【課題】ソース電極およびドレイン電極のn+層領域と２DEGチャネルとの接触抵抗を低減したヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に設けられた電子走行層と、電子走行層の上に設けられた電子供給層と、ソース電極およびドレイン電極のそれぞれに対応して電子供給層に設けられたトレンチと、を有し、トレンチの底面が電子走行層と電子供給層の界面であるヘテロ接合から所定の距離だけ離れている構成である。 （もっと読む）

【課題】熱抵抗の低減と寄生容量の低減を同時に実現できる半導体チップを提供する。
【解決手段】ドレインフィンガー３及びソースフィンガー２の下部の半導体領域のうち、ゲートフィンガー１の近傍のみに熱抵抗低減用のドーピング領域４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層を含む半導体素子において品質低下を防止可能であり、かつ製造効率に優れたＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体およびＩＩＩ族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】
下地層の上面にＩＩＩ族窒化物の非結晶層を形成する非結晶層形成工程（Ａ）と、
前記非結晶層の上面に保護層を形成する保護層形成工程（Ｂ）と、
前記非結晶層の一部をエッチングにより除去するエッチング工程（Ｃ）と、
前記保護層が形成された状態で前記非結晶層を熱処理して結晶化することによりＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層に変換する半導体結晶層形成工程（Ｄ）と、を含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エッチングダメージによる装置特性の劣化及びエッチングのばらつきによる装置特性のばらつきが小さい窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、ｎ型クラッド層１３とｐ型クラッド層２２との間に形成された活性層１５と、活性層１５への電流が流れる通電部を有する電流狭窄層１８とを備えている。電流狭窄層１８は、第１の半導体層１８Ａと、第２の半導体層１８Ｂと、第３の半導体層１８Ｃとを有する。第２の半導体層１８Ｂは、第１の半導体層１８Ａの上に接して形成され第１の半導体層１８Ａと比べて格子定数が小さい。第３の半導体層１８Ｃは、２の半導体層１８Ｂの上に接して形成され第１の半導体層１８Ａと比べて格子定数が小さく且つ第２の半導体層１８Ｂと比べて格子定数が大きい。 （もっと読む）

【課題】ショットキー接触を発生させることなく、炭素の析出を抑制することにより配線の密着性を向上したオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
ＳｉＣ半導体装置においてオーミック電極を形成する際に、ＳｉＣ層１１の一方の主表面上には、１種の第１の金属元素からなる、第１の金属層１２を形成する。また、第１の金属層の、ＳｉＣ層１１と対向する表面とは反対側の表面上（図１における上側）に、ＳｉからなるＳｉ層１３を形成する。このようにして形成した積層構造１０Ａに対して熱処理を行なう。以上により、電極の表面層への炭素原子の析出や、ＳｉとＳｉＣとによるショットキー接触の形成が抑制された、配線との良好な密着性を示すオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半絶縁性ＳｉＣ基板を用いずとも良好な高周波数特性を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性ＳｉＣ基板１上に化合物半導体領域２が形成されている。化合物半導体領域２には、順次積層されたバッファ層２ａ、電子走行層２ｂ、電子供給層２ｃ及び表面層２ｄが含まれている。化合物半導体領域２には、活性領域を画定する素子分離領域３が設けられている。そして、活性領域と整合するようにして、導電性ＳｉＣ基板１に開口部１ａが形成されている。表面層２ｄには、電子供給層２ｃを露出する２個の開口部が形成されており、開口部の各々に、オーミック電極がソース電極４又はドレイン電極５として形成されている。更に、開口部１０ａを介して表面層２ｄと接するゲート電極６がシリコン窒化膜１０上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高耐圧でスイッチングスピードに優れ高い高周波特性を有するノーマリオフ型のＨＥＭＴを提供すること。
【解決手段】第１のバンドギャップを有する第１の窒化物半導体層２と前記第１のバンドギャップよりも大きい第２のバンドギャップを有し前記第１の窒化物半導体層上とヘテロ接合される第２の窒化物半導体層３とを備える主半導体領域と、前記主半導体領域上に形成されるソース電極５と、前記主半導体領域上において前記ソース電極５と離間して形成されるドレイン電極６と、前記第１の窒化物半導体層上において前記ソース電極５と前記ドレイン電極６との間に形成される第３の窒化物半導体層１０と、前記第３の窒化物半導体層１０上に形成されるゲート電極７とを備え、前記第３の窒化物半導体層１０が前記第１のバンドギャップよりも小さい第３のバンドギャップを有することを特徴とする窒化物半導体装置。 （もっと読む）

【課題】安価な基板を用いて製造することができ、良好な特性を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ＧａＮ層２と、ｐ型ＧａＮ層２上に形成され、空乏化されたｎ型ＧａＮ層３と、ｎ型ＧａＮ層３上に形成された厚さが３０μｍ以上のアンドープのＧａＮ層４と、が設けられている。更に、ＧａＮ層４上に形成された活性層５と、活性層５上に形成された電極層６と、が設けられている。これらの積層体は、サファイア基板を用いて形成されたものであり、積層体の形成後にサファイア基板が分離されている。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜におけるリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、基板上１０にＧａＮ系半導体層１５を形成する工程と、ＧａＮ系半導体層上１５に、ＴＭＡと、Ｏ_２またはＯ_３とを用い、酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜１８をＡＬＤ法により形成する工程と、ゲート絶縁膜１８の上にゲート電極２４を形成する工程と、を含む。本半導体装置の製造方法によれば、ゲート絶縁膜中のリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ−ＨＥＭＴにおいて、オーミックコンタクト抵抗を０．１Ω／ｍｍ以下に低減する。
【解決手段】ＧａＮ層１９、及びＧａＮ層に起因して発生した活性領域１１ａを含む下地１３と、活性領域上に形成されているゲート電極１５と、活性領域に形成されており、ゲート電極を挟んで互いに離間しかつ対向して形成されている第１及び第２主電極１７ａ及び１７ｂとを具える。そして、第１及び第２主電極と活性領域とが重なる第１及び第２重なり領域２９ａ及び２９ｂの、ゲート幅方向３１に沿った幅Ｗ_Ｃ１及び幅Ｗ_Ｃ２は、ゲート電極と活性領域とが重なる第３重なり領域３５の、ゲート幅方向に沿った幅Ｗ_Ｇの１０倍以上である。 （もっと読む）

【課題】放熱効率を向上し且つ歩留りや信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】裏面に凹部ＤＰ１が形成されたシリコン基板１０１と、シリコン基板１０１における裏面と反対側の上面上に成長されたｐ型半導体層１０３と、ｐ型半導体層１０３の上方または側方に互いに離間して形成されたソース電極１０８ｓおよびドレイン電極１０８ｄと、を含むＭＯＳＦＥＴと、を備える。ｐ型半導体層１０３は、シリコン基板１０１に対して格子定数および熱膨張係数のうち少なくとも１つが異なる。凹部ＤＰ１は、シリコン基板１０１の厚み方向から見て少なくともソース電極１０８ｓおよびドレイン電極１０８ｄで挟まれた領域を内包する領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】応答特性が良く電流コラプスの問題を改善できると同時に、デバイス設計値どおりのゲートリセス部を再現性よく形成しうる窒化物半導体装置を得ること。
【解決手段】基板１上に形成された第１の窒化物半導体からなるチャネル層２と、チャネル層２の上部に形成され、第１の窒化物半導体よりも大きなバンドギャップを有する第２の窒化物半導体からなる第１の電子供給層３ａと、第１の電子供給層の上部で離隔した２つの領域として形成され、第１の窒化物半導体と同じか、又はこれよりも大きなバンドギャップを有する第３の窒化物半導体からなる第２の電子供給層３ｂとを備えている。
第１と第２の電子供給層３ａ、３ｂの間には、第２の電子供給層３ｂよりもドライエッチング速度が小さい材料からなるエッチングストッパ層４が形成されており、この層４の上部で２つの領域に挟まれたゲートリセス部を、ゲート電極５が充填するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ特性が実現され、飽和電流値低下が生じず、ゲート電圧に対するドレイン・ソース間電流特性が良好なＨＥＭＴを実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１半導体層１３１と、第１半導体層１３１の主面１３５上に積層され、第１半導体層１３１の主面１３５側に２ＤＥＧ層１３７を生じさせる第２半導体層１３３と、第１半導体層１３１及び第２半導体層１３３と比して電子親和力χが大きい半導体材料からなり、２ＤＥＧ層１３７と電気的に接続された第３半導体層１３９と、第２半導体層１３３及び第３半導体層１３９上に設けられた絶縁膜１５７と、第３半導体層１３９にオーミック接続される第１電極１５１と、第２半導体層１３３及び第３半導体層１３９上に絶縁膜１５７を介して設けられた第２電極１５３と、第１電極１５１との間に第２電極１５３を介在させ、２ＤＥＧ層１３７と電気的に接続された第３電極１５５とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＲＦデバイスの低抵抗化による高効率化を図り、高い生産性を得ることが可能な化合物半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ層１１上にＡｌＧａＮ層１２が形成されたＡｌＧａＮ／ＧａＮ基板と、それぞれＧａＮ層１１とＡｌＧａＮ層１２の界面に形成される二次元キャリア層１３を貫通してＧａＮ層に到達し、その側面とＡｌＧａＮ／ＧａＮ基板の基板面との角度が９０±１０°となる開口部に形成されるメタル層からなるソース電極１４およびドレイン電極１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】エッチングストッパ層を利用して、２つのＧａＡｓ層間又は２つのＡｌＧａＡｓ層間を精度良く選択エッチングできると共に、コンタクト抵抗の増大を抑制した半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１のＧａＡｓ層とＩｎＡｌＧａＡｓ層と第２のＧａＡｓ層とを順次積層し、ＩｎＡｌＧａＡｓ層をエッチングストッパ層とし第２のＧａＡｓ層をエッチングするエッチング工程を有し、エッチングストッパ層としてのＩｎＡｌＧａＡｓ層における、ＩｎとＡｌの組成比を４：６〜６：４であり且つ（Ｉｎ＋Ａｌ）とＧａとの組成比を１．５：８．５〜５：５とする、又は第１のＡｌＧａＡｓ層とＩｎＡｌＡｓ層と第２のＡｌＧａＡｓ層とを順次積層し、ＩｎＡｌＡｓ層をエッチングストッパ層とし第２のＡｌＧａＡｓ層をエッチングするエッチング工程を有し、エッチングストッパ層としてのＩｎＡｌＡｓ層におけるＩｎとＡｌの組成比を４：６〜６：４とする。 （もっと読む）

【課題】低抵抗チャネル（高移動度、高２ＤＥＧ濃度）を有するヘテロ構造を有し、従来技術よりも容易に作製できる窒化物半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板であるＧａＮ１上に、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（ＡｌＧａＮ２）およびＡｌ_ｘＩｎ_１−ｘＮ（ＡｌＩｎＮ３）をこの順に堆積してなる積層構造を有する窒化物半導体装置であって、前記ｘ、ｙは不等式 0.75≦ｘ≦0.9 および 0.1≦ｙ＜１ を満足し、前記Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮの厚さと前記Ａｌ_ｘＩｎ_１−ｘＮの厚さは、それぞれ 1 ｎｍ以上であり、両者の和は 50 ｎｍ以下であることを特徴とする窒化物半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体層の表面に、その半導体層よりも非常にキャリア濃度の大きい半導体層を形成する高キャリア濃度の薄膜半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体層１表面の自然酸化膜または２５０℃以下の低温で生成した酸化膜４を還元して形成される活性化した金属元素と結合させることにより、半導体層１よりも高キャリア濃度で、かつ、バンドギャップが前記半導体層より大きい薄膜化合物半導体層２を形成する。この上に、ＳｉＮ：Ｈからなる保護層３を設けることが薄膜を保護するために好ましい。 （もっと読む）

【課題】ｐ型コンタクト抵抗を低減でき、素子のスイッチングスピードを下げないようにすることができる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板６のうち第１〜第３コンタクトホール１２〜１４から露出した部位に、炭化珪素とＡｌとＮｉとが反応してそれぞれ形成された合金層１５が設けられている。この合金層１５におけるＡｌとＮｉとの元素組成比は１：４．６〜１：１０．６であり、合金層１５の厚さは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下になっている。これにより、合金層１５と半導体基板６とがオーミック接触となり、低いコンタクト抵抗率を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電極の断線が生じても動作可能であり、かつ大電力で動作することが可能な、小型の半導体装置を提供する。
【解決手段】セル１６０は、六角形の素子形成領域を画定する開口部を形成するように形成されたソース電極１８２と、素子形成領域に、ソース電極１８２と一定距離を隔てて帯状に形成されたドレイン電極１８０と、ソース電極１８２とドレイン電極１８０との双方から所定の距離を隔てて形成されたゲート電極１８４とを含む。ゲート電極１８４の各辺の中央部分からソース電極１８２に重畳するようにゲート引出電極１８６を形成し、ゲート引出電極１８６とソース電極１８２との間には絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】トラッピングを少なくするためにＡｌＧａＮ層を薄くし、またゲート漏洩を減少させるために層を追加して最大駆動電流を増加させるようにする。
【解決手段】基板８８を金属有機化学気相成長反応器８０中に置く工程と、基板８８上に高比抵抗のＧａＮ層２０を形成するために、原料ガスを金属有機化学気相成長反応器８０の反応チャンバー８２中に流す工程と、ＧａＮ層２０上に、ＧａＮ層２０よりも広いバンドギャップを有するＡｌＧａＮバリア半導体層１８を形成するために、原料ガスを反応器チャンバー８２中に流す工程と、ＡｌＧａＮバリア半導体層１８上に絶縁層２４を形成するために原料ガスを反応器チャンバー８２中に流す工程と、反応チャンバー８２を冷却する工程と、堆積された層を備える基板８８を前記反応チャンバー８２から取り出す工程とを有する。 （もっと読む）