【課題】電気的操作でＸ線ビームの２次元空間における微細な強度変調が可能なＸ線空間変調装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線空間変調装置１は、スピン注入により磁化方向が互いに逆向きの磁区の境界である磁壁が移動されるスピン注入型磁壁移動素子（以下、素子）５を２次元に配列したＸ線変調手段１０と、２次元に配列した素子５の中から、磁壁を移動させる素子５を選択する素子選択手段１１と、素子選択手段１１によって選択した素子５に磁壁移動のための電流である磁壁移動電流を注入して、当該素子５の磁壁を移動させる磁壁移動電流注入手段１２とを備える。Ｘ線空間変調装置１は、素子選択手段１１によって、個々の素子５の磁壁の位置を制御し、単色円偏光Ｘ線ビームＢ２に対する素子５の吸収率を変化させることによって、素子５を透過する単色円偏光Ｘ線ビームＢ２の２次元空間における強度分布を変調する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波発振素子及びマイクロ波発振装置に関し、複雑な成膜工程や微細加工の必要がない簡単な素子構造によりマイクロ波発振を可能にする。
【解決手段】強磁性体層１１とスピン軌道相互作用を有する金属層１２との積層構造からなり、金属層両端の端子１３_１、１３_２との間に電源１４から電圧を印加して、金属層１２に電流を流す事で、スピンホール効果により金属層１２から強磁性体層１１へ純スピン流が注入され、マイクロ波発振を励起する。 （もっと読む）

【課題】磁化自由層、磁化固定層、及びトンネル絶縁層の金属原子がチャンネル層へ拡散することを抑制し、良好な特性を有するスピン伝導デバイスを提供すること。
【解決手段】スピン伝導デバイス１００は、チャンネル層と、チャンネル層上に設けられ、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、及び酸化ベリリウムのうちのいずれか一つを含む金属酸化物層８と、金属酸化物層８上に設けられた酸化マグネシウム層９と、酸化マグネシウム層９の第一の部分上に設けられた磁化自由層１２Ｃと、酸化マグネシウム層９の第二の部分上に設けられた磁化固定層１２Ｂと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で、多入力信号の加算処理に優れた信号処理デバイスおよび信号処理方法を提供することを可能にする。
【解決手段】少なくとも１層以上の磁性層を含む連続膜１０と、連続膜上に、連続膜に直接に接触するかまたは絶縁層を介して接触するように設けられ、前記連続膜との接触面の形状はドット形状であり、入力信号を受けることにより、連続膜との接触面直下の、連続膜の磁性層の領域にスピン波を発生させる複数のスピン波発生部２０_１〜２０_ｎと、連続膜上に設けられ、スピン波発生部によって発生されられて連続膜を伝播するスピン波を電気信号として検出する少なくとも１個の信号検出部３０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電圧出力特性を向上させることが可能なシリコンスピン伝導素子の製造方法及びシリコンスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】シリコンスピン伝導素子１０の製造方法において、シリコン膜３をウェットエッチングによりパターニングしてシリコンチャンネル層７を形成する第一工程と、シリコンチャンネル層７上に、互いに離間された磁化自由層１２Ｃ及び磁化固定層１２Ｂを形成する第二工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の出力電圧のバラつきを低減可能なスピン流回路を提供する。
【解決手段】スピン流回路は、スピン流を発生する第1スピン注入素子ＳＩＥと、第1スピン注入素子ＳＩＥにおいて発生したスピン流が流れる非磁性のチャンネル層５Ａと、チャンネル層５Ａ上の異なる位置に設けられた複数の磁化自由層４，６と、チャンネル層５Ａとそれぞれの磁化自由層４，６との間に介在するトンネル障壁１９Ｂ，１９Ｃとを備えている。それぞれの磁化自由層４，６とチャンネル層５Ａの間の電圧が、それぞれ検出される。各フリー層４，６とチャンネル層５Ａとの間にトンネル障壁１９Ｂ，１９Ｃを介在させておくことで、各フリー層４，６とチャンネル層１９Ｂ，１９Ｃとの間の出力電圧のバラつきを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、磁気ノイズが低く、高いＳＮ比を有する磁気再生ヘッドおよび高密度の磁気記録再生装置を提供することにある。
【解決手段】磁気再生ヘッドにおいて、第一の非磁性導電体１０１から固定層１０５を介して第二の非磁性導電体１０３へ電流を流しながら、第一の非磁性導電体１０１と第一の自由層１０２との間の電圧と、第二の非磁性導電体１０３と第二の自由層１０４との間の電圧との差分から記録媒体１７０４の漏洩磁気を検出する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子全体の電力消費を低減させる。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁気異方性を示し、その磁化が少なくとも第一及び第二の方向の間で反転できるように構成された強磁性層と、強磁性領域に容量性結合されたゲートとを含んでいる。磁気抵抗素子を動作させる方法は、第一及び第二の方向の間で磁化を反転させるために、強磁性領域の磁気異方性の方向を変化させるように、強磁性領域に電場パルスを印加するステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】スピン電界効果論理素子を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上でスピン分極された電子を選択的に通過させる磁性物質のチャンネルと、チャンネル上のソースと、ソースからの電子が出て行くドレイン並びに出力電極と具備するスピン電界効果論理素子である。該ゲート電極は、ソースからチャンネルに注入される電子を選択的に通過させるために、チャンネルの磁化状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】ノイズ特性の向上可能なスピン高周波ミキサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】局部発振信号を入力してスピン流を生成するスピン流生成部３０と、高周波信号及びスピン流生成部３０によって生成されたスピン流を入力しミキシング信号を生成するＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子５０と、ＴＭＲ素子から生成されたミキシング信号を取り出す出力部６０と、を備え、局部発振信号の電流によるショットノイズをほとんど含まずパッシブミキサにおけるショットノイズの発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】電位出力を高くすることが可能な磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】磁気センサー１００Ａは、チャンネル層５と、チャンネル層５の第一の部分上に設けられ、外部磁界を検出する磁化自由層６と、チャンネル層５の第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた上部内側磁化固定層１８Ａと、チャンネル層５を間に挟んで上部内側磁化固定層１８Ａと対向する下部内側磁化固定層１２と、を備え、上部内側磁化固定層１８Ａ及び下部内側磁化固定層１２の磁化の向きが互いに平行または反平行となるように固定されている。 （もっと読む）

【課題】電位出力を高くすることが可能な磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】チャンネル層５と、チャンネル層５の第一の部分上に設けられ、外部磁界を検出する磁化自由層６と、チャンネル層５の第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた磁化固定層７と、を備え、チャンネル層５と対向する面における磁化固定層７の断面積が、チャンネル層５と対向する面における磁化自由層６の断面積よりも大きいことを特徴とする磁気センサー。 （もっと読む）

【課題】低電圧のスピン注入電流により高抵抗状態から低抵抗状態へ書き換えることができるスピンＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】ｐウエル２にはソース領域３及びドレイン領域４が形成されている。ソース領域３上には強磁性体層６が形成され、ドレイン領域４上には強磁性体層９が形成されている。強磁性体層９上には、非磁性体層１０、第３強磁性体層１１が形成されている。ｐウエル２上にはオーミック電極１３が形成されている。強磁性体層６と強磁性体層１１は磁化が不変とされ、強磁性体層９は磁化が可変とされる。さらに、強磁性体層１１とオーミック電極１３との間には、強磁性体層９を介して電流が流される。 （もっと読む）

【課題】スピンホール効果により実効的に有用な強度の局所磁界を発生させる。
【解決手段】非磁性体からなるスピンホール効果層１１を備え、湾曲部（Ｃ字状１１３あるいはＳ字状２１５などの湾曲した電流経路）を有するスピンホール効果素子１１３、２１５と、前記スピンホール効果素子１１３、２１５に電流を流す一対の電極端子２１，２２と、前記一対の電極端子２１，２２に接続された電源７０とを有し、Ｃ字状あるいはＳ字状などの湾曲した電流経路を有するスピンホール効果素子を用いることにより、偏極スピン電子５２，５３を湾曲形状の湾曲内側の微小領域に蓄積させて強度の大きな局所磁界５０，５１を発生させる。 （もっと読む）

【課題】磁性層としてフルホイスラー合金を用いても、可及的に高くかつ温度変化の影響を可及的に受けない磁気抵抗変化率を得ることを可能にする。
【解決手段】半導体基板上に離間して設けられたソース部およびドレイン部であって、前記ソース部およびドレイン部はそれぞれ、ＣｏおよびＦｅを含む合金からなる第１強磁性層１５ａ_１、１５ｂ_１と、前記第１強磁性層上に形成されたＣｏおよびＭｎを含むフルホイスラー合金からなる第２強磁性層１５ａ_２、１５ｂ_２とを有する強磁性積層膜を含む、ソース部およびドレイン部１５ａ、１５ｂと、前記ソース部と前記ドレイン部との間の前記半導体基板上に設けられるゲート絶縁膜９と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極１０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】製造上のコストが増大するのを可及的に抑制することができるとともに、スピン注入書き込みを行うことができかつ読み出しを行うことができるスピンＭＯＳＦＥＴを提供することを可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体領域３を有する基板２と、半導体領域上に離間して設けられた第１および第２強磁性積層膜１５ａ、１５ｂであって、第１および第２強磁性積層膜はそれぞれ、第１強磁性層、非磁性層、および第２強磁性層がこの順序で積層された積層構造を有し、第２強磁性積層膜は第１強磁性積層膜の膜面面積と異なる膜面面積を有する、第１および第２強磁性積層膜と、第１強磁性積層膜と前記第２強磁性積層膜との間の半導体領域上に設けられるゲート絶縁膜９とゲート絶縁膜上に設けられるゲート１０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】磁化自由層へスピン流を注入し易くすることにより、出力効率を向上させることが可能な磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】磁気センサー１００ａにおいて、非磁性導電層５と、非磁性導電層５の第一の部分上に設けられた磁化自由層６と、非磁性導電層５の第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた磁化固定層７と、非磁性導電層５及び磁化自由層６を間に挟んで対向する上部第一磁気シールド層１１及び下部第一磁気シールド層１と、非磁性導電層５及び磁化固定層７を間に挟んで対向する上部第二磁気シールド層１２及び下部第二磁気シールド層２と、下部第二磁気シールド層２と非磁性導電層５との間に設けられた第一電気絶縁層２１と、下部第二磁気シールド層２と非磁性導電層５とを電気的に接続する第一電極層４と、を備え、非磁性導電層５を間に介して、磁化固定層７と第一電極層４とが互いに対向していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ハーフメタルと同じ機能を室温で実現するスピンＦＥＴを提供する。
【解決手段】 半導体基板１は（１００）Ｓｉ、トンネル障壁層４，６は（１００）ＭｇＯ、ソース電極５及びドレイン電極７はそれぞれ（１００）Ｃｏ_ＸＦｅ_１−Ｘ（０≦Ｘ≦１）から構成する。ソース電極５の磁化の向きＭＳは固定されており、ドレイン電極７の磁化の向きＭＤは外部から変更することができる。この素子は、ハーフメタルを用いてないにも拘らず、室温でスピンＦＥＴを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 本件は、強磁性材料からなり、磁壁の有無による情報を記憶するとともに移動電流の供給を受けて磁壁を移動させるメモリ線を備えた磁壁移動型ストレージデバイスに関し、低コストの読出方式を採用する。
【解決手段】 メモリ線上の情報読出点でメモリ線と交差する読出線を形成し、メモリ線に形成されている磁壁が情報読出点を通過する際に生じる誘導起電力をピックアップすることにより、メモリ線の、磁壁の有無による情報を読み出す。 （もっと読む）

【課題】電流注入位置や出力電圧検出位置の設計の自由度が高い磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】磁気センサーにおいて、基体１と、基体１上に設けられた非磁性導電層２と、非磁性導電層２の第一の部分及び基体１上に亘って設けられた磁化固定層３と、非磁性導電層２の第一の部分とは異なる第二の部分及び基体１上に亘って設けられた磁化自由層４と、磁化固定層３及び磁化自由層４のうちの少なくとも一方の層における非磁性導電層２と重なる部分上に設けられ、且つ一方の層の電気抵抗率よりも低い電気抵抗率を有する非磁性低抵抗層１０ａ，１０ｂと、を備える。 （もっと読む）