【課題】平坦で薄いＡｌＮ薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含む。該ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ以上１０ｗｔ％以下含むＡｌＮ焼結体を真空チャンバ内にセットし、基材１を真空チャンバ内にセットした状態で、ＡｌＮ焼結体にレーザを照射することで発生したプラズマを用いて基材１上に形成可能である。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりの低下を抑制し、かつ読取素子の微細化に適した磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）基板上に、磁気抵抗効果を示す積層膜(12)を形成する。（ｂ）前記基板の表面の読取素子領域(RE)の両側に画定された磁区制御領域(MC)内の前記積層膜を除去し、第１の凹部(20)を形成する。（ｃ）前記第１の凹部内及び前記積層膜の上に、磁区制御膜(27)を形成する。（ｄ）前記第１の凹部の内部、及び前記積層膜の上面のうち前記第１の凹部の縁に隣接する一部の領域上に、前記磁区制御膜が残るように、該磁区制御膜をパターニングする。（ｅ）前記第１の凹部内に前記磁区制御膜が残る条件で、前記磁区制御膜の一部を研磨して除去する工程。 （もっと読む）

【課題】ラジオ−周波数オシレータを構成するためのスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法を提供する。
【解決手段】ラジオ−周波数オシレータを構成するためのスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法であって、：バリアー層（１２）として知られている金属層を堆積する段階；金属層（１３）を堆積する段階；ハードマスク（１４）を堆積する段階；金属層（１３）の第１の選択的なエッチング段階にアセンブリをさらす段階であって、金属層（１３）が、ハードマスク下においてオーバーエッチングされる段階；磁気スタック（１０）及びバリアー層（１２）の部分的な除去を生じることが可能な第２の選択的なエッチング段階に、アセンブリをさらす段階；アセンブリを誘電体（１６、１７）内にカプセル化する段階；アセンブリを、平坦化する段階；及び、導電性上部電極（１８）を配置する段階によって構成される。 （もっと読む）

【課題】磁化反転の際の反転電流をより低減することが可能な磁気抵抗素子を単純なプロセスで製造することを可能にする。
【解決手段】基板上に下部電極膜を形成する工程と、下部電極膜上に、磁化の向きが固着された磁化固着層となる第１磁性層と、トンネルバリア層と、磁化の向きが可変の磁化自由層となる第２磁性層との積層構造を有する積層膜を形成する工程と、積層膜上に第１上部電極膜を形成する工程と、第１上部電極膜をパターニングし、第１上部電極を形成する工程と、第１上部電極をマスクとして積層膜の第２磁性層までをパターニングする工程と、第１上部電極を覆うように絶縁膜を形成する工程と、第１上部電極の上面を露出させる工程と、第１上部電極を覆うように第２上部電極膜を形成する工程と、第２上部電極膜をパターニングし、第２上部電極を形成する工程と、第２上部電極をマスクとして下部電極膜までを自己整合的に加工する工程と、を備えている。 （もっと読む）

基板上の磁性薄膜内に磁区を形成するための方法が、レジストで磁性薄膜を被覆するステップと、磁性薄膜の領域が実質的にむき出しになるようにレジストをパターン形成するステップと、磁性薄膜をプラズマに暴露して、プラズマイオンが磁性薄膜の実質的にむき出しの領域に浸透して、その実質的にむき出しの領域を非磁性にするステップとを含んでいる。このプロセスのためのツールが、接地電位に保持された真空容器と、制御された量のガスを真空容器の中へリークするように構成されたガス入口弁と、（１）真空容器内に収まり、（２）多数のディスクを間隔をあけて保持して、多数のディスクのそれぞれの両面が露出するようにして、（３）多数のディスクに電気的に接触するように構成されたディスク取り付け装置と、ディスク取り付け装置と真空容器とに電気的に接続され、これにより、真空容器内にプラズマを点火でき、ディスクの両面をプラズマイオンに均一に暴露する高周波信号発生器とを含んでいる。このプロセスは、磁気抵抗メモリデバイスを含むメモリデバイスを製造するために使用してもよい。
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【課題】磁気抵抗効果素子のような微小な電流を流すだけで簡単に損傷してしまう微細な素子の抵抗特性等を評価する際に、素子を損傷させることなく、的確に特性を評価することができる微細素子の評価方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する微細素子１０に電流を印加して微細素子の特性を評価する方法において、前記微細素子１０をレジスト１４により被覆する工程と、前記レジスト１４が被覆された微細素子１０に電流を印加し微細素子の特性を評価する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】より大きなＭＲ変化率を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、前記磁化固着層または磁化自由層の上に設けられたキャップ層と、前記磁化固着層中、前記磁化自由層中、前記磁化固着層と前記中間層との界面、前記中間層と前記磁化自由層との界面、および前記磁化固着層または磁化自由層と前記キャップ層との界面のいずれかに設けられた機能層とを含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを有し、前記機能層は、Ｆｅ含有量が５原子％以上である金属材料と窒素とを含有する層からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】バリア層の膜厚を薄くしても、高いMR比を得ることができ、高記録密度に好適に対応することができ、磁気抵抗デバイスにも利用することができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化金属からなるバリア層と、該バリア層の両面にそれぞれ接する第１の磁性層および第２の磁性層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記第１の磁性層上に、前記酸化金属のターゲットを用いて前記バリア層を積層し、前記第２の磁性層を前記バリア層上に積層する前に、前記バリア層をアニール処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線層の数が少ない不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】この不揮発性半導体記憶装置では、複数行複数列に配置された複数のメモリセルＭＣと、各行に対応して設けられたワード線ＷＬおよびディジット線ＤＬと、各列に対応して設けられたビット線ＢＬとを含むメモリブロックＭＢをワード線ＷＬの延在方向に複数配列し、各ワード線ＷＬに対応して複数のメモリブロックＭＢに共通にメタル杭打ちワード線ＭＷＬを設け、選択されたメモリブロックＭＢのうちの選択レベルにされたメタル杭打ちワード線ＭＷＬに対応するディジット線ＤＬに磁場印加電流Ｉ_ＤＬを流す。したがって、メタル杭打ちワード線ＭＷＬを介してディジット線駆動回路ＤＤを制御するので、メインディジットＭＤＬ線が不要となり、配線層数が少なくて済む。 （もっと読む）

【課題】強磁性層／バリア層／強磁性層の構造を備えるトンネル磁気抵抗効果膜において、磁気抵抗変化率が高いトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも原子量が１４乃至２７の範囲にある元素を含む岩塩構造を有するイオン結晶からなるバリア層を挟むように第１強磁性層及び第２強磁性層が設けられた積層構造を備えるトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法において、基板に前記第１強磁性層を設ける工程と、前記第１強磁性層上に前記バリア層を、Ｎｅを含む雰囲気中においてスパッタリングを行うことにより設ける工程と、前記バリア層上に前記第２強磁性層を設ける工程とを含むトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低コストでリソグラフィーの解像限界以下の寸法を形成可能な，再生磁気ヘッドの狭トラック製造方法を提供する。
【解決手段】ダミーパターンの側壁に堆積させた膜をマスクとして利用するサイドウォールマスクの方法で狭トラック幅加工を行う。また，サイドウォール形成用の膜の下層に予めエッチストッパー層と剥離層を形成し，余剰部の除去にはリフトオフを用いる。 （もっと読む）

メモリセルを含むメモリおよびメモリセルを製造する方法が示される。メモリは、第１の面に基板を含んでいる。第２の面で伸びる第１の金属接続が提供される。第２の面は、第１の面に本質的に垂直である。磁気トンネル接合（ＭＴＪ）は、ＭＴＪの第１の層が第２の面に沿って方向が合わされるように、金属接続につながれる第１の層を有して提供される。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて当該基板８の回転と一体に回転させながら、グネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗変化率（ＭＲ比）と低い層間結合磁界（Ｈｉｎ）を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に緩衝層、反強磁性層、磁化固定層、非磁性伝導層、磁化自由層、保護層が連続的に積層されたスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜において、所定の積層界面にプラズマ処理を施して磁化固定層と磁化自由層の間に作用する層間結合磁界を低減し、高ＭＲ比が得られるようにする。 （もっと読む）

【課題】外部影響（特に電気的パルス）により電気的抵抗が変化する特性を有する材料を用いた不揮発性メモリの大容量化を可能としたクロスポイントメモリデバイスを提供すること。
【解決手段】下部電極と上部電極とのクロスポイントに対応するビット領域は、互いに交差するように配列された下部電極と上部電極との間に配置されたアクティブ層の一部である。アクティブ層は、電気信号に応答して変化する抵抗性を有し得る材料である。下部電極と上部電極との間を通る電気信号は、ビット領域を通過する。ビット領域では、電気信号に応答して抵抗率を変化させる。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子から成る磁気ヘッドやＭＲＡＭ等の生産において、通常な構成であって特に半導体デバイスメーカによる磁性多層膜の製作に適した構成を有し、さらに膜性能を高めることができかつ生産性を向上できる磁性多層膜作製装置を用いて実施することができる磁気抵抗デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、チャンバ１７Ｂ内において、ＮｉＦｅ膜及びＰｔＭｎ膜を有する多層金属膜を設ける工程、前記ＮｉＦｅ膜及びＰｔＭｎ膜を有する多層金属膜を設けた後の基板の上に、前記チャンバ１７Ｂとは異なるチャンバ１８内において、金属酸化物膜を設ける工程、並びに、前記金属酸化物膜を設けた後の基板の上に、前記チャンバ１７Ｂ，１８とは異なるチャンバ１７Ｃ内において、ＣｏＦｅ膜及びＮｉＦｅ膜を有する多層金属膜を設ける工程を有する磁気抵抗デバイスの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて回転させながら、マグネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、磁気記録再生装置の磁気ヘッドに関し、より詳細にはギャップ長の精度を下げることなく、コア幅の微細化を達成できる磁気ヘッド製造方法に関する。
【解決手段】 本発明の磁気ヘッド製造方法は、磁気抵抗効果膜の上にリフトオフ層とエッチング耐性層を成膜するリフトオフ層成膜手順と、リフトオフ層とエッチング耐性層とを所望のマスクパターンに形成するマスクパターン形成手順と、磁気抵抗効果膜をエッチングして磁気抵抗効果素子を形成する磁気抵抗効果素子形成手順と、磁気抵抗効果素子の上に絶縁層と磁区制御層とを成膜する磁区制御層成膜手順と、成膜後にリフトオフにより磁気抵抗効果素子の上面を露出するリフトオフ手順とで構成する。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合構造体を形成する方法を提供する。
【解決手段】特定の実施形態において、導電性層を有する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）構造体を基板上に形成することを有している方法が開示される。方法はまた、パターニング膜層を堆積する前に導電性層上に犠牲層を堆積することを有している。
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【課題】磁気特性の劣化が抑制された磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子の製造方法は、シリコン基板１の上面全体にセンサ素子として磁気抵抗膜３が形成された成膜部品の上面に磁気抵抗膜３が所定パターンに形成するためのレジストが形成され、成膜部品の上面全体に磁気抵抗膜３よりも抵抗値が大きく、且つ非磁性体であるバリア膜４が形成され、次に、エッチングにより磁気抵抗膜３が所定パターンに形成され、次に、所定パターンのバリア膜４の上面に残ったレジストがドライアッシングにより除去される製造手順を経る。 （もっと読む）