【課題】不良箇所を容易に特定し得る半導体装置及びその形成方法並びにその設計方法を提供する。
【解決手段】配線パターン３２ａと、ダミーパターン３２ｂと、一方の端部が配線パターンに電気的に接続され、他方の端部がダミーパターンに電気的に接続されたヒューズ３２ｃとを有している。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの直下の酸化膜を壊すことなくウエハテストを行う。
【解決手段】半導体基板９と、半導体基板９上に形成された５層の配線層と、前記５層の配線層のうち、最上層の第５配線層５に形成され、それぞれ一部が露出した複数のボンディングパッド５ｅと、半導体基板９上に形成され、かつボンディングパッド５ｅの下において平面視でボンディングパッド５ｅと重なる位置に配置され、さらにボンディングパッド５ｅと電気的に接続されたトランジスタ素子等の能動素子と、を有しており、ボンディングパッド５ｅの直下には、５層の配線層のうちのいずれの配線層も設けられていない緩衝膜７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】低消費電力かつ低占有面積で、パッケージ実装後においてもプログラムを行なうことができるヒューズ素子を備えるヒューズプログラム回路を実現する。
【解決手段】ヒューズプログラム回路（ＦＰＫ１−ＦＰＫｎ）において、ヒューズ素子ＦＳを、多層メタル配線の第３層以上のメタル配線（Ｍ（ｉ））を用いて実現する。各ヒューズプログラム回路において、スキャンフリップフロップ（ＦＳＳＲおよびＰＳＲ）を用いてプログラム情報およびヒューズ選択情報を順次転送して、選択的に、１本ずつヒューズを電気的に切断する。 （もっと読む）

【課題】ランプアニール工程での基板の温度ばらつきを抑制する。
【解決手段】半導体チップ（２２）に導入、配置される複数の回路ブロック（Ａ１〜Ｅ６）の初期レイアウト（３１）を決定する。複数の回路ブロック（Ａ１〜Ｅ６）の各々に対し、製造時にアニール用光源から照射される光の影響を受ける受光面を特定する。複数の回路ブロック（Ａ１〜Ｅ６）の各々の面積に対する受光面の面積の比率を、受光面積率として算出する。初期レイアウトを、面積が均等な複数の領域の集合（Ａ１〜Ｅ６、Ａ２’、Ｂ２’、Ｃ５’、Ｃ６’、Ｄ５’、Ｄ６’、Ｅ３’、Ｅ４’）として特定する。基準ブロックの周辺の領域を周辺ブロックとして特定し、基準ブロックの受光面積率と周辺ブロックの受光面積率との和を周辺和とする。複数の領域の各々の周辺和のばらつきが最小となるように、複数の回路ブロックのレイアウトを変更する。 （もっと読む）

【課題】設計工数をほとんど掛けないで、ＣＭＰ対策及び短時間光アニール対策の両対策に最適化されたダミーパターンを有する半導体集積回路装置を提供すること。
【解決手段】基板上に、メモリマクロ領域１０及び機能回路領域２０を有する半導体集積回路装置１において、機能回路領域２０間、及び、メモリマクロ領域１０と機能回路領域２０との間に配置されるとともにダミーパターン４１を含むダミーパターン領域４０を備え、ダミーパターン４１は、前記メモリセルアレイ領域におけるメモリセルパターン１１の拡散層１２、１３及びゲート電極１４と同等のパターンであり、ダミーパターン領域４０におけるダミー拡散層４２、４３及びダミーゲート電極４４の面積率は、メモリセルアレイ領域における拡散層１２、１３及びゲート電極１４の面積率と同等以上である。 （もっと読む）

【課題】 ヒューズを用いてデータを記憶する半導体集積回路において、データの誤読み出しを抑制すること。
【解決手段】 半導体集積回路１００は、直列に接続された複数のヒューズを含むヒューズ回路１０と、複数のヒューズに対し切断用の電流を供給する切断電流供給部３０と、複数のヒューズの切断情報を読み出す読み出し部２０と、を備える。ヒューズ回路１０は、第１端子Ｎ１及び第２端子Ｎ２を含み、複数のヒューズは、第１端子Ｎ１に接続された第１ヒューズＦ１と、第１ヒューズＦ１及び第２端子Ｎ２に接続された第２ヒューズＦ２とを含む。読み出し部２０は、第１端子Ｎ１に接続された第１電源端子Ｖｄｄと、第２端子Ｎ２に接続された第２電源端子Ｖｓｓと、第１端子Ｎ１と第１電源端子Ｖｄｄとの間（Ｎ３）に接続され、切断情報を出力する出力回路４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】制御信号の系統を整理して、不定信号伝播防止回路等の検討漏れの危険性を回避し、さらに、自動化ツールへの搭載へ向けた検討を容易にし、また、チップ内部での電源遮断制御を容易化することができる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置において、各独立した電源領域ＡｒｅａＡ〜ＡｒｅａＩごとに電源遮断の優先順を設け、優先順の高い回路がＯＮしている場合にはそれより優先順の低い電源領域はＯＦＦにできないという規則を設けて、設計方法の容易化を図る。また、各独立した電源領域ＡｒｅａＡ〜ＡｒｅａＩ内において、さらに別の電源を印加できる領域を設け、その領域に中継バッファ（リピータ）やクロックバッファ、情報退避用の情報保持ラッチを集積する。レイアウト上は、電源線の電流を分散させる目的でセルがロウ方向に並ぶ方向と垂直な方向にまとめてレイアウトすればよい。 （もっと読む）

【課題】フューズ開口部に起因する水分の浸入における長期信頼性の劣化を防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上にフィールド酸化膜を介して抵抗体を設け、抵抗体上に第一の金属配線を設け、第一の金属配線上に吸湿性膜を含む平坦性の良い金属間層間膜を形成する。抵抗体のトリミング用フューズは吸湿性膜を含む金属間層間膜の上に形成することで吸湿性膜の露出を防止する。 （もっと読む）

【課題】結晶化半導体薄膜に対して適正かつ効率的なフォトマスクの作成を可能にする。
【解決手段】１実施形態に係る設計ライブラリデータベースは、２次元的に区画して各々薄膜トランジスタのチャネル領域のサイズを超える複数の結晶粒規定領域が配置された結晶化半導体薄膜を用いる薄膜トランジスタ回路の設計ライブラリデータベースであって、各々のチャネル領域が単一の前記結晶粒規定領域内の固定位置に配置される２個以上の薄膜トランジスタおよび前記２個以上の薄膜トランジスタを相互接続する配線を含む様々な論理ゲート回路をそれぞれ表す複数のスタンダードセル、並びに前記様々な論理ゲート回路の様々な組み合わせをそれぞれ表す複数のマクロセルの少なくとも一方のセルのライブラリ、および前記複数の結晶粒規定領域が配置された結晶化アレイパターンのスタンダードセルのライブラリを含みハードディスクに登録される。 （もっと読む）

【課題】ＲＣで鈍る出力電圧を再現し、遅延誤差を抑制すること。
【解決手段】電流テーブル群は、セルへ与える入力電圧の変化開始時からの複数の経過時間の各経過時間でのセルの出力電圧値をセルごとに保持し、設計支援装置がアクセス可能な記憶装置に記憶されている。設計支援装置は、設計対象回路の回路情報の中から選ばれた対象セルに関する各経過時間での出力電圧値を対象セルに基づいて抽出する。設計支援装置は、Ｖｄｓ（出力電圧）＜Ｖｇｓ（入力電圧）−Ｖｔｈ（ゲート閾値電圧）であるＶｄｓの経過時間を補正対象の経過時間に決定する。設計支援装置は、補正対象の経過時間に対象セルの出力側の時定数を加算することにより、該経過時間を補正する。設計支援装置は、補正後の経過時間ごとの出力電圧値と補正対象に決定されなかった経過時間ごとの出力電圧値とを出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を構成する回路ブロックにおけるトランジスタの信頼性劣化を考慮した半導体装置の設計方法を提供する。
【解決手段】経時劣化計算部１１は、複数のトランジスタで構成される回路のネットリスト（回路記述ファイル１０１）、設計情報１０２を用いて、複数のトランジスタのうちの１つのトランジスタの回路定数を変化させて劣化後の回路動作特性（第１の特性）を算出する。解析部１２は、第１の特性に変曲点があるかどうかを判定し、ある場合、変曲点に相当する回路定数を修正後の定数と決定する。変曲点がない場合、経時劣化計算部１１は、更に劣化前の回路動作特性（第２の特性）を算出し、解析部１２は、第１及び第２の特性に基づき、修正後の定数を決定する。解析部１２は、ネットリストのうちの１つのトランジスタの回路定数を修正後の定数へ修正し、修正回路記述ファイル１０３を生成する。 （もっと読む）

【課題】セル内のメタル配線幅を、設計上許容すべき最大駆動容量Ｃｍａｘ未満の配線幅に設定して、セル内の容量を削減し、セル相互間距離が非常に近い回路などにおいて伝播遅延を所定時間以下に設計することができるようにする。
【解決手段】配線幅以外は全て同一のレイアウトパターンを備えた２種類のスタンダードセル１０１、１５１が用意される。一方のスタンダードセル１０１は、セル内部のメタル配線１０８、１１０の配線幅Ｗｓ１、Ｗｄ１は太く、他方のスタンダードセル１５１では、セル内部のメタル配線１５８、１６０の配線幅Ｗｓ２、Ｗｄ２は、前記一方のスタンダードセル１０１の配線幅Ｗｓ１、Ｗｄ１よりも細く設定される（Ｗｓ２＜Ｗｓ１、Ｗｄ２＜Ｗｄ１）。配線幅の細いセルライブラリ１５１は、駆動負荷の小さい回路に限定して適用される。 （もっと読む）

【課題】寄生素子の効果が適切に取り入れられた高精度のＭＯＳＦＥＴモデルを作成可能なＭＯＳＦＥＴモデル出力装置及び出力方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴの形状データを入力するための形状データ入力部１０１を備える。前記形状データを利用して、前記ＭＯＳＦＥＴモデルに付加するための寄生素子モデルのパラメータを算出するパラメータ算出部１０２を備える。前記寄生素子モデルのパラメータを利用して、前記寄生素子モデルが付加された前記ＭＯＳＦＥＴモデルを作成して出力するＭＯＳＦＥＴモデル出力部１０３を備える。そして、前記ＭＯＳＦＥＴモデル出力部は、前記ＭＯＳＦＥＴがＮ型ＭＯＳＦＥＴである場合とＰ型ＭＯＳＦＥＴである場合とで、前記ＭＯＳＦＥＴモデルに対し、異なる前記寄生素子モデルを付加する。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、電源制御領域への突入電流の発生を抑制するためにチップ面積が増大する問題があった。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、オン抵抗が大きな第１のスイッチトランジスタＳＷＬと、オン抵抗が小さな第２のスイッチトランジスタＳＷＳと、を有し、第１、第２のスイッチトランジスタＳＷＬ、ＳＷＳは、異なる領域に電流を供給し、第１のスイッチトランジスタＳＷＳは、制御信号ＣＯＮＴを直列的に伝搬するように直列に接続され、第２のスイッチトランジスタＳＷＬは、前記制御信号を直列的に伝搬するように直列に接続され、第２のスイッチトランジスタＳＷＬのうち初段に配置される第２のスイッチトランジスタＳＷＬは、第１のスイッチトランジスタＳＷＳのうち最も後ろに配置される第１のスイッチトランジスタＳＷＳが出力する制御信号ＣＯＮＴが入力される。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＳＦＥＴにおけるＡｖｔ（Ｖｔばらつき）のゲート幅依存性を考慮し、Ｖｔミスマッチ及びＶｔばらつきを低減できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、それぞれが半導体基板に形成され、ソースドレインを構成する拡散層２０５及び該拡散層２０５の上に形成されたゲート２０３を有し、且つ互いに並列接続された複数の単位ＭＩＳＦＥＴから構成される複数のＭＩＳＦＥＴ２０１、２０２を含む。ＭＩＳＦＥＴ２０１、２０２同士の間の閾値電圧のばらつきの標準偏差は、各ＭＩＳＦＥＴにおける単位ＭＩＳＦＥＴのそれぞれのゲート長とゲート幅との積の総和であるチャネル面積と同一の面積を有する単一のＭＩＳＦＥＴ同士の間の閾値電圧のばらつきの標準偏差よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法において、ゲート電極部の幅及びゲート電極部からの突き出し長のばらつきを低減する。
【解決手段】半導体装置は、ゲート電極部及び突き出し部を有する実パターン４３１と、実パターン４３１に並んで配置されるダミーパターン４３３とを含む複数のラインパターンを備える。２つのダミーパターン４３３と、これらに挟まれ且つ実パターン４３２を含むラインパターンとにより、同一間隔を空けて並走するラインパターン並走部が構成される。ラインパターン並走部の各ラインパターンは、同一の幅を有すると共に、互いに実質的に面一なライン終端部４１４を有する。各ライン終端部４１４の延長線上に、同一の終端部間距離４０３を空けて、ライン終端部均一化ダミーパターン４２０が形成される。ライン終端部均一化ダミーパターン４２０は、ラインパターンと同一幅で且つ同一間隔に形成された複数のライン状のパターンを含む。 （もっと読む）

【課題】書き込み電圧が小さいアンチヒューズを提供する。
【解決手段】アンチヒューズは読み出し専用の記憶装置のメモリ素子に用いられる。アンチヒューズは、第１導電層、絶縁層、半導体層、及び第２導電層を有する。アンチヒューズに含まれる絶縁層は、原料ガス中にアンモニアを添加して形成した酸化窒化シリコンであり、層中に１．２×１０^２１以上３．４×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の水素、または３．２×１０^２０以上２．２×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の窒素を含むことで、低電圧での書き込みが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数のスタンダードセルを有する半導体装置のチップ面積をさらに小さくする。
【解決手段】半導体装置ＳＤ１は第１および第２スタンダードセルＳＣ１，ＳＣ２を備える。第１スタンダードセルＳＣ１は、拡散領域Ａｎ１１、拡散領域Ａｎ１１に対向する機能素子領域ＦＥ１、および金属層ＭＴ１１を有する。第２スタンダードセルＳＣ２は、拡散領域Ａｎ１１に連続する拡散領域Ａｎ２１、拡散領域Ａｎ２１に対向する機能素子領域ＦＥ２、ならびに拡散領域Ａｎ２１および機能素子領域ＦＥ２の間に形成された拡散領域ＣＲ２１を有する。金属層ＭＴ１１および機能素子領域ＦＥ２は、拡散領域Ａｎ１１、拡散領域Ａｎ２１、および拡散領域ＣＲ２１通して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】消費電力を削減した半導体集積回路及びその設計方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路の設計方法は、複数の標準フリップフロップ回路及び低消費電力フリップフロップ回路を配置するステップと、セルタイプを指標に含む評価関数を用いて、配置されたフリップフロップ回路を複数のクラスタにグループ化するステップと、標準フリップフロップ回路のみで構成されたクラスタに対して第１クロックバッファを割り当て、低消費電力フリップフロップ回路を含むクラスタに対して前記第１クロックバッファよりサイズの大きい第２クロックバッファを割り当てるステップと、クロック配線するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】回路ブロックの面積を増大しないで容量セルを構成すること。
【解決手段】一対の拡散領域１５、１４を有する基板構造層１０と、一対の電源配線４１、４２を有する配線層４０と、第１電極２１、誘電体２２、第２電極２３が積層するとともに、基板構造層１０と配線層４０との間にて、スタンダードセルが配置されるスタンダードセル領域１の外枠に沿って枠状に形成される容量２０と、スタンダードセル領域１外において一方の電源配線４１と一方の拡散領域１５とを電気的に接続する第１基板コンタクト３１と、スタンダードセル領域１外において他方の電源配線４２と他方の拡散領域１４とを電気的に接続する第２基板コンタクト３２と、スタンダードセル領域１内において第１電極２１と他方の拡散領域１４とを電気的に接続する第１容量コンタクト３４と、スタンダードセル領域１内において第２電極２３と一方の電源配線４１とを電気的に接続する第２容量コンタクト３３と、を備える。 （もっと読む）