Fターム[5F083ZA23]の内容
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Fターム[5F083ZA23]に分類される特許
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集積回路メモリーセル及びその製法
【課題】セルデザインや工程を不必要に複雑化せずにセルサイズを減少させる。
【解決手段】
チャンネル30は、組み合わされた第1電極と第1ソース/ドレーンの半導電性上方延長部を含むことができる。メモリーセルは複数のメモリーセルのアレイを含んでおり、第2電極は複数の電極の中の共通電極である。メモリーセルは、第1電極とデジット線との間に直線導電通路を提供することができ、その通路は垂直トランジスターを通過して延びている。
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フラッシュ/ダイナミックランダムアクセスメモリフィールドプログラマブルゲートアレイ
集積回路デバイスにおいて2つのノードを選択的に相互接続するための回路は、複数のワード線及び複数のビット線を有するメモリアレイを含む。リフレッシュトランジスタは複数のビット線のうち一本に接続されたソース、ダイナミックランダムアクセスメモリワード線に接続された制御ゲート、及びドレインを有する。スイッチトランジスタはリフレッシュトランジスタのドレインに接続されたゲート、一番目のノードに接続されたソース、及び二番目のノードに接続されたドレインを有する。アドレスデコーダはワード線とダイナミックランダムアクセスメモリワード線に周期信号を供給する。
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