【課題】オン抵抗の上昇を抑制し、かつ、オフ容量を低減することができる電界効果トランジスタ、電界効果トランジスタの製造方法及び通信装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１０の一面側に、バッファ層１１、下部ドーピング層１２、下部スペーサ層１３、チャネル層１４、上部スペーサ層１５、上部ドーピング層１６、拡散層１７をこの順に積層し、拡散層１７上の一部にゲート電極１８、ソース電極１９及びドレイン電極２０を形成する。また、ゲート電極１８とソース電極１９及びドレイン電極２０との間の領域にそれぞれ所定の間隔ｄ２，ｄ３を空けてｐ型半導体層２１を形成すると共に、拡散層１７のうちゲート電極１８直下の部分にゲート領域２３を形成する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧で、高い動作電圧を有する電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半絶縁性基板上に積層されたアンドープＡｌＮ６２層と、該アンドープＡｌＮ層上に積層されたＳｉドープｎ型ＡｌＮ層６３と、該Ｓｉドープｎ型ＡｌＮ層上に、高濃度Ｓｉドープｎ型ＡｌＮ層６４ａ，６４ｂを介して形成されたドレイン電極６５およびソース電極６７と、前記Ｓｉドープｎ型ＡｌＮ層６３上に形成されたゲート電極６６とを備え、前記Ｓｉドープｎ型ＡｌＮ層のＳｉ濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３〜５×１０^１８ｃｍ^−３であり、前記高濃度Ｓｉドープｎ型ＡｌＮ層のＳｉ濃度は、５×１０^１９ｃｍ^−３以上である。前記ゲート電極の材料は、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｔｉのいずれか１つが含まれる。 （もっと読む）

【課題】III-Ｖ族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置（ＨＦＥＴ）は、ＳｉＣ基板１１上にバッファ層１２を介在させて形成された第１の窒化物半導体層１３と、該第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、該第１の窒化物半導体層１３の上部に２次元電子ガス層を生成する第２の窒化物半導体層１４と、該第２の窒化物半導体層１４の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極１６、１７とを有している。第２の窒化物半導体層１４は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部１４ａを有し、オーム性を持つ電極１６、１７はコンタクト部１４ａに形成されている。 （もっと読む）

【課題】低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を得ることのできるオーミック電極を備える電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子デバイスは、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６と、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６上に形成されるオーミック電極であるソース電極１８及びドレイン電極とを含む電子デバイスであって、オーミック電極は、密着層４０、オーミック層４２、及び、酸化防止層４６が、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６側からこの順に積層されて形成された電極であり、密着層４０は、バナジウム（Ｖ）からなり、かつ、厚みが３００Å以下であるようにする。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを十分に緩和し、ＧａＮトランジスタが本来有している低いオン抵抗を利用した高効率の電力変換装置を実現できるようにする。
【解決手段】電力変換装置は、電源が接続される入力端Ｖ_in1と、電源から供給された電力をスイッチングする第１のスイッチング素子１０とを備えている。第１のスイッチング素子１０は、基板１１の上に形成された窒化物半導体からなる半導体層積層体１３と、半導体層積層体１３の上に形成されたゲート電極１８、第１のオーミック電極１６及び第２のオーミック電極１７と、基板１１の裏面に形成された裏面電極２０とを有している。裏面電極２０には第２のオーミック電極１７との間の電位差が小さくなるように入力端Ｖ_in1に接続された電源から電位が供給される。第１のスイッチング素子１０がオン状態の場合には、裏面電極２０に正電圧のバイアスが印加される。 （もっと読む）

【課題】 ノーマリーオフ特性を示し、高電圧で作動可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 本発明の電界効果トランジスタ１０は、窒素極性を有する窒化物半導体多層体１５と、ゲート電極１６と、ソース電極１７と、ドレイン電極１８とを備え、前記窒化物半導体多層体１５は、基板１１上に、電子供給層１２と、電子走行層１３と、障壁層１４とが前記順序でエピタキシャルに積層された多層体であり、前記ゲート電極１６が、前記障壁層１４上に配置され、前記ゲート電極１６下部以外の前記窒化物半導体多層体１５が、リセス構造を有し、前記ソース電極１７および前記ドレイン電極１８が、前記リセス構造の底面に配置され、前記電子走行層１２と前記電子供給層１３との界面にヘテロ接合１９が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】精度良く加工された窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、基板１０１の上に形成された第１の窒化物半導体層１０７と、第１の窒化物半導体層１０７の上に形成された欠陥導入層１０８と、欠陥導入層１０８の上に接して形成され、欠陥導入層１０８を露出する開口部を有する第２の窒化物半導体層１０９とを備えている。欠陥導入層１０８は、第１の窒化物半導体層１０７及び第２の窒化物半導体層１０９と比べて結晶欠陥密度が大きい。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ低抵抗の半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成され、該半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極と、を備える。また、基板上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に、前記半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極を形成する電極形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】低いコンタクト抵抗を有し、かつ、オン抵抗の増大を回避できて高いチャネル移動度を維持できるノーマリオフ動作の電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果型トランジスタは、ＡｌＧａＮ障壁層６の薄層部６ａは、第２のＧａＮ層４のＶ欠陥１３およびＶ欠陥１３に連なる第３のＧａＮ層５の非成長領域Ｇ１上に形成されているので、エッチングを行うことなく平坦部６ｂよりも薄くできる。よって、エッチングダメージがチャネル移動度を低下させることがなく、オン抵抗の増大を回避できる。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素の半導体装置において、電極材料と、内部配線の材料とが異なるとき、これら異種金属の接触界面における不具合のおそれを無くして、長期間使用後にも高い信頼性を得ることができる、半導体装置等を提供する。
【解決手段】 炭化珪素１４，１８に接触する接触電極１６と、該接触電極と導通する配線１９とを備え、接触電極１６が、チタン、アルミニウム、および珪素を含有する合金で形成され、配線１９は、アルミニウムまたはアルミニウム合金で形成され、該配線は接触電極と接触することで該接触電極と導通をとることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ₂からなるゲート絶縁膜を常圧ＣＶＤによって形成することで、十分なノーマリオフ特性が得られるＧａＮ系半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にバッファ層１３を介して積層されたｐ型のＧａＮ系化合物半導体からなるチャネル層１４とゲート電極Ｇとの間にゲート絶縁膜１７が形成されたＧａＮ系半導体素子１において、ゲート絶縁膜１７が、常圧ＣＶＤ法により成膜されたＳｉＯ₂膜である。常圧ＣＶＤ法により成膜されたＳｉＯ₂膜は、Ｓｉ−Ｈ結合や未結合手の発生が抑制された高品質のＳｉＯ₂膜である。このようなＳｉＯ₂膜により、ＧａＮ系半導体素子のしきい値の制御に及ぼす悪影響も抑制されるので、十分なノーマリオフ特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】良好な二次元電子ガス特性を有し、かつコンタクト特性の良好なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板の上にＧａＮにてチャネル層を形成し、チャネル層の上にＡｌＮにてスペーサ層を形成し、スペーサ層の上に、障壁層を、少なくともＩｎとＡｌとＧａを含む、Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）なる組成のIII族窒化物であって、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮを頂点とする三元状態図上において、該III族窒化物の組成に応じて定まる４つの直線にて囲まれる範囲内にあるようにする。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ型であるとともに、ゲート閾値電圧のばらつきが小さいＨＥＭＴ型のトランジスタを提供する。
【解決手段】このトランジスタは、ｐ型領域18と、チャネル領域20と、バリア領域22と、絶縁膜62と、ゲート電極64を備えている。チャネル領域20は、ｎ型またはｉ型であり、ｐ型領域の表面に接しており、第１チャネル領域と第２チャネル領域を有している。バリア領域22は、第１チャネル領域の表面とヘテロ接合している。絶縁膜62は、第２チャネル領域の表面、及び、バリア領域の表面に接している。ゲート電極64は、絶縁膜62を介して第２チャネル領域及びバリア領域に対向している。第１チャネル領域と第２チャネル領域は、電流経路において直列に配置されている。 （もっと読む）

【課題】III−V族化合物半導体を含むトランジスタとその形成方法を提供する。
【解決手段】基板２０、前記基板上にあり、III族とV族元素を含む第１のIII−V族化合物半導体材料で形成されたチャネル層２６、前記チャネル層の上方の高ドープ半導体層３０、前記高ドープ半導体層を穿通して形成され前記高ドープ半導体層の側壁に接触したゲート誘電体５０、及び前記ゲート誘電体の下部部分上のゲート電極５２を含み、ゲート誘電体５０が前記ゲート電極の側壁上の側壁部分を有している集積回路構造。 （もっと読む）

【課題】高キャリア濃度、高移動度、低抵抗の電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１窒化物半導体層１１と、Ａｌ含有窒化物半導体層を含む第２窒化物半導体層１２と、ゲートコンタクト層１４と、を備える電界効果トランジスタであって、第２窒化物半導体層１２の上の一部に第３窒化物半導体層１３が設けられ、第３窒化物半導体層１３の上にゲートコンタクト層１４が設けられており、第２窒化物半導体層１２は、第１窒化物半導体層１１側がＡｌ_ａＧａ_１−ａＮ（０＜ａ≦１）、第３窒化物半導体層１３側がＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（0≦ｂ＜1、ｂ＜ａ）又はＩｎＧａＮであり、第３窒化物半導体層１３は第２窒化物半導体層１２の第３窒化物半導体層１３側よりもＡｌ組成比が大きいＡｌ含有窒化物半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗が低く耐圧が高い電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】窒化物系化合物半導体からなる電界効果トランジスタであって、基板と、前記基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成された高抵抗層又は下地層と、前記高抵抗層又は下地層上に形成された、炭素を含有するキャリア濃度制御層と、前記キャリア濃度制御層上に形成されたキャリア走行層と、前記キャリア走行層上に形成された、前記キャリア走行層とはバンドギャップエネルギーが異なるキャリア供給層と、前記キャリア供給層から所定の深さに到るまで形成されたリセス部と、前記キャリア供給層上に前記リセス部を挟んで形成されたソース電極およびドレイン電極と、前記キャリア供給層上にわたって前記リセス部内を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記リセス部において前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを減少し耐圧を維持しつつ、オン抵抗を改善した、高電圧、高周波で動作する半導体装置を提供する。
【解決手段】この発明にかかる半導体装置は、ヘテロ接合型の窒化物半導体装置であって、基板１上に形成されたチャネル層２と、チャネル層２上に形成された電子供給層３と、電子供給層３上に選択的に形成されたゲート電極５と、ゲート電極５を挟み離間して形成されたソース、ドレイン電極４ａ，４ｂと、ゲート電極５のドレイン電極側端部近傍を除く第１領域に形成され、当該第１領域に対応する二次元電子ガス濃度に作用する第１薄膜である薄膜８と、ゲート電極５のドレイン電極側端部近傍の第２領域に形成され、当該第２領域に対応する二次元電子ガス濃度に作用し、当該濃度を第１領域に対応するそれよりも低くする第２薄膜である薄膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】ソース抵抗を低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１０上に配置された窒化物系化合物半導体層１２と、窒化物系化合物半導体層１２上に配置され、アルミニウム窒化ガリウム層１８からなる活性領域ＡＡと、活性領域上に配置されたゲート電極２４、ソース電極２０およびドレイン電極２２と、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極が延伸する方向の窒化物系化合物半導体層上に配置され、それぞれゲート電極、ソース電極およびドレイン電極に接続されたゲート端子電極ＧＥ１〜ＧＥ３、ソース端子電極ＳＥ１〜ＳＥ４およびドレイン端子電極ＤＥと、ソース端子電極が配置される側の基板の端面に配置され、ソース端子電極と接続され、最外層のエッジが下地金属層よりも後退する３層以上の異なる多層金属を有する端面電極ＳＣ１〜ＳＣ４とを備え、ダイボンディング半田層がソース端子電極に到達するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】従来よりもゲート寸法が縮小され、高周波性能の高い電界効果トランジスタを、均一なゲート寸法でかつ低コストで提供すること。
【解決手段】ゲート電極を形成するための開口部を設ける工程において、投影露光装置を用いて、レジストを露光して前記開口部を作成する際に、露光されるレジストにおいて、該露光により形成される半導体基板上での開口部の幅が、レチクルおよび露光装置の縮小比によって規定されるウエハー上での光束寸法よりも小さな幅として形成されるように、ソース電極およびドレイン電極の厚さを、それぞれ所定の値に設定する。 （もっと読む）

【課題】電極の接触抵抗の低減を図るようにした高周波特性の良い電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体薄膜をエピタキシャル結晶成長させてなる多層膜半導体構造を有しており、多層膜半導体構造は、基板１と、基板１上に形成されたバッファ層２と、バッファ層２上に形成された電子走行層３と、電子走行層３上に形成されたスペーサ層４と、スペーサ層４上に形成された電子供給層５と、電子供給層５上に形成されたバリア層６と、バリア層６上に形成された高電子濃度キャップ層７とを備え、さらに、高電子濃度キャップ層７上に形成されたソース電極１０１及びドレイン電極１０３と、バリア層６の表面に形成されたゲート電極１０２とを備えている。 （もっと読む）