【課題】感度が高く、小型化を図ることができるマグネトインピーダンスセンサ素子を提供すること。
【解決手段】マグネトインピーダンスセンサ素子１は、基体２と、磁性アモルファスワイヤ３と、被覆絶縁体４と、検出コイル５と、端子搭載面６１を有する端子台６と、端子搭載面６１に形成したワイヤ用電極端子１１及びコイル用電極端子１２と、ワイヤ用電極端子１１と磁性アモルファスワイヤ３に設けた一対のワイヤ通電端３１とを電気的に接続するワイヤ用接続配線１１０と、コイル用電極端子１２と検出コイル５に設けた一対のコイル通電端５１とを電気的に接続するコイル用接続配線１２０とを有する。端子搭載面６１は、その法線が磁性アモルファスワイヤ３の長手方向成分を有し、磁性アモルファスワイヤ３の長手方向における、磁性アモルファスワイヤ３の両端の間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ソース及びドレインに強磁性体によるショットキー接合を用いた金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）を提供すること。
【解決手段】強磁性体であって、一方のスピンに対しては金属的なバンド構造（以下、「金属的スピンバンド」と称する。）を、他方のスピンに対しては半導体的又は絶縁体的なバンド構造（以下、「半導体的スピンバンド」と称する。）をとるハーフメタルからなり、スピン偏極した伝導キャリアを注入する強磁性ソースと、該強磁性ソースから注入されたスピン偏極した前記伝導キャリアを受けるハーフメタルからなる強磁性ドレインと、前記強磁性ソースと前記強磁性ドレインとの間に設けられ、前記強磁性ソース及び前記強磁性ドレインのそれぞれと接合した半導体層と、前記半導体層に対して形成されるゲート電極とを有することを特徴とするトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗が低く、且つ、スピン偏極電子注入効率、又はスピン依存散乱効率の高いスピンフィルタ効果素子、及び、そのようなスピンフィルタ効果素子を用いたスピントランジスタを提供する。
【解決手段】本発明に係るスピントランジスタ１０は、強磁性層ＳＭを含む強磁性積層体を有するソース電極層３と、強磁性層ＤＭを含む強磁性積層体を有するドレイン電極層７と、ソース電極層３及びドレイン電極層７が設けられた半導体層９と、半導体層９に直接又はゲート絶縁層ＧＩを介して設けられたゲート電極層ＧＥとを備え、ソース電極層３とドレイン電極層７のうち少なくとも一方は、半導体層９と強磁性積層体ＳＭ、ＤＭとの間に介在する酸化物半導体層ＳＯ、ＤＯをさらに有し、酸化物半導体層ＳＯ、ＤＯは、半導体層９と、強磁性積層体との間のトンネル障壁を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
３次元磁気センサの小型化、薄型化を図るために、高さの小さいＺ軸用マグネトインピーダンスセンサ素子を提供すること。
【解決手段】
Ｚ軸用マグネトインピーダンスセンサ素子は、非磁性体からなる基板と磁性アモルファスワイヤと磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体と磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体の周囲に形成された検出コイルと、これらを被覆する矩形状の素子絶縁体とを有し、素子絶縁体の端面に電極端子を有するものである。 （もっと読む）

【課題】高価な設備、装置を必要とせず、製造効率に優れた高品質の磁気検出素子および磁気センサ用コアならびにこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】磁気検出素子１は、非磁性材料からなる素子基板１０上にアモルファス金属からなる薄板状の磁性材料箔２０が貼着され、該磁性材料箔２０がフォトリソグラフィにより所定のパターンに形成されてなる。磁気センサ用コア２は、非磁性材料で形成された対からなる素子基板６０ａ，６０ｂ間にアモルファス金属からなる薄板状の磁性材料箔７０が貼着され、前記対からなる素子基板６０ａ，６０ｂ間に前記磁性材料箔７０が貼着された部分には、検出コイル８１の巻回部およびバイアス磁界発生用コイル８２の巻回部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】通常のＣ−ＭＯＳＦＥＴ回路との整合性、混載可能性を保ちつつ安定した動作で、不揮発な再構成可能論理回路を構築することが可能なスピンＭＯＳＦＥＴを備えた半導体装置を提供することを可能にする。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板に離間して形成された第１ソース領域１２および第１ドレイン領域１４と、第１ソース領域と第１ドレイン領域との間に設けられる第１チャネル領域と、第１チャネル領域上に形成された第１ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された第１ゲート電極１８と、第１ソース領域上に形成され第１方向に磁化容易軸を有する強磁性層を含む第１ソース電極Ｍ_ｓ１と、第１ドレイン領域上に形成され第１方向に対して０度より大きく１８０度未満の角度をなす第２方向に磁化した強磁性層を含む第１ドレイン電極Ｍ_ｄ１と、第１ドレイン領域上に第１ドレイン電極と離間して形成され第２方向と略反平行な方向に磁化した強磁性層を含む第２ドレイン電極Ｍ_ｄ２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高集積化が可能なリコンフィギュラブル論理回路を提供する。
【解決手段】それぞれが個別の制御データを送信可能な複数の制御線と、ソースおよびドレインが磁性体を含む複数のスピンＭＯＳＦＥＴと、複数のスピンＭＯＳＦＥＴの中から１つのスピンＭＯＳＦＥＴを選択する選択部と、を有するマルチプレクサと、マルチプレクサによって選択されたスピンＭＯＳＦＥＴのソースおよびドレインにおける磁性体の磁化が第１状態か第２状態かを判別する判別回路と、選択されたスピンＭＯＳＦＥＴに書き込み電流を流し、選択されたスピンＭＯＳＦＥＴにおける磁性体の磁化を第２状態にする第１の書き込み回路と、マルチプレクサによって選択されたスピンＭＯＳＦＥＴに書き込み電流を流し、選択されたスピンＭＯＳＦＥＴにおける磁性体の磁化を第１状態にする第２の書き込み回路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】規則性の高い結晶構造を持つホイスラー合金を用いたＴＭＲ比が高いトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】体心立方格子構造を有する強磁性層１２上には、体心立方格子構造を有するＣｒ層１３が形成されている。さらに、Ｃｒ層１３上には、ホイスラー合金層１４、トンネルバリア層１５、ホイスラー合金層１６が順次形成されている。 （もっと読む）

【課題】小型化と高感度化を両立させることが可能な磁界検出素子を提供する。
【解決手段】感磁部となる軟磁性体膜１１と、電流の方向が逆向きとなるように巻き回され電気的に直列に接続された２つの平面スパイラルコイル１４ａ，１４ｂとを少なくとも備える磁界検出素子１０Ａであって、軟磁性体膜１１は、２つの平面スパイラルコイル１４ａ，１４ｂの渦巻き中心間を結ぶ直線に対し略平行となるように配置され、渦巻き中心間の同相磁界発生部にて電流を通電するよう電極１２ａ，１２ｂが形成されており、軟磁性体膜１１の通電部１１ｃはコイルの電流方向と略直交して横切るように配され、さらに軟磁性体膜１１は、渦巻き中心間より外側の逆相磁界発生部に、通電部１１ｃの外側に同一平面内で連続した集磁部１１ａ，１１ｂを有し、集磁部１１ａ，１１ｂは、通電部１１ｃの幅よりも幅が広くなったパターンを有する。 （もっと読む）

【課題】 スピン偏極したキャリアを、ドレインから効率よく取り出すことが可能なスピントランジスタを提供する。
【解決手段】 スピントランジスタ１は、強磁性体からなるソース２０と、強磁性体からなるドレイン３０と、ソース２０及びドレイン３０とショットキー接触を成す接触面を有する第１導電型の半導体層１０と、接触面とは反対側の半導体層１０の面上に直接又は絶縁体層１２を介して設けられたゲート電極４０と、を備えたスピントランジスタにおいて、ソース２０と半導体層１０との界面でのショットキー障壁の高さがΦ_Ｂであるとき、少なくともソース２０付近の半導体層１０の不純物ドーピング濃度が（２０×Φ_Ｂ−１）×１０^１８ｃｍ^−３以上２×１０^１９ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

スピントランジスタ及びその駆動方法を開示する。開示されたスピントランジスタは、特定方向のスピン分極された電子を選択的に通過させる磁性物質で形成されたチャネルと、磁性物質で形成されたソースと、ドレインとゲート電極とを備える。該ゲート電極に所定電圧を印加すれば、該チャネルは特定方向にスピン分極された電子のみを選択的に通過させ、したがって、トランジスタは選択的にターンオンされる。
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【課題】素子抵抗の低抵抗化とMR比の向上とを同時に実現する。
【解決手段】本発明の例に係るスピンＦＥＴは、ソース・ドレイン部に、少なくとも半導体基板１１／トンネルバリア１２／低仕事関数材料１３／強磁性体１４からなる積層構造を有し、低仕事関数材料１３は、未酸化のＭｇ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃのうちの１つ、又は、その１つを原子数比で５０％以上含む合金から構成される。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域内でのスピン拡散或いはスピン緩和を抑える。
【解決手段】スピントランジスタ１０は、基板上に設けられ、かつ磁化方向が固定された第１の強磁性層１４と、基板上に第１の強磁性層１４から第１の方向に離間して設けられ、かつ磁化方向が可変の第２の強磁性層１５と、第１の方向に延在するように基板上に設けられ、かつ第１の強磁性層１４及び第２の強磁性層１５に挟まれた複数のフィン１２と、複数のフィン１２にそれぞれ設けられた複数のチャネル領域１３と、複数のチャネル領域１３上に設けられたゲート電極１９とを含む。 （もっと読む）

【課題】磁気シフト・レジスタ・メモリ・デバイスで使用するためにサブリソグラフィ・データ・トラックを形成するための方法および装置を提供する。
【解決手段】メモリ・デバイスの一実施形態は、第１の誘電材料で形成される第１の誘電材料スタックと、第１の誘電材料スタックを取り囲み、少なくとも第２の誘電材料で形成される、第２の誘電材料スタックと、第１の誘電材料スタックと第２の誘電材料スタックとの間に位置する、情報を格納するための少なくとも１つのデータ・トラックであって、高いアスペクト比およびほぼ矩形の断面を有するデータ・トラックと、を含む。 （もっと読む）

【課題】テラビット級の面記録密度を持つハードディスクに対応可能な高分解能かつ低ノイズな磁気再生ヘッドを提供する。
【解決手段】外部磁界に影響を受ける部位Ｎ１と影響を受けない部位Ｎ２を有する非磁性細線１０１へ、反強磁性体１０３によって磁化が固定された固定層１０２から電流を流し、非磁性細線１０１中にスピン偏極した電子（Ｉ_s1，Ｉ_s2）を蓄積させる。電圧端子の距離Ｌは、非磁性細線１０１のスピン拡散長よりも短い。外部磁界の変動によって、スピン電子Ｉ_s1は変調を受けるがスピン電子Ｉ_s2は変調を受けない。そのため、Ｎ１とＮ２の間に外部磁界に依存した電位差が生じ、それを電圧計１０４で測定する。 （もっと読む）

【課題】検出対象物質を高精度に検出することができる磁気センサ素子を提供する。
【解決手段】複数の磁区が一方向に連なり、且つ隣り合う該磁区同士が互いに反対方向の磁化容易軸を有する多磁区構造体を備えている磁気センサ素子であって、前記多磁区構造体は表面領域を有し、該表面領域の内、前記多磁区構造体の一方の端から数えて２ｎ−１番目（ｎは自然数）の磁区と２ｎ番目の磁区との境界に位置する第１の表面部と、２ｎ番目の磁区と２ｎ＋１番目の磁区との境界に位置する第２の表面部とは、磁性粒子あるいは該磁性粒子に固定可能な物質に対する親和性が互いに異なることを特徴とする磁気センサ素子。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良い鉄シリサイド強磁性体Ｆｅ_３Ｓｉを得る。
【解決手段】Ｓｉ基板１の表面を熱酸化して極薄の酸化膜２を形成する（図(a) 及び(b) 参照）。基板温度を１０℃から４００℃の範囲の適当な温度に保持した状態で、該酸化膜２の表面にＦｅ３とＳｉ４とをほぼ３：１の蒸着速度比で同時蒸着させる。室温付近の基板温度で蒸着させた場合にはＦｅ_３Ｓｉのアモルファスが形成され、４００℃に近い基板温度で蒸着させた場合には、モノシリサイド（Ｃ−ＦｅＳｉ）を含有したＦｅ_３Ｓｉが形成されるが、いずれの場合にも適正な温度でアニールすれば、鉄シリサイド強磁性体Ｆｅ_３Ｓｉの結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】構成要素であるナノマグネットの形状を選択することで磁気特性を設計可能な センサ素子を提供すること。
【解決手段】 ３次又は５次の回転対称性を有するナノマグネットを有し、前記ナノマグネットが超常磁性となりかつ実質的に磁気ヒステリシスをなくし、その結果前記ナノマグネットの磁化は適用された磁場の現在値のみに依存し、前記磁場の履歴には依存しなくなるように前記回転対称性が選択されている。単純な材料に対して、単に構成要素であるナノマグネットの対称性を変化させることにより、新規で多様な特性を付与でき、桁外れに広い範囲を有する人工磁性材料をつくり出すことができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜製造技術を用いて形成することができ、バイアス磁界を印加させる必要がない薄膜タイプの磁性体素子と、外部磁界の変化による磁性体素子の特性変化を電圧の変化として検出できるピックアップコイルを備えた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気デバイス１０は、第一基板１１、その一面側に配された第一磁性体素子１３、前記一面側にあって第一磁性体素子と重なり、第一磁性体素子を挟むように、かつ、第一絶縁層２１と第二絶縁層２２をそれぞれ介して配される第一導電層１２と第二導電層１４、及び第二導電層と第二絶縁層を覆うように配された第三絶縁層２３、を少なくとも備える。また、第一導電層と第二導電層が電気的に接続されてコイル形状をなし、第一導電層、第二導電層及び／又は第一磁性体素子が、第三絶縁層の外面へ開口部を有する貫通孔１６，１７を通じて外部と電気的に接続される構造を備える。 （もっと読む）

【課題】構成要素であるナノマグネットの形状を選択することで磁気特性を設計可能な磁性論理素子を提供すること。
【解決手段】 ３次又は５次の回転対称性を有するナノマグネットを有し、前記ナノマグネットが超常磁性となりかつ実質的に磁気ヒステリシスをなくし、その結果前記ナノマグネットの磁化は適用された磁場の現在値のみに依存し、前記磁場の履歴には依存しなくなるように前記回転対称性が選択されている。単純な材料に対して、単に構成要素であるナノマグネットの対称性を変化させることにより、新規で多様な特性を付与でき、桁外れに広い範囲を有する人工磁性材料をつくり出すことができる。 （もっと読む）