【課題】効果的・効率的な高周波アシスト磁気記録を可能とする磁気素子、磁気記録ヘッド及びこれを利用した磁気記録装置を提供する。
【解決手段】少なくとも１層の磁性体層を有する第１のスピン発振層と、少なくとも１層の磁性体層を有する第２のスピン発振層と、前記第１のスピン発振層と前記第２のスピン発振層との間に設けられた第１の非磁性体層と、磁化方向が固定された強磁性体を含むスピン偏極層と、前記第１及び第２のスピン発振層と、前記非磁性体層と、前記スピン偏極層と、を有する積層体に電流を通電可能とした一対の電極と、を備えたことを特徴とする磁気素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、交互する異なった材料組成の第一強磁性層と第二強磁性層とを包含する構造を形成する方法に関する。
【解決手段】最初に、少なくとも一つの開孔を有する支持マトリックスと、導電ベース層とを包含する基材が形成される。次いで、少なくとも一つの強磁性金属元素と、さらなる一つ以上の異なった金属元素を包含する電気メッキ液の中で該基材の電気メッキが行われる。交互する高電位と低電位とを有するパルス電流を基材構造の導電ベース層に印加し、これにより、支持マトリックスの開孔中に、交互する異なった材料組成の層を形成する。 （もっと読む）

【課題】磁気インピーダンス効果素子において、漏れ磁場によるバイアス磁界の変動を抑制する。
【解決手段】非磁性基板１１上に形成された硬磁性体膜からなる薄膜磁石１２と、薄膜磁石１２の上を覆う絶縁層１３と、絶縁層１３上に形成された一軸異方性を付与された１個または複数個の長方形状の軟磁性体膜からなる感磁部１４と、感磁部１４の複数個の軟磁性体膜を電気的に接続する導体膜１６を備え、感磁部１４の長手方向において、薄膜磁石１２の両端部は、感磁部１４の両端部の外側に位置し、絶縁層１３は、薄膜磁石１２のそれぞれの端部の上に開口部１３ａを有しており、絶縁層１３の上には、軟磁性体膜からなるヨーク部１５が、絶縁層１３の開口部１３ａを介して、薄膜磁石１２の端部から、感磁部１４の端部近傍に渡り形成されていることを特徴とする磁気インピーダンス効果素子１０。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ及びその製造方法に関して、新たな構造のスピントランジスタ及びその製造方法を提案すること。
【解決手段】磁性体で形成された層を含んでいる第１のソースドレイン層と；前記第１のソースドレイン層上に形成されており、半導体で形成された層を含んでいる、チャネル層と、前記チャネル層上に形成されており、磁性体で形成された層を含んでいる、第２のソースドレイン層と、を含む突起構造と；前記チャネル層の側面に形成されたゲート絶縁膜と；前記ゲート絶縁膜の表面に形成されたゲート電極と；を具備することを特徴とする縦型スピントランジスタ。 （もっと読む）

【課題】メモリセル中に形成された磁壁を移動させ記録状態消去状態を実現する磁壁移動型メモリセルに於いて、情報記録層となる磁性体の磁化を低減させ記録電流、記録磁界の低減をはかることにより、高速・低電流で動作し、高密度なＭＲＡＭ実現可能であることを提供する。
【解決手段】磁壁を生成する磁性層に非金属元素を添加する、あるいは磁性層と非金属元素を周期的あるいは非周期的に積層させた多層構造を作製することにより磁化を低減し、記録電流を抑制する。 （もっと読む）

【課題】磁気インピーダンス効果センサにより導電性物の検知を可能とする検知方法を提供する。
【解決手段】導電性物と磁性物とが共存する対象物（または磁気インピーダンス効果センサ１０）に対し磁気インピーダンス効果センサ１０（または対象物）を移動させつつ磁気インピーダンス効果センサ１０の磁気インピーダンス効果素子に励磁電流を流して磁界を発生させ、導電性物からこの磁界に対する反作用磁界を発生させ、その反作用磁界と磁性物の磁気により励磁電流を変化させ、この変化を検出して導電性物及び磁性物を検知する。 （もっと読む）

【課題】均一なバイアス磁界が得られる磁気インピーダンス効果素子を提供する。
【解決手段】希土類元素を含む硬磁性体粉末またはＢａ、Ｓｒを含有するフェライトからなる硬磁性体粉末を、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、シリコーン樹脂のいずれかあるいはそれらの混合物からなるバインダーポリマーに混合させてなるペースト磁石３と、軟磁性体膜２とを少なくとも備えることを特徴とする磁気インピーダンス効果素子。 （もっと読む）

【課題】導電性物の共存のもとでも磁性物を磁気インピーダンス効果センサにより確実に検知する。
【解決手段】導電性物と磁性物とが共存する対象物（または磁気インピーダンス効果センサ１０）に対し磁気インピーダンス効果センサ１０（または対象物）を移動させつつ磁気インピーダンス効果センサ１０の磁気インピーダンス効果素子に励磁電流を流して磁界を発生させ、導電性物からこの磁界に対する反作用磁界を発生させ、その反作用磁界と磁性物の磁気により励磁電流を変化させ、この変化に応じて出力を発生させ、前記導電性物の反作用磁界に応じた出力分を減算し、磁性物の磁気に応じた出力分のみを検出する。 （もっと読む）

【課題】均一なバイアス磁界が得られる磁気センサ素子を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に形成された硬磁性体膜２と、硬磁性体膜２の上を覆う絶縁層３と、絶縁層３上に形成された軟磁性体膜４とを有し、硬磁性体膜２の着磁方向は、軟磁性体膜４の長手方向に対し角度θを有していることを特徴とする磁気センサ素子。非磁性基板１を上から見た平面視において、前記硬磁性体膜２が形成された領域は、前記軟磁性体膜４が形成された領域よりも広い範囲にあり、かつ前記軟磁性体膜４が形成された領域はすべて前記硬磁性体膜２が形成された領域に重なっていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成の磁気センサを用いて、磁界の大きさ及び符号を測定する。
【解決手段】コイルを用いて所定の大きさ及び方向のバイアス磁界を印加したときの磁気インピーダンス素子の出力を第１の出力Ｚ_１として得る工程と、同じコイルを用いて、前記所定の大きさと同じ大きさで方向が反対のバイアス磁界を印加したときの磁気インピーダンス素子の出力を第２の出力Ｚ_２として得る工程と、第１の出力Ｚ_１と第２の出力Ｚ_２との差分を求め、該差分に基づいて磁気インピーダンス素子の感磁方向に沿う磁界の大きさ及び符号を検出する工程とを行う。これにより、温度や経年変化で磁気インピーダンス素子の出力特性がドリフトしても、外部磁界に対する出力の差分には変化がないため、測定値の精度を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁壁を有する書き込み用磁性層と、書き込み用磁性層上に形成されたものであって、連結用磁性層と情報記憶用磁性層とが順次に積層された積層構造物と、情報記憶用磁性層に記憶された情報を読み取るための読み取り手段と、を備えることを特徴とする磁壁移動を利用した情報記憶装置である。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報保存装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁壁を有する書き込みトラックと、書き込みトラックと連結され、磁壁を有する保存トラックと、保存トラックに記録されたデータを読み取るための読み取り手段とを備え、書き込みトラックと保存トラックとの間の連結部の幅は、書き込みトラックから保存トラックの方に行くほど狭くなることを特徴とする情報保存装置である。 （もっと読む）

【課題】 論理回路への応用が可能なスピントランジスタを提供する。
【解決手段】 逆スピン注入部Ｒを介して、ソースＳから注入された電子ｅｓ１のスピンとは逆向きのスピンの電子ｅｓ２を半導体ＳＭ内に注入すると、この逆向きスピンは、半導体ＳＭとドレインＤとの間のトンネル障壁によってドレインＤ内へは流れない。しかしながら、半導体ＳＭ内への注入された逆向きスピンの電子ｅｓ２は、電荷を有しているので、半導体ＳＭの電位が低下し、ソースＳと半導体ＳＭとの間のショットキ接触ＳＪによって形成されたポテンシャル障壁ＰＢの厚みが増加し、ソースＳから半導体ＳＭ内に電子が流れ込みにくくなる。すなわち、ゲート電極ＧＥへの印加電位と、逆スピン注入部Ｒから注入される逆向きスピン量の双方の入力によって、ドレインＤから出力される電子量が変化する。したがって、このスピントランジスタ１は、多入力の論理回路に利用することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気インピーダンス効果センサの検出感度の向上、検出領域の拡大を図る。
【解決手段】磁気インピーダンス効果素子１に鉄芯１０３が磁気ループ回路を構成するように設けられ、該鉄芯に負帰還用コイル６とバイアス磁界用コイル７とが巻装されてなるコイル付き磁気インピーダンス効果素子１を複数箇、磁気インピーダンス効果素子１，１を縦列に、しかも磁気インピーダンス効果素子１の感磁軸方向の相互間隔を磁気インピーダンス効果素子１の長さよりも短くして配設した。 （もっと読む）

【課題】 半導体と強磁性体の接合面を通過させることなく、電荷にスピン情報を伝達することができ、スピン伝達効果が非常に高いトランジスタを提供する。
【解決手段】 本発明は、チャネル層を有する半導体基板部と、上記基板部上に上記チャネルの長さ方向に沿って所定の間隔に離隔配置された第１電極及び第２電極と、上記第１電極と第２電極との間に上記チャネルの長さ方向に沿って所定の間隔に離隔配置され磁化された強磁性体からなるソース及びドレインと、上記ソースとドレインとの間の上記基板部上に形成され上記チャネルを通過する電子のスピン方向を調節するゲートとを含み、上記チャネル層を通る電子のスピンは上記ソース下部で上記ソースの漏れ磁場により整列され、上記ドレイン下部で上記ドレインの漏れ磁場によりフィルタリングされる。 （もっと読む）

【課題】 実用的な電流変化率を得ることが可能なスピントランジスタを提供する。
【解決手段】 スピントランジスタ１は、強磁性体からなるソースＳと、強磁性体からなるドレインＤと、ソースＳ及びドレインＤが設けられ、ソースＳにショットキ接触した半導体ＳＭと、半導体ＳＭ上にゲート絶縁層ＧＩを介して設けられたゲート電極ＧＥとを備えたスピントランジスタ１において、半導体ＳＭとドレインＤとの間にトンネル障壁を構成するトンネル障壁絶縁層ＴＩを介在させている。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報記憶装置、その製造方法及びその動作方法を提供する。
【解決手段】磁性物質で形成され、磁区を有する記憶トラック及び記憶トラックにデータを記録するための書き込み手段を備える磁壁移動を利用した情報記憶装置において、書き込み手段が、第１磁性層と、第１磁性層の一部分を覆うように形成されたものであって、第１磁性層よりも磁気異方性エネルギーが低い第２磁性層と、を備える情報記憶装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】小型で、地磁気の影響を受けない高感度で変動磁場を検出できる磁気検出器を提供すること。
【解決手段】アモルファスワイヤにパルス電流または高周波電流を印加し、前記アモルファスワイヤに巻回した検出コイルに周辺の磁場強さに対応する電圧を発生する磁気インピーダンス素子であって、前記検出コイルの巻数が１０乃至５００であり、前記アモルファスワイヤの直径に対する前記検出コイルの直径の比が１．０５乃至し１０で、かつ前記検出コイルの直径に対するコイルの長さの比が１０乃至２００である前記磁気インピーダンス素子と差動増幅器の入力端子とを高周波フィルタで接続する磁気検出器。 （もっと読む）

【課題】磁性細線中に現れる磁壁の磁気モーメント（磁化）を利用した強磁性細線素子を提供する。
【解決手段】磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向いた磁壁を内部に有する強磁性細線を用いる。反強磁性体などの磁壁固定手段を用いることにより磁壁が細線内を移動しないように該磁壁を固定しつつ直流電流を供給すると、磁壁は移動することなくその磁気モーメントが回転する。これにより、磁気モーメントの回転をTMR素子などで検出することが可能となる。この強磁性細線素子の構成を用いてマイクロ波発振器や磁気メモリを直ちに得ることも可能である。 （もっと読む）

【課題】磁区壁移動を利用した記録装置を提供する。
【解決手段】磁区壁移動を利用したメモリ装置において、磁性物質からなり、磁壁を含み、第１方向に形成された書き込み用トラック６１と、第１トラック上に形成された中間層６２と、中間層上に第２方向に形成され、磁性物質からなり、磁壁を含む情報保存用トラック６３と、を備える磁区壁移動を利用したメモリ装置である。 （もっと読む）