【課題】磁気抵抗素子全体の電力消費を低減させる。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁気異方性を示し、その磁化が少なくとも第一及び第二の方向の間で反転できるように構成された強磁性層と、強磁性領域に容量性結合されたゲートとを含んでいる。磁気抵抗素子を動作させる方法は、第一及び第二の方向の間で磁化を反転させるために、強磁性領域の磁気異方性の方向を変化させるように、強磁性領域に電場パルスを印加するステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】スピン電界効果論理素子を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上でスピン分極された電子を選択的に通過させる磁性物質のチャンネルと、チャンネル上のソースと、ソースからの電子が出て行くドレイン並びに出力電極と具備するスピン電界効果論理素子である。該ゲート電極は、ソースからチャンネルに注入される電子を選択的に通過させるために、チャンネルの磁化状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】良好な絶縁性を確保しつつ極めて高い誘電率を有するゲート絶縁膜の機能と、空乏層が形成されることのない金属性のゲート電極の機能とを備え、ゲート電圧のチャネル領域への静電的支配力を可及的に大きくすることのできる半導体装置を提供することを可能にする。
【解決手段】第１導電型の第１半導体層１２に離間して設けられた第２導電型の第１ソース領域１２ａおよび第１ドレイン領域１２ｂと、第１ソース領域と第１ドレイン領域との間の第１半導体層に設けられる第１チャネル領域１２ｃと、第１チャネル領域上に設けられたハーフメタル強磁性金属の第１ゲート電極６０と、第１ソース領域に接続するように設けられたハーフメタル強磁性金属の第１ソース電極５０ａと、を備え、第１ゲート電極の磁化６４ｃの向きが、第１ソース電極の磁化６４ａの向きと略反平行である。 （もっと読む）

【課題】 高い出力が得られるスピン蓄積型磁気センサ及びスピン蓄積型磁気検出装置を提供する。
【解決手段】 このスピン蓄積型磁気センサは、非磁性層２の第１領域上に設けられたピンド層５Ａと、非磁性層２の第２領域上に設けられたフリー層５Ｂとを備えている。非磁性層２とピンド層５Ａとの間に電流を供給し、非磁性層２とフリー層５Ｂとの間の電圧を測定する。非磁性層２はＣｕからなり、第１磁性層３Ａ及び第２磁性層３ＢはＣｏＦｅＢからなり、第１絶縁層４Ａ及び第２絶縁層４ＢはＭｇＯからなる。この構造の場合、出力電圧を飛躍的に増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】ノイズ特性の向上可能なスピン高周波ミキサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】局部発振信号を入力してスピン流を生成するスピン流生成部３０と、高周波信号及びスピン流生成部３０によって生成されたスピン流を入力しミキシング信号を生成するＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子５０と、ＴＭＲ素子から生成されたミキシング信号を取り出す出力部６０と、を備え、局部発振信号の電流によるショットノイズをほとんど含まずパッシブミキサにおけるショットノイズの発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】電位出力を高くすることが可能な磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】磁気センサー１００Ａは、チャンネル層５と、チャンネル層５の第一の部分上に設けられ、外部磁界を検出する磁化自由層６と、チャンネル層５の第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた上部内側磁化固定層１８Ａと、チャンネル層５を間に挟んで上部内側磁化固定層１８Ａと対向する下部内側磁化固定層１２と、を備え、上部内側磁化固定層１８Ａ及び下部内側磁化固定層１２の磁化の向きが互いに平行または反平行となるように固定されている。 （もっと読む）

【課題】電位出力を高くすることが可能な磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】チャンネル層５と、チャンネル層５の第一の部分上に設けられ、外部磁界を検出する磁化自由層６と、チャンネル層５の第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた磁化固定層７と、を備え、チャンネル層５と対向する面における磁化固定層７の断面積が、チャンネル層５と対向する面における磁化自由層６の断面積よりも大きいことを特徴とする磁気センサー。 （もっと読む）

【課題】有限バイアス印加時のスピントランジスタのIDP/IDAP比の劣化を防止する。
【解決手段】本発明の例に係わるスピントランジスタは、磁化方向が不変の第１強磁性層と、磁化方向が可変の第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間のチャネルと、チャネル上のゲート電極とを備え、第２強磁性層の磁化方向によりデータを記憶する。読み出し動作時に第１強磁性層から第２強磁性層へ電子を流し、かつ、第１強磁性層に用いる強磁性体は、高エネルギー側と低エネルギー側に二つのマイノリティースピンバンドを有し、二つのマイノリティースピンバンドのギャップの中央よりも高エネルギー側にフェルミ準位を有する。 （もっと読む）

【課題】低電圧のスピン注入電流により高抵抗状態から低抵抗状態へ書き換えることができるスピンＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】ｐウエル２にはソース領域３及びドレイン領域４が形成されている。ソース領域３上には強磁性体層６が形成され、ドレイン領域４上には強磁性体層９が形成されている。強磁性体層９上には、非磁性体層１０、第３強磁性体層１１が形成されている。ｐウエル２上にはオーミック電極１３が形成されている。強磁性体層６と強磁性体層１１は磁化が不変とされ、強磁性体層９は磁化が可変とされる。さらに、強磁性体層１１とオーミック電極１３との間には、強磁性体層９を介して電流が流される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で製造も容易であり、外部磁界に対して高感度で磁気を検出できる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】本発明の磁気検出装置１は、磁気インピーダンス素子３と、磁気インピーダンス素子３のインピーダンス変化を電気信号として取り出すピックアップコイル５とを備え、磁気インピーダンス素子３の長さはピックアップコイル配置領域６よりも長くしてあり、ピックアップコイル５は磁気インピーダンス素子３の長手方向中間部４に配置してあると共に磁気インピーダンス素子３には長手方向中間部４に所定周波数の信号を印加する電極３ａ、３ｂを設けている。 （もっと読む）

【課題】スピンホール効果により実効的に有用な強度の局所磁界を発生させる。
【解決手段】非磁性体からなるスピンホール効果層１１を備え、湾曲部（Ｃ字状１１３あるいはＳ字状２１５などの湾曲した電流経路）を有するスピンホール効果素子１１３、２１５と、前記スピンホール効果素子１１３、２１５に電流を流す一対の電極端子２１，２２と、前記一対の電極端子２１，２２に接続された電源７０とを有し、Ｃ字状あるいはＳ字状などの湾曲した電流経路を有するスピンホール効果素子を用いることにより、偏極スピン電子５２，５３を湾曲形状の湾曲内側の微小領域に蓄積させて強度の大きな局所磁界５０，５１を発生させる。 （もっと読む）

【課題】スピン注入書き込み時の電流値が低い磁気抵抗効果素子を提案する。
【解決手段】本発明の例に関わるスピンメモリは、磁化方向が不変の第１強磁性層、磁化方向が可変の第２強磁性層、及び、これらの間の第１非磁性層を有する磁気抵抗効果素子17と、第２強磁性層の磁化困難軸に対して、θ（45°≦θ≦90°）の方向に延び、長手方向の一端で磁気抵抗効果素子17を挟み込む下部電極16及び上部電極18と、下部電極16の長手方向の他端に接続されるスイッチ素子14と、上部電極18の長手方向の他端に接続されるビット線20とを備える。第２強磁性層の磁化反転は、第２強磁性層にスピン偏極した電子を与える書き込み電流を下部電極16と上部電極18との間に流すと共に、下部電極16及び上部電極18に流れるその書き込み電流により発生する磁界を用いて実行する。 （もっと読む）

【課題】製造上のコストが増大するのを可及的に抑制することができるとともに、スピン注入書き込みを行うことができかつ読み出しを行うことができるスピンＭＯＳＦＥＴを提供することを可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体領域３を有する基板２と、半導体領域上に離間して設けられた第１および第２強磁性積層膜１５ａ、１５ｂであって、第１および第２強磁性積層膜はそれぞれ、第１強磁性層、非磁性層、および第２強磁性層がこの順序で積層された積層構造を有し、第２強磁性積層膜は第１強磁性積層膜の膜面面積と異なる膜面面積を有する、第１および第２強磁性積層膜と、第１強磁性積層膜と前記第２強磁性積層膜との間の半導体領域上に設けられるゲート絶縁膜９とゲート絶縁膜上に設けられるゲート１０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】磁化自由層へスピン流を注入し易くすることにより、出力効率を向上させることが可能な磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】磁気センサー１００ａにおいて、非磁性導電層５と、非磁性導電層５の第一の部分上に設けられた磁化自由層６と、非磁性導電層５の第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた磁化固定層７と、非磁性導電層５及び磁化自由層６を間に挟んで対向する上部第一磁気シールド層１１及び下部第一磁気シールド層１と、非磁性導電層５及び磁化固定層７を間に挟んで対向する上部第二磁気シールド層１２及び下部第二磁気シールド層２と、下部第二磁気シールド層２と非磁性導電層５との間に設けられた第一電気絶縁層２１と、下部第二磁気シールド層２と非磁性導電層５とを電気的に接続する第一電極層４と、を備え、非磁性導電層５を間に介して、磁化固定層７と第一電極層４とが互いに対向していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高価な設備、装置を必要とせず、製造効率に優れた高品質の磁気検出素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファス磁性材料２２からなり、外部磁界Ｈによりインピーダンスが変化する感磁部２０と、該感磁部２０が取り付けられる基板１０とを備える磁気検出素子であって、前記感磁部２０の長手方向が、前記アモルファス磁性材料２２の圧延方向および前記外部磁界Ｈの方向と平行となるように磁気検出素子を構成した。 （もっと読む）

【課題】 本件は、強磁性材料からなり、磁壁の有無による情報を記憶するとともに移動電流の供給を受けて磁壁を移動させるメモリ線を備えた磁壁移動型ストレージデバイスに関し、低コストの読出方式を採用する。
【解決手段】 メモリ線上の情報読出点でメモリ線と交差する読出線を形成し、メモリ線に形成されている磁壁が情報読出点を通過する際に生じる誘導起電力をピックアップすることにより、メモリ線の、磁壁の有無による情報を読み出す。 （もっと読む）

【課題】電流注入位置や出力電圧検出位置の設計の自由度が高い磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】磁気センサーにおいて、基体１と、基体１上に設けられた非磁性導電層２と、非磁性導電層２の第一の部分及び基体１上に亘って設けられた磁化固定層３と、非磁性導電層２の第一の部分とは異なる第二の部分及び基体１上に亘って設けられた磁化自由層４と、磁化固定層３及び磁化自由層４のうちの少なくとも一方の層における非磁性導電層２と重なる部分上に設けられ、且つ一方の層の電気抵抗率よりも低い電気抵抗率を有する非磁性低抵抗層１０ａ，１０ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】予期できない磁化反転を防止すること。
【解決手段】磁壁移動型ストレージデバイスは、強磁性金属（例えば、ＮｉＦｅ）に不純物元素（例えば、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ；強磁性金属細線の保磁力を変調する元素）を添加することにより磁場に対する磁壁の動き易さを調整した強磁性金属細線（例えば、ＮｉＦｅＰｔ細線）を有し、かかる強磁性金属細線に電位パルスを印加することで情報を記録することで、予期できない磁化反転を防止する。 （もっと読む）

【課題】磁気素子本体に電流を流すことなく、磁性体電極の磁化反転が可能な磁気素子及び集積回路並びに磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】磁気素子１は、基板６上に第１の強磁性体電極３及び第２の強磁性体電極４を隔置し磁気素子本体２と、第１の強磁性体電極３に接触して高スピンホール効果を有する電極５を配設し、高スピンホール効果を有する電極５に電流を流して第１の強磁性体電極３へスピン注入して磁化反転する。磁気素子本体２へ電流を流すのではなく、高スピンホール効果を有する電極５に電流を流すことでスピンホール効果によるスピン分極を発生させ、第１の強磁性体電極３への移行により磁化反転できる。高インピーダンスの微小磁気メモリ素子及び磁気論理素子やスピン電界効果トランジスタを多段に接続した再構成可能微小磁気論理素子の磁化反転が可能となる。 （もっと読む）

【課題】積層方向の高さを低くして小型化を達成することにより、分解能を向上することが可能な磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】磁気センサー１００ａにおいて、非磁性導電層５と、非磁性導電層５の第一の部分上に設けられた磁化自由層６と、非磁性導電層５の第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた磁化固定層７と、非磁性導電層５及び磁化自由層６を間に挟んで対向する上部第一磁気シールド層１１及び下部第一磁気シールド層１と、非磁性導電層５及び磁化固定層７を間に挟んで対向する上部第二磁気シールド層１２及び下部第二磁気シールド層２と、下部第二磁気シールド層２と非磁性導電層５との間に設けられた電気絶縁層３と、を備え、下部第一磁気シールド層１は下部第二磁気シールド層２よりも非磁性導電層５に近く配置されている。 （もっと読む）