【課題】 サージ耐量が大きな半導体装置を提供する。
【解決手段】 このＤＲＡＭでは、シリコン基板２０の表面に、内部保護回路９の抵抗素子であるｎ+ 型拡散抵抗領域８に近接してその周囲にｎ型ウェル領域ＮＷを形成し、ｎ型ウェル領域ＮＷの表面にｎ+ 型拡散領域３３を形成し、ｎ+ 型拡散領域３３に接地電位ＧＮＤを与える。したがって、ｎ+ 型拡散抵抗領域８からシリコン基板２０中に漏れたサージ電流をｎ+ 型拡散領域３３に吸収させることができるので、サージ電流を吸収する能力が向上する。 （もっと読む）

スケーラビリティを高める効率的なレイアウトアスペクト比および極めて小さいレイアウトフットプリントサイズを有するターナリＣＡＭセルが提供される。また、セルは、ビット線、データ線、マッチ線に対する高い歩留りの相互接続を容易にする高度の対称性も有している。１６ＴターナリＣＡＭセルは、セルの第１の側に隣接して延びる第１および第２の対のアクセストランジスタと、セルの第２の側に隣接して延びる第１および第２の対の交差結合インバータとを有している。また、４Ｔ比較回路の第１及び第２の半分部位も設けられている。４Ｔ比較回路の第１の半分部位は、第１の対のアクセストランジスタと第１の対の交差結合インバータとの間で延びるように位置されている。同様に、４Ｔ比較回路の第２の半分部位は、第２の対のアクセストランジスタと第２の対の交差結合インバータとの間で延びるように位置されている。

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