【課題】開口率を著しく向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】光検出装置１は、半導体基板１Ｎを有する半導体光検出素子１０Ａと、半導体光検出素子１０に対向配置される搭載基板２０とを備える。半導体光検出素子１０Ａは、ガイガーモードで動作すると共に半導体基板１Ｎ内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤと、それぞれのアバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して電気的に接続されると共に半導体基板１Ｎの主面１Ｎｂ側に配置された電極Ｅ７とを含む。搭載基板２０は、電極Ｅ７毎に対応して主面２０ａ側に配置された複数の電極Ｅ９と、それぞれの電極Ｅ９に対して電気的に接続されると共に主面２０ａ側に配置されたクエンチング抵抗Ｒ１とを含む。電極Ｅ７と電極Ｅ９とが、バンプ電極ＢＥを介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に発生したキャリアが流れ込む半導体領域を半導体基板の一方の主面側に配置した上で、放射線の入射位置を２次元で検出することが可能な放射線検出器を提供すること。
【解決手段】放射線検出器ＲＤ１は、第一導電型の半導体基板１と、半導体基板１と接合を構成する複数の第二導電型の半導体領域１０と、対応する半導体領域１０に接合された複数の電極２１，２３とを備える。電極２１，２３は、第一主面１ａに直交する方向から見て、対応する半導体領域１０を覆う。半導体領域１０は、２次元配列された複数の第一及び第二半導体領域１１，１３を含む。複数の第一半導体領域１１のうち２次元配列における第一方向に配列された第一半導体領域１１同士が互いに電気的に接続され、複数の第二半導体領域１３のうち第一方向に交差する第二方向に配列された第二半導体領域１３同士が互いに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】より良好な色再現性を有する固体撮像素子および電子機器を提供する。
【解決手段】同一の半導体基板２２の内部における１画素ごとに、それぞれ異なる深さに、それぞれ異なる波長域の光を光電変換する複数の光電変換領域２３Ｂ、２３Ｇ、２３Ｒが積層され、複数の光電変換領域２３Ｂ、２３Ｇ、２３Ｒのうち、半導体基板の深さ方向に隣接する光電変換領域２３Ｂおよび２３Ｇ、または２３Ｇおよび２３Ｒの間に、その光電変換領域２３Ｂおよび２３Ｇ、または２３Ｇおよび２３Ｒの間の領域における光電変換で発生した電荷を排出する排出領域２４が形成される。 （もっと読む）

【課題】光センシング装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとが、それぞれ同じ構造の酸化物半導体トランジスタで形成される光センシング装置、及び前記光センシング装置の動作信頼性を向上させることができる駆動方法が提供される。光センシング装置によれば、光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとは、一つの基板上で同じ構造に隣接して形成され、スイッチトランジスタへの光の入射を防止するために、スイッチトランジスタの光入射面には光遮蔽膜がさらに配される。また、光センシング装置の駆動方法によれば、経時的なスイッチトランジスタのしきい電圧シフトを防止するために、光遮蔽膜には負（−）のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】画素毎のバンプが増加してもフリップチップボンディングを適切に行うことができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素が配列した赤外線イメージセンサ１００と、赤外線イメージセンサ１００から信号を読み出す読み出し回路３００と、赤外線イメージセンサ１００と読み出し回路３００との間に設けられた中継部材２００と、が設けられている。複数の画素の各々には、互いに相違する波長の赤外線を吸収する複数の吸収層１０６、１１０と、複数の吸収層にバイアスを印加するバイアスバンプ１５９と、複数の吸収層毎に設けられた出力バンプ１５７、１５８と、が設けられている。出力バンプは、読み出し回路に設けられた入力バンプ３０２、３０３に接続され、バイアスバンプは、読み出し回路に設けられたバイアス供給バンプ３０４に、中継部材に設けられた中継配線２０７を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】 量子ドット型赤外線検知素子及び量子ドット型赤外線撮像装置に関し、量子ドット層の層数が制限される制約のなかで光電流を増加させる。
【解決手段】 複数の量子ドットからなる量子ドット層と前記量子ドット層を挟み込むとともに前記量子ドットよりバンドギャップが広い中間層からなる積層構造を複数積層した量子ドット積層構造と上下の電極形成層との間にスペーサ層を設ける。 （もっと読む）

【課題】ノイズの混入に起因する精度の低下を抑制することが可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】このサーモセンサ１００（センサ装置）は、ｎ型シリコン基板１１の上方に配置され、熱（赤外線）を測定することにより電子を供給する電荷供給部４８と、ｎ型シリコン基板１１の表面に形成され、電子が電荷供給部４８から供給されるｎ型ウェル領域１５と、ｎ型ウェル領域１５の電子が供給される領域の周辺近傍の表面に形成されるｐ^＋拡散層１７とを備え、ｐ^＋拡散層１７の下方に電子を転送するための埋込みチャネル領域が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】入射加速粒子および高エネルギ放射線に耐えることのできるモノリシックセンサを提供する。
【解決手段】加速電子検出器はＣＭＯＳ構造のモノリシックセンサのアレイを備え、各センサは基板（１０）と、エピ層（１１）と、ｐ＋ウェル（１２）と、エピ層（１１）によってｐ＋ウェル（１２）から分離されたｎ＋ウェル（１３）とを含む。ｐ＋ウェルには複数のＮＭＯＳトランジスタが集積される。センサはまた、バイアス電圧の印加によりエピ層内に発生する電荷担体がｎ＋ウェル（１３）にドリフトされるように、エピ層内に欠乏層を確立する深いｎ領域（１５）をｐ＋ウェル（１２）の下に含む。検出器は改善された放射線耐性を有し、したがってそれは電子顕微鏡のような加速電子の検出および撮像に適する。 （もっと読む）

【課題】光導電層及びバイアス電極を封止する封止層上に保護基板を有さない放射線検出器の製造方法において、寸法安定性の良い封止層を形成する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板450、スペーサー442及び蓋部材440で囲まれる空間に、硬化型封止材料を充填し、硬化型封止材料を硬化させて封止層444が形成される。このため、封止層444は、アクティブマトリックス基板450、スペーサー442及び蓋部材440により形作られ、封止層444の厚みは、アクティブマトリックス基板450と蓋部材440の間に配置されることになるスペーサー442の厚みにより決定される。このため、厚みにばらつきの少ない寸法安定性の良い封止層444の形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】裏面に再配線されたシリコンウェハおよびガラス板が一体化した複合構造体の生産速度を高めると共に、ガラス板のチッピングを小さくしてダイシングブレードの劣化を少なくする。
【解決手段】裏面に再配線された電子素子ウェハ４とその上の接着樹脂層５（接着剤）により一定の間隔で保たれた透明ガラス板１の割断が、フルダイシングにより生じた切断間隙を通したレーザー光により為されるため、チッピングが少なく割断面の品位と割断速度が向上し、歩留まりの向上を図ることができる。また、ダイサーのダイシングブレード７は、裏面に再配線された電子素子ウェハ４の切断だけであるため、透明ガラス板１を切ることの比較において非常に切断速度が速く単位ブレード当りの処理量が上がり長寿命化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】検出感度を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】
本半導体パッケージ３０では、赤外線を検出する受光部５を主面に備えるセンサ基板２と、センサ基板２の主面上側に設けられる、赤外線を透過する材料を主成分とする窓基板１と，窓基板１を介して入射された赤外線を受光部５へ集束させる集束領域１２および集束領域１２以外の領域である非集束領域１３からなり、センサ基板２と窓基板１との間に設けられるミラー基板３とを備える。更に、窓基板１は、集光ミラー上端面１４に入射された赤外線を受光部５へ集束させるため、集光ミラー上端面１４と接触する多角形状の反射部１５を備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に有機化合物を用いた場合でも光電変換層におけるリーク電流（暗電流）の発生量を低減することができる光センサ、光センサアレイ、撮像素子および撮像装置ならびに光センサの製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に、光の入射により電荷を生じさせる有機化合物である光電変換層と、光電変換層で生じた電荷を集電するための画素電極と、入射光を光電変換層の方向に集光するための集光部材と、を備え、集光部材が光電変換層に隣り合う位置に設置されている光センサ、その光センサを含む光センサアレイ、撮像素子および撮像装置ならびにその光センサの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ホトダイオードアレイを備える放射線検出器の製造方法において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる半導体基板３に、該半導体基板の両側表面を貫通する貫通配線８を形成する第１工程と、半導体基板の片側表面について、所定の領域に不純物を添加して複数の第２導電型の不純物拡散層を形成し、複数のホトダイオード４をアレイ状に配列して設ける第２工程と、半導体基板の片側表面側に、少なくともホトダイオード４が形成された領域を保護する膜厚１〜５０μｍの透明樹脂膜６を設ける第３工程とにより、ホトダイオードアレイを製造した後、ホトダイオードアレイを実装配線基板に実装する工程と、透明樹脂膜６上に、シンチレータパネル３１を、シンチレータパネルから出射された光を透過する光学樹脂３５を介して取り付ける工程とによって製造する。 （もっと読む）

【課題】複数のシンチレータ結晶の配列精度と検出精度とが良好なシンチレータアレイを簡単に製造できるアレイ製造方法を提供する。
【解決手段】複数のシンチレータ結晶１１０を二次元状に配列してから、間隙に充填した混合液を凝固させるので、複数のシンチレータ結晶１１０の位置精度が良好である。また、外側面に反射材を塗布したり反射テープを貼着した複数のシンチレータ結晶１１０をアレイ状に配列するような必要がなく、複数のシンチレータ結晶１１０を収納容器に圧入するような必要もなく、大型のシンチレータ結晶１１０を切削してシンチレータアレイ１００を形成するような必要もない。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面から半導体基板の裏面側の半導体領域へ基板バイアスを供給することができる光電変換装置及び撮像システムを提供する。
【解決手段】光電変換装置１は、画素領域１３０と前記画素領域の周辺に位置する周辺領域１３１とを有する半導体基板と、基板バイアスを供給するための電源ラインと、前記周辺領域に配された、前記半導体基板と前記電源ラインとを接続するコンタクトプラグ１５０とを備え、前記半導体基板は、前記基板バイアスが前記電源ラインから前記コンタクトプラグを介して前記半導体領域へ供給される。 （もっと読む）

【課題】効率的に歩留まりよく形成でき、受光効率が良好なワンチップ高電圧光電池を提供する。
【解決手段】複数のフォトダイオード素子１を形成して成るシリコン基板２をプリント基板１１にハンダ付け接合した状態で、フォトダイオード素子１の形成領域の境界線に沿って設定切り込み量だけ切断し、複数のフォトダイオード素子１をプリント基板１１上に分離配置する。シリコン基板２とプリント基板１１とのハンダ接合による一体化物の温度がハンダ付け接合時よりもシリコン基板２の切断時に下がることによりシリコン基板２とプリント基板１１との熱膨張差によって生じるシリコン基板２の各切断位置における仮想平坦底面からの浮き上がり湾曲量の最大値と最小値との差がプリント基板１１の厚みより小となるようにする。 （もっと読む）

【課題】可視光及び赤外光に対応した画素を備える固体撮像装置の赤外光に関する感度及び飽和出力を向上し且つ混色を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、第１導電型の半導体基板１０１に、第１導電型の第１不純物層（１０５又は１５５）及び第１不純物層の下方に位置する第２導電型の第２不純物層（１０９又は１５９）を有する光電変換部（１０３又は１５３）をそれぞれ備えた複数の画素が配列され、複数の画素は、可視光に対応する可視光用画素Ｂ及び赤外光に対応する赤外光用画素Ａを含む。赤外光用画素Ａにおける第２不純物層１０９は、可視光用画素Ｂにおける第２不純物層１５９よりも深い位置に設けられている。赤外光用画素Ａにおいて、第１不純物層１０５と第２不純物層１０９との間に、第１導電型の第３不純物層１０６を更に備える。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素から漏れ込む光によって発生する混色を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換がなされるセンサ部１１と、センサ部１１に対応するカラーフィルタ１５との間に設けられた遮光層１７とからなり、遮光層１７が、画素分離部に沿ってセンサ部１１に対して垂直、又は、略垂直に形成されている固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）