部、及び電力半導体素子18をモールド樹脂22で封止する。 (もっと読む)


【課題】ガラスエポキシ基板11の外面部を樹脂封止成形すると共に、該基板の一部を樹脂成形体の外部に露出する基板の樹脂封止成形方法とその装置を提供する。
【解決手段】基板11の外面部を熱硬化性エポキシ樹脂Rにて封止成形するための型構造21・22を備えた樹脂封止成形装置を用いてガラスエポキシ基板11の外面部を樹脂封止成形すると共に、該基板の一部を樹脂封止成形体の外部に露出させようとする型構造21・22の部位に、該基板の露出面13に対して樹脂バリ形成防止用部材23を押圧状に密接させる。また、樹脂バリ形成防止用部材23の先端部に樹脂コーティング層23aを設ける。 (もっと読む)


【課題】 耐熱性粘着テープにより封止工程での樹脂漏れを好適に防止すると共に、該耐熱性粘着テープの剥離の際には、モールドした封止樹脂の剥がれや破損、或いは糊残りを防止して、歩留まりの向上が図れる耐熱性粘着テープを提供する。
【解決手段】 本発明の耐熱性粘着テープは、基材層と、該基材層上に設けられた粘着剤層を備え、前記粘着剤層は、紫外線硬化性化合物を含む紫外線硬化型粘着剤により構成され、前記粘着剤層に紫外線を照射し、更に200℃で1時間加熱した後にJIS Z0237に準拠して測定した前記粘着剤層の粘着力が1N/19mm幅以下である。 (もっと読む)


【課題】使用する金型の台数に応じた生産性の向上が可能となる。
【解決手段】金型132、及び機構部として、基板供給部110A、基板検査部120、予備加熱部124、樹脂供給部140、反り矯正部122、そして基板収納部110Bを有する封止装置100において、基板102の1枚当たりにおける、金型132への基板102の搬入から次の基板102の搬入が可能となるまでの金型サイクルタイムTmに対して、供給サイクルタイムTp、検査サイクルタイムTi、予備加熱サイクルタイムTh、樹脂供給サイクルタイムTr、反り矯正サイクルタイムTf、そして収納サイクルタイムTsの全ての機構部のサイクルタイムが短くされている。 (もっと読む)


【課題】長手方向の一端部に対して他端部を低く位置させるように折り曲げ加工を施してなる一対の端子板の各一端部に、半導体チップを電気接続した上で、一対の一端部及び半導体チップをモールド樹脂により封止し、一対の端子板の他端部を前記モールド樹脂から互いに逆向きに突出させてなる半導体装置を、リードフレームにより製造しても、半導体装置を省電力で駆動することを可能とし、かつ、大型の半導体チップを設けることができるようにする。
【解決手段】導電性板材に、他端部21,31を長手方向に配列した一対の端子板2,3、及び、これら一対の他端部21,31に接続されて一対の端子板2,3を一体に連結する枠体部4を形成してなり、一対の端子板2,3の一端部22,32を、導電性板材の面方向に沿って端子板2,3の長手方向に直交する幅方向に配列した半導体装置製造用のリードフレーム1を提供する。 (もっと読む)


【課題】電子部品等が装着された基板を樹脂封止成形した後、電子部品等に悪影響を与えることなく樹脂封止済基板を冷却し、かつ反りを防止する。
【解決手段】本発明は樹脂封止成形した後の樹脂封止済基板21Aの冷却を行う基板冷却装置である。本発明に係る基板冷却装置を適用した樹脂封止済基板の搬送装置は、樹脂封止済基板21Aを保持する保持体40と、保持体40に設けられて樹脂封止済基板21Aを吸引する吸引手段と、吸引手段が樹脂封止済基板21Aを吸引する方向に設けられて樹脂封止済基板21Aが密着する密着面を有する冷却板31を有する。吸引手段は、樹脂封止済基板21Aと密着面との間に閉空間を形成する弾性支持部32と、閉空間に位置するように冷却板31に設けられて冷却板31の厚さ方向に貫通する貫通孔33aと、貫通孔33aと吸気経路33bを通じて閉空間内の空気を吸気する吸気手段33cとを有する。 (もっと読む)


【課題】回路基板の一方の板面に電子部品を搭載し、他方の板面側に回路基板用のアイランドを接着したものを、モールド樹脂で封止してなる電子装置において、アイランドによって回路基板を支持しつつ、モールド樹脂の成型圧力による回路基板の割れを抑制できる構成を提供する。
【解決手段】回路基板用のアイランド40は、回路基板10の他方の板面12よりも平面サイズの小さな複数個のものであり、各アイランド40を回路基板10の他方の板面12の周辺部に分散して設けて、接着剤30により接着するとともに、回路基板10の他方の板面12の中央部は、アイランド40が設けられていない露出部とされており、この露出部は、アイランド40を介することなくモールド樹脂50に直接接触した状態でモールド樹脂50により封止されている。 (もっと読む)


【課題】パッケージ部の両側に接続する不要樹脂を効率よく分離できるディゲート装置を提供する。
【解決手段】ディゲートパレット27に載置された成形品18に対してディゲートハンド28の1回目の上下動で第1不要樹脂18dを切断刃44dにより分離し、2回目の上下動とディゲートパレット27の回動軸31を中心とする回転との組み合わせで第2不要樹脂18cを分離する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハの背面に沿って発生するフラッシュの蓄積を防止した半導体モールディングチャンバーを有する半導体装置の封止システム及び封止方法を提供する。
【解決手段】半導体モールディングチャンバーのシステムと方法が開示される。上モールディング部分105と下モールディング部分107とを含み、それらの間にモールディングキャビティ305を形成し、半導体ウェハ101が配置される。半導体モールディングチャンバーは、半導体ウェハの位置を保持、固定する第一組吸引チューブと、キャビティ外部周辺ガスを排出する第二組吸引チューブと、を有する。封止材301が、その後、半導体ウェハ上に配置されて、半導体ウェハを封止する。 (もっと読む)


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