【課題】 高い増幅率で駆動可能なスピントルクトランジスタを提供する。
【解決手段】 スピントルクトランジスタ１０は、第１非磁性導体１に電気的に接続された入力端子ＩＴ及び出力端子ＯＴを備えるスピントルクトランジスタ１０において、第１非磁性導体１における入力端子ＩＴと出力端子ＯＴとの間の電子通過領域に取り付けられ、磁化の向きが制御される第１被制御用磁性体ＧＭ１を有するゲート手段ＧＭと、入力端子ＩＴと第１非磁性導体１との間に介在し、一方向（＋Ｚ）の磁化の向きを有する入力側磁性体ＦＩと、入力側磁性体ＦＩと第１非磁性導体１との間に介在する第１トンネルバリア層ＴＩと、出力端子と第１非磁性導体との間に介在し、上記一方向（＋Ｚ）とは逆の磁化の向き（−Ｚ）の成分を有する出力側磁性体ＦＯとを備えている。 （もっと読む）

【解決課題】 スピン偏極電流が非磁性層において電流に変換される機構を解明し、この機構を利用した、強磁性層／非磁性層／強磁性層の積層構造を有するバッテリー装置、ならびに、非磁性層に印加した電流がスピン偏極電流に変換される現象を利用した磁化制御方法及びマイクロ波発信装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも第１強磁性金属層１３と、非磁性金属層１２と、第２強磁性金属層１１とをこの順に備え、前記非磁性金属層１２の対向する端面２３から電流を取り出すための対向電極を備えたバッテリーセルであって、前記第１強磁性金属層および第２強磁性金属層の各層の厚さが、１ｎｍ〜２００ｎｍであり、前記第１強磁性金属層および第２強磁性金属層の磁化方向１４が、磁場２１を印加することによりともに変化するバッテリーセルである。 （もっと読む）

【課題】増幅機能を有するスピントランジスタを提供する。
【解決手段】強磁性を示し、内部に磁壁８を有する強磁性フリー層（軟磁性層）２と、強磁性フリー層２上に設けられた絶縁障壁層３と、強磁性を示し、絶縁障壁層３上に設けられた強磁性固定層（硬磁性層）４と、強磁性固定層４上に設けられた第１電極５と、強磁性フリー層２上に設けられた第２電極６及び第３電極７とを備え、絶縁障壁層３及び強磁性固定層４からなる積層体は、強磁性フリー層２上に島状に設けられ、第２電極６及び第３電極７は、積層体を挟み込むように設けられる。 （もっと読む）

【課題】低電流密度でスピン反転し、かつスピン反転による出力特性が大きなスピンＭＯＳＦＥＴを提供することを可能にする。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板上に離間して設けられるソース・ドレインの一方となる磁化の向きが固着された第１強磁性層を含む第１磁性膜６と、ソース・ドレインの他方となる磁化の向きが可変の磁化自由層８_１およびこの磁化自由層上に設けられたトンネル絶縁層ならびにこのトンネル絶縁層上に設けられ磁化の向きが固着された磁化固着層を有する第２磁性膜８と、第１および第２磁性膜の間の半導体基板上に少なくとも設けられたゲート絶縁膜１０と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極１２と、備えている。 （もっと読む）

【課題】スピン注入書き込み時の電流値が低い磁気抵抗効果素子を提案する。
【解決手段】本発明の例に関わるスピンメモリは、磁化方向が固着される第１強磁性層、磁化方向が変化する第２強磁性層、及び、これらの間の第１非磁性層を有する磁気抵抗効果素子17と、第２強磁性層の磁化困難軸に対して、45°以上、90°以下の方向に延び、長手方向の一端で磁気抵抗効果素子17を挟み込む下部電極16及び上部電極18と、下部電極16の長手方向の他端に接続されるスイッチ素子14と、上部電極18の長手方向の他端に接続されるビット線20とを備え、書き込みは、第２強磁性層にスピン偏極した電子を流すと共に、下部電極16及び上部電極18から第２強磁性層に磁界を与えることにより行う。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路構成によって回路の動作速度を調節することが可能である半導体回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体回路は、電源電圧生成回路１０５と、この電源電圧生成回路１０５に接続され電子のスピンの自由度を利用し、ソース及びドレインのスピンの状態を変化させることによってドレイン電流値を変化させるトランジスタを有する第１の回路１００と、第１の回路１００に接続され主要機能を有する主要機能回路１０６と、を有し、ドレイン電流値によって主要機能回路１０６の動作・非動作を選択する。 （もっと読む）

【課題】磁壁の移動を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の磁区を有する磁性ワイヤーを備える半導体装置において、磁性ワイヤーは、パルス磁場及びパルス電流のうち何れか一つにより移動する磁壁を備えてノッチフリーであることを特徴とする半導体装置である。これにより、該半導体装置の磁性ワイヤーは、パルス磁場またはパルス電流の強度及び幅によって移動距離が制御される磁壁を備えるので、磁壁の移動の制御のための別途のノッチが不要である。 （もっと読む）

【課題】磁性体の磁化状態を制御することのできる技術を提供する。
【解決手段】微小磁性体と超伝導体とを近接して配置することによって、微小磁性体から生じる磁場を超伝導体に渦糸として侵入させる。そして、超伝導体に電流を流すことによって、渦糸を移動させ微小磁性体の磁化状態を制御する。微小磁性体の形状としては細線形状、リング形状、ディスク形状などを採用することができる。微小磁性体が細線形状およびリング形状であり多磁区構造を取る場合は、電流供給により磁壁の位置を制御する。微小磁性体がディスク形状であり単一磁区構造の場合は、電流供給により磁化の向きを制御する。 （もっと読む）

【課題】磁壁の移動を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】磁壁を移動させうる磁性物質膜を備える半導体装置であって、磁性物質膜は、ダンピング定数が０.０１５〜０.１であることを特徴とする半導体装置である。前記磁性物質膜は、磁性物質内に非磁性物質が含まれた合金である。前記非磁性物質は、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｂ、Ｚｎ及びＡｇからなる群から選択される少なくとも何れか一つである。 （もっと読む）

【課題】出力が高く高記録密度磁気記録再生に最適な磁気抵抗効果素子を備える磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】第一の電極層１０３の一部に、第一の絶縁層１０６を介して接する第一の強磁性電極層１０１と、第一の電極層の異なる部分に第二の絶縁層２０５を介して接する第二の強磁性電極層１０２とからなる強磁性電極対を備え、第一の電極層１０３と第一の強磁性層１０１は電流供給回路の一部であり、かつ、第一の電極層１０３と、第一の絶縁層が接していない領域において第二の絶縁層２０５を介して接する第二の強磁性層１０１は電圧測定回路の一部をなす構造を有し、第二の強磁性層と第二の絶縁層との交差領域の界面スピン分極率が、第一の強磁性層と第一の絶縁層との交差領域の界面スピン分極率より大きい。 （もっと読む）

【課題】書き込みに要する電流密度が小さく、かつ単純な素子構造を有する磁壁移動検出端子を有する磁壁移動型磁気記録素子を提供すること。
【解決手段】本素子は、Ｓｉ基板上に成膜された強磁性細線１と、強磁性細線１の両端に接触した電流電極２ａ、２ｂと、電流電極２ａ、２ｂと協働して強磁性細線１の一部分の電圧を測定できるように強磁性細線１および電流電極２ａ、２ｂに接合された電圧電極４ａ,４ｂとを備える。素子作成時には、強磁性細線１内に磁壁３を誘起する。強磁性細線
１の上の面の、電圧電極４ａと４ｂとの間、および電流電極２ａと電圧電極４ａとの間に、イオンビームエッチング等の手段を用いて、窪み５を作成する。読み出し電流８を印加した際、電圧電極４ａと電圧電極４ｂとの間の電圧を測定して、電圧電極４ａと電圧電極４ｂとの間に磁壁３が存在するか否かを調べることにより、記録データを識別することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】セルサイズの負担が小さいメモリ素子を具現して集積度を向上させることができる。ナノ磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】ナノ磁気メモリ素子のナノワイヤを経て第１電極から第２電極に流れるワード線電流によって磁性ナノドットが摂動された後に再配列される過程で形成される誘導電流の大きさを制御し、前記ナノ磁気メモリセルに複数のデータを書き込み／読み出すことを特徴とするナノ磁気メモリ素子。 （もっと読む）

【課題】高速性及び記憶保持特性に優れた半導体記憶装置及びその製造方法並びにそのデータ書込み方法及びデータ読出し方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置１は、半導体基板２２上に形成された下部電極５５と、下部電極５５上に形成され、電気磁気効果を示す電気磁気効果層５３と、電気磁気効果層５３上に形成された上部電極５１と、上部／下部電極５１、５５間に電圧を印加して所定方向に揃えられた電気磁気効果層５３の磁化方向に基づいて残留磁化の方向が決まる磁気記憶層５７とを有している。 （もっと読む）

【課題】高周波キャリア型薄膜磁界センサの高感度化
【解決手段】（ａ）は伝送線路型の高周波キャリア型薄膜磁界センサ２５０の構成を示す。グランドプレーン２５６上に高周波を通電させる伝送線路２５４を構成する。その上に磁性薄膜２５２を載せることにより、直接磁性薄膜２５２に通電して起こる磁化の飽和を回避しながら、表皮効果を利用した磁気検出が行える。この伝送線路２５４は、その形状で定まる共振の周波数がある。伝送線路２５４を流す搬送波電流の周波数を共振周波数とすることにより、センサをより高感度とすることができる。（ｂ）は、このセンサ２５０を用いた測定系の構成を示す。制御解析装置２１０には、Ｘ−Ｙステージ２３０の制御系も組み込まれている。また、制御回析装置２１０は制御解析用コンピュータ２２０に接続され、全体の制御を行うとともに、測定結果の解析・表示等も行う。 （もっと読む）

【課題】高い周波数領域での検波や整流が可能な、高温でも安定して動作する、検波素子等に応用可能な細線を提供する。
【解決手段】本発明の細線は、導電性を有する強磁性体から成り、厚みが供給される高周波電力に応じたスキンデプスの10倍以下の細線である。細線内の磁気モーメントが不揃いである状態とし、該細線に所定の高周波電力を供給すると、該高周波電力の周波数が所定の共鳴周波数となった時に直流電圧が出力される。このとき、細線のインピーダンスも変化するため、本発明の強磁性細線を伝送路や伝送フィルタとしての利用も可能である。検波素子としての利用に限らず、RFIDのタグ、伝送路、伝送フィルタ、磁場センサ等に直ちに応用可能である。また、極めて単純な構造であるため、製造コストも低廉となり、動作の安定性も高い。 （もっと読む）

【課題】メタルラインを利用し、情報の書き込みと読み取りとの機能を具現した磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上で磁化方向がスイッチングされる連続したマグネチックドメインＤ１〜Ｄ８が形成され、並んで配置された複数の第１メタルライン１００と、第１メタルライン１００と直交して配置され、第１メタルライン１００を覆うトンネルを形成する複数の第２メタルライン２００と、第１メタルライン１００に連結され、マグネチックドメインＤ１〜Ｄ８をドラッギングする電流を供給する第１入力部５００と、第２メタルライン２００に連結され、トンネル内のマグネチックドメインＤ１〜Ｄ８の磁化方向をスイッチングする電流を印加する第２入力部６００と、第２メタルライン２００に連結され、トンネルを通過するマグネチックドメインウォールによる起電力をセンシングするセンシング部７００とを具備する磁気メモリ素子である。 （もっと読む）

【課題】１つの部品で複数の方向の磁場強度をそれぞれ独立して同時に検出することが可能な磁気センサおよびこれを用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】磁気センサ１０は、１枚の基板１１と、この基板１１上に設けられた４つの磁気インピーダンス素子１２とを有する。磁気インピーダンス素子１２は、短冊形状に形成された磁性体からなる。こうした４つの磁気インピーダンス素子１２のうち、２つの磁気インピーダンス素子１２ａ，１２ｂは、短冊形状の長手方向Ｌが第１の方向、例えば図１中のＸ軸方向を向いて配置される。また、他の２つの磁気インピーダンス素子１２ｃ，１２ｄは、短冊形状の長手方向Ｌが第１の方向と直交する第２の方向、例えば図１中のＹ軸方向を向いて配置される。 （もっと読む）

【課題】スピンＦＥＴ／スピンメモリの低消費電力と高信頼性を実現する。
【解決手段】本発明の例に関わるスピンＦＥＴは、磁化方向が固定される磁気固着層１２と、磁化方向が変化する磁気フリー層１３と、磁気固着層１２と磁気フリー層１３との間のチャネルと、チャネル上にゲート絶縁層１８を介して配置されるゲート電極１９と、磁気フリー層１３上に配置され、電場により磁化方向が変化する磁性層１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】電波復調段において信号損失が少なく高精度で、製造過程において周波数選択度Ｑの微調整の必要がなく、搭載機器の材質に左右されない、高感度な電波受信装置および電波修正時計を提供する。
【解決手段】電波受信装置１０は、パルス発生部１と、ＭＩ素子２０と集磁部２１とを備え外部電波を磁界の変化として検出し電気的に応答するアンテナ部２と、アンテナ部２の出力を増幅する増幅部３０と、アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部３１と、所望の周波数成分を取り出すデジタルフィルタ部３とを有する。電波受信装置１０の後段には、デジタルフィルタ部３の出力に基づいて腕時計５の長針５Ａと短針５Ｂを制御するための時計機能部９が設置される。時計機能部９は、デジタル信号を時刻情報に応じた出力信号に変換処理する信号処理部４と、出力信号に基づいて長針５Ａ、短針５Ｂを駆動する針駆動部８とを有する。 （もっと読む）

強いスピン波を発生させる方法、スピン波と電磁気波とを同時に発生させる方法、スピン波を利用した論理演算素子及びこれを応用した多様なスピン波素子、そしてスピン波の位相制御方法を提供する。本発明によるスピン波発生方法では、磁気渦巻き、磁気反渦巻きスピン構造が単独あるいは共同で存在する磁性体に多様な形態のエネルギーを供給して強いスピン波を発生させる。磁気渦巻きまたは磁気反渦巻きを形成できるようにパターニングされた磁性体にエネルギーを印加すれば、磁気渦巻き中心部に強いトルクを誘発して、その渦巻き中心部から強いスピン波を発生させうる。このように発生させたスピン波は、大きい振幅と短い波長、高い周波数を持つ。本発明によるスピン波を利用した論理演算素子及びこれを応用したスピン波素子は、本発明によるスピン波発生方法によって発生させたスピン波の周波数、波長、振幅、位相などの波動因子を制御し、反射、屈折、透過、トンネリング、重畳、干渉、回折などの波動性質を利用することである。本発明によれば、超高速情報処理の可能な論理演算スピン波素子及び光学で波動を利用したいろいろな形態の光学素子を、スピン波を利用して再構成できる。

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