【課題】Ｘ線検出用フォトダイオード等においては、初期結晶材料として、裏面側に高濃度の不純物がドープされた単結晶ウエハ等を使用する場合がある。このような場合、裏面側不純物の外方拡散によるクロスコンタミネーション等を防止するために、予め、ウエハの裏面に、酸化シリコン膜等の不純物外方拡散防止膜等を形成しておく等の対策が講じられる。しかし、裏面に不純物外方拡散防止膜を形成する際に、ウエハの表面を損傷する等の問題が有る。
【解決手段】本願発明は、裏面に高濃度の不純物ドープ層を有する半導体ウエハの裏面に、不純物防止膜を形成するに当たり、まず、前記半導体ウエハの表面に酸化シリコン系絶縁膜等の表面保護膜を形成し、その状態で、前記裏面に、前記不純物防止膜を形成し、その後、ウエットエッチングにより、前記不純物防止膜を残した状態で、前記表面保護膜をほぼ全面的に除去するものである。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードとトランジスタとが絶縁膜を介して同一の半導体基板に形成された半導体装置の、フォトダイオードを形成する半導体層と絶縁膜との界面のリーク電流を小さくする。
【解決手段】一導電型の半導体層１１と、半導体層の主面１５１に設けられた反対導電型の半導体領域１８２と、半導体層１１の主面１５１に半導体領域１８２と離間して設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度の半導体領域１９１、１９２と、少なくとも半導体領域１８２と半導体領域と１９１、１９２の間の半導体層１１の主面１５１に設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度で半導体領域１９１、１９２よりも低不純物濃度の半導体領域９９と、を備えるフォトダイオード３０と、半導体層１１の主面１５１上に設けられた絶縁層１０と、絶縁層１０上に設けられ、トランジスタ素子４０が形成された半導体層９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
放射線を測定するための容量センサデバイスを提供する。
【解決手段】
デバイスは２つのセンサ領域および上部プレート構造を含む。センサ領域は、放射線がその材料に当たると電子−正孔対を生成する材料から成る。２つのセンサ領域の間に分離領域が配置される。センサ領域と上部プレートとの間のキャパシタンスはセンサ領域に当たる放射線に応じて決まる。遮断構造が、放射線の選択された入射角において他方のセンサ領域内の電子−正孔対生成に対してとは異なるように一方のセンサ領域の電子−正孔対生成に影響を与えるように、或る範囲内のパラメータ値を有する放射線をセンサ領域から選択的にかつ異なって遮断する。 （もっと読む）

【課題】画素サイズの小さい場合においても、高精度の測距が可能となる固体撮像素を提供する。
【解決手段】主導波路１０１と、主導波路に導かれた光の射出側に設けられた副導波路１０４，１０５と、副導波路に導かれた光の射出側に設けられた光電変換部と、を備えた画素を有する固体撮像素子であって、主導波路は、第１の方向から入射した光と、それとは異なる第２の方向から入射した光を導波するように構成し、副導波路は、主導波路を導波する光と結合するように構成された第１と第２の副導波路と、を備え、第１の方向から入射して第１の副導波路に導かれて射出される光量が、第２の方向から入射して第１の副導波路に導かれて射出される光量よりも大きい光量が射出可能に構成し、第２の方向から入射して第２の副導波路に導かれて射出される光量が、第１の方向から入射して第２の副導波路に導かれて射出される光量よりも大きい光量が射出可能に構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換膜が半導体基板上に積層された積層型の固体撮像装置に関する。
【解決手段】複数の画素が二次元配置されてなる固体撮像装置であって、半導体基板と、半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に、画素毎に隙間を空けて形成された下部電極と、真性半導体材料からなり、画素毎に、隙間を空けて、各下部電極上に形成された光電変換膜と、不純物半導体材料からなり、前記光電変換膜上に、複数の画素に亘って形成され、光電変換膜間の隙間に相当する部位が当該隙間に入り込んで、光電変換膜の側面の一部または全部を覆っているブロッキング層と、ブロッキング層上に、複数の画素に亘って形成された透光性を有する上部電極とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】逆方向耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】一導電型の半導体層１００と、絶縁体層１３０と、絶縁体層中に設けられた半導体層２１０と、半導体層２１０に設けられた能動素子２０と、半導体層１００の前記一主面２０１に設けられた他の導電型の半導体領域１１２と、半導体領域１１２内に設けられた他の導電型であって半導体領域１１２よりも高不純物濃度の半導体領域１１４と、絶縁体層１３０に設けられたスルーホール１４４内に半導体領域１４４に接続して設けられた導電体１５４と、絶縁体層１３０上または中に設けられた導電体２１４であって、導電体１５４の周囲に設けられ、外側端部が半導体領域１１４よりも外側にある導電体２１４と、導電体１５４と導電体２１４とを接続して設けられた導電体１９２と、半導体層１００に接続して設けられた導電体１５２，１２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】一層の半導体層から膜厚の異なる半導体層を有する半導体薄膜基板を提供することを目的の一とする。または、半導体薄膜基板を適用した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に半導体層を形成し、半導体層を加工して第１の島状半導体層および第２の島状半導体層を形成し、第１の島状半導体層にレーザー照射を行うことにより第１の島状半導体層を溶融させ、第１の島状半導体層から第２の島状半導体層より膜厚が厚い第３の島状半導体層を形成する、半導体薄膜基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な光学センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】光学センサーは、半導体基板１０上に形成された、フォトダイオード用の不純物領域３１、３２と、フォトダイオードの受光領域に対する入射光の入射角度を制限するための角度制限フィルター４１、４２と、を含む。角度制限フィルター４１、４２は、フォトダイオード用の不純物領域３１、３２の上に半導体プロセスによって形成された遮光物質（光吸収物質または光反射物質）によって形成される。 （もっと読む）

【課題】混色の発生等を防止し、撮像画像の画像品質が低下するなどの不具合の発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素Ｐに対応して形成されたカルコパイライト光電変換膜１３の間においてポテンシャル障壁になるように、画素分離部ＰＢを、ドーピングの濃度制御または組成制御がされた化合物半導体によって形成する。 （もっと読む）

【課題】バルク中の不純物に起因するバルク中の漏れ電流および素子の表面の漏れ電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。 （もっと読む）

【課題】暗電流を低減でき、かつ、高速応答が可能な光検出器を提供する。
【解決手段】ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２、ｉ型ｃ−Ｇｅ層３およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４が光導波路３０に近接してシリコン基板１上に積層される。光導波路３０は、クラッド２０に接してクラッド２０上に形成されている。ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚（０．６μｍ）がクラッド２０の厚み（１．４μｍ）よりも薄く、かつ、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚とｉ型ｃ−Ｇｅ層３の膜厚との合計（２．０μｍ）がクラッド２０の厚みと光導波路３０の厚みとの合計（１．７μｍ）よりも大きい。その結果、光導波路３０中を伝搬する光は、光検出器１０のｉ型ｃ−Ｇｅ層３へ入射され、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４へ入射されない。 （もっと読む）

【課題】感度を向上し、撮像画像の画像品質を向上する。
【解決手段】第１の光導波部材１３１ａよりも屈折率が低い光学材料にて発散レンズ１２１が形成し、集光レンズ１１１を介して入射された光を、発散レンズ１２１によって第２の光導波部材１３１ｂへ発散させる。そして、その発散レンズ１２１によって発散された光を、第２の光導波部材１３１ｂがフォトダイオード２１の受光面ＪＳへ導くように構成する。 （もっと読む）

【課題】不純物ドーピングによる結合伸長効果に立脚した、直接遷移型半導体と同等レベルの強発光や強吸収を有する半導体材料を提供する。
【解決手段】四面体結合構造をなして結合した構成原子を含む母体半導体と、母体半導体に添加された異種原子Ｚとを有し、前記異種原子Ｚは結合間に導入されて結合長を伸長させたbond-center構造を形成し、前記異種原子Ｚに対して前記bond-center構造が１％以上含まれることを特徴とする半導体材料。 （もっと読む）

【課題】製品の歩留まりの低下を可及的に抑制する。
【解決手段】対向する第１面および第２面を有するとともに第１面から第２面に貫通する空洞部が設けられている第１絶縁層７、２４ｃと、絶縁層内に形成された第１および第２配線と、を有する配線形成部３０と、第２面側から入射された赤外線を吸収する赤外線吸収膜２４と、赤外線吸収膜と電気的に絶縁され赤外線吸収膜の温度変化を検出することにより、電気信号を生成する少なくとも１個の熱電変換素子１２と、を有し、空洞部内に設けられた赤外線検出部１０と、赤外線検出部を空洞部内に支持し、一端が第１および第２配線の他端に接続され、他端が熱電変換素子の一端に接続された第１および第２接続配線２２ａ、２２ｂと、第１および第２接続配線を覆うように形成された第１および第２絶縁膜２４ａ、２４ｂとを有する第１および第２接続配線部２０ａ、２０ｂと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】光子及び／又は荷電粒子の位置及び／又はエネルギーを測定するための検出器を提供すること。
【解決手段】上記検出器は半導体材料でできている複数のダイオードとｎ−接点（１）とｐ−接点（４）を有し、上記ｎ−接点はｎ−層を個々のセグメントに細分化することにより得られる。ｎ−層の上記セグメントは幅が２０〜５００μｍである。上記検出器は半導体材料の一面にイオンを分散してｎ−層を作ることによって作られる。金属層はその上に蒸着される。リソグラフィーによってセグメント化されたセグメント間をエッチングして溝を形成する。本発明の検出器は高性能でとりわけ高い位置分解能と高い計測速度を可能にする。 （もっと読む）

【課題】不純物層を特性よく形成し、更に合わせ位置を正確に形成し、更にノイズ低減が可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１主面４ａと第１主面４ａと相対向する第２主面４ｂを有し、かつ撮像素子領域１００ａと周辺領域２００とを有する第１導電型の半導体層４と、撮像素子領域１００ａにおける半導体層４の第１主面に形成され、光電変換により電荷を蓄積する受光部１０と、受光部１０を囲んで、半導体層４の第１主面４ａから半導体層４の途中にまで延びる素子分離領域用の第２導電型の第１不純物層１２と、半導体層４の第２主面４ｂから第１不純物層１２の底部に達する素子分離用の第２導電型の第２不純物層１３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ビーム入射角を高精度で検出することができる小形軽量のビーム入射角検出センサユニット、ビーム入射角測定ユニット、ビーム入射角検出装置および移動装置を提供する。
【解決手段】ビームを遮蔽する第１のビーム遮蔽層本体に、ビームが入射可能の第１のスリット１１Ｃｂを形成した第１のビーム遮蔽層１１Ｃと、この第１のビーム遮蔽層１１Ｃに所定間隔を置いて対向配置される第２のビーム遮蔽層本体に、その平面方向に沿う横方向へ前記第１のスリット１１Ｃｂに対して相対的にずれた位置にて第２のスリット１２Ｃｂを形成した第２のビーム遮蔽層１２と、前記第１，第２のスリット１１Ｃｂ，１２Ｃｂから入射されたビームを検出するセンサ素子を有するセンサ層１３Ｃと、を具備している。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。また、薄型化された半導体装置の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】基板と、基板の一方の面に設けられた半導体集積回路部と、基板の他方の面、側面、及び半導体集積回路部の側面を連続的に覆う樹脂層とを有する。複数の半導体集積回路部が形成された基板の半導体集積回路部形成面と、固定基板とをワックスにより固定し、半導体集積回路部ごとに基板を分断する。個々に分断された半導体集積回路部が形成された基板を覆うように樹脂層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合容量を増やさずに画素間隔を狭める。
【解決手段】光電変換領域を構成する第一導電型の第一不純物領域１０２と、第一不純物領域に配された、信号取り出し領域を構成する第二導電型の第二不純物領域１０５とを含む画素を複数配置してなる光電変換装置において、各画素を分離するために各画素の周囲に、第一導電型の第三不純物領域１０３と、第一導電型の第四不純物領域１０４とが配置され、第四不純物領域は隣接する画素間にあり、第四不純物領域の不純物濃度は第三不純物領域の不純物濃度より低い。 （もっと読む）

【課題】 ゲルマニウムは、半導体プロセスを用いて光電気混載ＬＳＩに搭載される長波長帯光デバイスに用いる場合、吸収の長波長化又は長波長帯での吸収が実用化されていない。
【解決手段】 ゲルマニウム原子を主成分とする四面体結合される半導体を光電変換層に用いる光デバイスであり、光電変換層を構成する四面体結合される半導体の格子点サイトのゲルマニウム原子を置換するｎ型ドーパントＤまたはｐ型ドーパントＡと、前記ドーパントに最近接の格子間サイトに挿入される異種原子Ｚを含み、異種原子Ｚはドーパントとの電荷補償により電子配置が閉殻構造となる光デバイスである。 （もっと読む）