【課題】記録信号品質を向上し、記録密度の向上を図ることが可能な磁気ヘッド、およびこれを備えたディスク装置を提供する。
【解決手段】ディスク装置の磁気ヘッドは、記録媒体の記録層に対し垂直な記録磁界を印加する主磁極６６と、主磁極のトレーリング側にライトギャップを置いて対向し、主磁極からの磁束を還流させて主磁極とともに磁気回路を形成するリターン磁極６８と、主磁極およびリターン磁極が形成する磁気回路に磁束を励起するコイルと、主磁極の記録媒体側の端部とリターン磁極とが対向する面の間に設けられ、高周波磁界を発生するスピントルク発振子７４と、リターン磁極および主磁極を通してスピントルク発振子に電流を流す電流源と、リターン磁極および主磁極の少なくとも一方に設けられ、リターン磁極および主磁極の少なくとも一方のスピントルク素子と対向する対向面からこの対向面と交差する方向に延出した非磁性層８０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、スピントルク発振のための臨界電流密度が低下したスピントルク発振子を備える磁気記録ヘッドを提供することである。
【解決手段】磁気記録媒体に記録磁界を発生させるための主磁極と、前記主磁極と対を成すリターンヨークと、前記主磁極と前記リターンヨークとの間に積層して設けられた、第１磁性体層、第２磁性体層および第３磁性体層を含むスピントルク発振子とを含む磁気記録ヘッドであって、前記第３磁性体層はＦｅ_４Ｎから成り、前記第１磁性体層から前記第３磁性体層の方向に電流を通電するように構成されている磁気記録ヘッドが提供される。 （もっと読む）

【課題】
マイクロ波アシスト記録を行う磁気ヘッドでは、磁化高速回転体（Field Generation Layer：ＦＧＬ）の飽和磁化の大きさが大きくなるに従って、端部と中央部の反磁界の大きさの違いが大きくなるため、マイクロ波を発生させるＦＧＬは、単磁区状態で発振しない。
【解決手段】
マイクロ波アシスト記録の磁気ヘッドに用いるスピントルクオシレータは，固定層、非磁性中間層、交流磁界発生層をそれぞれ少なくとも一つ以上有しており、交流磁界発生層の膜中央部における飽和磁化よりも浮上面対抗面方向の端部以外の膜の端部における飽和磁化の方を小さくする構造を設ける。 （もっと読む）

【課題】高出力と省スペース性の両立を容易に実現することができる熱電変換素子を提供する。
【解決手段】本発明における熱電変換素子は、少なくとも１つの磁化方向を有する磁性体と、前記磁化方向に対して略平行な面に配設され、スピン軌道相互作用を有する材料を含む複数の起電体とで構成され、前記複数の起電体同士の起電力が加算されるように直列に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来物質固有の特性として取り扱われてきたスピン偏極率を制御する手法とその素子構造を提案し、従来にない新しい機能性デバイスの基本要素技術を提供する。
【解決手段】強誘電体（Ａ）層上に、該強誘電体（Ａ）と格子不整合率が８％以下である強磁性体（Ｂ）層をヘテロ接合してなり、該強誘電体（Ａ）に電圧を印加させて、強誘電体（Ａ）と強磁性体（Ｂ）の接合界面に生じる歪みにより、強磁性体（Ｂ）のスピン偏極率を変化させることを特徴とする強磁性体のスピン偏極率制御方法。 （もっと読む）

【課題】 電流−スピン流変換効率が高く、高強度のスピン流が得られるスピントロニクス装置を提供する。
【解決手段】 互いに平行に対向する第１端面及び第２端面を有し、電子と正孔とが同程度のキャリア密度と移動度を有し、正常及び異常ホール係数が共にゼロである強磁性の両極性伝導金属からなるスピン流生成領域３０と、第１端面にオーミック接続し、電子をスピン流生成領域３０に注入する第１主電極２０と、第２端面にオーミック接続し、正孔をスピン流生成領域３０に注入する第２主電極４０とを備える。第１端面に垂直な面に直交する方向の外部磁場にもとづく正常ホール効果に、磁場誘起磁化もしくは自発磁化にもとづく異常ホール効果が加わることによって、電子と正孔とを同一方向に輸送されるように偏向して、電子と正孔の電荷を互いに相殺し、スピン流生成領域３０における異常ホール効果によってスピン流を得る。 （もっと読む）

【課題】スピントランジスタを用いた論理演算を可能とする集積回路を提供する。
【解決手段】実施形態の集積回路１は、磁化方向が互いに同じ方向となるＶ_ｌｏｗノード２２と出力ノード２３を有する第１のスピントランジスタ２と、磁化方向が互いに相反する方向となるＶ_ｈｉｇｈノード３２と出力ノード３３を有する第２のスピントランジスタ３と、を直列に接続した回路を含む。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能な構造において、量産に適しなおかつ出力を向上することが可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ１は、チャンネル７中に第一領域、第二領域、及び、第三領域を有し、第一方向に延びる主チャンネル層７ａと、第一領域上に積層された第一強磁性層１２Ａと、第二領域上に積層された第二強磁性層１２Ｂと、主チャンネル層７ａにおける第一領域と第二領域との間の第三領域の側面から主チャンネル層７ａの厚み方向と垂直な方向に突出する突出チャンネル層７ｂと、突出チャンネル層７ｂの厚み方向の両側、及び、突出チャンネル層７ｂの第一方向の両側を覆い、かつ、突出チャンネル層７ｂの突出方向の端面７ｃを露出させる磁気シールドＳとを備える。 （もっと読む）

【課題】スピントランジスタを用いた論理演算を可能とする集積回路を提供する。
【解決手段】実施形態の集積回路１は、第１のチャネル長Ｌ_１を有する第１のスピントランジスタ２と、第１のチャネル長Ｌ_１とは異なる第２のチャネル長Ｌ_２を有する第２のスピントランジスタ３と、を直列に接続した回路を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、スピン波の群速度が速いスピン波装置を提供することができる。
【解決手段】 スピン波装置は、金属層と、前記金属層上に設けられ磁化が一方向に向いている磁化固着層と、前記磁化固着層上に設けられた非磁性層と、前記非磁性層上に設けられ磁化の向きが可変の磁化自由層と、前記磁化自由層の上面の一部である第１の領域上に設けられた反強磁性層と、前記第１の領域と離れ、前記磁化自由層の上面の一部である第２の領域上に設けられた第一の電極と、前記第１の領域と前記第２の領域との間であって前記磁化自由層の上面一部である第３の領域上に設けられた第１の絶縁層と、前記反強磁性層上に設けられた第２の電極とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、スピン波素子のスピン波の集積化が行えて、スピン波素子が発生するスピン波の相互干渉を抑制することができるスピン波素子を提供することができる。
【解決手段】 基板と、前記基板上に設けられた電極層と、前記電極層上に設けられ、磁化が積層方向又は積層方向に対して垂直方向に向いている第１の強磁性層を含む多層膜と、前記多層膜上の第1の領域に設けられた第２の強磁性層と、前記第２の強磁性層上に設けられた中間層と、前記中間層上に設けられた第３の強磁性層と、前記多層膜上の前記第1の領域と離間して設けられた前記多層膜上の第2の領域に設けられた検出部と、前記第３の強磁性層上に設けられた第１の電極と、前記検出部上に設けられた第２の電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】強磁性体をＣＮＴに十分に内包させる。
【解決手段】炭素の供給源である液体又は気体のアルコール５中で基板７の表面に配置された陰極の電極１１により前記基板７との間に強磁性体の金属板１５を挟み、前記金属板１５が備える尖端部１９を前記陰極に対し間隔を置いて前記基板上に配置された陽極に指向させ、前記電極９，１１間で前記基板７を介して通電すると共に前記金属板１５の尖端部１９に可視光又は紫外光を照射し、棒状の磁性体金属２５を内包したＣＮＴ２７を析出させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】室温でのシリコンチャンネル層におけるスピンの注入を可能とするスピン注入電極構造、スピン伝導素子又はスピン伝導デバイスの提供。
【解決手段】スピン注入電極構造ＩＥは、シリコンチャンネル層１２と、シリコンチャンネル層１２の第一部分上に設けられた第一酸化マグネシウム膜１３Ａと、第一酸化マグネシウム膜１３Ａ上に設けられた第一強磁性層１４Ａと、を備える。第一酸化マグネシウム膜１３Ａには、シリコンチャンネル層１２及び第一強磁性層１４Ａの両方と格子整合している第一格子整合部分Ｐが部分的に存在している。 （もっと読む）

【課題】スピン注入源におけるスピン注入効率を向上させる。
【解決手段】スピン注入源は、非磁性導電体、ＭｇＯ膜、強磁性体から構成され、強磁性体から非磁性導電体にスピンを注入する。ＭｇＯ膜が、３００℃〜５００℃で熱処理されたものである。熱処理時間は３０〜６０分間であることが好ましい。熱処理により酸素欠損等が増加し、ＭｇＯ膜の電気抵抗が低下する。 （もっと読む）

【課題】大気に曝した半導体層の表面上にトンネル絶縁膜を形成した場合であっても、半導体層にスピン偏極率の大きなキャリアを注入できるトンネル接合素子を提供すること。
【解決手段】半導体層１０の表面を大気に曝す工程と、前記半導体層１０の前記表面を還元性ガスに曝す工程と、前記表面を還元性ガスに曝す工程の後前記半導体層１０の前記表面を大気に曝すことなく、前記半導体層１０の前記表面上にトンネル絶縁膜１２を形成する工程と、前記トンネル絶縁膜１２上に強磁性体層１４を形成する工程と、を含むトンネル接合素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スピンホール効果または逆スピンホール効果を利用して電流とスピン流の間の変換を行う電流−スピン流変換素子であって、変換効率の高い電流−スピン流変換素子及び該素子を用いた装置を提供する。
【解決手段】本発明の電流−スピン流変換素子は、５ｄ遷移金属酸化物のスピンホール効果または逆スピンホール効果を利用して電流とスピン流の間の変換を行う。また、本発明のスピン蓄積装置は、注入されるスピンを蓄積する非磁性体と、前記非磁性体内にスピンを注入する注入手段と、を有するスピン蓄積装置であって、前記注入手段は、前記非磁性体上に設けられた、請求項１または２に記載の電流−スピン流変換素子と、前記電流−スピン流変換素子に、スピンホール効果によって前記非磁性体に向かうスピン流が生成されるように、電流を流す電源と、を有する。 （もっと読む）

【課題】スピン流熱電変換素子の出力及び熱電変換効率の増大を図る。
【解決手段】素子の基本構造を積層フェリ構造０４とし、その積層面にＰｔなどのスピン軌道相互作用の大きな非磁性導電層０２が接合された構造とする。非磁性導電層の積層フェリ構造の積層方向に生じた電圧差を電圧計０５で検出する。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、高出力化の可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサー１は、半導体からなるチャンネル１１と、チャンネル１１を間に挟んで対向配置された第一絶縁膜２１及び金属体１３と、第一絶縁膜２１の上に設けられた強磁性体１２と、金属体１３に接続された第一参照電極３１と、金属体１３に接続された第二参照電極３２と、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル１１と磁気シールドＳ１との間に設けられた第二絶縁膜２２と、を備え、磁気シールドＳ１は、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スピン偏極装置と他の素子の電気的な接続が、より容易に行えるようにする
【解決手段】第３半導体層１０５の上に形成されて第２半導体層１０４に電界を印加する電界印加電極１０６と、基板１０１の平面方向に電界印加電極１０６を挟んで配置されて第２半導体層１０４に接続する第１オーミック電極１０７および第２オーミック電極１０８とを備える。また、第１オーミック電極１０７は、電界印加電極１０６との間の第２半導体層１０４に電界印加電極１０６による電界が印加されない領域が形成される範囲に電界印加電極１０６と離間して形成されている。また、第２半導体層１０４には、電界が印加されると、第２半導体層１０４の層厚方向の中央部に両脇より伝導帯端のポテンシャルが高い領域が形成される構成となっている。 （もっと読む）

【課題】安定かつ大きなマイクロ波磁界を発生するマイクロ波発振器、磁気記録ヘッドおよび磁気記録装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波発振器１０は、外部磁界に応じてマイクロ波磁界を発生する発振素子１１と、発振素子１１の一の面に配置された第１電極１３と、発振素子１１の一の面と対向する他の面に配置された第２電極１４とを備え、発振素子１１は、ボルテックス状態の磁区構造を有する磁性層を有し、ボルテックスの中心が移動することなく、第１電極１３および第２電極１４の一方から他方の方向へ注入されたスピン偏極した電子によってマイクロ波磁界を発生する。 （もっと読む）