【課題】ポリシリコン上において高品質な絶縁膜を形成できる絶縁膜の形成方法を提供する
【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、基板上にポリシリコン膜を堆積する工程と、
前記ポリシリコン膜の表面を、酸素を含むガスとＫｒガスを主体とする不活性ガスとよりなる混合ガスにマイクロ波によりプラズマを励起することで形成される原子状酸素Ｏ*に曝すことにより、前記ポリシリコン膜の表面にシリコン酸化膜を形成する工程とよりなる。 （もっと読む）

【課題】素子分離絶縁膜の上面の高さを、基板上の全面でほぼ均一にできるとともに、素子分離絶縁膜の上面を平坦化することができるエッチング装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、反応室１１と、反応室１１とゲートバルブＧＶを介して接続される真空ポンプ１２と、加工対象を保持する保持部１９と、エッチングガス供給手段と、加熱部２０と、昇華量判定手段と、を備える。エッチングガス供給手段は、加工対象と反応して反応生成物を生成可能なエッチングガスを反応室１１内に供給する。加熱部２０は、反応生成物が昇華する温度以上に加工対象を加熱する。昇華量判定手段は、加熱部２０による昇華処理の経過による反応生成物の昇華の度合いに対応して変化する所定の物理量を昇華量対応変化値としてモニタする。 （もっと読む）

【課題】書き込み特性の向上を図る。
【解決手段】半導体記憶装置の製造方法は、基板１０上に、トンネル絶縁膜１１を形成し、前記トンネル絶縁膜上に、導電体で構成される電荷蓄積層１２を形成し、前記電荷蓄積層、前記トンネル絶縁膜、および前記基板を加工して、前記基板内に、前記電荷蓄積層および前記トンネル絶縁膜を分離する素子分離溝２２を形成し、前記素子分離溝内に、上面が前記電荷蓄積層の下面より高く上面より低くなるように素子分離絶縁膜１３を埋め込み、前記電荷蓄積層の表面に形成された自然酸化膜３０を除去し、前記素子分離絶縁膜および前記電荷蓄積層の表面に、絶縁膜１４を形成し、前記自然酸化膜の除去から前記絶縁膜の形成までが、その内部の酸素濃度がコントロールされた製造装置内で行われる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリセルと低電圧動作トランジスタや高電圧動作トランジスタを集積化し、異種トランジスタを混載する半導体装置の製造法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（ａ）トンネル絶縁膜、Ｆゲート電極膜、電極間絶縁膜を堆積したＦゲート電極構造を形成し（ｂ）ゲート絶縁膜を形成し（ｃ）導電膜、エッチストッパ膜を堆積し（ｄ）エッチストッパ膜、導電膜をエッチングした積層ゲート電極構造を形成し（ｅ）積層ゲート電極構造の側壁上に第１絶縁膜を形成し（ｆ）積層ゲート電極側壁上に第１サイドウォールスペーサ層を形成し（ｇ）エッチストッパ層を除去し（ｈ）他の領域の導電層から、ゲート電極構造を形成し（ｉ）積層ゲート電極構造、ゲート電極構造側壁上に第２サイドウォールスペーサを形成し（ｊ）希弗酸水溶液で半導体基板表面を露出し（ｋ）半導体基板表面にシリサイド層を形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する酸化物半導体膜を作製する。
【解決手段】酸化物半導体の膜を形成するに際し、基板を第１の温度以上第２の温度未満に加熱しつつ、基板の、典型的な長さが１ｎｍ乃至１μｍの部分だけ、第２の温度以上の温度に加熱する。ここで、第１の温度とは、何らかの刺激があれば結晶化する温度であり、第２の温度とは、刺激がなくとも自発的に結晶化する温度である。また、典型的な長さとは、その部分の面積を円周率で除したものの平方根である。 （もっと読む）

【課題】セレクトラインの抵抗を改善すると同時にナンドフラッシュメモリ素子の製造工程を単純化することができるナンドフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された選択トランジスタ及びメモリセル用第１導電膜パターンと、前記第１導電膜パターン上に形成された誘電体膜と、前記メモリセル用第１導電膜パターン上の前記誘電体膜上に形成された第２導電膜パターンと、前記選択トランジスタ用第１導電膜パターンと繋がれて前記第２導電膜パターンより抵抗の低い物質で形成されたセレクトラインと、を含む。 （もっと読む）

【課題】メモリデータを外部回路を用いずに、コピーを行う半導体記憶装置を提供することを課題とする。
【解決手段】複数のメモリセルの第一端子が共通接続されたビット線と、ビット線に接続され、読み出し時にビット線を特定の電位にプリチャージするプリチャージ回路と、メモリセルから読み出したデータ、もしくはメモリセルへの書き込みデータを一時的に保持する容量素子を有するデータ保持回路と、データ保持回路で保持しているデータの反転データをビット線に出力する反転データ出力回路とを有し、反転データ出力回路は、データ保持回路で保持しているデータの反転データの出力を制御する手段を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】トンネル絶縁膜にエッジ部があることによるトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得る。
【解決手段】トンネル絶縁膜の上部であって、トンネル領域のエッジ部から離間した位置に、電荷受け渡し用電極を配置し、電荷受け渡し用電極とフローティングゲート電極とが、電気的に接続されるようにした。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得る。
【解決手段】第２導電型のトンネル領域のフローティングゲート電極のエッジ部の下部に、第１導電型の領域からなるフローティングゲート電極エッジの電界集中防止用領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな駆動方法を提供する。また、新たな駆動方法により、メモリ素子への書き込み電位のばらつきを低減し、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置の駆動方法において、書き込み電位を段階的に上昇させて、同時に読み出し電流を確認し、読み出し電流の結果を書き込み電位に利用して書き込みを行う。つまり、正しい電位で書き込みが行われたか確認しながら書き込みを行うことで、信頼性の高い書き込みを行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な不揮発性メモリを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板９０１上に画素と不揮発性メモリとを備え、不揮発性メモリは、基板９０１上に形成される半導体活性層と、半導体活性層上に形成される絶縁膜９２３と、絶縁膜９２３上に形成されるフローティングゲイト電極９０７と、フローティングゲイト電極９０７を酸化して得られる酸化膜９０８，９１５，９２２と、酸化膜９０８，９１５，９２２に接して形成されるコントロールゲイト電極９２９と、を備え、画素と不揮発性メモリとは、基板９０１上に一体形成される。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書 き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得る。
【解決手段】ドレイン領域内のトンネル領域とフローティングゲート電極領域との間には、トンネル絶縁膜が設けられており、トンネル領域のエッジ近傍のフローティングゲート電極の不純物濃度は、その他の箇所のフローティングゲート電極の不純物濃度に比べて低く設定した。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程を増加させることなく絶縁破壊耐性に優れた信頼性に懸念のない、小さな占有面積で所期の容量を確保する容量密度の高いパスコンを備えた半導体装置を実現する。
【解決手段】パスコンについて、第１の容量絶縁膜が、記憶素子のトンネル絶縁膜と共に第１の絶縁膜２３で形成され、下部電極である第１の電極２６が、記憶素子の浮遊ゲート電極２５と共にドープト・アモルファスシリコン膜２４（結晶化されたもの）で形成され、第２の容量絶縁膜が、周辺回路の５Ｖのトランジスタのゲート絶縁膜と共に第２の絶縁膜３３で形成され、上部電極である第２の電極３７が、記憶素子の制御ゲート電極３６及び周辺回路のトランジスタのゲート電極４１と共に多結晶シリコン膜３４で形成される。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体装置の機能を確保することができ、フローティングゲートのしきい値電圧の変動が抑制された不揮発性半導体装置を提供する。
【解決手段】主表面を有する半導体基板１１と、半導体基板１１の主表面上に間隔をあけて形成された第１と第２フローティングゲート１５ａ、１５ｂと、第１と第２フローティングゲート１５ａ、１５ｂ上の第１と第２コントロールゲート１２ａ、１２ｂと、第１コントロールゲート１２ａ上に形成された第１絶縁膜３２ａと、第２コントロールゲート１２ｂ上に形成され、第１絶縁膜３２ａに接触するように形成された第２絶縁膜３２ｂと、第１絶縁膜３２ａと、第２絶縁膜３２ｂとを接触させることで、少なくとも第１フローティングゲート１５ａと第２フローティングゲート１５ｂ間に形成された空隙部２６ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書 き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を提供する。
【解決手段】トンネル絶縁膜の上部であって、トンネル領域のエッジ部近傍の領域には、フローティングゲート電極とガード絶縁膜を介してドレイン電極と同電位に固定されたトンネル領域エッジ部ガード電極を配置した。 （もっと読む）

【課題】選択メモリセルから確実にデータを読み出すことのできる不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】一の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、複数の不揮発性メモリセルに接続されるワード線と不揮発性メモリセルを選択してデータ読み出し動作を制御する制御回路とを備える。制御回路はデータ読み出し動作実行の際、選択メモリセルに接続された選択ワード線に、隣接する閾値電圧分布の中間電圧に第１の調整電圧を加えた電圧を印加し、選択ワード線に隣接する第１の非選択ワード線に、不揮発性メモリセルを導通させ得る読み出しパス電圧から第２の調整電圧を引いた電圧を印加し、第１の非選択ワード線に隣接する第２の非選択ワード線に、読み出しパス電圧に第２の調整電圧を加えた電圧を印加し、第１の非選択ワード線及び第２の非選択ワード線を除く非選択のワード線に、読み出しパス電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書 き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることを目的とする。
【解決手段】電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリにおいて、第２導電型のドレイン領域内のトンネル領域の表面には、薄い不純物濃度の第１導電型の領域を形成した。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の窒化速度を向上させる。
【解決手段】ガス流量制御部により処理ガス中の水素含有ガスと窒素含有ガスとの流量をそれぞれ調整し、処理ガス中に含まれる水素原子の数と窒素原子の数との総数に対する水素原子の数の比率Ｒを０％＜Ｒ≦８０％とする工程と、ガス供給部により処理ガスを処理室内に供給する工程と、プラズマ生成部により励起した処理ガスで酸化膜が形成された基板を処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高速で高信頼動作できるようにした不揮発性半導体記憶装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、第１のメモリセル、および、前記第１のメモリセルに対し第１方向に隣接して配置された第２のメモリセルを備えたセル群と、書込回路とを備え、第１および第２のメモリセルの一方をデータ記憶保持に、他方を一方の閾値調整に用い、書込回路が、セル群の前記第１のメモリセルにデータを書込むときには、セル群の第２のメモリセルに電圧を印加し、セル群の第１のメモリセルの閾値電圧を所望の第１閾値電圧より高く調整する。 （もっと読む）

【課題】占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書 き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることを目的とする。
【解決手段】電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリにおいて、第２導電型のドレイン領域内のトンネル領域と前記フローティングゲート電極領域との間には、トンネル絶縁膜が設けられており、前記フローティングゲート電極は第１導電型の導電体で形成されている電気的書き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置。 （もっと読む）