電子デバイス及びオーミック電極形成方法
【課題】低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を得ることのできるオーミック電極を備える電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子デバイスは、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６と、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６上に形成されるオーミック電極であるソース電極１８及びドレイン電極とを含む電子デバイスであって、オーミック電極は、密着層４０、オーミック層４２、及び、酸化防止層４６が、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６側からこの順に積層されて形成された電極であり、密着層４０は、バナジウム（Ｖ）からなり、かつ、厚みが３００Å以下であるようにする。
【解決手段】電子デバイスは、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６と、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６上に形成されるオーミック電極であるソース電極１８及びドレイン電極とを含む電子デバイスであって、オーミック電極は、密着層４０、オーミック層４２、及び、酸化防止層４６が、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６側からこの順に積層されて形成された電極であり、密着層４０は、バナジウム（Ｖ）からなり、かつ、厚みが３００Å以下であるようにする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オーミック電極を含む電子デバイス及びそのオーミック電極の形成方法に関し、特には、オーミック電極の熱安定性を向上させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ダイヤモンド、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、硫セレン化亜鉛（ＺｎＳＳｅ）系半導体、及び、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体等は、ワイドバンドギャップ化合物半導体として知られている。これらのワイドバンドギャップ化合物半導体は、赤色レーザ及びＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）に使用されるＩｎＧａＡｌＰ／ＧａＡｓ系半導体よりも広いバンドギャップを有するため、青色レーザ用材料、青色発光ダイオード用材料、並びに、大電力及び高温条件下での使用に耐え得る電子デバイス用材料等への応用が期待されている。
【０００３】
上記したワイドバンドギャップ化合物半導体の中でも特に、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、及び、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）等を含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体は、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び、インジウム（Ｉｎ）等のＩＩＩ族（第１３族）元素の割合を変更することで、容易にバンドギャップ（１．８ｅＶ〜６．２ｅＶ）を調整できる。そのため、青色レーザ、青色発光ダイオード、及び、大電力用の電界効果トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＦＥＴ））等の電子デバイスに対してＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体を応用する技術の開発が進められている。
【０００４】
これらの素子においては、大電力条件下、すなわち高電流注入条件下における安定動作を可能にするために、ワイドバンドギャップ化合物半導体に対するコンタクト抵抗を可能な限り低くしたオーミック電極を得る技術が重要である。
【０００５】
例えば、後掲の特許文献１には、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に、チタンとアルミニウムとによりなる多層膜を形成した後アニール（熱処理）することによって、オーミック電極を得る技術について開示されている。
【０００６】
また、後掲の特許文献２には、ｎ型ＧａＮ層表面に対し、第１の高融点金属層であるハフニウム（Ｈｆ）層又はジルコニウム（Ｚｒ）層、第２の高融点金属層であるチタニウム（Ｔｉ）層、及び、低抵抗金属層であるＡｌ層を順次積層した後アニールすることによって、オーミック電極を得る技術について開示されている。
【０００７】
更に、後掲の特許文献３には、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層に接する側から順に、ＴｉとＡｌとが積層された多層膜よりなる第１の薄膜と、Ｔｉと金（Ａｕ）とが積層された多層膜等の、Ａｌよりも高融点の金属よりなる第２の薄膜とを積層した後アニールすることによって、オーミック電極を得る技術について開示されている。
【０００８】
更に、後掲の特許文献４には、ＩＩＩ族窒化物半導体層上に、Ｔｉ、Ｚｒ、及び、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含む第３電極層、ガドリニウム（Ｇｄ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、サマリウム（Ｓｍ）、及び、ストロンチウム（Ｓｒ）から選ばれる少なくとも１種を含む第１電極層、並びに、Ａｕ、ケイ素（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、Ｔｉ、パラジウム（Ｐｄ）、及び、スズ（Ｓｎ）から選ばれる少なくとも１種を含む第２電極層をこの順に堆積した後アニールすることによって、オーミック電極を得る技術について開示されている。
【０００９】
更に、後掲の特許文献５には、ｎ型又はノンドープ窒化物系半導体表面に接する位置にＴｉ、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、及び、Ｓｉのうち少なくとも１種以上の金属が含まれる第１の層を形成し、この第１の層上にマグネシウム（Ｍｇ）が含まれる第２の層を形成し、第１の層及び第２の層をアニールすることによって、オーミック電極を得る技術について開示されている。
【００１０】
更に、後掲の特許文献６には、ｎ伝導型のＧａＮ系半導体層上に、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＣｒから選ばれる少なくとも一の金属又はこの金属を含む合金からなる下地層を形成し、この下地層上に他の金属からなる主電極層を形成した後、半導体層、下地層及び主電極層を４５０℃〜７００℃でアニールすることによって、オーミック電極であるｎ電極を得る技術について開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特許第２７８３３４９号
【特許文献２】特開２００１−１５４５２号公報
【特許文献３】特許第３１５４３６４号
【特許文献４】特開２００６−２３７１６２号公報
【特許文献５】特開２００７−５９５０８号公報
【特許文献６】特開平１０−１１２５５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
オーミック電極の製造時には、高温短時間又は低温長時間の条件下でアニールが行なわれる。例えば、特許文献１〜特許文献６に開示されるオーミック電極の中で、窒化物系半導体層上にＴｉ、Ｈｆ、Ｃｒ、及び、Ｚｒからなる層が形成され、この層上にＡｌからなる層が形成されるものは、高温短時間の条件下でアニールが行なわれる。このように高温条件下でアニールを行なう場合、半導体層と電極との界面における過剰な反応、電極と不純物ガスとの反応、及び、半導体層表面の劣化等が起こり易くなるおそれがある。さらに、製造プロセスに高温アニール工程を入れることによって、それ以前の工程にその温度以下の処理工程を入れることが不可能になるという問題がある。一方、低温長時間の条件下でアニールを行なう場合は、低抵抗のオーミック電極が得られにくい上に量産性に問題がある。
【００１３】
また、特許文献４及び特許文献５に開示される技術は、窒化物系半導体層上に形成される層に稀少金属を使用しているため実用性に欠ける。
【００１４】
本発明の目的は、低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を得ることのできるオーミック電極を備える電子デバイス、及び、そのオーミック電極形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の局面に係る電子デバイスは、ワイドバンドギャップ化合物半導体層と、ワイドバンドギャップ化合物半導体層上に形成されるオーミック電極とを含む電子デバイスであって、オーミック電極は、密着層、オーミック層、及び、酸化防止層が、ワイドバンドギャップ化合物半導体層側からこの順に積層されて形成された電極であり、密着層は、Ｖからなり、かつ、厚みが３００Å以下である。このように、密着層がＶからなるので、低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を得ることが可能であり、広い温度範囲にわたって優れた熱安定性を有するオーミック電極を得ることができる。また、密着層が入手し易いＶからなるので、実用的なオーミック電極を得ることができる。さらに、密着層の厚みが３００Å以下であるので、低いコンタクト抵抗をより一層確実に得ることができるようになる。
【００１６】
好ましくは、オーミック層は、Ａｌからなる層であり、かつ、厚みが３００Å以上である。これにより、オーミック電極形成時におけるアニール温度及びアニール時間の制御をより一層容易に行なうことができる。また、Ａｌは拡散の程度が小さいので、オーミック層を構成する金属材料の拡散によって生じる電極の性能劣化を防ぐことができる。さらに、オーミック層の厚みが３００Å以上であるので、低いコンタクト抵抗をさらに確実に得ることができるようになる。
【００１７】
より好ましくは、酸化防止層は、Ａｕからなる層である。これにより、オーミック層の酸化をより一層確実に防ぐことができる。
【００１８】
更に好ましくは、オーミック電極は、オーミック層と酸化防止層との間に、Ｍｏからなる相互拡散防止層を更に含む。これにより、より一層確実にオーミック層と酸化防止層との相互拡散を防止することができる。
【００１９】
更に好ましくは、ワイドバンドギャップ化合物半導体層は、ＩｎａＡｌｂＧａｃＢｄＮ（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１，０≦ａ，ｂ，ｃ，ｄ≦１）からなる層である。これにより、大電力及び高温条件下での使用に耐え得る優れた電子デバイスをより一層確実に得ることができる。
【００２０】
更に好ましくは、電子デバイスは、基板と、基板とワイドバンドギャップ化合物半導体層との間に形成されるＧａＮ層とを更に含み、ワイドバンドギャップ化合物半導体層は、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる層である。これにより、大電力及び高温条件下での使用に耐え得る優れた電子デバイスをより一層確実に得ることができる。
【００２１】
更に好ましくは、ワイドバンドギャップ化合物半導体層及びＧａＮ層は、ノンドープである。このように、電子デバイスは、ワイドバンドギャップ化合物半導体層及びＧａＮ層がノンドープである場合においても、低温短時間のアニールによって低いコンタクト接触を得ることが可能になるので、より一層生産性が向上する。
【００２２】
更に好ましくは、ワイドバンドギャップ化合物半導体層の厚みは、１０ｎｍ〜５０ｎｍである。これにより、大電力及び高温条件下での使用に耐え得る優れた電子デバイスを更に確実に得ることができる。
【００２３】
本発明の第２の局面に係るオーミック電極形成方法は、ワイドバンドギャップ化合物半導体層上に、密着層、オーミック層、及び、酸化防止層を、この順に積層した後、５００℃〜８００℃でアニールするオーミック電極形成方法であって、密着層は、Ｖからなり、かつ、厚みが３００Å以下である。このように、Ｖからなる密着層を設けるので、低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を有し、広い温度範囲にわたって熱安定性に優れるオーミック電極を形成することができる。また、密着層の厚みが３００Å以下であるので、低いコンタクト抵抗を有するオーミック電極をより一層確実に得ることができるようになる。さらに、アニール処理を低温短時間で行なうことで、ワイドバンドギャップ化合物半導体層表面に酸化物が形成されるのを防ぐことができるので、オーミック電極の劣化をより一層確実に防ぐことができる。
【００２４】
また、オーミック電極の形成方法において、アニールは、３０秒間行なわれることが好ましい。これにより、アニール時間を短縮することができるので、オーミック電極を有する電子デバイスの量産がより一層容易になる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、電子デバイスは、Ｖからなり、かつ、厚みが３００Å以下である密着層、オーミック層、及び、酸化防止層が、ワイドバンドギャップ化合物半導体層側からこの順に積層されて形成されたオーミック電極を含む。このように、密着層がＶからなるので、低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を得ることが可能であり、広い温度範囲にわたって優れた熱安定性を有するオーミック電極を得ることができる。また、密着層が入手し易いＶからなるので、実用的なオーミック電極を得ることができる。さらに、密着層の厚みが３００Å以下であるので、低いコンタクト抵抗をより一層確実に得ることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施の形態に係る電子デバイスの断面図である。
【図２】オーミック電極であるソース電極の構成を示す断面図である。
【図３】オーミック電極の形成方法の一例を示す図である。
【図４】全抵抗Ｒｔ０の測定方法の一例について説明するための図である。
【図５】オーミック電極のコンタクト（接触）抵抗とアニール（熱処理）温度との関係を示すグラフである。
【図６】オーミック電極のコンタクト（接触）抵抗とアニール（熱処理）温度との関係を示すグラフである。
【図７】オーミック電極のコンタクト（接触）抵抗とアニール（熱処理）温度との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下の説明及び図面においては、同一の部品には同一の参照符号及び名称を付してある。それらの機能も同様である。したがって、それらについての詳細な説明をその都度繰返すことはしない。
【００２８】
図１は、本発明の一実施の形態に係る電子デバイス１００の断面図である。図１を参照して、電子デバイス１００は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である。電子デバイス１００は、基板１０と、基板１０上にこの順に形成される、ＧａＮ層１４及びワイドバンドギャップ化合物半導体層１６とを含む。
【００２９】
基板１０としては、基板１０表面にＧａＮ層１４及びワイドバンドギャップ化合物半導体層１６を形成可能な結晶からなる基板であれば特に限定されないが、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、及び、ＧａＮ基板等を使用できる。基板１０の厚みとしては、当該分野において一般的な厚みであれば特に限定されない。基板１０のサイズは、ＦＥＴの用途等に応じて適宜設定されればよい。
【００３０】
ＧａＮ層１４は、ｎ型又はノンドープのＧａＮからなる層である。ＧａＮ層１４の厚みとしては、当該分野において一般的な厚みであれば特に限定されない。本実施の形態では、ＧａＮ層１４として、ノンドープのＧａＮからなる層を使用する。
【００３１】
ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６には、ＧａＮよりもバンドギャップの大きい材料が使用されることが好ましい。ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６には、例えば、ダイヤモンド、ＳｉＣ、ＺｎＳＳｅ系半導体、及び、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体等からなる層を使用できるが、特には、ＩｎａＡｌｂＧａｃＢｄＮ（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１，０≦ａ，ｂ，ｃ，ｄ≦１）からなる層であることが好ましく、更には、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる層であることが好ましい。このように、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６に、ＩｎａＡｌｂＧａｃＢｄＮからなる層、更にはＡｌＸＧａ１−ＸＮからなる層を使用することによって、大電力及び高温条件下での使用に耐え得る優れた電子デバイス１００をより一層確実に得ることができる。本実施の形態では、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６として、ノンドープのＡｌＧａＮからなる層を使用する。このように、本実施の形態に係る電子デバイス１００は、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６及びＧａＮ層１４がノンドープである。一般的に、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６及びＧａＮ層１４がノンドープの場合には、後述するオーミック電極に対して良好なオーミック接触を得にくい。しかし、本実施の形態の電子デバイス１００によれば、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６及びＧａＮ層１４がノンドープである場合においても、低温短時間のアニールによって低いコンタクト接触を得ることが可能になり、より一層生産性が向上する。なお、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６として、ｎ型のＡｌＧａＮからなる層を使用してもよい。ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６の厚みとしては、当該分野において一般的な厚みであれば特に限定されないが、特には、１０ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６の厚みが上記数値範囲の値であることによって、大電力及び高温条件下での使用に耐え得る優れた電子デバイス１００を更に確実に得ることができる。なお、基板１０とワイドバンドギャップ化合物半導体層１６との間には、バッファ層（図示せず。）を設けてもよい。バッファ層としては、当該分野において一般的に使用されるものであれば特に限定されないが、例えば、ＡｌＧａＮ層又はＧａＮ系超格子層等を使用できる。
【００３２】
ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６の表面には、ソース電極１８及びドレイン電極２０が互いに間隔を隔てて形成されるとともに、ソース電極１８及びドレイン電極２０の間にはゲート電極２２が形成される。ソース電極１８及びドレイン電極２０はワイドバンドギャップ化合物半導体層１６に対してオーミック特性を示すオーミック電極であり、ゲート電極２２はショットキー電極である。ソース電極１８及びドレイン電極２０の構成については後述する。ゲート電極２２の構成材料としては、当該分野において一般的に使用されるものであれば特に限定されないが、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、白金（Ｐｔ）、及び、Ｐｄ等を使用できる。
【００３３】
上記したように、ＦＥＴのような電子デバイスでは、２次元電子ガス（２ＤＥＧ（Ｔｗｏ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｇａｓ））を形成するために、ＧａＮ層１４（本実施の形態では、ノンドープのＧａＮ層）上に、ＧａＮよりもバンドギャップの大きいワイドバンドギャップ化合物半導体層１６（本実施の形態では、ノンドープのＡｌＧａＮからなる層）を形成し、このワイドバンドギャップ化合物半導体層１６上に、オーミック電極を形成する必要がある。
【００３４】
基板１０、ＧａＮ層１４、及び、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６におけるソース電極１８の下方部分には、基板１０、ＧａＮ層１４、及び、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６を貫通するバイアホール２４が形成される。このバイアホール２４には、後述する裏面パッド電極２６を構成する金属材料が充填される。
【００３５】
基板１０のＧａＮ層１４及びワイドバンドギャップ化合物半導体層１６とは反対側の面（以下「裏面」と記す。）には、バイアホール２４を介してソース電極１８と電気的に接続される裏面パッド電極２６が形成される。裏面パッド電極２６を構成する金属材料としては、当該分野において一般的に使用されるものであれば特に限定されないが、Ｔｉ、ニッケル（Ｎｉ）、及び、Ａｕ等を使用できる。このように、バイアホール２４を形成して電極の１つを基板１０の裏面に形成できるようにすることで、電子デバイス１００を大きくすることなく電極の面積を大きくすることができる。これによって、大面積では良好な結晶を得ることが困難なワイドバンドギャップ化合物半導体を使用する電子デバイス１００おいて重要な課題である装置の小型化をより一層達成し易くなる。また、放熱効果に優れ、耐熱性に優れる電子デバイスを得ることができる。裏面パッド電極２６は、Ａｕ線又はダイボンドペースト等によって外部回路（図示せず。）と接続される。
【００３６】
ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６の表面全体には、更に、ソース電極１８、ドレイン電極２０、及び、ゲート電極２２を覆うように、電界強度を高くするための高誘電体膜２８が形成される。高誘電体膜２８の構成材料としては、当該分野において一般的に使用されるものであれば特に限定されないが、比誘電率（ε）が２以上の材料であることが好ましい。高誘電体膜２８には、例えば、特開２００６−１２８６４６号公報に開示される酸化チタン（ＴｉＯ２；ε＝８０）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２；ε＝２５）、及び、窒化ケイ素（ＳｉＮ２；ε＝７．５）等を使用できる。
【００３７】
高誘電体膜２８におけるドレイン電極２０及びゲート電極２２の上方部分には、貫通孔３０，３２がそれぞれ形成される。この貫通孔３０，３２には、後述する表面パッド電極３４を構成する金属材料が充填される。
【００３８】
高誘電体膜２８の表面には、貫通孔３０，３２を介してドレイン電極２０及びゲート電極２２とそれぞれ電気的に接続される表面パッド電極３４が形成される。表面パッド電極３４を構成する金属材料としては、当該分野において一般的に使用されるものであれば特に限定されないが、Ａｌ等を使用できる。
【００３９】
［オーミック電極］
図２は、オーミック電極であるソース電極１８の構成を示す断面図である。以下、オーミック電極を代表してソース電極１８について説明するが、ドレイン電極２０もソース電極１８と同様の構成を有する。図２を参照して、ソース電極１８は、密着層４０、オーミック層４２、相互拡散防止層４４、及び、酸化防止層４６を含む。密着層４０、オーミック層４２、相互拡散防止層４４、及び、酸化防止層４６は、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６側からこの順に積層される。
【００４０】
密着層４０は、オーミック層４２と、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６とを密着させることで、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６からのオーミック層４２の剥離を防止する機能を有する。密着層４０はまた、オーミック層４２を構成する金属が、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６内に拡散しすぎないようにする拡散阻害層としての機能も有する。密着層４０の構成材料には、Ｖが使用される。このように、密着層４０の構成材料としてＶが使用されるので、低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を得ることが可能であり、広い温度範囲にわたって優れた熱安定性を有するオーミック電極を得ることができる。また、密着層４０が入手し易いＶからなるので、実用的なオーミック電極を得ることができる。密着層４０の厚みは、３００Å以下となるように設定される。これによって、低いコンタクト抵抗をより一層確実に得ることができるようになる。
【００４１】
オーミック層４２の構成材料としては、オーミック電極として使用される低抵抗の金属であれば特に限定されないが、Ａｌ及びＡｕ等を使用できる。これらの中でも、Ａｌを使用することが特に好ましい。このように、オーミック層４２がＡｌからなる層であると、オーミック電極形成時におけるアニール温度及びアニール時間の制御をより一層容易に行なうことができる。また、Ａｌは拡散の程度が小さいので、オーミック層４２を構成する金属材料の拡散によって生じる電極の性能劣化を防ぐことができる。オーミック層４２の厚みは、３００Å以上となるように設定されることが好ましい。これによって、低いコンタクト抵抗をさらに確実に得ることができるようになる。
【００４２】
相互拡散防止層４４は、オーミック層４２と酸化防止層４６との相互拡散を防止する機能を有する。このように、相互拡散防止層４４がオーミック層４２と酸化防止層４６との間に設けられることによって、例えば、アニール時等において、Ａｌからなるオーミック層４２と、Ａｕからなる酸化防止層４６とが相互拡散を起こすことを防止でき、電極金属として不適切な合金が形成されることを防ぐことができる。相互拡散防止層４４の構成材料としては、Ａｌ及びＡｕよりも融点の高いものが好ましいが、モリブデン（Ｍｏ）及びＮｂが好ましく、更にはＭｏが好ましい。Ｍｏ及びＮｂは、Ａｌ及びＡｕのみでなくＴｉ及びＮｉよりも高融点であるため、Ｔｉ及びＮｉを相互拡散防止層として使用する場合と比較して、より一層確実にオーミック層４２と酸化防止層４６との相互拡散を防止することができる。
【００４３】
酸化防止層４６は、オーミック層４２が、例えば、Ａｌ等の酸化されやすい金属からなる場合に、オーミック層４２の酸化を防ぐ機能を有する。酸化防止層４６が設けられることで、例えば、外部回路とのボールボンディング時に接着不良が生じる等のＦＥＴ製造工程時に生じる不良を低減させることができる。酸化防止層４６の構成材料としては、酸化されにくいものが好ましく、特には、酸化されるおそれのないＡｕが好ましい。このように、酸化防止層４６がＡｕからなる層であると、オーミック層の酸化をより一層確実に防ぐことができる。
【００４４】
上記した密着層４０、オーミック層４２、相互拡散防止層４４、及び、酸化防止層４６の厚みとしては、当該分野において一般的な厚みであれば特に限定されず、低いオーミック抵抗が得られるように適宜設定されればよい。特に、密着層４０及びオーミック層４２は、アニール時間をより短くするために、コンタクト抵抗が増加しない程度に厚みを小さくすることが好ましい。
【００４５】
［電子デバイス１００の製造方法］
電子デバイス１００の製造方法の一例としては、まず、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の公知の結晶成長技術によって、基板１０（例えばＳｉ基板）上に、ＧａＮ層１４及びワイドバンドギャップ化合物半導体層１６をこの順に積層させる。次いで、後述するオーミック電極の製造方法に従って、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６上にソース電極１８及びドレイン電極２０を形成した後、蒸着法等の公知の方法によってゲート電極２２を形成する。
【００４６】
ゲート電極２２の形成後、基板１０を研磨して１００μｍ程度まで薄くした後、基板１０側からバイアホール２４を形成する。バイアホール２４の形成方法としては、例えば、特開２００４−３６３５６３号公報、特開２００１−１６０５４号公報、特開平１１−１５０１２７号公報、及び、特表２００４−５３０２８９号公報等に開示される公知の方法を使用できる。これらの中でも、特に、ＧａＮ系半導体導電層を形成したＳｉ基板に関する技術が開示されている、特表２００４−５３０２８９号公報に開示される技術を使用することが好ましい。
【００４７】
バイアホール２４の形成後、基板１０の裏面に、例えば、蒸着法によって、Ｔｉ、Ｎｉ、及び、Ａｕをこの順に積層させた後、低温でアニールすることによって裏面パッド電極２６を形成する。この場合、Ｎｉは、ＴｉとＡｕとの接着性を強くし、Ａｕの剥離を防止するために使用される。また、金メッキによってＡｕ膜を形成することで裏面パッド電極２６を形成してもよい。このように、裏面パッド電極２６をＡｕ膜とすることによって、バイアホール２４がＡｕによって充填されるので、放熱効果をより一層高めることができる。裏面パッド電極２６の形成後、蒸着法及びフォトリソグラフィー等の公知の方法によって、ソース電極１８、ドレイン電極２０及びゲート電極２２の上にＡｌの電極パターンを形成することで、ソース電極１８と裏面パッド電極２６とをバイアホール２４を介して電気的に接続させる。
【００４８】
次いで、例えば、スパッタリング法によって、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６の表面全体に、ソース電極１８、ドレイン電極２０及びゲート電極２２を覆うように高誘電体膜２８を形成した後、フォトリソグラフィー法及びウェットエッチング法等の公知の方法によってパターニングすることで貫通孔３０，３２を形成する。
【００４９】
貫通孔３０，３２の形成後、例えば、真空蒸着法によって高誘電体膜２８表面にＡｌを製膜後、フォトリソグラフィー法及びウェットエッチング法等の公知の方法によってパターニングすることで表面パッド電極３４を形成する。
【００５０】
最後に、裏面パッド電極２６をＡｕ線又はダイボンドペースト等によって外部回路（図示せず。）と接続するとともに、表面パッド電極３４をＡｌ線等によって外部回路（図示せず。）と接続する。
【００５１】
上述のようにして製造された電子デバイス１００において、基板１０とソース電極１８及びドレイン電極２０とは、ＧａＮ層１４によって電気的に分離されている。すなわち、ＧａＮ層１４とワイドバンドギャップ化合物半導体層１６との界面に電子ポテンシャルの谷が形成され、その谷に閉じ込められた電子（２次元電子ガス（２ＤＥＧ））によってソース電極１８からドレイン電極２０に電流が流れるが、基板１０側には電流が流れない。
【００５２】
［オーミック電極の形成方法］
図３は、オーミック電極の形成方法の一例を示す図である。図３（ａ）を参照して、オーミック電極の形成方法の一例としては、まず、ＧａＮ層１４上に形成されたワイドバンドギャップ化合物半導体層１６表面に、一定膜厚のフォトレジスト５０を塗布する。フォトレジスト５０の膜厚は、所望のオーミック電極の厚みよりも大きくなるようにする。次いで、コンタクトアライナー又はステッパーを用いて、所望の電極パターンが形成されたフォトマスクを介してフォトレジスト５０表面を露光する。露光後、現像液に浸すことで現像を行ない、オーミック電極を形成する部分のフォトレジスト５０を除去する。
【００５３】
図３（ｂ）を参照して、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｂｅａｍ）蒸着機等によって、フォトレジスト５０及びワイドバンドギャップ化合物半導体層１６表面に対し、Ｖからなり、かつ、厚みが３００Å以下である密着層４０を形成し、さらに、オーミック層４２、相互拡散防止層４４、及び、酸化防止層４６を、それぞれ所望の厚みとなるように、この順で蒸着して積層する。なお、各層の厚みは、水晶振動子膜厚計で測定した蒸着レートと、蒸着時間（積算時間）との積によって求めることができる。
【００５４】
図３（ｃ）を参照して、各層の積層後、アセトン又は剥離液に浸けることでフォトレジスト５０を溶解し、フォトレジスト５０及びフォトレジスト５０上に積層された金属層を除去する。
【００５５】
図３（ｄ）を参照して、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６表面に形成された金属層を、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｅａｌ）炉によって、所定の温度でアニールすることで、オーミック電極が形成される。アニール後には、オーミック電極は、各金属層の界面が判別できないような渾然一体となった状態となるが、各金属層の構造は保持されている。アニール時におけるアニール温度としては、５００℃〜８００℃であることが好ましく、特には６００℃〜６５０℃である事が好ましい。アニール時間としては、特に限定されるものではなく、オーミック電極における各金属層の厚み等に応じて適宜設定されればよいが、より短い方が好ましい。例えば、アニール温度が６００℃〜６５０℃である場合には、３０秒間であることが好ましい。このように、アニール時間を３０秒間とすることによって、アニール時間を短縮することができるので、オーミック電極を有する電子デバイスの量産がより一層容易になる。
【００５６】
なお、本明細書中において、オーミック電極のコンタクト抵抗（Ｒｃ）は、以下に説明するＴＬＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｌｉｎｅ Ｍｏｄｅｌ）法によって求めた値である。
【００５７】
すなわち、シート抵抗（本実施の形態では、ノンドープのＡｌＧａＮからなる層の抵抗）をＲｓとし、遷移長をＬｔとすると、オーミック電極のコンタクト抵抗（Ｒｃ）は、下記式（１）で表わすことができる。
【００５８】
【数１】
【００５９】
また、オーミック電極の幅をｒ０とし、オーミック電極間の距離をｄとすると、オーミック電極の抵抗（Ｒｔ）は、下記式（２）で表わすことができる。
【００６０】
【数２】
【００６１】
上記式（２）にｄ＝０を代入すると、オーミック電極間の距離（ｄ）が０であるときのオーミック電極の抵抗、すなわち、全抵抗（Ｒｔ０）を表す下記式（３）が得られる。
【００６２】
【数３】
【００６３】
上記式（３）に上記式（１）を代入すると、下記式（４）が得られる。
【００６４】
【数４】
【００６５】
図４は、全抵抗（Ｒｔ０）の測定方法の一例について説明するための図である。図４を参照して、全抵抗（Ｒｔ０）の測定方法の一例としては、まず、オーミック電極の幅（ｒ０）が一定（例えば、４０μｍ）であって、オーミック電極間の距離（ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４）がそれぞれ異なる４つの測定点を有するサンプル４００について、四探針法を用いてそれぞれの測定点の抵抗を測定する。得られた各測定値を各オーミック電極間の距離（ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４）に対してプロットすると、略直線状のグラフが得られる。このグラフについて、最小二乗法等を用いて最も確からしい直線の関係式を求め、求めた関係式に基づいて、オーミック電極間の距離（ｄ）が０であるときのオーミック電極の抵抗、すなわち全抵抗（Ｒｔ０）を求めることができる。上述のようにして得られた全抵抗（Ｒｔ０）と、オーミック電極の幅（ｒ０）とを上記式（４）に代入することで、オーミック電極のコンタクト抵抗（Ｒｃ）を求めることができる。なお、図４に示すサンプル４００を作製する場合は、オーミック電極形成時に使用するフォトマスクとして、ラウンドＴＬＭパターンが形成されたものを使用すればよい。
【実施例】
【００６６】
以下に本発明の実施例および比較例を具体的に説明するが、本発明は特許請求の範囲に記載された技術的範囲を超えない限り特に本実施例に限定されるものではない。
【００６７】
＜試験例１＞
（実施例１）
まず、Ｓｉ基板上のＧａＮ層上に形成されたＡｌＧａＮ層表面に、一定膜厚のフォトレジストを塗布した。次いで、コンタクトアライナーを用いて、ラウンドＴＬＭパターンが形成されたフォトマスクを介してフォトレジスト表面を露光した。露光後、現像液に浸すことで現像を行ない、オーミック電極を形成する部分のフォトレジストを除去した。上記したＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層はノンドープである。
【００６８】
フォトレジストの除去後、ＥＢ蒸着機によって、フォトレジスト及びＡｌＧａＮ層表面に対し、密着層（Ｖ；厚み１５ｎｍ（１５０Å））、オーミック層（Ａｌ；厚み６０ｎｍ（６００Å））、相互拡散防止層（Ｍｏ；厚み３５ｎｍ（３５０Å））、及び、酸化防止層（Ａｕ；厚み５０ｎｍ（５００Å））を、それぞれ所望の厚みとなるように、この順で蒸着して積層した。次いで、剥離液に浸けることでフォトレジストを溶解し、フォトレジスト及びフォトレジスト上に積層された金属層を除去することで実施例１のサンプルを作製した。
【００６９】
（比較例１）
密着層の構成材料としてＴｉを使用した以外は、実施例１と同様にして比較例１のサンプルを作製した。
【００７０】
（比較例２）
密着層を積層しなかった以外は実施例１と同様にして比較例２のサンプルを作製した。
【００７１】
［評価］
上述のようにして作製した実施例１及び比較例１，２のサンプルそれぞれに対し、ＲＴＡ炉によってアニールを行なうとともに、ＴＬＭ法を用いてコンタクト抵抗（Ｒｃ）を求めることで、コンタクト抵抗（Ｒｃ）とアニール温度との関係を調べた。なお、アニールは、約６００℃から約９００℃までの温度範囲の間において、５０℃毎に３０秒間行なった。
【００７２】
図５は、オーミック電極のコンタクト（接触）抵抗とアニール（熱処理）温度との関係を示すグラフである。
【００７３】
図５を参照して、グラフａ〜グラフｃは、実施例１及び比較例１，２の測定結果をそれぞれ示すグラフである。実施例１のオーミック電極（グラフａ参照）は、密着層にＶを使用しているので、全温度範囲で安定して低いコンタクト抵抗を得ることができた。特に、７００℃以下の低温条件下においても低いコンタクト抵抗を得ることができ、６５０℃において最も低いコンタクト抵抗を得た。
【００７４】
一方、密着層としてＴｉを使用した比較例１のオーミック電極（グラフｂ参照）は、７５０℃以下の低温条件下及び８００℃以上の高温条件下では、コンタクト抵抗の上昇が見られた。
【００７５】
更に、密着層が形成されていない比較例２のオーミック電極（グラフｃ参照）は、７００℃以下の低温条件下でコンタクト抵抗の低下が見られたものの、７００℃を超える高温条件下では、温度の上昇に伴ってコンタクト抵抗の上昇が見られた。
【００７６】
＜試験例２＞
（実施例２）
密着層の厚みを７５Åとした以外は、実施例１と同様にして実施例２のサンプルを作製した。
【００７７】
（実施例３）
密着層の厚みを３００Åとした以外は、実施例１と同様にして実施例３のサンプルを作製した。
【００７８】
［評価］
上述のようにして作製した実施例１〜３のサンプルそれぞれに対し、ＲＴＡ炉によってアニールを行なうとともに、ＴＬＭ法を用いてコンタクト抵抗（Ｒｃ）を求めることで、コンタクト抵抗（Ｒｃ）とアニール温度との関係を調べた。なお、アニールは、５５０℃から９００℃までの温度範囲の間において、５０℃毎に３０秒間行なった。
【００７９】
図６は、オーミック電極のコンタクト（接触）抵抗とアニール（熱処理）温度との関係を示すグラフである。図６を参照して、グラフａ，ｄ，ｅは、実施例１〜実施例３の測定結果をそれぞれ示すグラフである。密着層の厚みが１５０Åである実施例１のオーミック電極（グラフａ参照）は、６５０℃以下において非常に低いオーミック抵抗を得た。密着層の厚みが７５Åである実施例２のオーミック電極（グラフｄ参照）は、７５０℃以下において非常に低いオーミック抵抗を得た。密着層の厚みが３００Åである実施例３のオーミック電極（グラフｅ参照）は、８００℃以下において低いオーミック抵抗を得た。
【００８０】
＜試験例３＞
（実施例４）
オーミック層の厚みを３００Åとした以外は、実施例１と同様にして実施例４のサンプルを作製した。
【００８１】
（実施例５）
オーミック層の厚みを９００Åとした以外は、実施例１と同様にして実施例５のサンプルを作製した。
【００８２】
［評価］
上述のようにして作製した実施例１，４，５のサンプルそれぞれに対し、ＲＴＡ炉によってアニールを行なうとともに、ＴＬＭ法を用いてコンタクト抵抗（Ｒｃ）を求めることで、コンタクト抵抗（Ｒｃ）とアニール温度との関係を調べた。なお、アニールは、５５０℃から９００℃までの温度範囲の間において、５０℃毎に３０秒間行なった。
【００８３】
図７は、オーミック電極のコンタクト（接触）抵抗とアニール（熱処理）温度との関係を示すグラフである。図７を参照して、グラフａ，ｆ，ｇは、実施例１，４，５の測定結果をそれぞれ示すグラフである。オーミック層の厚みが６００Åである実施例１のオーミック電極（グラフａ参照）は、７００℃以下において非常に低いオーミック抵抗を得た。オーミック層の厚みが３００Åである実施例４のオーミック電極（グラフｆ参照）は、８５０℃において低いオーミック抵抗を得た。オーミック層の厚みが９００Åである実施例５のオーミック電極（グラフｇ参照）は、７００℃〜８５０℃において非常に低いオーミック抵抗を得た。
【００８４】
〈作用・効果〉
上記実施の形態によれば、電子デバイス１００は、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６と、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６上に形成される、オーミック電極であるソース電極１８及びドレイン電極２０とを含む電子デバイスであって、オーミック電極は、密着層４０、オーミック層４２、及び、酸化防止層４６が、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６側からこの順に積層されて形成された電極であり、密着層４０は、Ｖからなり、かつ、厚みが３００Å以下である。このように、密着層４０がＶからなるので、低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を得ることが可能であり、広い温度範囲にわたって優れた熱安定性を有するオーミック電極を得ることができる。また、密着層４０が入手し易いＶからなるので、実用的なオーミック電極を得ることができる。さらに、密着層４０の厚みが３００Å以下であるので、低いコンタクト抵抗をより一層確実に得ることができるようになる。
【００８５】
また上記実施の形態によれば、オーミック電極形成方法は、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６上に、密着層４０、オーミック層４２、及び、酸化防止層４６を、この順に積層した後、５００℃〜８００℃でアニールするオーミック電極形成方法であって、密着層４０は、Ｖからなり、かつ、厚みが３００Å以下である。このように、Ｖからなる密着層４０を設けるので、低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を有し、広い温度範囲にわたって熱安定性に優れるオーミック電極を形成することができる。また、密着層４０の厚みが３００Å以下であるので、低いコンタクト抵抗を有するオーミック電極をより一層確実に得ることができるようになる。さらに、アニール処理を低温短時間で行なうことで、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６表面に酸化物が形成されるのを防ぐことができるので、オーミック電極の劣化をより一層確実に防ぐことができる。
【００８６】
なお、上記実施の形態において、電子デバイス１００はＦＥＴであったが、本発明はそのような実施の形態に限定されない。電子デバイス１００は、上記構成のオーミック電極を適用可能ものであればよく、例えば、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ））、及び、青色レーザ等であってもよい。
【００８７】
今回開示された実施の形態は単に例示であって、この発明が上記した実施の形態のみに制限されるわけではない。この発明の範囲は、発明の詳細な説明の記載を参酌した上で、特許請求の範囲の各請求項によって示され、そこに記載された文言と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含む。
【符号の説明】
【００８８】
１０ 基板
１４ ＧａＮ層
１６ ワイドバンドギャップ化合物半導体層
１８ ソース電極
２０ ドレイン電極
２２ ゲート電極
２４ バイアホール
２６ 裏面パッド電極
２８ 高誘電体膜
３０，３２ 貫通孔
３４ 表面パッド電極
４０ 密着層
４２ オーミック層
４４ 相互拡散防止層
４６ 酸化防止層
５０ フォトレジスト
１００ 電子デバイス
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オーミック電極を含む電子デバイス及びそのオーミック電極の形成方法に関し、特には、オーミック電極の熱安定性を向上させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ダイヤモンド、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、硫セレン化亜鉛（ＺｎＳＳｅ）系半導体、及び、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体等は、ワイドバンドギャップ化合物半導体として知られている。これらのワイドバンドギャップ化合物半導体は、赤色レーザ及びＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）に使用されるＩｎＧａＡｌＰ／ＧａＡｓ系半導体よりも広いバンドギャップを有するため、青色レーザ用材料、青色発光ダイオード用材料、並びに、大電力及び高温条件下での使用に耐え得る電子デバイス用材料等への応用が期待されている。
【０００３】
上記したワイドバンドギャップ化合物半導体の中でも特に、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、及び、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）等を含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体は、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び、インジウム（Ｉｎ）等のＩＩＩ族（第１３族）元素の割合を変更することで、容易にバンドギャップ（１．８ｅＶ〜６．２ｅＶ）を調整できる。そのため、青色レーザ、青色発光ダイオード、及び、大電力用の電界効果トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＦＥＴ））等の電子デバイスに対してＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体を応用する技術の開発が進められている。
【０００４】
これらの素子においては、大電力条件下、すなわち高電流注入条件下における安定動作を可能にするために、ワイドバンドギャップ化合物半導体に対するコンタクト抵抗を可能な限り低くしたオーミック電極を得る技術が重要である。
【０００５】
例えば、後掲の特許文献１には、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に、チタンとアルミニウムとによりなる多層膜を形成した後アニール（熱処理）することによって、オーミック電極を得る技術について開示されている。
【０００６】
また、後掲の特許文献２には、ｎ型ＧａＮ層表面に対し、第１の高融点金属層であるハフニウム（Ｈｆ）層又はジルコニウム（Ｚｒ）層、第２の高融点金属層であるチタニウム（Ｔｉ）層、及び、低抵抗金属層であるＡｌ層を順次積層した後アニールすることによって、オーミック電極を得る技術について開示されている。
【０００７】
更に、後掲の特許文献３には、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層に接する側から順に、ＴｉとＡｌとが積層された多層膜よりなる第１の薄膜と、Ｔｉと金（Ａｕ）とが積層された多層膜等の、Ａｌよりも高融点の金属よりなる第２の薄膜とを積層した後アニールすることによって、オーミック電極を得る技術について開示されている。
【０００８】
更に、後掲の特許文献４には、ＩＩＩ族窒化物半導体層上に、Ｔｉ、Ｚｒ、及び、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含む第３電極層、ガドリニウム（Ｇｄ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、サマリウム（Ｓｍ）、及び、ストロンチウム（Ｓｒ）から選ばれる少なくとも１種を含む第１電極層、並びに、Ａｕ、ケイ素（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、Ｔｉ、パラジウム（Ｐｄ）、及び、スズ（Ｓｎ）から選ばれる少なくとも１種を含む第２電極層をこの順に堆積した後アニールすることによって、オーミック電極を得る技術について開示されている。
【０００９】
更に、後掲の特許文献５には、ｎ型又はノンドープ窒化物系半導体表面に接する位置にＴｉ、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、及び、Ｓｉのうち少なくとも１種以上の金属が含まれる第１の層を形成し、この第１の層上にマグネシウム（Ｍｇ）が含まれる第２の層を形成し、第１の層及び第２の層をアニールすることによって、オーミック電極を得る技術について開示されている。
【００１０】
更に、後掲の特許文献６には、ｎ伝導型のＧａＮ系半導体層上に、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＣｒから選ばれる少なくとも一の金属又はこの金属を含む合金からなる下地層を形成し、この下地層上に他の金属からなる主電極層を形成した後、半導体層、下地層及び主電極層を４５０℃〜７００℃でアニールすることによって、オーミック電極であるｎ電極を得る技術について開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特許第２７８３３４９号
【特許文献２】特開２００１−１５４５２号公報
【特許文献３】特許第３１５４３６４号
【特許文献４】特開２００６−２３７１６２号公報
【特許文献５】特開２００７−５９５０８号公報
【特許文献６】特開平１０−１１２５５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
オーミック電極の製造時には、高温短時間又は低温長時間の条件下でアニールが行なわれる。例えば、特許文献１〜特許文献６に開示されるオーミック電極の中で、窒化物系半導体層上にＴｉ、Ｈｆ、Ｃｒ、及び、Ｚｒからなる層が形成され、この層上にＡｌからなる層が形成されるものは、高温短時間の条件下でアニールが行なわれる。このように高温条件下でアニールを行なう場合、半導体層と電極との界面における過剰な反応、電極と不純物ガスとの反応、及び、半導体層表面の劣化等が起こり易くなるおそれがある。さらに、製造プロセスに高温アニール工程を入れることによって、それ以前の工程にその温度以下の処理工程を入れることが不可能になるという問題がある。一方、低温長時間の条件下でアニールを行なう場合は、低抵抗のオーミック電極が得られにくい上に量産性に問題がある。
【００１３】
また、特許文献４及び特許文献５に開示される技術は、窒化物系半導体層上に形成される層に稀少金属を使用しているため実用性に欠ける。
【００１４】
本発明の目的は、低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を得ることのできるオーミック電極を備える電子デバイス、及び、そのオーミック電極形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の局面に係る電子デバイスは、ワイドバンドギャップ化合物半導体層と、ワイドバンドギャップ化合物半導体層上に形成されるオーミック電極とを含む電子デバイスであって、オーミック電極は、密着層、オーミック層、及び、酸化防止層が、ワイドバンドギャップ化合物半導体層側からこの順に積層されて形成された電極であり、密着層は、Ｖからなり、かつ、厚みが３００Å以下である。このように、密着層がＶからなるので、低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を得ることが可能であり、広い温度範囲にわたって優れた熱安定性を有するオーミック電極を得ることができる。また、密着層が入手し易いＶからなるので、実用的なオーミック電極を得ることができる。さらに、密着層の厚みが３００Å以下であるので、低いコンタクト抵抗をより一層確実に得ることができるようになる。
【００１６】
好ましくは、オーミック層は、Ａｌからなる層であり、かつ、厚みが３００Å以上である。これにより、オーミック電極形成時におけるアニール温度及びアニール時間の制御をより一層容易に行なうことができる。また、Ａｌは拡散の程度が小さいので、オーミック層を構成する金属材料の拡散によって生じる電極の性能劣化を防ぐことができる。さらに、オーミック層の厚みが３００Å以上であるので、低いコンタクト抵抗をさらに確実に得ることができるようになる。
【００１７】
より好ましくは、酸化防止層は、Ａｕからなる層である。これにより、オーミック層の酸化をより一層確実に防ぐことができる。
【００１８】
更に好ましくは、オーミック電極は、オーミック層と酸化防止層との間に、Ｍｏからなる相互拡散防止層を更に含む。これにより、より一層確実にオーミック層と酸化防止層との相互拡散を防止することができる。
【００１９】
更に好ましくは、ワイドバンドギャップ化合物半導体層は、ＩｎａＡｌｂＧａｃＢｄＮ（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１，０≦ａ，ｂ，ｃ，ｄ≦１）からなる層である。これにより、大電力及び高温条件下での使用に耐え得る優れた電子デバイスをより一層確実に得ることができる。
【００２０】
更に好ましくは、電子デバイスは、基板と、基板とワイドバンドギャップ化合物半導体層との間に形成されるＧａＮ層とを更に含み、ワイドバンドギャップ化合物半導体層は、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる層である。これにより、大電力及び高温条件下での使用に耐え得る優れた電子デバイスをより一層確実に得ることができる。
【００２１】
更に好ましくは、ワイドバンドギャップ化合物半導体層及びＧａＮ層は、ノンドープである。このように、電子デバイスは、ワイドバンドギャップ化合物半導体層及びＧａＮ層がノンドープである場合においても、低温短時間のアニールによって低いコンタクト接触を得ることが可能になるので、より一層生産性が向上する。
【００２２】
更に好ましくは、ワイドバンドギャップ化合物半導体層の厚みは、１０ｎｍ〜５０ｎｍである。これにより、大電力及び高温条件下での使用に耐え得る優れた電子デバイスを更に確実に得ることができる。
【００２３】
本発明の第２の局面に係るオーミック電極形成方法は、ワイドバンドギャップ化合物半導体層上に、密着層、オーミック層、及び、酸化防止層を、この順に積層した後、５００℃〜８００℃でアニールするオーミック電極形成方法であって、密着層は、Ｖからなり、かつ、厚みが３００Å以下である。このように、Ｖからなる密着層を設けるので、低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を有し、広い温度範囲にわたって熱安定性に優れるオーミック電極を形成することができる。また、密着層の厚みが３００Å以下であるので、低いコンタクト抵抗を有するオーミック電極をより一層確実に得ることができるようになる。さらに、アニール処理を低温短時間で行なうことで、ワイドバンドギャップ化合物半導体層表面に酸化物が形成されるのを防ぐことができるので、オーミック電極の劣化をより一層確実に防ぐことができる。
【００２４】
また、オーミック電極の形成方法において、アニールは、３０秒間行なわれることが好ましい。これにより、アニール時間を短縮することができるので、オーミック電極を有する電子デバイスの量産がより一層容易になる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、電子デバイスは、Ｖからなり、かつ、厚みが３００Å以下である密着層、オーミック層、及び、酸化防止層が、ワイドバンドギャップ化合物半導体層側からこの順に積層されて形成されたオーミック電極を含む。このように、密着層がＶからなるので、低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を得ることが可能であり、広い温度範囲にわたって優れた熱安定性を有するオーミック電極を得ることができる。また、密着層が入手し易いＶからなるので、実用的なオーミック電極を得ることができる。さらに、密着層の厚みが３００Å以下であるので、低いコンタクト抵抗をより一層確実に得ることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施の形態に係る電子デバイスの断面図である。
【図２】オーミック電極であるソース電極の構成を示す断面図である。
【図３】オーミック電極の形成方法の一例を示す図である。
【図４】全抵抗Ｒｔ０の測定方法の一例について説明するための図である。
【図５】オーミック電極のコンタクト（接触）抵抗とアニール（熱処理）温度との関係を示すグラフである。
【図６】オーミック電極のコンタクト（接触）抵抗とアニール（熱処理）温度との関係を示すグラフである。
【図７】オーミック電極のコンタクト（接触）抵抗とアニール（熱処理）温度との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下の説明及び図面においては、同一の部品には同一の参照符号及び名称を付してある。それらの機能も同様である。したがって、それらについての詳細な説明をその都度繰返すことはしない。
【００２８】
図１は、本発明の一実施の形態に係る電子デバイス１００の断面図である。図１を参照して、電子デバイス１００は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である。電子デバイス１００は、基板１０と、基板１０上にこの順に形成される、ＧａＮ層１４及びワイドバンドギャップ化合物半導体層１６とを含む。
【００２９】
基板１０としては、基板１０表面にＧａＮ層１４及びワイドバンドギャップ化合物半導体層１６を形成可能な結晶からなる基板であれば特に限定されないが、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、及び、ＧａＮ基板等を使用できる。基板１０の厚みとしては、当該分野において一般的な厚みであれば特に限定されない。基板１０のサイズは、ＦＥＴの用途等に応じて適宜設定されればよい。
【００３０】
ＧａＮ層１４は、ｎ型又はノンドープのＧａＮからなる層である。ＧａＮ層１４の厚みとしては、当該分野において一般的な厚みであれば特に限定されない。本実施の形態では、ＧａＮ層１４として、ノンドープのＧａＮからなる層を使用する。
【００３１】
ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６には、ＧａＮよりもバンドギャップの大きい材料が使用されることが好ましい。ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６には、例えば、ダイヤモンド、ＳｉＣ、ＺｎＳＳｅ系半導体、及び、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体等からなる層を使用できるが、特には、ＩｎａＡｌｂＧａｃＢｄＮ（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１，０≦ａ，ｂ，ｃ，ｄ≦１）からなる層であることが好ましく、更には、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる層であることが好ましい。このように、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６に、ＩｎａＡｌｂＧａｃＢｄＮからなる層、更にはＡｌＸＧａ１−ＸＮからなる層を使用することによって、大電力及び高温条件下での使用に耐え得る優れた電子デバイス１００をより一層確実に得ることができる。本実施の形態では、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６として、ノンドープのＡｌＧａＮからなる層を使用する。このように、本実施の形態に係る電子デバイス１００は、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６及びＧａＮ層１４がノンドープである。一般的に、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６及びＧａＮ層１４がノンドープの場合には、後述するオーミック電極に対して良好なオーミック接触を得にくい。しかし、本実施の形態の電子デバイス１００によれば、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６及びＧａＮ層１４がノンドープである場合においても、低温短時間のアニールによって低いコンタクト接触を得ることが可能になり、より一層生産性が向上する。なお、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６として、ｎ型のＡｌＧａＮからなる層を使用してもよい。ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６の厚みとしては、当該分野において一般的な厚みであれば特に限定されないが、特には、１０ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６の厚みが上記数値範囲の値であることによって、大電力及び高温条件下での使用に耐え得る優れた電子デバイス１００を更に確実に得ることができる。なお、基板１０とワイドバンドギャップ化合物半導体層１６との間には、バッファ層（図示せず。）を設けてもよい。バッファ層としては、当該分野において一般的に使用されるものであれば特に限定されないが、例えば、ＡｌＧａＮ層又はＧａＮ系超格子層等を使用できる。
【００３２】
ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６の表面には、ソース電極１８及びドレイン電極２０が互いに間隔を隔てて形成されるとともに、ソース電極１８及びドレイン電極２０の間にはゲート電極２２が形成される。ソース電極１８及びドレイン電極２０はワイドバンドギャップ化合物半導体層１６に対してオーミック特性を示すオーミック電極であり、ゲート電極２２はショットキー電極である。ソース電極１８及びドレイン電極２０の構成については後述する。ゲート電極２２の構成材料としては、当該分野において一般的に使用されるものであれば特に限定されないが、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、白金（Ｐｔ）、及び、Ｐｄ等を使用できる。
【００３３】
上記したように、ＦＥＴのような電子デバイスでは、２次元電子ガス（２ＤＥＧ（Ｔｗｏ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｇａｓ））を形成するために、ＧａＮ層１４（本実施の形態では、ノンドープのＧａＮ層）上に、ＧａＮよりもバンドギャップの大きいワイドバンドギャップ化合物半導体層１６（本実施の形態では、ノンドープのＡｌＧａＮからなる層）を形成し、このワイドバンドギャップ化合物半導体層１６上に、オーミック電極を形成する必要がある。
【００３４】
基板１０、ＧａＮ層１４、及び、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６におけるソース電極１８の下方部分には、基板１０、ＧａＮ層１４、及び、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６を貫通するバイアホール２４が形成される。このバイアホール２４には、後述する裏面パッド電極２６を構成する金属材料が充填される。
【００３５】
基板１０のＧａＮ層１４及びワイドバンドギャップ化合物半導体層１６とは反対側の面（以下「裏面」と記す。）には、バイアホール２４を介してソース電極１８と電気的に接続される裏面パッド電極２６が形成される。裏面パッド電極２６を構成する金属材料としては、当該分野において一般的に使用されるものであれば特に限定されないが、Ｔｉ、ニッケル（Ｎｉ）、及び、Ａｕ等を使用できる。このように、バイアホール２４を形成して電極の１つを基板１０の裏面に形成できるようにすることで、電子デバイス１００を大きくすることなく電極の面積を大きくすることができる。これによって、大面積では良好な結晶を得ることが困難なワイドバンドギャップ化合物半導体を使用する電子デバイス１００おいて重要な課題である装置の小型化をより一層達成し易くなる。また、放熱効果に優れ、耐熱性に優れる電子デバイスを得ることができる。裏面パッド電極２６は、Ａｕ線又はダイボンドペースト等によって外部回路（図示せず。）と接続される。
【００３６】
ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６の表面全体には、更に、ソース電極１８、ドレイン電極２０、及び、ゲート電極２２を覆うように、電界強度を高くするための高誘電体膜２８が形成される。高誘電体膜２８の構成材料としては、当該分野において一般的に使用されるものであれば特に限定されないが、比誘電率（ε）が２以上の材料であることが好ましい。高誘電体膜２８には、例えば、特開２００６−１２８６４６号公報に開示される酸化チタン（ＴｉＯ２；ε＝８０）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２；ε＝２５）、及び、窒化ケイ素（ＳｉＮ２；ε＝７．５）等を使用できる。
【００３７】
高誘電体膜２８におけるドレイン電極２０及びゲート電極２２の上方部分には、貫通孔３０，３２がそれぞれ形成される。この貫通孔３０，３２には、後述する表面パッド電極３４を構成する金属材料が充填される。
【００３８】
高誘電体膜２８の表面には、貫通孔３０，３２を介してドレイン電極２０及びゲート電極２２とそれぞれ電気的に接続される表面パッド電極３４が形成される。表面パッド電極３４を構成する金属材料としては、当該分野において一般的に使用されるものであれば特に限定されないが、Ａｌ等を使用できる。
【００３９】
［オーミック電極］
図２は、オーミック電極であるソース電極１８の構成を示す断面図である。以下、オーミック電極を代表してソース電極１８について説明するが、ドレイン電極２０もソース電極１８と同様の構成を有する。図２を参照して、ソース電極１８は、密着層４０、オーミック層４２、相互拡散防止層４４、及び、酸化防止層４６を含む。密着層４０、オーミック層４２、相互拡散防止層４４、及び、酸化防止層４６は、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６側からこの順に積層される。
【００４０】
密着層４０は、オーミック層４２と、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６とを密着させることで、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６からのオーミック層４２の剥離を防止する機能を有する。密着層４０はまた、オーミック層４２を構成する金属が、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６内に拡散しすぎないようにする拡散阻害層としての機能も有する。密着層４０の構成材料には、Ｖが使用される。このように、密着層４０の構成材料としてＶが使用されるので、低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を得ることが可能であり、広い温度範囲にわたって優れた熱安定性を有するオーミック電極を得ることができる。また、密着層４０が入手し易いＶからなるので、実用的なオーミック電極を得ることができる。密着層４０の厚みは、３００Å以下となるように設定される。これによって、低いコンタクト抵抗をより一層確実に得ることができるようになる。
【００４１】
オーミック層４２の構成材料としては、オーミック電極として使用される低抵抗の金属であれば特に限定されないが、Ａｌ及びＡｕ等を使用できる。これらの中でも、Ａｌを使用することが特に好ましい。このように、オーミック層４２がＡｌからなる層であると、オーミック電極形成時におけるアニール温度及びアニール時間の制御をより一層容易に行なうことができる。また、Ａｌは拡散の程度が小さいので、オーミック層４２を構成する金属材料の拡散によって生じる電極の性能劣化を防ぐことができる。オーミック層４２の厚みは、３００Å以上となるように設定されることが好ましい。これによって、低いコンタクト抵抗をさらに確実に得ることができるようになる。
【００４２】
相互拡散防止層４４は、オーミック層４２と酸化防止層４６との相互拡散を防止する機能を有する。このように、相互拡散防止層４４がオーミック層４２と酸化防止層４６との間に設けられることによって、例えば、アニール時等において、Ａｌからなるオーミック層４２と、Ａｕからなる酸化防止層４６とが相互拡散を起こすことを防止でき、電極金属として不適切な合金が形成されることを防ぐことができる。相互拡散防止層４４の構成材料としては、Ａｌ及びＡｕよりも融点の高いものが好ましいが、モリブデン（Ｍｏ）及びＮｂが好ましく、更にはＭｏが好ましい。Ｍｏ及びＮｂは、Ａｌ及びＡｕのみでなくＴｉ及びＮｉよりも高融点であるため、Ｔｉ及びＮｉを相互拡散防止層として使用する場合と比較して、より一層確実にオーミック層４２と酸化防止層４６との相互拡散を防止することができる。
【００４３】
酸化防止層４６は、オーミック層４２が、例えば、Ａｌ等の酸化されやすい金属からなる場合に、オーミック層４２の酸化を防ぐ機能を有する。酸化防止層４６が設けられることで、例えば、外部回路とのボールボンディング時に接着不良が生じる等のＦＥＴ製造工程時に生じる不良を低減させることができる。酸化防止層４６の構成材料としては、酸化されにくいものが好ましく、特には、酸化されるおそれのないＡｕが好ましい。このように、酸化防止層４６がＡｕからなる層であると、オーミック層の酸化をより一層確実に防ぐことができる。
【００４４】
上記した密着層４０、オーミック層４２、相互拡散防止層４４、及び、酸化防止層４６の厚みとしては、当該分野において一般的な厚みであれば特に限定されず、低いオーミック抵抗が得られるように適宜設定されればよい。特に、密着層４０及びオーミック層４２は、アニール時間をより短くするために、コンタクト抵抗が増加しない程度に厚みを小さくすることが好ましい。
【００４５】
［電子デバイス１００の製造方法］
電子デバイス１００の製造方法の一例としては、まず、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の公知の結晶成長技術によって、基板１０（例えばＳｉ基板）上に、ＧａＮ層１４及びワイドバンドギャップ化合物半導体層１６をこの順に積層させる。次いで、後述するオーミック電極の製造方法に従って、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６上にソース電極１８及びドレイン電極２０を形成した後、蒸着法等の公知の方法によってゲート電極２２を形成する。
【００４６】
ゲート電極２２の形成後、基板１０を研磨して１００μｍ程度まで薄くした後、基板１０側からバイアホール２４を形成する。バイアホール２４の形成方法としては、例えば、特開２００４−３６３５６３号公報、特開２００１−１６０５４号公報、特開平１１−１５０１２７号公報、及び、特表２００４−５３０２８９号公報等に開示される公知の方法を使用できる。これらの中でも、特に、ＧａＮ系半導体導電層を形成したＳｉ基板に関する技術が開示されている、特表２００４−５３０２８９号公報に開示される技術を使用することが好ましい。
【００４７】
バイアホール２４の形成後、基板１０の裏面に、例えば、蒸着法によって、Ｔｉ、Ｎｉ、及び、Ａｕをこの順に積層させた後、低温でアニールすることによって裏面パッド電極２６を形成する。この場合、Ｎｉは、ＴｉとＡｕとの接着性を強くし、Ａｕの剥離を防止するために使用される。また、金メッキによってＡｕ膜を形成することで裏面パッド電極２６を形成してもよい。このように、裏面パッド電極２６をＡｕ膜とすることによって、バイアホール２４がＡｕによって充填されるので、放熱効果をより一層高めることができる。裏面パッド電極２６の形成後、蒸着法及びフォトリソグラフィー等の公知の方法によって、ソース電極１８、ドレイン電極２０及びゲート電極２２の上にＡｌの電極パターンを形成することで、ソース電極１８と裏面パッド電極２６とをバイアホール２４を介して電気的に接続させる。
【００４８】
次いで、例えば、スパッタリング法によって、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６の表面全体に、ソース電極１８、ドレイン電極２０及びゲート電極２２を覆うように高誘電体膜２８を形成した後、フォトリソグラフィー法及びウェットエッチング法等の公知の方法によってパターニングすることで貫通孔３０，３２を形成する。
【００４９】
貫通孔３０，３２の形成後、例えば、真空蒸着法によって高誘電体膜２８表面にＡｌを製膜後、フォトリソグラフィー法及びウェットエッチング法等の公知の方法によってパターニングすることで表面パッド電極３４を形成する。
【００５０】
最後に、裏面パッド電極２６をＡｕ線又はダイボンドペースト等によって外部回路（図示せず。）と接続するとともに、表面パッド電極３４をＡｌ線等によって外部回路（図示せず。）と接続する。
【００５１】
上述のようにして製造された電子デバイス１００において、基板１０とソース電極１８及びドレイン電極２０とは、ＧａＮ層１４によって電気的に分離されている。すなわち、ＧａＮ層１４とワイドバンドギャップ化合物半導体層１６との界面に電子ポテンシャルの谷が形成され、その谷に閉じ込められた電子（２次元電子ガス（２ＤＥＧ））によってソース電極１８からドレイン電極２０に電流が流れるが、基板１０側には電流が流れない。
【００５２】
［オーミック電極の形成方法］
図３は、オーミック電極の形成方法の一例を示す図である。図３（ａ）を参照して、オーミック電極の形成方法の一例としては、まず、ＧａＮ層１４上に形成されたワイドバンドギャップ化合物半導体層１６表面に、一定膜厚のフォトレジスト５０を塗布する。フォトレジスト５０の膜厚は、所望のオーミック電極の厚みよりも大きくなるようにする。次いで、コンタクトアライナー又はステッパーを用いて、所望の電極パターンが形成されたフォトマスクを介してフォトレジスト５０表面を露光する。露光後、現像液に浸すことで現像を行ない、オーミック電極を形成する部分のフォトレジスト５０を除去する。
【００５３】
図３（ｂ）を参照して、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｂｅａｍ）蒸着機等によって、フォトレジスト５０及びワイドバンドギャップ化合物半導体層１６表面に対し、Ｖからなり、かつ、厚みが３００Å以下である密着層４０を形成し、さらに、オーミック層４２、相互拡散防止層４４、及び、酸化防止層４６を、それぞれ所望の厚みとなるように、この順で蒸着して積層する。なお、各層の厚みは、水晶振動子膜厚計で測定した蒸着レートと、蒸着時間（積算時間）との積によって求めることができる。
【００５４】
図３（ｃ）を参照して、各層の積層後、アセトン又は剥離液に浸けることでフォトレジスト５０を溶解し、フォトレジスト５０及びフォトレジスト５０上に積層された金属層を除去する。
【００５５】
図３（ｄ）を参照して、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６表面に形成された金属層を、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｅａｌ）炉によって、所定の温度でアニールすることで、オーミック電極が形成される。アニール後には、オーミック電極は、各金属層の界面が判別できないような渾然一体となった状態となるが、各金属層の構造は保持されている。アニール時におけるアニール温度としては、５００℃〜８００℃であることが好ましく、特には６００℃〜６５０℃である事が好ましい。アニール時間としては、特に限定されるものではなく、オーミック電極における各金属層の厚み等に応じて適宜設定されればよいが、より短い方が好ましい。例えば、アニール温度が６００℃〜６５０℃である場合には、３０秒間であることが好ましい。このように、アニール時間を３０秒間とすることによって、アニール時間を短縮することができるので、オーミック電極を有する電子デバイスの量産がより一層容易になる。
【００５６】
なお、本明細書中において、オーミック電極のコンタクト抵抗（Ｒｃ）は、以下に説明するＴＬＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｌｉｎｅ Ｍｏｄｅｌ）法によって求めた値である。
【００５７】
すなわち、シート抵抗（本実施の形態では、ノンドープのＡｌＧａＮからなる層の抵抗）をＲｓとし、遷移長をＬｔとすると、オーミック電極のコンタクト抵抗（Ｒｃ）は、下記式（１）で表わすことができる。
【００５８】
【数１】
【００５９】
また、オーミック電極の幅をｒ０とし、オーミック電極間の距離をｄとすると、オーミック電極の抵抗（Ｒｔ）は、下記式（２）で表わすことができる。
【００６０】
【数２】
【００６１】
上記式（２）にｄ＝０を代入すると、オーミック電極間の距離（ｄ）が０であるときのオーミック電極の抵抗、すなわち、全抵抗（Ｒｔ０）を表す下記式（３）が得られる。
【００６２】
【数３】
【００６３】
上記式（３）に上記式（１）を代入すると、下記式（４）が得られる。
【００６４】
【数４】
【００６５】
図４は、全抵抗（Ｒｔ０）の測定方法の一例について説明するための図である。図４を参照して、全抵抗（Ｒｔ０）の測定方法の一例としては、まず、オーミック電極の幅（ｒ０）が一定（例えば、４０μｍ）であって、オーミック電極間の距離（ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４）がそれぞれ異なる４つの測定点を有するサンプル４００について、四探針法を用いてそれぞれの測定点の抵抗を測定する。得られた各測定値を各オーミック電極間の距離（ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４）に対してプロットすると、略直線状のグラフが得られる。このグラフについて、最小二乗法等を用いて最も確からしい直線の関係式を求め、求めた関係式に基づいて、オーミック電極間の距離（ｄ）が０であるときのオーミック電極の抵抗、すなわち全抵抗（Ｒｔ０）を求めることができる。上述のようにして得られた全抵抗（Ｒｔ０）と、オーミック電極の幅（ｒ０）とを上記式（４）に代入することで、オーミック電極のコンタクト抵抗（Ｒｃ）を求めることができる。なお、図４に示すサンプル４００を作製する場合は、オーミック電極形成時に使用するフォトマスクとして、ラウンドＴＬＭパターンが形成されたものを使用すればよい。
【実施例】
【００６６】
以下に本発明の実施例および比較例を具体的に説明するが、本発明は特許請求の範囲に記載された技術的範囲を超えない限り特に本実施例に限定されるものではない。
【００６７】
＜試験例１＞
（実施例１）
まず、Ｓｉ基板上のＧａＮ層上に形成されたＡｌＧａＮ層表面に、一定膜厚のフォトレジストを塗布した。次いで、コンタクトアライナーを用いて、ラウンドＴＬＭパターンが形成されたフォトマスクを介してフォトレジスト表面を露光した。露光後、現像液に浸すことで現像を行ない、オーミック電極を形成する部分のフォトレジストを除去した。上記したＧａＮ層及びＡｌＧａＮ層はノンドープである。
【００６８】
フォトレジストの除去後、ＥＢ蒸着機によって、フォトレジスト及びＡｌＧａＮ層表面に対し、密着層（Ｖ；厚み１５ｎｍ（１５０Å））、オーミック層（Ａｌ；厚み６０ｎｍ（６００Å））、相互拡散防止層（Ｍｏ；厚み３５ｎｍ（３５０Å））、及び、酸化防止層（Ａｕ；厚み５０ｎｍ（５００Å））を、それぞれ所望の厚みとなるように、この順で蒸着して積層した。次いで、剥離液に浸けることでフォトレジストを溶解し、フォトレジスト及びフォトレジスト上に積層された金属層を除去することで実施例１のサンプルを作製した。
【００６９】
（比較例１）
密着層の構成材料としてＴｉを使用した以外は、実施例１と同様にして比較例１のサンプルを作製した。
【００７０】
（比較例２）
密着層を積層しなかった以外は実施例１と同様にして比較例２のサンプルを作製した。
【００７１】
［評価］
上述のようにして作製した実施例１及び比較例１，２のサンプルそれぞれに対し、ＲＴＡ炉によってアニールを行なうとともに、ＴＬＭ法を用いてコンタクト抵抗（Ｒｃ）を求めることで、コンタクト抵抗（Ｒｃ）とアニール温度との関係を調べた。なお、アニールは、約６００℃から約９００℃までの温度範囲の間において、５０℃毎に３０秒間行なった。
【００７２】
図５は、オーミック電極のコンタクト（接触）抵抗とアニール（熱処理）温度との関係を示すグラフである。
【００７３】
図５を参照して、グラフａ〜グラフｃは、実施例１及び比較例１，２の測定結果をそれぞれ示すグラフである。実施例１のオーミック電極（グラフａ参照）は、密着層にＶを使用しているので、全温度範囲で安定して低いコンタクト抵抗を得ることができた。特に、７００℃以下の低温条件下においても低いコンタクト抵抗を得ることができ、６５０℃において最も低いコンタクト抵抗を得た。
【００７４】
一方、密着層としてＴｉを使用した比較例１のオーミック電極（グラフｂ参照）は、７５０℃以下の低温条件下及び８００℃以上の高温条件下では、コンタクト抵抗の上昇が見られた。
【００７５】
更に、密着層が形成されていない比較例２のオーミック電極（グラフｃ参照）は、７００℃以下の低温条件下でコンタクト抵抗の低下が見られたものの、７００℃を超える高温条件下では、温度の上昇に伴ってコンタクト抵抗の上昇が見られた。
【００７６】
＜試験例２＞
（実施例２）
密着層の厚みを７５Åとした以外は、実施例１と同様にして実施例２のサンプルを作製した。
【００７７】
（実施例３）
密着層の厚みを３００Åとした以外は、実施例１と同様にして実施例３のサンプルを作製した。
【００７８】
［評価］
上述のようにして作製した実施例１〜３のサンプルそれぞれに対し、ＲＴＡ炉によってアニールを行なうとともに、ＴＬＭ法を用いてコンタクト抵抗（Ｒｃ）を求めることで、コンタクト抵抗（Ｒｃ）とアニール温度との関係を調べた。なお、アニールは、５５０℃から９００℃までの温度範囲の間において、５０℃毎に３０秒間行なった。
【００７９】
図６は、オーミック電極のコンタクト（接触）抵抗とアニール（熱処理）温度との関係を示すグラフである。図６を参照して、グラフａ，ｄ，ｅは、実施例１〜実施例３の測定結果をそれぞれ示すグラフである。密着層の厚みが１５０Åである実施例１のオーミック電極（グラフａ参照）は、６５０℃以下において非常に低いオーミック抵抗を得た。密着層の厚みが７５Åである実施例２のオーミック電極（グラフｄ参照）は、７５０℃以下において非常に低いオーミック抵抗を得た。密着層の厚みが３００Åである実施例３のオーミック電極（グラフｅ参照）は、８００℃以下において低いオーミック抵抗を得た。
【００８０】
＜試験例３＞
（実施例４）
オーミック層の厚みを３００Åとした以外は、実施例１と同様にして実施例４のサンプルを作製した。
【００８１】
（実施例５）
オーミック層の厚みを９００Åとした以外は、実施例１と同様にして実施例５のサンプルを作製した。
【００８２】
［評価］
上述のようにして作製した実施例１，４，５のサンプルそれぞれに対し、ＲＴＡ炉によってアニールを行なうとともに、ＴＬＭ法を用いてコンタクト抵抗（Ｒｃ）を求めることで、コンタクト抵抗（Ｒｃ）とアニール温度との関係を調べた。なお、アニールは、５５０℃から９００℃までの温度範囲の間において、５０℃毎に３０秒間行なった。
【００８３】
図７は、オーミック電極のコンタクト（接触）抵抗とアニール（熱処理）温度との関係を示すグラフである。図７を参照して、グラフａ，ｆ，ｇは、実施例１，４，５の測定結果をそれぞれ示すグラフである。オーミック層の厚みが６００Åである実施例１のオーミック電極（グラフａ参照）は、７００℃以下において非常に低いオーミック抵抗を得た。オーミック層の厚みが３００Åである実施例４のオーミック電極（グラフｆ参照）は、８５０℃において低いオーミック抵抗を得た。オーミック層の厚みが９００Åである実施例５のオーミック電極（グラフｇ参照）は、７００℃〜８５０℃において非常に低いオーミック抵抗を得た。
【００８４】
〈作用・効果〉
上記実施の形態によれば、電子デバイス１００は、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６と、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６上に形成される、オーミック電極であるソース電極１８及びドレイン電極２０とを含む電子デバイスであって、オーミック電極は、密着層４０、オーミック層４２、及び、酸化防止層４６が、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６側からこの順に積層されて形成された電極であり、密着層４０は、Ｖからなり、かつ、厚みが３００Å以下である。このように、密着層４０がＶからなるので、低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を得ることが可能であり、広い温度範囲にわたって優れた熱安定性を有するオーミック電極を得ることができる。また、密着層４０が入手し易いＶからなるので、実用的なオーミック電極を得ることができる。さらに、密着層４０の厚みが３００Å以下であるので、低いコンタクト抵抗をより一層確実に得ることができるようになる。
【００８５】
また上記実施の形態によれば、オーミック電極形成方法は、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６上に、密着層４０、オーミック層４２、及び、酸化防止層４６を、この順に積層した後、５００℃〜８００℃でアニールするオーミック電極形成方法であって、密着層４０は、Ｖからなり、かつ、厚みが３００Å以下である。このように、Ｖからなる密着層４０を設けるので、低温短時間のアニールによっても、低いコンタクト抵抗を有し、広い温度範囲にわたって熱安定性に優れるオーミック電極を形成することができる。また、密着層４０の厚みが３００Å以下であるので、低いコンタクト抵抗を有するオーミック電極をより一層確実に得ることができるようになる。さらに、アニール処理を低温短時間で行なうことで、ワイドバンドギャップ化合物半導体層１６表面に酸化物が形成されるのを防ぐことができるので、オーミック電極の劣化をより一層確実に防ぐことができる。
【００８６】
なお、上記実施の形態において、電子デバイス１００はＦＥＴであったが、本発明はそのような実施の形態に限定されない。電子デバイス１００は、上記構成のオーミック電極を適用可能ものであればよく、例えば、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ））、及び、青色レーザ等であってもよい。
【００８７】
今回開示された実施の形態は単に例示であって、この発明が上記した実施の形態のみに制限されるわけではない。この発明の範囲は、発明の詳細な説明の記載を参酌した上で、特許請求の範囲の各請求項によって示され、そこに記載された文言と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含む。
【符号の説明】
【００８８】
１０ 基板
１４ ＧａＮ層
１６ ワイドバンドギャップ化合物半導体層
１８ ソース電極
２０ ドレイン電極
２２ ゲート電極
２４ バイアホール
２６ 裏面パッド電極
２８ 高誘電体膜
３０，３２ 貫通孔
３４ 表面パッド電極
４０ 密着層
４２ オーミック層
４４ 相互拡散防止層
４６ 酸化防止層
５０ フォトレジスト
１００ 電子デバイス
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイドバンドギャップ化合物半導体層と、前記ワイドバンドギャップ化合物半導体層上に形成されるオーミック電極とを含む電子デバイスであって、
前記オーミック電極は、密着層、オーミック層、及び、酸化防止層が、前記ワイドバンドギャップ化合物半導体層側からこの順に積層されて形成された電極であり、前記密着層は、Ｖからなり、かつ、厚みが３００Å以下である、電子デバイス。
【請求項２】
前記オーミック層は、Ａｌからなる層であり、かつ、厚みが３００Å以上である、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記酸化防止層は、Ａｕからなる層である、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記オーミック電極は、前記オーミック層と前記酸化防止層との間に、Ｍｏからなる相互拡散防止層をさらに含む、請求項１〜請求項３のいずれか１つに記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記ワイドバンドギャップ化合物半導体層は、ＩｎａＡｌｂＧａｃＢｄＮ（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１，０≦ａ，ｂ，ｃ，ｄ≦１）からなる層である、請求項１〜請求項４のいずれか１つに記載の電子デバイス。
【請求項６】
基板と、
前記基板と前記ワイドバンドギャップ化合物半導体層との間に形成されるＧａＮ層とを更に含み、
前記ワイドバンドギャップ化合物半導体層は、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる層である、請求項１〜請求項５のいずれか１つに記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記ワイドバンドギャップ化合物半導体層及び前記ＧａＮ層は、ノンドープである、請求項６に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記ワイドバンドギャップ化合物半導体層の厚みは、１０ｎｍ〜５０ｎｍである、請求項１〜請求項７のいずれか１つに記載の電子デバイス。
【請求項９】
ワイドバンドギャップ化合物半導体層上に、密着層、オーミック層、及び、酸化防止層を、この順に積層した後、５００℃〜８００℃でアニールするオーミック電極形成方法であって、前記密着層は、Ｖからなり、かつ、厚みが３００Å以下である、オーミック電極形成方法。
【請求項１】
ワイドバンドギャップ化合物半導体層と、前記ワイドバンドギャップ化合物半導体層上に形成されるオーミック電極とを含む電子デバイスであって、
前記オーミック電極は、密着層、オーミック層、及び、酸化防止層が、前記ワイドバンドギャップ化合物半導体層側からこの順に積層されて形成された電極であり、前記密着層は、Ｖからなり、かつ、厚みが３００Å以下である、電子デバイス。
【請求項２】
前記オーミック層は、Ａｌからなる層であり、かつ、厚みが３００Å以上である、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記酸化防止層は、Ａｕからなる層である、請求項１又は請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記オーミック電極は、前記オーミック層と前記酸化防止層との間に、Ｍｏからなる相互拡散防止層をさらに含む、請求項１〜請求項３のいずれか１つに記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記ワイドバンドギャップ化合物半導体層は、ＩｎａＡｌｂＧａｃＢｄＮ（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１，０≦ａ，ｂ，ｃ，ｄ≦１）からなる層である、請求項１〜請求項４のいずれか１つに記載の電子デバイス。
【請求項６】
基板と、
前記基板と前記ワイドバンドギャップ化合物半導体層との間に形成されるＧａＮ層とを更に含み、
前記ワイドバンドギャップ化合物半導体層は、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）からなる層である、請求項１〜請求項５のいずれか１つに記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記ワイドバンドギャップ化合物半導体層及び前記ＧａＮ層は、ノンドープである、請求項６に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記ワイドバンドギャップ化合物半導体層の厚みは、１０ｎｍ〜５０ｎｍである、請求項１〜請求項７のいずれか１つに記載の電子デバイス。
【請求項９】
ワイドバンドギャップ化合物半導体層上に、密着層、オーミック層、及び、酸化防止層を、この順に積層した後、５００℃〜８００℃でアニールするオーミック電極形成方法であって、前記密着層は、Ｖからなり、かつ、厚みが３００Å以下である、オーミック電極形成方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−１４６７６（Ｐ２０１１−１４６７６Ａ）
【公開日】平成２３年１月２０日（２０１１．１．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１５６７３２（Ｐ２００９−１５６７３２）
【出願日】平成２１年７月１日（２００９．７．１）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２０年度、新エネルギー・産業技術総合開発機構「ナノエレクトロニクス半導体新材料・新構造技術の開発―窒化物系化合物半導体基板・エピタキシャル成長技術の開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１月２０日（２０１１．１．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年７月１日（２００９．７．１）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２０年度、新エネルギー・産業技術総合開発機構「ナノエレクトロニクス半導体新材料・新構造技術の開発―窒化物系化合物半導体基板・エピタキシャル成長技術の開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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