【課題】スピントランジスタを用いた論理演算を可能とする集積回路を提供する。
【解決手段】実施形態の集積回路１は、磁化方向が互いに同じ方向となるＶ_ｌｏｗノード２２と出力ノード２３を有する第１のスピントランジスタ２と、磁化方向が互いに相反する方向となるＶ_ｈｉｇｈノード３２と出力ノード３３を有する第２のスピントランジスタ３と、を直列に接続した回路を含む。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能な構造において、量産に適しなおかつ出力を向上することが可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ１は、チャンネル７中に第一領域、第二領域、及び、第三領域を有し、第一方向に延びる主チャンネル層７ａと、第一領域上に積層された第一強磁性層１２Ａと、第二領域上に積層された第二強磁性層１２Ｂと、主チャンネル層７ａにおける第一領域と第二領域との間の第三領域の側面から主チャンネル層７ａの厚み方向と垂直な方向に突出する突出チャンネル層７ｂと、突出チャンネル層７ｂの厚み方向の両側、及び、突出チャンネル層７ｂの第一方向の両側を覆い、かつ、突出チャンネル層７ｂの突出方向の端面７ｃを露出させる磁気シールドＳとを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、スピン波の群速度が速いスピン波装置を提供することができる。
【解決手段】 スピン波装置は、金属層と、前記金属層上に設けられ磁化が一方向に向いている磁化固着層と、前記磁化固着層上に設けられた非磁性層と、前記非磁性層上に設けられ磁化の向きが可変の磁化自由層と、前記磁化自由層の上面の一部である第１の領域上に設けられた反強磁性層と、前記第１の領域と離れ、前記磁化自由層の上面の一部である第２の領域上に設けられた第一の電極と、前記第１の領域と前記第２の領域との間であって前記磁化自由層の上面一部である第３の領域上に設けられた第１の絶縁層と、前記反強磁性層上に設けられた第２の電極とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、スピン波素子のスピン波の集積化が行えて、スピン波素子が発生するスピン波の相互干渉を抑制することができるスピン波素子を提供することができる。
【解決手段】 基板と、前記基板上に設けられた電極層と、前記電極層上に設けられ、磁化が積層方向又は積層方向に対して垂直方向に向いている第１の強磁性層を含む多層膜と、前記多層膜上の第1の領域に設けられた第２の強磁性層と、前記第２の強磁性層上に設けられた中間層と、前記中間層上に設けられた第３の強磁性層と、前記多層膜上の前記第1の領域と離間して設けられた前記多層膜上の第2の領域に設けられた検出部と、前記第３の強磁性層上に設けられた第１の電極と、前記検出部上に設けられた第２の電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スピン注入源におけるスピン注入効率を向上させる。
【解決手段】スピン注入源は、非磁性導電体、ＭｇＯ膜、強磁性体から構成され、強磁性体から非磁性導電体にスピンを注入する。ＭｇＯ膜が、３００℃〜５００℃で熱処理されたものである。熱処理時間は３０〜６０分間であることが好ましい。熱処理により酸素欠損等が増加し、ＭｇＯ膜の電気抵抗が低下する。 （もっと読む）

【課題】大気に曝した半導体層の表面上にトンネル絶縁膜を形成した場合であっても、半導体層にスピン偏極率の大きなキャリアを注入できるトンネル接合素子を提供すること。
【解決手段】半導体層１０の表面を大気に曝す工程と、前記半導体層１０の前記表面を還元性ガスに曝す工程と、前記表面を還元性ガスに曝す工程の後前記半導体層１０の前記表面を大気に曝すことなく、前記半導体層１０の前記表面上にトンネル絶縁膜１２を形成する工程と、前記トンネル絶縁膜１２上に強磁性体層１４を形成する工程と、を含むトンネル接合素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スピンホール効果または逆スピンホール効果を利用して電流とスピン流の間の変換を行う電流−スピン流変換素子であって、変換効率の高い電流−スピン流変換素子及び該素子を用いた装置を提供する。
【解決手段】本発明の電流−スピン流変換素子は、５ｄ遷移金属酸化物のスピンホール効果または逆スピンホール効果を利用して電流とスピン流の間の変換を行う。また、本発明のスピン蓄積装置は、注入されるスピンを蓄積する非磁性体と、前記非磁性体内にスピンを注入する注入手段と、を有するスピン蓄積装置であって、前記注入手段は、前記非磁性体上に設けられた、請求項１または２に記載の電流−スピン流変換素子と、前記電流−スピン流変換素子に、スピンホール効果によって前記非磁性体に向かうスピン流が生成されるように、電流を流す電源と、を有する。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、高出力化の可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサー１は、半導体からなるチャンネル１１と、チャンネル１１を間に挟んで対向配置された第一絶縁膜２１及び金属体１３と、第一絶縁膜２１の上に設けられた強磁性体１２と、金属体１３に接続された第一参照電極３１と、金属体１３に接続された第二参照電極３２と、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル１１と磁気シールドＳ１との間に設けられた第二絶縁膜２２と、を備え、磁気シールドＳ１は、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定かつ大きなマイクロ波磁界を発生するマイクロ波発振器、磁気記録ヘッドおよび磁気記録装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波発振器１０は、外部磁界に応じてマイクロ波磁界を発生する発振素子１１と、発振素子１１の一の面に配置された第１電極１３と、発振素子１１の一の面と対向する他の面に配置された第２電極１４とを備え、発振素子１１は、ボルテックス状態の磁区構造を有する磁性層を有し、ボルテックスの中心が移動することなく、第１電極１３および第２電極１４の一方から他方の方向へ注入されたスピン偏極した電子によってマイクロ波磁界を発生する。 （もっと読む）

【課題】スピンＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域におけるＭＴＪの強磁性体に垂直磁化膜を用いても、隣接トランジスタへの漏れ磁界による影響を抑制し、シフト調整を可能にし、チャネル領域中のスピン緩和を抑制するスピンＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】下地層６５の上に設けられた磁化の向きが膜面に垂直でかつ不変な第１強磁性層７２と、第１強磁性層７２上に設けられたチャネルとなる半導体層７４と、半導体層７４上に設けられた、磁化の向きが膜面に垂直でかつ可変な第２強磁性層７８と、第２強磁性層７８上に設けられたトンネルバリア８０と、トンネルバリア８０上に設けられた、磁化の向きが膜面に垂直かつ不変で第１強磁性層７２の磁化の向きと反平行な磁化の向きを有する第３強磁性層８２と、半導体層７４の側面に設けられたゲート絶縁膜９０ａと、半導体層７４と反対側に位置するように設けられたゲート電極７６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】外部磁場がチャンネルに侵入することに起因するノイズやエラーを抑制することが可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】スピン伝導素子１は、第一強磁性体１２Ａと、第二強磁性体１２Ｂと、第一強磁性体１２Ａから第二強磁性体１２Ｂまで延びるチャンネル７と、チャンネル７を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル７と磁気シールドＳ１との間に設けられた絶縁膜と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決課題】ナノ構造体を有する磁気及び電気エネルギーの相互変換素子を提供する。
【解決手段】ナノ構造体３０を、第１の硬質磁性層３４と第１の軟質磁性層３５と第２の硬質磁性層３６と第２の軟質磁性層３７と第３の硬質磁性層３８とを積層して構成する。第１及び第２の電極４０，４１と、中央電極４２と、ナノ構造体の第１電極と中央電極との間に磁壁を保持できる第１の磁壁保持部と、ナノ構造体の第２電極と中央電極との間に磁壁を保持できる第２の磁壁保持部と、を備える。第１の硬質磁性層に第１電極を接続し、第３の硬質磁性層に第２電極を接続し、第２の硬質磁性層に中央電極を接続し、第１及び第２の軟質磁性層は磁壁を保持する磁壁保持部とする。第１及び第２の磁壁保持部の磁気エネルギーはナノ構造体の両端部側の磁気エネルギーよりも小さく、第１の磁壁保持部の磁気エネルギーは第２の磁壁保持部の磁気エネルギーよりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】単方向電流で書き込みをすることを可能にするとともに回路面積が増大するのを防止することを可能にする。
【解決手段】第１強磁性層２１、第１非磁性層２３、第２強磁性層２５、第２非磁性層２７、および第３強磁性層２９がこの順序または逆の順序で積層された積層構造を有し第３強磁性層と第２強磁性層とが第２非磁性層を介して反強磁性的な交換結合をする強磁性積層膜２０を含むメモリセル１０を備え、第１強磁性層から第３強磁性層に向かう単一方向の電流を強磁性積層膜に流して、電流の大きさに応じて第１強磁性層に異なる磁化状態の書き込みを行うとともに第１強磁性層からの読み出しを行なう。 （もっと読む）

【課題】 伝搬効率に優れたスピン波素子を提供する。
【解決手段】 基板２０と、基板２０上に形成され、磁化が積層方向に向いている第１の強磁性層を含む多層膜３０と、多層膜３０上に形成され、第１の非磁性層７０を介して離間して形成された検出部５０及び複数の入力部４０と、を備え、第１の多層膜３０の積層方向から眺めたときに、第１の強磁性層の外縁の一部の形状が楕円の一部であり、入力部４０と検出部５０とを結ぶ直線が楕円の長軸と重なっており、楕円の一部は入力部４０側に存在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 小さな駆動電流で効率よく高周波磁界を発生させることができる磁気記録ヘッド及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１の強磁性層１０ｂと、第２の強磁性層３０と、第１の強磁性層１０ｂと第２の強磁性層３０との間に設けられた中間層２２と、第１の強磁性層１０ｂの中間層２２が設けられた側とは反対側に設けられたＣｏＩｒ合金を含む第３の強磁性層１０aと、第３の強磁性層１０aの第１の強磁性層１０ｂが設けられた側とは反対の側に設けられた主磁極６１（第１の磁極）と、第２の強磁性層３０の中間層２２が設けられた側とは反対の側に設けられたリータンパス６２（第２の磁極）とを備えることを特徴とする磁気記録ヘッド１１０。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、かつ素子抵抗の増大を抑制可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサーは、第一強磁性体１２Ａと、第二強磁性体１２Ｂと、第一強磁性体１２Ａから第二強磁性体１２Ｂまで延びるチャンネル７と、チャンネル７を覆う磁気シールドＳ２と、チャンネル７と磁気シールドＳ２との間に設けられた絶縁膜７ｂと、を備え、磁気シールドＳ２は、チャンネル７に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、かつ素子抵抗の増大を抑制可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサー１は、チャンネル７と、チャンネル７上の強磁性体１２、第一参照電極２０Ａ及び第二参照電極２０Ｂと、チャンネル７における強磁性体１２と対向する部分を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル７と磁気シールドＳ１の間に設けられた絶縁膜７ａと、を備え、磁気シールドＳ１は、チャンネル７における強磁性体１２と対向する部分に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 既に市場で大量に生産されているＭ（マグネトプラムバイト）型フェライト磁石により、外部磁場で電流を誘起でき、外部磁場で電気分極の強度や方向を制御でき、また、外部電場で誘起した磁化の強度や方向を制御でき、且つ、室温の動作環境温度において動作可能なマルチフェロイックス素子を提供する。
【解決手段】 Ｍ（マグネトプラムバイト）型フェライトからなる強誘電性と強磁性を合わせもつマルチフェロイックス固体材料で、室温の動作環境温度において外部磁場を作用させることにより電流を誘起する。例えば、マルチフェロイックス素子は、ＢａＦｅ_12-x-δＳｃ_x Ｍｇ_δＯ₁₉（δ＝０．０５）結晶材料のＳｃ濃度ｘが１．６から２であるマルチフェロイックス固体材料１とそれを挟むように形成される金属電極２とからなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５を印加するように配置され、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力でありながら、磁化方向の高速スイッチングが可能な磁気スイッチング素子を提供する。
【解決手段】この磁気スイッチング素子１００は、磁性酸化物層３０と、上記磁性酸化物層３０の一方面側に位置する非磁性電極層４０と、上記磁性酸化物層３０の他方面側に位置する磁性金属層２０と、上記非磁性電極層４０と上記磁性金属層２０との間に正逆電圧を印加するための電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】１つのトランジスタで論理機能の実現しかつ論理機能の切り替えが可能、または、１つのトランジスタで、メモリ機能と、増幅機能またはスイッチング機能と、を兼ね備えることが可能なトランジスタおよび電子回路を提供すること。
【解決手段】強磁性体を含む井戸層２０と、前記井戸層を挟みキャリアに対し障壁となる一対の障壁層１８、２２と、を含み、前記井戸層に低い準位と高い準位とにスピン分離した共鳴準位が形成される共鳴トンネル層２５と、前記共鳴トンネル層にスピン偏極したキャリアを注入するエミッタ層２４と、前記共鳴トンネル層の前記エミッタと反対側に設けられ、前記エミッタ層と前記井戸層との間に電位差を生じさせるための電圧が印加されるベース層１６と、前記ベース層の前記共鳴トンネル層と反対側に設けられ、共鳴トンネル層を通過したキャリアを受けるコレクタ層１２と、を具備するトランジスタ。 （もっと読む）