【課題】歩留りの低下を抑制する。
【解決手段】開口部１２１．１の形成により、第１の半導体層１１０の上面のうち、上方に第２の半導体層１２０が形成されていない部分の少なくとも一部には、絶縁体１３０．１が形成される。開口部１２１．１には、絶縁体１３０．１を覆うようにソース電極Ｓ１０が形成される。ソース電極Ｓ１０は、第１の半導体層１１０と前記第２の半導体層１２０との界面と接するように形成される。 （もっと読む）

【課題】活性層の上に電極パッドを形成する場合に生じる問題を解決し、オン抵抗の上昇を抑えた窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、活性領域１０２Ａを有する窒化物半導体層積層体１０２と、活性領域の上に互いに間隔をおいて形成されたフィンガー状の第１の電極１３１及び第２の電極１３２とを備えている。第１の電極の上に接して第１の電極配線１５１が形成され、第２の電極の上に第２の電極配線１５２が接して形成されている。第１の電極配線及び第２の電極配線を覆うように第２の絶縁膜が形成され、第２の絶縁膜の上に第１の金属層１６１が形成されている。第１の金属層は、第２の絶縁膜を介して活性領域の上に形成され、第１の電極配線と接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ソース電極およびドレイン電極の熱耐久性を向上させて、かつ製造過程においてオーミック性に与える不安定要因を取り除き信頼性および量産性の高いＧａＮ系ＨＥＭＴを提供する。
【解決手段】ＧａＮ系ＨＥＭＴは、基板と、窒化ガリウム系半導体と、融点が３０００℃と高融点金属のタンタルと低融点金属のアルミニウムが前記窒化ガリウム系半導体上に積層されてなる前記ソースおよび前記ドレイン電極を備えている。前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記タンタルと前記アルミニウムの積層膜厚の比（前記アルミニウム膜厚／前記タンタル膜厚）を１０以上にし、積層後のアニール処理温度が５１０℃以上、６００℃未満で処理されて成る。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗率を低く抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、Ａｌ組成比が０．２以上のＡｌＧａＮ層をエッチングして、ＲＭＳ粗さが０．３ｎｍ未満の底面を有する凹部を形成する工程と、前記凹部の底面に接して、４ｎｍから８ｎｍの厚さの第１Ｔａ層を形成する工程と、前記第１Ｔａ層に熱処理を施して、前記ＡｌＧａＮ層にオーミック接触させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体基板の位置検出を、可視光を用いて高精度に行う。
【解決手段】一実施形態によれば、ナローギャップ半導体基板（例えばＳｉ基板２）の主面の所定の位置に彫り込み型のアライメントマーク４が形成されたナローギャップ半導体基板のその主面上にワイドギャップ半導体層（例えばＧａＮ層１９）をエピタキシャル成長したことにより、基板位置決め用のアライメントマークが予め埋め込まれているワイドギャップ半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴの閾値電圧のばらつきのない半導体トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体トランジスタ１００は、基板１と、基板１の上方に形成された第１化合物半導体層１０３と、第１化合物半導体層１０３上に形成され、第１化合物半導体層１０３よりもバンドギャップの大きい第２化合物半導体層１０４と、第２化合物半導体層１０４内の少なくとも一部に、酸素がドープされた酸素ドープ領域１０５と、第２化合物半導体層１０４上に形成された第３化合物半導体層１０６と、第１化合物半導体層１０３に電気的に接続されたソース電極１０７およびドレイン電極１０９と、酸素ドープ領域１０５の上方に、酸素ドープ領域１０５に接するように形成されたゲート電極１０８とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体層とソース電極、ドレイン電極とのコンタクト抵抗が小さい電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板１１の表面上に形成された、活性層を含む半導体層１２と、半導体層１２上に互いに離間して形成され、チタン層１８、およびこのチタン層１８に対する膜厚比が１２〜１５であるアルミニウム層１９を有するソース電極１６およびドレイン電極１５と、半導体層１２上のうち、ソース電極１６とドレイン電極１５との間に形成されたゲート電極１７と、を具備する電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の低減を図ることができる電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１０１は、化合物半導体基板１と、化合物半導体基板１上に形成され、当該基板側から見て、ｎ型キャリアが蓄積するチャネル層５、ショットキー層８、及びキャップ層９を順次含む半導体積層構造１０と、ゲート電極２０、ソース電極２１、及びドレイン電極２２とを備えている。キャップ層９は、ショットキー層８側から見て、自然超格子構造を有するアンドープの又はｎ型キャリアが添加された第１のＩｎＧａＰ層９Ａと、自然超格子構造を有しないｎ型キャリアが添加された第２のＩｎＧａＰ層９Ｂとを順次含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。
【解決手段】自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に堆積したＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が１Ｅ６／ｃｍ²未満の転位密度を有しており、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間に酸化物を有するか、（ii）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間にエピ中間層を有するか、
（iii）前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板がオフカットされており、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー成長結晶を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグを介さずに、ＭＯＳトランジスタの第２ソース／ドレイン電極に相変化材料領域を直接、接続することで、電圧降下のロスを抑制し、効率よく相変化材料を加熱する。これにより、消費電力を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１ソース／ドレイン電極及び第２ソース／ドレイン電極を有するＭＯＳトランジスタと、コンタクトプラグを介して第１ソース／ドレイン電極に接続されたＧＮＤ配線と、相変化材料領域と、相変化材料領域上に設けられた上部電極と、を有する。相変化材料領域は、第２ソース／ドレイン電極に直接、接続されている。 （もっと読む）

【課題】Ｉｄ―ｍａｘ特性低下を低減可能なIII族窒化物半導体電子デバイスが提供される。
【解決手段】III族窒化物半導体電子デバイス１１では、チャネル層２１はＡｌＧａＮからなると共に、バリア層２３はチャネル層２１より大きなバンドギャップのＡｌＧａＮからなる。チャネル層２１が、ＧａＮではなく、ＡｌＧａＮからなるので、III族窒化物半導体電子デバイス１１においてＩｄ―ｍａｘ特性低下を低減可能である。また、第１及び第２の電極１７、１９は、それぞれ、チャネル層２１の第１及び第２の部分２１ａ、２１ｂ上に設けられる。チャネル層２１において第１の部分２１ａの不純物濃度が第２の部分２１ｂの不純物濃度と同じであるから、チャネル層２１における第１の部分にイオン注入が行われていない。半導体積層１５に部分的にイオン注入を行っていない。このイオン注入の使用回避により、Ｉｄ―ｍａｘ特性低下を更に低減可能である。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ特性を有する低オン抵抗で高耐圧の窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた第１導電型の窒化物半導体からなる第１半導体層５と、前記第１半導体層の上に設けられ、前記第１半導体層のシートキャリア濃度と同量のシートキャリア濃度を有する第２導電型の窒化物半導体からなる第２半導体層６と、を備える。前記第２半導体層の上には、前記第２半導体層よりも禁制帯幅が広い窒化物半導体からなる第３半導体層７が設けられる。前記第２半導体層に電気的に接続された第１主電極１０と、前記第１主電極と離間して設けられ、前記第２半導体層に電気的に接続された第２主電極２０と、をさらに備え、前記第１主電極と前記第２主電極との間において、前記第３半導体層および前記第２半導体層を貫通して前記第１半導体層に達する第１のトレンチの内部に絶縁膜３３を介して設けられた制御電極３０を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において低抵抗なオーミック性を有し、酸・アルカリによる腐食に対し高い耐性を持つ電極を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明に係る第１の半導体装置は、窒化物半導体層１と、窒化物半導体層上に設けられた電極とを備え、窒化物半導体層１は電極下に、それ以外の部分よりも高濃度にｎ型不純物を含む高濃度不純物領域２を備え、電極は、窒化物半導体層１上に設けられた第一金属層３と、第一金属層３上に設けられた第二金属層４と、第二金属層４上に設けられた第三金属層５と、を備え、第一金属層３は第二金属層４よりも窒化物半導体層１との高い密着性を有する金属を含み、第三金属層５は水素よりもイオン化傾向の小さい金属を含む。 （もっと読む）

【課題】大きな電流密度あるいは大きな利得での駆動と低いオン抵抗とを両立したＨＦＥＴを得る。
【解決手段】Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ（ただしｘ、ｙおよびｚは、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ≦１および０≦ｚ≦１を満たす）からなる半導体層を有し、前記半導体層が、トランジスタのソースとして機能するソース領域の全部または一部と、前記トランジスタのドレインとして機能するドレイン領域の全部または一部と、前記ソース領域および前記ドレイン領域の間に配置され、前記トランジスタのゲートとして機能するゲート領域の全部または一部とを含み、前記ゲート領域の全部または一部における前記半導体層の最大電子親和力が、前記ソース領域の全部または一部における前記半導体層の最小電子親和力または前記ドレイン領域の全部または一部における前記半導体層の最小電子親和力より小さい半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】ゲート耐電圧が高くかつオン抵抗が低減されたノーマリオフ型ＧａＮ系ＦＥＴを提供する。
【解決手段】ノーマリオフ型ＧａＮ系ＦＥＴは、第１種ＧａＮ系半導体からなるチャネル層４と、このチャネル層上で互いに隔てて設けられた第２種ＧａＮ系半導体からなる一対の電子供給層５と、これら電子供給層の間でチャネル層を覆うゲート絶縁膜７と、チャネル層にオーミックコンタクトしているソース電極およびドレイン電極と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備え、ゲート絶縁膜はチャネル層上に順次堆積された第１と第２の絶縁層を含み、第１絶縁層７ａはＳｉの酸化物、窒化物および酸窒化物のいずれかからなりかつ５ｎｍ以下の厚さを有し、第２絶縁層７ｂは第１絶縁層に比べて大きなε×Ｅ_ｃを有し、ここでεは誘電率を表し、Ｅ_ｃは絶縁破壊電界を表している。 （もっと読む）

【課題】耐圧向上や短チャンネル効果の抑制を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、半導体基板であるＳｉＣ基板１上に形成された、バッファ層２と、バッファ層２上に形成された、バッファ層２よりもバンドギャップが小さいチャネル層３と、チャネル層３上に形成された、チャネル層３よりもバンドギャップが大きいバリア層４と、バリア層４上に互いに離間して形成された、ソース、ドレイン電極７、８と、ソース、ドレイン電極７、８下から、バリア層４を通ってチャネル層３中にそれぞれ達する、不純物領域５とを備え、不純物領域５の下端は、バッファ層２に達しない。 （もっと読む）

【課題】III-Ｖ族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置（ＨＦＥＴ）は、ＳｉＣ基板１１上にバッファ層１２を介在させて形成された第１の窒化物半導体層１３と、該第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、該第１の窒化物半導体層１３の上部に２次元電子ガス層を生成する第２の窒化物半導体層１４と、該第２の窒化物半導体層１４の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極１６、１７とを有している。第２の窒化物半導体層１４は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部１４ａを有し、オーム性を持つ電極１６、１７はコンタクト部１４ａに形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＡｌＮ／ＧａＮヘテロ構造を有し、かつオーミックコンタクト特性の優れた半導体素子用のエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】半導体素子用エピタキシャル基板１０Ａが、下地基板１と、ＧａＮからなるチャネル層３と、ＡｌＮからなるスペーサ層４と、III族元素としてＩｎとＡｌとＧａとを含む障壁層５と、を備え、障壁層が、Ｉｎ_xＡｌ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）からなるマトリックス層にＧａ原子がドープされ、障壁層のＧａ原子の濃度が１．２×１０²⁰ｃｍ^-3以下であるようにする。 （もっと読む）

【課題】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）で、凹部バリア層を備え、バリア層間にゲート電極を形成することにより、エンハンスメント型ＦＥＴを提供する。
【解決手段】基板上１０４上にバッファ１０８層を形成し、バッファ層上にスペーサ層１１２を形成し、スペーサ層上にバリア層１１６を形成する。バリア層内に凹部を形成し、凹部を通して、少なくてもその一部が前記スペーサ層上に配置されるようにゲート構造１４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗が小さいオーミック電極を備えたIII−Ｖ族窒化物半導体を用いた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１１の上に順次形成された、第１のIII−Ｖ族窒化物半導体層１２及び第１のIII−Ｖ族窒化物半導体１２と比べてバンドギャップが大きい第２のIII−Ｖ族窒化物半導体層１３と、ｐ型の導電型を有する第３のIII−Ｖ族窒化物半導体層２１と、第１のオーミック電極１４とを備えている。第１のオーミック電極１４は、下部が第２のIII−Ｖ族窒化物半導体層１３及び第３のIII−Ｖ族窒化物半導体層２１を貫通し且つ第１のIII−Ｖ族窒化物半導体層１２における２次元電子ガス層よりも下側の領域に達するように形成されている。 （もっと読む）