【課題】薄膜化に適し、かつ、スピン偏極電子を効率的に抽出可能なスピン変換素子を提供する。
【解決手段】一方向に固定された磁化を有する高保磁力磁性層２と、絶縁層３と、絶縁層３を介して高保磁力磁性層２と強磁性的結合した伝導電子を有する非磁性の導電層４とを順に備える。高保磁力磁性層２との強磁性的結合により、導電層４を通過する任意方向の電子スピンＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３を有する各伝導電子が、磁化Ｊ２の方向に平行な方向の電子スピンＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２３を有するスピン偏極電子にそれぞれ変換される。したがって、導電層４の両端に電位差を設けるようにすれば、効率的にスピン偏極電流を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】磁区壁の移動を利用した情報保存装置を提供する。
【解決手段】磁区壁の移動を利用した情報保存装置において、磁化方向を有する磁区が形成された書き込みトラックと、書き込みトラック上に形成され、中間層及び情報保存トラックを備えるカラム構造体と、を備える磁区壁の移動を利用した情報保存装置である。 （もっと読む）

【課題】外部磁場を高感度に検出可能な磁気デバイスを提供する。
【解決手段】機能素子Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、それぞれ帯状の磁性体１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄを有している。磁性体１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄは、それぞれの長辺方向Ｌが互いに同一方向をなすように配されている。このうち、磁性体１２Ａ，１２Ｃは、帯状の磁性体の長辺方向Ｌに沿って磁化容易軸Ｅａが形成されている。また、磁性体１２Ｂ，１２Ｄは、帯状の磁性体の短辺方向Ｓに沿って磁化容易軸Ｅａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】低電流密度でスピン反転し、かつスピン反転による出力特性が大きなスピンＭＯＳＦＥＴを提供することを可能にする。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板上に離間して設けられるソース・ドレインの一方となる磁化の向きが固着された第１強磁性層を含む第１磁性膜６と、ソース・ドレインの他方となる磁化の向きが可変の磁化自由層８_１およびこの磁化自由層上に設けられたトンネル絶縁層ならびにこのトンネル絶縁層上に設けられ磁化の向きが固着された磁化固着層を有する第２磁性膜８と、第１および第２磁性膜の間の半導体基板上に少なくとも設けられたゲート絶縁膜１０と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極１２と、備えている。 （もっと読む）

【課題】スピン注入書き込み時の電流値が低い磁気抵抗効果素子を提案する。
【解決手段】本発明の例に関わるスピンメモリは、磁化方向が固着される第１強磁性層、磁化方向が変化する第２強磁性層、及び、これらの間の第１非磁性層を有する磁気抵抗効果素子17と、第２強磁性層の磁化困難軸に対して、45°以上、90°以下の方向に延び、長手方向の一端で磁気抵抗効果素子17を挟み込む下部電極16及び上部電極18と、下部電極16の長手方向の他端に接続されるスイッチ素子14と、上部電極18の長手方向の他端に接続されるビット線20とを備え、書き込みは、第２強磁性層にスピン偏極した電子を流すと共に、下部電極16及び上部電極18から第２強磁性層に磁界を与えることにより行う。 （もっと読む）

【課題】磁気インピーダンス特性に優れた高感度で高精度な磁気デバイスを提供する。
【解決手段】磁気デバイス１０は、例えば基板１１の一面に配された、第一感磁体１２を有する磁場検出部１３と、第二感磁体１４とからなる。第一感磁体１２は、長手方向Ｌに沿って延びる長さＳ１の帯状に形成された磁性体からなる。第二感磁体１４は、長手方向Ｌに沿って延び、第一感磁体１２に対して離間距離Ｔで離間して帯状に形成された磁性体からなる。この第二感磁体１４は、第一感磁体１２の長さＳ１よりも短い長さＳ２に形成され、第一感磁体１２に対して離間しつつ、磁気的に繋がった状態にされる。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路構成によって回路の動作速度を調節することが可能である半導体回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体回路は、電源電圧生成回路１０５と、この電源電圧生成回路１０５に接続され電子のスピンの自由度を利用し、ソース及びドレインのスピンの状態を変化させることによってドレイン電流値を変化させるトランジスタを有する第１の回路１００と、第１の回路１００に接続され主要機能を有する主要機能回路１０６と、を有し、ドレイン電流値によって主要機能回路１０６の動作・非動作を選択する。 （もっと読む）

【課題】高精度に外部磁場を検出可能な磁気デバイスを提供する。
【解決手段】機能素子ＢおよびＤは、基板１１上で互いに隣接して配される。そして、機能素子Ｂの磁性体の少なくとも一部と、機能素子Ｄの磁性体の少なくとも一部とが、互いに小さな離間距離を保って対向して配された部位αを持つ。例えば、この部位αは、機能素子Ｂの磁性体を構成する最外側に位置する長辺１２ａと、機能素子Ｄの磁性体を構成する最外側に位置する長辺１２ａとが互いに、小さな離間距離を保って対向して配された領域を成す。 （もっと読む）

【課題】小型、軽量でかつローコストに製造可能な、磁気素子を備えた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の磁気デバイス１０は、磁気素子１１と、この磁気素子１１を挟んで配された第一磁界印加手段１２と第二磁界印加手段１３とを備えている。磁気素子１１は、例えば非磁性基板１１ａの表面に、軟磁性膜１１ｂをメアンダ状に形成したものである。第一磁界印加手段１２および第二磁界印加手段１３は、第一磁界印加手段１２から第二磁界印加手段１３に向けて一方向Ｓに磁界Ｍを形成する。これにより、第一磁界印加手段１２と第二磁界印加手段１３との間に配された磁気素子１１には、一方向に向けられたバイアス磁界Ｍが軟磁性膜１１ｂの全体に印加される。 （もっと読む）

【課題】出力が高く高記録密度磁気記録再生に最適な磁気抵抗効果素子を備える磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】第一の電極層１０３の一部に、第一の絶縁層１０６を介して接する第一の強磁性電極層１０１と、第一の電極層の異なる部分に第二の絶縁層２０５を介して接する第二の強磁性電極層１０２とからなる強磁性電極対を備え、第一の電極層１０３と第一の強磁性層１０１は電流供給回路の一部であり、かつ、第一の電極層１０３と、第一の絶縁層が接していない領域において第二の絶縁層２０５を介して接する第二の強磁性層１０１は電圧測定回路の一部をなす構造を有し、第二の強磁性層と第二の絶縁層との交差領域の界面スピン分極率が、第一の強磁性層と第一の絶縁層との交差領域の界面スピン分極率より大きい。 （もっと読む）

【課題】高出力・高分解能・低ノイズのスピン蓄積素子を提供する。
【解決手段】スピン流狭窄層405を、電圧検出用磁性導体406と非磁性導電体401との間に備える。スピン流狭窄層にはスピン流しか流れない。スピン流の狭窄化によって、抵抗変化を生じる散乱体以外の余分な部分にスピン流が流れることを防ぐことができるので、スピン蓄積素子の検出効率が飛躍的に上がる。 （もっと読む）

【課題】セルサイズの負担が小さいメモリ素子を具現して集積度を向上させることができる。ナノ磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】ナノ磁気メモリ素子のナノワイヤを経て第１電極から第２電極に流れるワード線電流によって磁性ナノドットが摂動された後に再配列される過程で形成される誘導電流の大きさを制御し、前記ナノ磁気メモリセルに複数のデータを書き込み／読み出すことを特徴とするナノ磁気メモリ素子。 （もっと読む）

【課題】高速性及び記憶保持特性に優れた半導体記憶装置及びその製造方法並びにそのデータ書込み方法及びデータ読出し方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置１は、半導体基板２２上に形成された下部電極５５と、下部電極５５上に形成され、電気磁気効果を示す電気磁気効果層５３と、電気磁気効果層５３上に形成された上部電極５１と、上部／下部電極５１、５５間に電圧を印加して所定方向に揃えられた電気磁気効果層５３の磁化方向に基づいて残留磁化の方向が決まる磁気記憶層５７とを有している。 （もっと読む）

【課題】高周波キャリア型薄膜磁界センサの高感度化
【解決手段】（ａ）は伝送線路型の高周波キャリア型薄膜磁界センサ２５０の構成を示す。グランドプレーン２５６上に高周波を通電させる伝送線路２５４を構成する。その上に磁性薄膜２５２を載せることにより、直接磁性薄膜２５２に通電して起こる磁化の飽和を回避しながら、表皮効果を利用した磁気検出が行える。この伝送線路２５４は、その形状で定まる共振の周波数がある。伝送線路２５４を流す搬送波電流の周波数を共振周波数とすることにより、センサをより高感度とすることができる。（ｂ）は、このセンサ２５０を用いた測定系の構成を示す。制御解析装置２１０には、Ｘ−Ｙステージ２３０の制御系も組み込まれている。また、制御回析装置２１０は制御解析用コンピュータ２２０に接続され、全体の制御を行うとともに、測定結果の解析・表示等も行う。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリ素子としても使用可能な、単一電荷トンネル素子、特に単一電子トランジスタ、を提供する。
【解決手段】強磁性物質から成る単一電荷トンネル素子を従来のようにゲート電圧の印加により電気モードにおいて制御するのみならず、回転する配向磁場の印加により磁気モードにおいても制御する。即ち、該配向磁場の印加により該強磁性物質の化学ポテンシャルが変化し、クーロンブロッケード異方性磁気抵抗効果が生じる。その結果として得られる該素子の抵抗値とその変化を、論理的な１，０の書込み信号と、その切り替えに用いる。該磁気モードのヒステリシス性により、不揮発性メモリ効果が発現される。 （もっと読む）

【課題】１つの部品で複数の方向の磁場強度をそれぞれ独立して同時に検出することが可能な磁気センサおよびこれを用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】磁気センサ１０は、１枚の基板１１と、この基板１１上に設けられた４つの磁気インピーダンス素子１２とを有する。磁気インピーダンス素子１２は、短冊形状に形成された磁性体からなる。こうした４つの磁気インピーダンス素子１２のうち、２つの磁気インピーダンス素子１２ａ，１２ｂは、短冊形状の長手方向Ｌが第１の方向、例えば図１中のＸ軸方向を向いて配置される。また、他の２つの磁気インピーダンス素子１２ｃ，１２ｄは、短冊形状の長手方向Ｌが第１の方向と直交する第２の方向、例えば図１中のＹ軸方向を向いて配置される。 （もっと読む）

【課題】スピンＦＥＴ／スピンメモリの低消費電力と高信頼性を実現する。
【解決手段】本発明の例に関わるスピンＦＥＴは、磁化方向が固定される磁気固着層１２と、磁化方向が変化する磁気フリー層１３と、磁気固着層１２と磁気フリー層１３との間のチャネルと、チャネル上にゲート絶縁層１８を介して配置されるゲート電極１９と、磁気フリー層１３上に配置され、電場により磁化方向が変化する磁性層１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜磁性体の端部に生じる磁区構造の乱れを抑えることによって、更なる性能の向上を可能とした磁気インピーダンス素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板２上に短冊状の薄膜磁性体３が形成され、この薄膜磁性体３に高周波電流を流したときに、薄膜磁性体３のインピーダンスが外部磁界の印加に応じて変化する磁気インピーダンス素子１であって、薄膜磁性体３の端部は、非磁性基板２の面内において長辺と直交する方向に対して短辺が所定の角度で傾斜した形状を有し、薄膜磁性体３の端部が傾斜する方向と、薄膜磁性体３の磁化容易軸方向とがほぼ一致している。これにより、薄膜磁性体３の端部に乱れの少ない均一な磁区構造を形成することができる。 （もっと読む）

本発明は、ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタに関し、基板、エミッタ、ベース、コレクタ、第１トンネルバリア層および第２トンネルバリア層とを備え、第１トンネルバリア層が、エミッタとベースの間に設けられ、第２トンネルバリア層が、ベースとコレクターの間に設けられ、かつエミッタとベース間及びベースとコレクタ間に形成されたトンネル接合の接合面積が１〜１００００μｍ^２であり、前記ベースの厚さが当該層材料の電子平均自由行程に匹敵し、前記エミッタ、ベースおよびコレクタの中でただ１つの極(pole)の磁化方向が自由である。ダブルバリア構造を採用するため、ベースとコレクタの間に発生したショットキーバリアを克服している。ベース電流は変調信号であり、ベース又はコレクタの磁化方向を変えることによって、共鳴トンネリング効果を発生し、適当な条件において増幅信号が得られる。
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本発明の対象は、チャネル領域と、チャネル領域の一方の側に接続され、チャネル領域に電子を注入するように適合されたソースと、チャネル領域の反対側に接続され、スピン偏極した電子を検出するように適合されたドレインと、４つの磁気要素を備える磁気二重対要素を少なくとも１つ備えるゲートとを備える磁気電気電界効果トランジスタであって、各磁気要素がチャネル領域に磁界を誘導するように適合され、各磁気二重対要素の誘導された磁界の合計がほぼゼロになるように制御することが可能であり、ゲートがチャネル領域に電界を誘導するようにさらに適合された磁気電気電界効果トランジスタである。 （もっと読む）