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Fターム[5F092FA01]の内容

ホール/MR素子 (37,442) | 実装 (377) | マウント (26)

Fターム[5F092FA01]に分類される特許

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【課題】実装時における位置ズレが生じる従来の電子部品の実装構造に対して、半田ブリッジの発生を防止しつつ、実装の際に角度ずれが小さいことが要求される電子部品の取り付け角度の精度を高められる電子部品の実装構造を目的とする。
【解決手段】電子部品の実装構造において、電子部品が略直方体形状の基体の側面から複数のリード端子を延出しており、複数のリード端子が基体の四隅の内少なくとも2個所に設けられたアライメント用リード端子とアライメント用リード端子を除く電気的に基体内の電子回路に接続される電極リード端子とからなり、アライメント用リード端子が電極リード端子より長く延出されており、複数の接続ランドがアライメント用リード端子と半田付けされるアライメント用接続ランドと電極リード端子と半田付けされる電極用接続ランドとからなり、アライメント用接続ランドの長さが電極用接続ランドの長さよりも長いことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】アセンブリ段階において外部磁場から磁気メモリチップを保護する。
【解決手段】主面に磁気メモリ素子および複数のワイヤボンドパッドが形成された磁気メモリチップを準備する。シリコンより高透磁率を有する第1の磁気シールド板を磁気メモリチップの主面に搭載する。磁気メモリチップをリードフレームのダイパッド上に搭載しダイアタッチフィルムにより接着する。磁気メモリチップのワイヤボンドパッドとリードフレームのリードとをワイヤで電気的に接続する。磁気メモリチップ、磁気シールド板、ワイヤ及びリードの一部を樹脂により封止する。複数の磁気メモリチップを有するシリコンウェハを準備し、シリコンウェハの裏面を研削することによりシリコンウェハを所定の厚さまで薄くしてダイアタッチフィルムを張り付けた後にシリコンウェハをダイシングして各々がダイアタッチフィルムをその裏面に有する複数の磁気メモリチップを形成する。 (もっと読む)


【課題】3軸センサ・チップパッケージためのシステムと方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは、ベース105と、第1のセンサダイ110が、第1のアクティブセンサ回路112および、第1のアクティブセンサ回路に電気的に結合された複数の金属パッド114とを備え、ベースに取り付けられた第2のセンサダイ120が、第1の表面128の上に配置された第2のアクティブセンサ回路122と、第2の表面の上に配置された第2のアクティブセンサ回路に電気的に結合された第2の複数の金属パッド122とを備え、第2のアクティブセンサ回路は、第1のアクティブセンサ回路に対して直交に方位付けされ、ベースに垂直であるように、第2のセンサダイが配置される。第2の表面は、第1の表面に隣接し、第1の表面の面に対して角度がつけられている。 (もっと読む)


【課題】製造上の手間・コスト削減を図りつつ、感度向上を図る。
【解決手段】アイランド部12と一次導体13とセンサリード端子14とを同一の平板から打ち出してリードフレームを形成し且つ、一次導体13をアイランド部12と電気的に切り離すとともに、前記アイランド部12の、平面視方形のICチップ11と同等形状を有するアイランド本体21を取り囲む略コの字状を有するコの字部31を備えて形成する。アイランド本体21にICチップ11を載置し、ICチップ11とセンサリード端子14とをボンディングワイヤ15により接続する。このときICチップ11の角部11a、11bの仮想的な面取り曲線上に、コの字部31のコーナー部31a、31bと対向するように磁場変換素子41を1以上配置する。そして、各磁場変換素子41の検出信号の総和を演算し、これを電流センサ10の検出信号として出力する。 (もっと読む)


【課題】 TMR素子の絶縁破壊を防いで汎用ICを用いることができる磁気センサ装置を提供すること。
【解決手段】 基板2と、該基板2上に設けられ一対の電極3aを有した複数のトンネル磁気抵抗素子3と、基板2上に設けられ複数のトンネル磁気抵抗素子3を直列に接続すると共に両端に接続端子4aを有する配線4と、トンネル磁気抵抗素子3に電圧を印加して抵抗変化を検出するICを有した検出回路部6とを備え、直列に接続されたトンネル磁気抵抗素子3全体の耐電圧をVbとし、IC5の動作電圧をVddとしたとき、耐電圧Vbが、Vdd/2≦Vb≦2Vddの関係に設定されている。 (もっと読む)


【課題】 磁気の遮蔽材を用いず、温度特性に優れた磁気センサおよび磁気センサ装置を提供すること。
【解決手段】 磁化方向が所定方向に固定された固定磁化層と該固定磁化層に絶縁層を介して積層され外部磁界により磁化方向が変わる自由磁化層とを有する第1のスピンバルブ型磁気抵抗素子5Aおよび第2のスピンバルブ型磁気抵抗素子5Bと、第1のスピンバルブ型磁気抵抗素子が設置された第1の板部6Aおよび第2のスピンバルブ型磁気抵抗素子5Bが設置された第2の板部6Bとを備え、第1のスピンバルブ型磁気抵抗素子5Aが、検出しようとする外部磁界の向きMに対して固定磁化層を平行にして設置され、第2のスピンバルブ型磁気抵抗素子5Bが、検出しようとする外部磁界の向きMに対して固定磁化層を直交させて設置されている。 (もっと読む)


【課題】 磁性パターンを有する被検知物を磁気抵抗効果素子から微小距離離間させた非接触状態において、感度良く被検知物の磁性パターンを検出する磁気センサ装置を得る。
【解決手段】 被検知物が搬送される搬送路に平行に第1の磁石と第2の磁石とは磁極の異極同士が対向配置され、前記搬送路における搬送方向の磁界強度と第1の磁石と第2の磁石の対向方向における強度変化が零点を含んだ勾配磁界を形成し、前記搬送路と前記第1の磁石との間に設けられた磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子を包囲し樹脂で覆った多層基板を備え、前記磁気抵抗効果素子は前記勾配磁界の搬送方向の磁界強度の零点付近の弱磁界強度領域に設けられ、前記被検知物は前記勾配磁界の強磁界強度領域を通過する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを磁気シールド層で被覆しても、バンプを狭いピッチで配置することができるようにする。
【解決手段】半導体チップ100は磁気記憶素子10を有しており、かつ第1面に電極パッドを有している。磁気シールド層400は、少なくとも電極パッドが露出した状態で半導体チップ100を被覆している。半導体チップ100は、バンプ310を介して配線基板200に実装されている。半導体チップ100と配線基板200は、少なくとも一方が凸部を有しており、当該凸部上にバンプ310が設けられている。 (もっと読む)


【課題】隣接する磁石同士の間隙部に生じる感度低下を抑制する。
【解決手段】磁気抵抗素子の感磁部20は、磁気抵抗層の上面に電極材料からなる複数のショートバーが形成されたものである。磁気抵抗部はショートバー22で覆われていない部分である。紙幣に印刷された磁性体が通過する際、その通過位置によって磁気抵抗素子の抵抗値の変化率(素子感度)が異なる。磁気抵抗素子の抵抗値の変化率は、感磁部における磁気抵抗部の密度が高いほど大きい。そのため、隣接する磁石同士の間隙部上または隣接する磁気抵抗素子の間隙部付近に位置する感磁部20の磁気抵抗部の密度をその他の領域に比べて相対的に高めることにより、磁石同士の間隙部での感度低下が抑制される。 (もっと読む)


【課題】減少された大きさ、改善された精度、および/または改善されたダイナミックレンジを有する外部磁界センサ等を提供することを目的とする。
【解決手段】 集積回路(10)は、磁界感知素子(30)を支持する第1の基板(14)および他の磁界感知素子(20)を支持する第2の基板(26)を備えることができる。第1および第2の基板は、様々な構成で配列されてもよい。他の集積回路は、その表面に配置された第1の磁界感知素子および第2の異なる磁界感知素子を備えることができる。 (もっと読む)


【課題】構成を複雑化することなく、MR素子を用いて一方向磁界の強度を高感度かつ高精度に評価できるようにし、たとえば、直流電流センサに用いて直流電流を高感度および高精度に測定できるようにする。
【解決手段】磁気抵抗薄膜22の抵抗値変化を検出することによって一方向磁界Mxの強度を評価する磁界強度センサ10であって、基板21に磁気抵抗薄膜による導電パターンが形成された磁気抵抗薄膜素子と、この磁気抵抗薄膜素子を保持する保持具30とを備え、上記基板は、保形性と可撓性を有する非磁性絶縁薄板からなり、上記保持具は、上記磁気抵抗薄膜面を磁界方向の鉛直面に対して所定角度θ傾斜させた状態で保持する。 (もっと読む)


【課題】 磁界感度異方性、広動作磁界および出力直線性に優れた磁気センサを提供すること。
【解決手段】 絶縁基板20と、絶縁基板20の表面に形成されたGMR素子22a〜22dと、絶縁基板20の裏面に配置されたバイアス磁石24とで磁気センサ20を構成した。そして、GMR素子22a〜22dを一方側と他方側との間を折り返しながら延びる線状のグラニュラ薄膜で構成し、バイアス磁石24によるバイアス磁界をGMR素子22a〜22dの線状が延びる長手方向に印加した。また、GMR素子22a〜22dを構成するグラニュラ薄膜を、Agからなる母相中に、FeCoからなる微粒子を分散させて構成した。 (もっと読む)


【課題】モータ制御用半導体装置に対するコンタクト用ピンからの影響を低減する
【解決手段】ホール素子102からの出力のオフセット電圧を取り除くオフセットキャンセル回路104に含まれるオシレータ回路12と、オフセットキャンセル回路104からの出力信号を受けて、当該出力信号と基準信号とを比較して比較信号を生成して出力するコンパレータ回路106と、モータを駆動するための駆動信号を生成して出力する出力回路110と、モータの制御に関係しないテスト回路112と、を有し、オシレータ回路12の回路パターン上、コンパレータ回路106の回路パターン上、及び、テスト回路112の回路パターン上のいずれか1つに重なるようにパルス幅変調信号の入出力パッドP1を形成する。 (もっと読む)


【課題】圧電効果によって生ずる出力変動を低減できる磁気検出素子を提供する。
【解決手段】磁気検出素子11にて、ダイリード51と各リードは基準平面S上に、第1チップ201と第2チップ202とは基準平面Sの上下に対称に配置される。これにより、それらの部品の熱膨張または熱収縮は、基準平面Sに対称に生じ、磁気検出素子11全体として厚さZ方向の反りを抑制できる。よって、チップ201、202に印加される応力を低減でき、圧電効果によって生ずる出力変動に伴う検出誤差を低減できる。また、この磁気検出素子11を回転角度検出装置ならびにストローク量検出装置に用いることにより、圧電効果の影響を補償するための温度特性補正手段を備える必要がなくなる。 (もっと読む)


【課題】磁気シールド材と半導体チップとの各材料の線膨張係数の差に基づく反りを小さく抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレームLFのダイパッドDP上に磁気シールド材PM1が配置されている。半導体チップCHは、MRAMデバイスを有し、かつ磁気シールド材PM1上に配置されている。接着材AD2は、磁気シールド材PM1と半導体チップCHとを接着するために磁気シールド材PM1と半導体チップCHとの間に位置し、かつDAFのような熱可塑性樹脂を含む材質よりなっている。 (もっと読む)


【課題】感度が高く、小型化を図ることができるマグネトインピーダンスセンサ素子を提供すること。
【解決手段】マグネトインピーダンスセンサ素子1は、基体2と、磁性アモルファスワイヤ3と、被覆絶縁体4と、検出コイル5と、端子搭載面61を有する端子台6と、端子搭載面61に形成したワイヤ用電極端子11及びコイル用電極端子12と、ワイヤ用電極端子11と磁性アモルファスワイヤ3に設けた一対のワイヤ通電端31とを電気的に接続するワイヤ用接続配線110と、コイル用電極端子12と検出コイル5に設けた一対のコイル通電端51とを電気的に接続するコイル用接続配線120とを有する。端子搭載面61は、その法線が磁性アモルファスワイヤ3の長手方向成分を有し、磁性アモルファスワイヤ3の長手方向における、磁性アモルファスワイヤ3の両端の間に配置されている。 (もっと読む)


【課題】多軸の磁場または他の場の感知装置および多軸の磁場または他の場の感知装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一体型3軸場センサの例として3軸磁気サンサの例を示す。3軸磁気センサ20はダイ30の一方の平面内(X軸、Y軸)に、1つまたは2つの磁気感知素子32を備え、ダイ30の反対側の平面外(Z軸)に磁気感知素子34を備る。ダイ30は相互接続バンプ38により回路板60に接続し、磁気感知素子32と回路板60はボンディングワイヤ40より接続する。 (もっと読む)


【課題】構成を複雑化することなく、MR素子を用いて狭い磁極間であっても、一方向磁界の強度を高感度かつ高精度に評価できる磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気抵抗薄膜の抵抗値変化を検出することによって一方向磁界の強度を測定する磁界強度センサであって、基板上に磁気抵抗薄膜による上下を扁平とした略長方形状の導電パターンを形成してなる磁気抵抗薄膜素子と、前記略長方形状パターンの長辺に直交して上下方向に延長する直線を軸として、前記磁気抵抗薄膜素子の膜面を磁界方向の鉛直面に対して所定角度回転させた状態で保持する保持手段と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】構成を複雑化することなく、MR素子を用いて狭い磁極間であっても、一方向磁界の強度を高感度かつ高精度に評価できる磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ1は、MR素子10と、MR素子10を保持するとともに、リード配線21が印刷されたリード基板20と、MR素子10の素子基板面P2を被測定磁界方向Mxに対して所定の角度で傾斜させるための保持手段40とを備えている。保持手段40は、素子基板11とリード基板21との間に介装されるくさび状のスペーサ部材40である。スペーサ部材40の高さを適宜設定することで、MR素子面P2を所定の傾斜角度で保持できる。 (もっと読む)


【課題】磁気検出素子が設けられている部分が小型の磁気検出プローブ、磁気検出プローブの製造方法を提供する。
【解決手段】基板2に対して磁気検出素子3を表面実装する。また、基板2には、補強部5を接合して、剛性を高めている。さらに、磁気検出素子3の周囲には、素子保護部4を形成して、磁気検出素子3の脱落等を防止する。このような構成により、磁気検出素子3が設けられている先端側の幅、及び、厚さを従来より小型にできる。 (もっと読む)


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